JP6155608B2 - 車両用灯具 - Google Patents

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Description

この発明は、LEDチップ(発光素子)に関するものである。特に、この発明は、車両用灯具の半導体型光源に使用するのに最適なLEDチップに関するものである。また、この発明は、車両用灯具の半導体型光源に関するものである。さらに、この発明は、半導体型光源と配光制御部材とを備える車両用灯具に関するものである。
この種のLEDチップ(発光素子)は、従来からある(たとえば、特許文献1)。従来のLEDチップは、第1導電型層と、発光層と、第2導電型層と、第2導電型層に形成された第2導電型電極と、第1導電型層の露出部に形成された第1導電型電極と、を備え、第1導電型層の露出部には第1導電型電極の発光層側の縁に沿って溝が形成されてなるものである。
従来のLEDチップにおいては、電流が第2導電型電極→第2導電型層→発光層→第1導電型層→第1導電型電極に流れる。電流が発光層に流れる際に、発光層が発光する。ここで、溝により、第1導電型層における電流の横方向の流れに対する抵抗が大きいので、電流の横方向の流れが抑制されて、第1導電型層において、電流が縦方向に均一に流れる。
特開2007−73590号公報
ところが、従来のLEDチップは、溝により、第1導電型層における電流の横方向の流れに対する抵抗を大きくするものであるから、第1導電型層における発熱量が大きくなる傾向にある。このために、従来のLEDチップは、車両用灯具の半導体型光源に使用するのに適していない。
この発明が解決しようとする課題は、従来のLEDチップでは、車両用灯具の半導体型光源の使用に適していない、という点にある。
この発明(請求項1にかかる発明)は、第1半導体層と第1半導体層に形成されている発光層と、第1半導体層の発光層と反対側に形成されている第1電極と、発光層に形成され、かつ、一部が第1半導体層および発光層の積層方向に対して交差する方向に突出する第2半導体層と、第2半導体層に形成されている透明導電層と、第2半導体層の突出部の透明導電層と反対側であって発光層側に形成されている第2電極と、第2電極と透明導電層とを接続する導電接続部と、を備える、ことを特徴とする。
この発明(請求項2にかかる発明)は、透明導電層には、透明支持層が形成されている、ことを特徴とする。
この発明(請求項3にかかる発明)は、前記の請求項1または2に記載のLEDチップ(発光素子)と、LEDチップが実装されているパッケージ部材と、LEDチップに電流を供給する給電部材と、パッケージ部材が固定されていて、LEDチップにおいて発生する熱を外部に放射させる放熱部材と、を備え、パッケージ部材が、金属基板から構成されていて、LEDチップが、金属基板に金属接合材を介して接合されている、ことを特徴とする。
この発明(請求項4にかかる発明)は、金属接合材が、金属バンプ、半田材、金属表面融解を利用した金属接合材、もしくは、金属のナノ粒子が含有されているペーストを硬化させたもの、である、ことを特徴とする。
この発明(請求項5にかかる発明)は、金属基板と放熱部材との間には、放熱グリース、もしくは、金属接合材が設けられている、ことを特徴とする。
この発明(請求項6にかかる発明)は、前記の請求項3〜5のいずれか1項に記載の車両用灯具の半導体型光源と、半導体型光源からの光を配光制御する配光制御部材と、を備える、ことを特徴とする。
この発明のLEDチップは、第2電極と透明導電層とを導電接続部により接続するものである。このために、発光層と透明導電層との間に挟まれている第2半導体層において、電流が積層方向に均一に流れる。この結果、電流集中による局所的な発熱で半導体の結晶欠陥の増加、また、電流を増やしたときのドループ現象などによる発光効率(光束低下)、を回避することができる。これにより、信頼性が向上し、かつ、大電流を流すことができて高光束が得られる。
しかも、この発明のLEDチップは、導電接続部を介して第2電極に接続されている透明導電層により電流を低抵抗で均一に流すことができるので、溝による高抵抗で電流を均一に流す従来のLEDチップと比較して、発熱量を小さく抑制することができ、その分、大電流を流すことができる。これにより、信頼性が向上し、かつ、高光束が得られるので、車両用灯具の半導体型光源に使用するのに最適である。
この発明の車両用灯具の半導体型光源、および、この発明の車両用灯具は、LEDチップがパッケージ部材の金属基板に金属接合材を介して接合されているので、LEDチップにおいて発生する熱が金属接合材を介してパッケージ部材の金属基板に効率良く伝達され、その金属基板に伝達された熱が放熱部材を介して外部に効率良く放射される。このために、LEDチップにおいて発生する熱を外部に効率良く放射させることができる。これにより、LEDチップの発光効率を向上させることができる。すなわち、強い光が得られる。
