JP6147336B2 - オプトエレクトロニクス半導体チップのための活性領域を製造するための方法 - Google Patents
オプトエレクトロニクス半導体チップのための活性領域を製造するための方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6147336B2 JP6147336B2 JP2015514398A JP2015514398A JP6147336B2 JP 6147336 B2 JP6147336 B2 JP 6147336B2 JP 2015514398 A JP2015514398 A JP 2015514398A JP 2015514398 A JP2015514398 A JP 2015514398A JP 6147336 B2 JP6147336 B2 JP 6147336B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- barrier layer
- layer
- growth
- quantum well
- barrier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 38
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 21
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 172
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 30
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 25
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 17
- 229910052795 boron group element Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 5
- 150000002927 oxygen compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- GCPCLEKQVMKXJM-UHFFFAOYSA-N ethoxy(diethyl)alumane Chemical compound CCO[Al](CC)CC GCPCLEKQVMKXJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 for example Chemical compound 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000005701 quantum confined stark effect Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N triethylaluminium Chemical compound CC[Al](CC)CC VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTRPZROOJRIMKW-UHFFFAOYSA-N triethylindigane Chemical compound CC[In](CC)CC OTRPZROOJRIMKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/0004—Devices characterised by their operation
- H01L33/002—Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap
- H01L33/0025—Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap comprising only AIIIBV compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
本発明は、オプトエレクトロニクス半導体チップのための活性領域を製造するための方法に関する。更に本発明は、相応の半導体チップに関する。
本発明が解決すべき課題は、大電流の線形性が高められたオプトエレクトロニクス半導体チップを提供することである。
この課題は、特に、独立請求項の特徴を備えている方法及びオプトエレクトロニクス半導体チップによって解決される。有利な実施の形態は従属請求項に記載されている。
少なくとも一つの実施の形態によれば、本方法は、活性領域のための成長ベース部を準備するステップを備えている。成長ベース部は例えば、ＧａＮから成る層とＩｎＧａＮから成る層とが交互に設けられている超格子である。ＧａＮ層及び／又はＩｎＧａＮ層をそれぞれドーピングすることができ、例えばｎ型にドーピングすることができる。超格子は例えば、別の層、特にｎ導電型層、例えば電流拡散層、バッファ層、種層及び／又はマスキング層に成長されている。有利には、成長ベース部は超格子の一番上にあるＧａＮ層である。
少なくとも一つの実施の形態によれば、本方法は、第４のバリア層を成長させるステップを備えている。この第４のバリア層は特に、成長ベース部に直接的に成長されるか、又は第３のバリア層に成長される。第４のバリア層はＡｌx4Ｉｎy4Ｇａ1-x4-y4Ｎ、但し０≦ｘ４≦０．４０、且つ第４のバリア層にわたり平均して０＜ｙ４≦０．４、を基礎としている。ｘ４≦０．０１又はｘ４＝０の場合、有利には０＜ｙ４≦０．１５である。他の全てのバリア層と同様に、第４のバリア層は有利にはドーピングされていない。その場合、異種原子の濃度は特に最大で５×１０-16ｃｍ-3である。択一的に、第４のバリア層をドーピングすることもでき、またオプションとして他のバリア層も同様にドーピングすることができる。
少なくとも一つの実施の形態によれば、第４のバリア層が、インジウム含有量に関して勾配を有するように成長される。その場合、インジウム含有量は成長方向に沿って平均して増大する。つまり、パラメータｙ４は成長方向に沿って大きくなる。
少なくとも一つの実施の形態によれば、本方法は、量子井戸層を第４のバリア層に成長させるステップを備えている。特に、量子井戸層は第４のバリア層に直上に成長される。量子井戸層はＩｎyＧａ1-yＮを基礎としている。ここで有利には、０．０８≦ｙ≦０．３５であるか、又は０．０８≦ｙ≦０．３である。量子井戸層という語句に次元に関する制限はない。有利には、量子井戸層は二次元の量子井戸として形成されている。製造が完了したオプトエレクトロニクス半導体チップの動作時に、量子井戸層は、特に紫外線スペクトル領域及び／又は青色スペクトル領域及び／又は緑色スペクトル領域のビームを形成するように構成されている。
少なくとも一つの実施の形態によれば、本方法は、第１のバリア層を成長させるステップを備えている。有利には、第１のバリア層は量子井戸層の直上に成長される。第１のバリア層はＡｌx1Ｉｎy1Ｇａ1-x1-y1Ｎ、但し、０≦ｘ１≦０．４、且つ第１のバリア層にわたり平均して０＜ｙ１≦０．１５、を基礎としている。ｘ１≦０．０１又はｘ１＝０の場合、有利には０＜ｙ１≦０．１５である。インジウム含有量は特に有利には、成長方向に沿って平均して減少する。
少なくとも一つの実施の形態によれば、有利には、第１のバリア層の直上に第２のバリア層が成長される。第２のバリア層はＧａＮを基礎としている。
本方法の少なくとも一つの実施の形態によれば、第３のバリア層が成長される。特に、第３のバリア層は第２のバリア層の直上に成長される。第３のバリア層はＧａＮを基礎としている。
本方法の少なくとも一つの実施の形態によれば、Ｈ2ガスの供給下で第３のバリア層が成長される。換言すれば、第３のバリア層の成長時に成長反応炉内に水素ガスが供給されている。有利には水素ガスは第３のバリア層の成長時にのみ供給される。従って、第１、第２及び第４のバリア層並びに量子井戸層の成長は、有利には水素ガスが供給されずに行われる。
成長という語句は、特にエピタキシャル成長、有利には金属有機気相エピタキシ、略してＭＯＶＰＥに関連する。
少なくとも一つの実施の形態において、本方法は、オプトエレクトロニクス半導体チップのための活性領域を製造するために構成されている。本方法は、少なくとも以下のステップを備えているか、又は以下のステップだけを備えており、有利には以下に記載の順序でステップが実施される：
Ａｌx4Ｉｎy4Ｇａ1-x4-y4Ｎ、但し０≦ｘ４≦０．４０、且つ平均して０＜ｙ４≦０．４を基礎とする第４のバリア層を、成長方向に沿ってＩｎ含有量が有利には増大するように成長させるステップ、
第４のバリア層に、ＩｎyＧａ1-yＮ、但し０．０８≦ｙ≦０．３