特に、この発明の車両用灯具の半導体型光源、および、この発明の車両用灯具は、LEDチップを実装する基板に金属基板を使用する。この金属基板は、従来の半導体型光源のセラミック基板と比較して、強度が大であるから、大型化することができる。これにより、LEDチップにおいて発生する熱が広い面積の金属基板に効率良く伝達される。さらに、金属基板は、従来の半導体型光源のセラミック基板と比較して、割れ難いため、強固に放熱部材にスクリュー止めすることができ、LEDチップが実装されているパッケージ部材をヒートシンク部材に固定する給電ホルダーなどの固定部材が不要である。その上、熱伝導率が低い放熱グリースを使用する場合であっても、その放熱グリースをバラツキなく薄くすることができるので、放熱性のバラツキを小さくすることができる。この結果、金属基板に伝達された熱を放熱部材を介して外部に効率良く放射させることができ、LEDチップにおいて発生する熱を外部に効率良く放射させることができる。これにより、LEDチップの発光効率を向上させることができる。すなわち、強い光が得られる。
しかも、この発明の車両用灯具の半導体型光源、および、この発明の車両用灯具は、LEDチップとして、導電接続部を介して第2電極に接続されている透明導電層により電流を低抵抗で均一に流すことができるLEDチップを使用するので、さらに強い光が得られる。
図1は、この発明にかかる車両用灯具の半導体型光源の実施形態、および、この発明にかかる車両用灯具の実施形態を示し、車両用灯具の概略説明図である。 図2は、半導体型光源を示す斜視図である。 図3は、図2におけるIII−III線断面図である。 図4は、この発明にかかるLEDチップの実施形態を示す説明図である。
以下、この発明にかかるLEDチップの実施形態(実施例)、および、この発明にかかる車両用灯具の半導体型光源の実施形態(実施例)、および、この発明にかかる車両用灯具の実施形態(実施例)の1例を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施形態によりこの発明が限定されるものではない。
(実施形態の構成の説明)
以下、この実施形態におけるLEDチップおよびこの実施形態における車両用灯具の半導体型光源およびこの実施形態における車両用灯具の構成について説明する。図4において、符号3は、この実施形態におけるLEDチップ(発光素子)である。図1〜図3において、符号1は、この実施形態における車両用灯具の半導体型光源である。図1において、符号100は、この実施形態における車両用灯具である。
(車両用灯具100の説明)
前記車両用灯具100は、たとえば、自動車用前照灯のヘッドランプである。前記車両用灯具100は、車両の前部の左右両側にそれぞれ搭載されている。前記車両用灯具100は、ランプハウジング(図示せず)と、ランプレンズ(図示せず)と、前記半導体型光源1と、配光制御部材2と、を備える。
前記ランプハウジングおよび前記ランプレンズ(たとえば、素通しのアウターレンズなど)は、灯室(図示せず)を画成する。前記半導体型光源1および前記配光制御部材2は、ランプユニットを構成する。前記ランプユニット1、2は、前記灯室内に配置されていて、かつ、上下方向用光軸調整機構(図示せず)および左右方向用光軸調整機構(図示せず)を介して前記ランプハウジングに取り付けられている。
(配光制御部材2の説明)
前記配光制御部材2は、前記半導体型光源1からの光(図1中の実線矢印を参照)を配光制御するものであって、リフレクタ20と、光学レンズ21と、から構成されている。前記リフレクタ20には、反射面22が設けられている。前記反射面22は、前記半導体型光源1からの光を前記光学レンズ21側に反射させる。前記光学レンズ21は、前記反射面22からの反射光を所定の配光パターンとして車両の前方に照射する。所定の配光パターンは、この例では、ロービーム配光パターン(すれ違い配光パターン)、もしくは、ハイビーム配光パターン(走行配光パターン)である。
(半導体型光源1の説明)
前記半導体型光源1は、前記LEDチップ3と、前記LEDチップ3が実装されているパッケージ部材4と、前記LEDチップ3に電流を供給する給電部材5と、前記パッケージ部材4が固定されていて、前記LEDチップ3において発生する熱を外部に放射させる放熱部材(ヒートシンク部材)6と、を備えるものである。
(LEDチップ3の説明)
前記LEDチップ3は、この例では、青色の光を放射するものである。前記LEDチップ3は、図4に示すように、フリップチップ実装タイプ(フェースダウンタイプ)のLEDチップである。前記LEDチップ3は、第1電極としてのP電極30(金等の金属からなる)と、電流拡散層(P型GaN層)33と、第1半導体層としてのP型半導体層(P型InGaN層、もしくは、P型GaN層)34と、発光層(MQW、すなわち、多重量子井戸構造で微妙に組成の異なるInGaN積層部)35と、第2半導体層としてのN型半導体層(N型GaN層)36と、第2電極としてのN電極37(金等の金属からなる)と、補強用の透明支持層(Al2O3、サファイヤなどの透明なサファイヤ基板)38と、透明導電層39と、導電接続部32、320と、から構成されている。なお、前記電流拡散層33と前記P型半導体層34とは、兼用される場合がある。
前記P型半導体層34の一面(表面、上面)には、前記発光層35が形成されている。前記P型半導体層34の他面(前記発光層35と反対側の面、裏面、下面)には、前記電流拡散層33を介して前記P電極30が形成されている。前記発光層35の一面(表面、上面)には、前記N型半導体層36が形成されている。前記N型半導体層36の一面(表面、上面)には、前記透明導電層39が形成されている。前記透明導電層39の一面(表面、上面)には、前記透明支持層38が形成されている。
前記N型半導体層36および前記透明導電層39および前記透明支持層38の一部は、前記P電極30および前記電流拡散層33および前記P型半導体層34および前記発光層35の積層方向に対して交差(直交もしくはほぼ直交)する方向に突出している。すなわち、前記電流拡散層33および前記P型半導体層34および前記発光層35の一部を除去して、前記N型半導体層36の前記突出部を露出させるものである。前記N型半導体層36の前記突出部の露出面(前記透明導電層39と反対側であって前記発光層35側の面)には、前記N電極37が形成されている。なお、前記発光層35と前記N型半導体層36との接合面と、前記N型半導体層36の前記突出部の露出面との間には、段差がある。
前記N型半導体層36の前記突出部において、前記N電極37と前記透明導電層39とを連通するスルーホール31が設けられている。前記スルーホール31中には、前記導電接続部32が設けられている。前記N電極37と前記透明導電層39とは、前記導電接続部32を介して電気的に接続されている。
なお、図4中の二点鎖線にて示すように、前記スルーホール31を設けずに、前記N型半導体層36の前記突出部の外面において、前記導電接続部320により、前記N電極37と前記透明導電層39とを電気的に接続しても良い。
前記導電接続部32、320は、前記N電極37の材料、あるいは、前記透明導電層39の材料、あるいは、前記N電極37と前記透明導電層39との混合材料、あるいは、その他の導電性材料からなる。
フリップチップ実装タイプの前記LEDチップ3は、発光面が前記P電極30と反対側に位置するものである。このために、前記LEDチップ3の前記P電極30の前記電流拡散層33側の層には、銀(Ag)などの反射率が高い層を形成すると良い。フリップチップ実装タイプの前記LEDチップ3において、前記P電極30は、発光層35側の電極である。
(パッケージ部材4の説明)
前記パッケージ部材4は、金属基板40と、絶縁層41と、枠体42と、蛍光部材43と、メッキ46と、から構成されている。前記パッケージ部材4には、前記LEDチップ3が実装されている。
前記金属基板40は、たとえば、銅製やアルミニウム製の板からなる。前記金属基板40の一端部の一面(表面、上面)には、電気的短絡(電気的ショート)を防ぐ前記絶縁層41と前記給電部材5の配線パターン51とが実装されている。一方、前記金属基板40の他端部の一面(表面、上面)には、導電性の前記メッキ46が実装されている。
前記金属基板40の前記絶縁層41および前記配線パターン51側の一端部と前記メッキ46側の他端部とには、位置決め用の孔44とスクリュー挿通用の孔47とがそれぞれ設けられている。2個の前記位置決め用の孔44のうち、1個を円形の孔として、他の1個を長円形の孔とする。
前記金属基板40の前記メッキ46には、前記LEDチップ3の前記P電極30が、金属接合材としての1個もしくは複数個の金属バンプ(金等の金属バンプ)70を介して接合されている。一方、前記金属基板40の前記配線パターン51には、前記LEDチップ3の前記N電極37が、金属バンプ(金等の金属バンプ)71を介して接合されている。なお、Auバンプは、低融点半田ペーストなどをパッケージ基板(パッケージ部材4の金属基板40)に微細パターンで塗布または印刷しておいて、LEDチップ3を載せた後加熱することにより、融けた半田材の表面張力により、電気ショートすることなく両極(P極、N極)をパッケージ基板に金属接合することも可能である。
前記メッキ46および前記配線パターン51のうち、前記金属バンプ70、71が接合される箇所(表面)は、前記金属バンプ70、71との接合性に優れた導電層たとえば金層、銀層などとする。
前記金属基板40の一面(表面、上面)の前記絶縁層41および前記配線パターン51側の一端部と前記メッキ46とには、前記枠体42が接着されている。前記枠体42は、前記LEDチップ3を包囲する。前記枠体42は、高反射部材(たとえば、酸化チタンなどの高反射材料が含有されている樹脂、セラミック、これらの組み合わせ)から構成されている。前記枠体42の内周面は、垂直面をなしていて、前記LEDチップ3からの光を前記枠体42の開放側(前記金属基板40により閉塞されている側と反対側)に反射させる。なお、前記枠体42の内周面は、傾斜面であっても良い。
前記枠体42中には、前記蛍光部材43が充填されている。前記LEDチップ3は、前記蛍光部材43により封止されている。前記蛍光部材43は、この例では、液状シリコーン樹脂に黄色発光蛍光体粒子が含有されているものであって、前記枠体42中に塗布して硬化させてなるものである。前記蛍光部材43は、前記LEDチップ3からの青色光に励起されて白色光を発するものである。
(給電部材5の説明)
前記給電部材5は、前記LEDチップ3に電流を供給するものである。前記給電部材5は、前記配線パターン(パターン配線部、金等の金属からなる)51と、安価なリング57付の外部リード線58、59と、から構成されている。前記外部リード線58、59は、コネクタなど(図示せず)を介して、図示されていない電源(バッテリー)に電気的に接続されている。
一方の前記外部リード線58の前記リング57を前記パッケージ部材4の前記メッキ46の一面(上面)に載置させる。一方のスクリュー63を一方の前記リング57の孔と一方の前記スクリュー挿通用の孔47とに挿通して一方のスクリュー孔64にねじ込む。これにより、一方の前記リング57を介して一方の前記外部リード線58と前記パッケージ部材4の前記メッキ46とが電気的に接続される。
他方の前記外部リード線59の前記リング57を前記パッケージ部材4の他方の前記配線パターン51の一面(上面)に載置させる。他方の絶縁性のスクリュー65を他方の前記リング57の孔と他方の前記スクリュー挿通用の孔47とに挿通して他方のスクリュー孔64にねじ込む。これにより、他方の前記リング57を介して他方の前記外部リード線59と前記パッケージ部材4の他方の前記配線パターン51とが電気的に接続される。他方のスクリューとして前記絶縁性のスクリュー65を使用することにより、電気的短絡(電気的ショート)を簡単に防ぐことができる。
前記スクリュー63および前記絶縁性のスクリュー65のねじ込みにより、前記LEDチップ3が実装されている前記パッケージ部材4が、前記放熱部材6に固定される。このように、前記パッケージ部材4の前記放熱部材6への固定と、前記パッケージ部材4の前記外部リード線58、59への電気的接続とを、同時に行うことができる。前記パッケージ部材4の前記金属基板40の他面(下面)と、前記放熱部材6の固定板部60の一面(上面)との間には、熱伝導材8が介在されている。
(放熱部材6の説明)
前記放熱部材6は、たとえば、樹脂や金属製ダイカスト(アルミダイカスト)などの熱伝導率が高い材料からなる。前記放熱部材6は、固定板部60と、前記固定板部60の一面(下面)から一体に設けられている複数のフィン部61と、から構成されている。
前記固定板部60の他面(上面)には、複数個(この例では、2個)の位置決め用のピン62とスクリュー孔64とが、前記位置決め用の孔44と前記スクリュー挿通用の孔47とに、それぞれ対応して設けられている。
前記放熱部材6には、前記パッケージ部材4が前記スクリュー63および前記絶縁性のスクリュー65により、固定されている。すなわち、前記放熱部材6の前記固定板部60の他面に前記パッケージ部材4の前記金属基板40の他面(下面)を、前記固定板部60の他面と前記金属基板40の他面との間に前記熱伝導材8を介在させて、搭載する。
このとき、前記位置決め用のピン62が前記位置決め用の孔44中に嵌合されていて、前記放熱部材6と前記パッケージ部材4とは、相互に位置決めされている。この状態において、前記スクリュー63および前記絶縁性のスクリュー65を前記スクリュー挿通用の孔47の中に通して前記スクリュー孔64にねじ込む。これにより、前記パッケージ部材4が前記放熱部材6に固定される。この結果、前記放熱部材6は、前記LEDチップ3において発生する熱を、前記金属接合材としての1個もしくは複数個の金属バンプ70(前記金属バンプ71)、前記金属基板40、前記熱伝導材8を介して、外部に放射させることができる。
(金属接合材の説明)
前記LEDチップ3を前記金属基板40に固着(接合)する前記金属接合材は、前記金属バンプ(Auバンプ等)70、71、AuSnなどの半田材、金属表面融解を利用した金属接合材、もしくは、金属のナノ粒子が含有されているペーストを硬化させたもの、である。
金属表面融解を利用した前記金属接合材は、Ag(銀)などの粒子をアルコール系の溶媒中に分散させたものであって、前記LEDチップ3の前記P電極30と前記パッケージ部材4の前記金属基板40の前記メッキ46との間に介在させて、約150°の温度で加熱させて金属接合させたものである。すなわち、金属表面融解を利用した前記金属接合材を約150°位に加熱すると、Ag粒子の表面のみが融けて前記P電極30の一面、前記メッキ46の一面に接合し、また、Ag粒子同士が接合する。このために、金属表面融解を利用した前記金属接合材は、固着、導電性、熱伝導性(半田並みの200W/m・K)において優れている。
金属のナノ粒子が含有されているペーストを硬化させた前記のものは、シリコーンやエポキシ樹脂中に、Agのナノ粒子を高い比率で含有させ、加熱処理後Agの含有量が約99%程度になる金属接合材であって、通常の放熱グリース(4W/m・K)より格段に熱伝導性が良い。
前記熱伝導材8は、この例では、放熱グリース、あるいは、金属表面融解を利用した前記金属接合材を使用する。金属表面融解を利用した前記金属接合材を使用すると、放熱グリース(4W/m・K)より大幅に熱伝導性が改善される。また、LEDチップ3をリードフレームなどに固着するAgペースト(1〜100W/m・K)によっても前記放熱グリースと同様に、熱伝導性が改善される。
(実施形態の作用の説明)
この実施形態におけるLEDチップ3およびこの実施形態における車両用灯具の半導体型光源1およびこの実施形態における車両用灯具100(以下、「この実施形態におけるLEDチップ3および半導体型光源1および車両用灯具100」と称する)は、以上のごとき構成からなり、以下、その作用について説明する。
LEDチップ3に電流を印加する。すると、電流は、図4中の実線矢印に示すように、一方の外部リード線58→一方のリング57→メッキ46→一方の金属バンプ70→P電極30→電流拡散層33→P型半導体層34→発光層35→N型半導体層36→透明導電層39→導電接続部32、320→N電極37→他方の金属バンプ71→他方の配線パターン51→他方のリング57→他方の外部リード線59に流れる。なお、図4中において、実線矢印は、電流拡散層33、P型半導体層34、発光層35、N型半導体層36に図示されていて、その他においては図示されていない。
この電流がLEDチップ3の発光層35に流れる際に、発光層35が青色に発光する。この発光層35において青色に発光した光は、図4中の白抜きの矢印に示すように、直接、透明導電層39を透過して透明支持層38から外部に放射される。あるいは、P電極30で一旦反射されて、透明導電層39を透過して透明支持層38から外部に放射される。なお、LEDチップ3の透明支持層38以外の箇所(金属基板40に実装されている面以外の面)からも光が外部に放射される。
LEDチップ3の発光層35において発光した光は、LEDチップ3から外部に放射される。外部に放射された光すなわち青色光は、パッケージ部材4の枠体42中に充填されている蛍光部材43により、励起されて白色光となる。この白色光(以下、「光」と称する)は、パッケージ部材4の蛍光部材43から直接外部に放射され、あるいは、パッケージ部材4の枠体42で反射されて蛍光部材43から外部に放射される。
図1中の実線矢印に示すように、LEDチップ3からの光であって、パッケージ部材4の蛍光部材43から放射された光(白色光)は、半導体型光源1からリフレクタ20側に照射される。その照射された光は、リフレクタ20の反射面22で光学レンズ21側に反射される。その反射光は、光学レンズ21を透過して、所定の配光パターン、ロービーム配光パターン、もしくは、ハイビーム配光パターンとして、車両の前方に照射される。
そして、LEDチップ3が発光すると、LEDチップ3において熱が発生する。この熱は、LEDチップ3のP電極30から金属接合材としての金属バンプ70を介してパッケージ部材4のメッキ46、金属基板40に伝達される。金属基板40に伝達された熱は、さらに、熱伝導材8を介して放熱部材6の固定板部60に伝達される。固定板部60に伝達された熱は、放熱部材6のフィン部61に伝達されてこのフィン部61から外部に放射される。なお、固定板部60に伝達された熱の一部は、この固定板部60から直接外部に放射される。
(実施形態の効果の説明)
この実施形態におけるLEDチップ3および半導体型光源1および車両用灯具100は、以上のごとき構成および作用からなり、以下、その効果について説明する。
この実施形態におけるLEDチップ3は、第2電極としてのN電極37と透明導電層39とを導電接続部32、320により接続するものである。このために、発光層35と透明導電層39との間に挟まれている第2半導体層としてのN型半導体層36において、電流(図4中の実線矢印を参照)が積層方向に均一に流れる。この結果、電流集中による局所的な発熱で半導体の結晶欠陥の増加、また、電流を増やしたときのドループ現象などによる発光効率(光束低下)、を回避することができる。これにより、信頼性が向上し、かつ、大電流を流すことができて高光束が得られる。
しかも、この実施形態におけるLEDチップ3は、導電接続部32、320を介して第2電極としてのN電極37に接続されている透明導電層39により電流を低抵抗で均一に流すことができるので、溝による高抵抗で電流を均一に流す従来のLEDチップと比較して、発熱量を小さく抑制することができ、その分、大電流を流すことができる。これにより、信頼性が向上し、かつ、高光束が得られるので、車両用灯具100の半導体型光源1に使用するのに最適である。
この実施形態における半導体型光源1および車両用灯具100は、フリップチップ実装タイプのLEDチップ3を使用し、LEDチップ3の発光層35側の電極であるP電極30を、パッケージ部材4の金属基板40に金属接合材としての金属バンプ70を介して接合するものである。このために、通電により、発光層35において発生する熱を、発光層35側の電極であるP電極30から金属基板40に効率良く伝達させることができ、その金属基板40に伝達された熱を、放熱部材6を介して外部に効率良く放射させることができる。この結果、LEDチップ3の熱の放射効率を向上させることができ、LEDチップ3の発光効率を向上させることができる。すなわち、強い光が得られる。
ここで、P電極30の面積を広くし、かつ、金属バンプ70の数(量)を増やすことにより、P電極30から金属基板40への熱伝導率が向上され、LEDチップ3の熱の放射効率、発光効率が向上される。
特に、この実施形態における半導体型光源1および車両用灯具100は、LEDチップ3を実装する基板に金属基板40を使用する。この金属基板40は、従来の半導体型光源のセラミック基板と比較して、強度が大であるから、大型化することができる。これにより、LEDチップ3において発生する熱が広い面積の金属基板40に効率良く伝達される。さらに、金属基板40は、従来の半導体型光源のセラミック基板と比較して、割れ難いため、強固に放熱部材6にスクリュー63、絶縁性のスクリュー65で止めることができ、LEDチップが実装されているパッケージ部材をヒートシンク部材に固定する給電ホルダーなどの固定部材が不要である。その上、熱伝導率が低い放熱グリースを使用する場合であっても、その放熱グリースをバラツキなく薄くすることができるので、放熱性のバラツキを小さくすることができる。この結果、金属基板40に伝達された熱を放熱部材6を介して外部に効率良く放射させることができ、LEDチップ3において発生する熱を外部に効率良く放射させることができる。これにより、LEDチップ3の発光効率を向上させることができる。すなわち、強い光が得られる。
しかも、この実施形態における半導体型光源1および車両用灯具100は、LEDチップ3として、導電接続部32、320を介して第2電極としてのN電極37に接続されている透明導電層39により電流を低抵抗で均一に流すことができるLEDチップ3を使用するので、さらに強い光が得られる。
この実施形態における半導体型光源1および車両用灯具100は、パッケージ部材4の基板として金属基板40を使用するので、基板としてセラミック基板を使用するものと比較して、製造コストを安価にすることができる。
この実施形態における半導体型光源1および車両用灯具100は、LEDチップ3が実装されているパッケージ部材4が放熱部材6に固定されているので、LEDチップが実装されているパッケージ部材をヒートシンク部材に固定する給電ホルダーなどの固定部材を使用せずに、LEDチップ3が実装されているパッケージ部材4と放熱部材6とを確実にかつ安定してかつ安価に組み立てることができる。
この実施形態における半導体型光源1および車両用灯具100は、金属接合材として、金属バンプ(Auバンプ等)70、71、AuSnなどの半田材、金属表面融解を利用した金属接合材、もしくは、金属のナノ粒子が含有されているペーストを硬化させたもの、を使用するものである。たとえば、金属表面融解を利用した金属接合材は、Ag(銀)などの粒子をアルコール系の溶媒中に分散させたものであって、LEDチップ3のP電極30の一面とパッケージ部材4の金属基板40の一面との間に介在させて、約150°の温度で加熱させて金属接合させたものである。すなわち、金属表面融解を利用した金属接合材を約150°位に加熱すると、Ag粒子の表面のみが融けてP電極30の一面、金属基板40の一面に接合し、また、Ag粒子同士が接合する。このために、金属表面融解を利用した前記金属接合材は、固着、導電性、熱伝導性(半田並みの200W/m・K)において優れている。
金属のナノ粒子が含有されているペーストを硬化させたものは、シリコーンやエポキシ樹脂中に、Agのナノ粒子を高い比率で含有させ、加熱処理後Agの含有量が約99%程度になる金属接合材であって、通常の放熱グリース(4W/m・K)より格段に熱伝導性が良い。この結果、LEDチップ3において発生する熱を、金属接合材、金属基板40、熱伝導材8、放熱部材6を介して、外部に効率良く放射させることができる。
熱伝導材8は、この例では、放熱グリース、あるいは、金属表面融解を利用した金属接合材を使用する。金属表面融解を利用した金属接合材を使用すると、放熱グリース(4W/m・K)より大幅に熱伝導性が改善される。また、LEDチップ3をリードフレームなどに固着するAgペースト(1〜100W/m・K)によっても放熱グリースと同様に、熱伝導性が改善される。
この実施形態における半導体型光源1および車両用灯具100は、パッケージ部材4の金属基板40に位置決め用の孔44を設け、一方、放熱部材6の固定板部60に位置決め用のピン62を設けたので、位置決め用の孔44中に位置決め用のピン62を嵌合させることにより、パッケージ部材4と放熱部材6との相対位置を高精度に決めることができる。しかも、スクリュー63、絶縁性のスクリュー65をパッケージ部材4の金属基板40のスクリュー挿通用の孔47の中に通して放熱部材6の固定板部60のスクリュー孔64にねじ込むことにより、パッケージ部材4を放熱部材6に高精度に固定することができる。
この実施形態における半導体型光源1および車両用灯具100は、LEDチップ3を実装する基板として金属基板40を使用するものである。このために、金属基板40を固定板部60にスクリュー63、絶縁性のスクリュー65により強い力で固定することができる。その結果、金属基板40と固定板部60とを高密度に接合することができ、熱伝導材8の厚さをバラツキなく薄くできるので、熱伝導率が向上されて、LEDチップ3の熱の放射効率が向上される。
(実施形態以外の例の説明)
なお、実施形態においては、金属接合材として、金属バンプ70を使用して、P電極30の一面と金属基板40の一面とを接合するものである。
ところが、この発明においては、実施形態の金属接合材すなわち金属バンプ70の代わりに、金属のナノ粒子が含有されているペーストを硬化させたものを使用するものであっても良い。すなわち、金属接合材としては、Ag(銀)などの粒子をアルコール系の溶媒中に分散させたものであって、接合する面の間に介在させて、約150°の温度で加熱させて硬化させたものを使用するものである。
また、この発明においては、実施形態の金属接合材すなわち金属バンプ70の代わりに、液状シリコーン樹脂に銀などの金属のナノ粒子が含有されているものを使用しても良い。
さらに、この発明においては、実施形態の金属接合材すなわち金属バンプ70の代わりに、低融点半田ペーストなどをパッケージ基板(パッケージ部材4の金属基板40)に微細パターンで塗布または印刷しておき、LEDチップ3を載せた後加熱することにより、融けた半田材の表面張力により、電気ショートすることなく両極(P極、N極)をパッケージ基板に金属接合するものであっても良い。
また、この実施形態においては、パッケージ部材4の金属基板40の他面と放熱部材6の固定板部60の他面との間を熱伝導材8により接合するものである。ところが、この発明においては、熱伝導材として一般的に使われている放熱グリースの代わりに、前記の金属接合材を使用しても良い。これにより、熱伝導性は大幅に改善される。
さらに、この実施形態においては、ロービーム配光パターンあるいはハイビーム配光パターンを照射するものである。ところが、この発明においては、ロービーム配光パターンあるいはハイビーム配光パターン以外の配光パターン、たとえば、ロービーム配光パターンとハイビーム配光パターンとを切り替えるバイファンクションの配光パターン、フォグランプ配光パターン、ストップランプ配光パターン、テールランプ配光パターンなどのその他の配光パターンであっても良い。
さらにまた、この実施形態においては、リフレクタ20と光学レンズ21とから構成されている配光制御部材2を使用するものである。ところが、この発明においては、配光制御部材として、リフレクタ20と光学レンズ21とから構成されている配光制御部材2以外の配光制御部材、たとえば、レンズ直射タイプの配光制御部材、プロジェクタタイプの配光制御部材、リフレクタタイプの配光制御部材などを使用するものであっても良い。
さらにまた、この実施形態においては、LEDチップ3を1個使用するものである。ところが、この発明においては、LEDチップを複数個使用しても良い。この場合においては、複数個のLEDチップを直列もしくは並列もしくは直列と並列との組み合わせにより接続されている。
さらにまた、この実施形態においては、第1電極としてP電極30、第2電極としてN電極37、第1半導体層としてP型半導体層34、第2半導体層としてN型半導体層36である。ところが、この発明においては、第1電極としてN電極、第2電極としてP電極、第1半導体層としてN型半導体層、第2半導体層としてP型半導体層であっても良い。
1 半導体型光源
2 配光制御部材
20 リフレクタ
21 光学レンズ
22 反射面
3 LEDチップ
30 P電極
31 スルーホール
32、320 導電接続部
33 電流拡散層
34 P型半導体層
35 発光層
36 N型半導体層
37 N電極
38 透明支持層
39 透明導電層
4 パッケージ部材
40 金属基板
41 絶縁層
42 枠体
43 蛍光部材
44 位置決め用の孔
46 メッキ
47 スクリュー挿通用の孔
5 給電部材
51 配線パターン
57 リング
58、59 外部リード線
6 放熱部材
60 固定板部
61 フィン部
62 位置決め用のピン
63 スクリュー
64 スクリュー孔
65 絶縁性のスクリュー
70、71 金属バンプ
8 熱伝導材
100 車両用灯具

Claims (2)

  1. 車両用灯具の半導体型光源において、
    第1半導体層と、
    前記第1半導体層に形成されている発光層と、
    前記第1半導体層の前記発光層と反対側に形成されている第1電極と、
    前記発光層に形成され、かつ、一部が前記第1半導体層および前記発光層の積層方向に対して交差する方向に突出する第2半導体層と、
    前記第2半導体層に形成されている透明導電層と、
    金属からなり、前記第2半導体層の前記突出部の前記透明導電層と反対側であって前記発光層側に形成されている第2電極と、
    前記第2電極と前記透明導電層とを接続する導電接続部と、
    前記透明導電層の前記第2半導体層と反対側に形成された透明支持層と、を有し、前記透明導電層及び前記透明支持層の一部が前記第2半導体層と共に前記前記発光層の積層方向に対して交差する方向に突出する突出部を構成し、かつ、前記発光層と前記第2半導体層との接合面と、前記第2半導体層の前記突出部の露出面との間に、段差があるフリップチップ実装タイプのLEDチップと、
    前記LEDチップが実装されているパッケージ部材と、
    前記LEDチップに電流を供給する給電部材と、
    前記パッケージ部材が固定されていて、前記LEDチップにおいて発生する熱を外部に放射させる放熱部材と、
    を備え、
    前記パッケージ部材は、金属基板から構成されていて、
    前記LEDチップは、前記第1電極及び前記第2電極が金属接合材を介して前記金属基板に接合されており、
    前記導電接続部は、前記第2電極の材料を含み、前記第2半導体層の前記突出部の外面において前記第2電極と前記透明導電層とを電気的に接続
    前記金属基板は、一端部の前記LEDチップが実装される一面に絶縁層及び配線パターンが実装され、他端部の前記一面にメッキが実装され、前記一端部と前記他端部とには、位置決め用の孔とスクリュー挿通用の孔がそれぞれ設けられており、
    前記金属基板と前記放熱部材との間のうち、前記一端部の前記位置決め用の孔と前記他端部の前記位置決め用の孔とを含み前記金属基板に垂直な平面による断面視において前記金属基板の前記一端部の前記位置決め用の孔から前記他端部の前記位置決め用の孔に亘る部分には、放熱グリースが設けられている、
    両用灯具の半導体型光源と、
    前記半導体型光源からの光を配光制御する配光制御部材と、
    を備える、ことを特徴とする車両用灯具。
  2. 前記金属接合材は、金属バンプ、半田材、金属表面融解を利用した金属接合材、もしくは、金属のナノ粒子が含有されているペーストを硬化させたもの、である、
    ことを特徴とする請求項1に記載の車両用灯具。
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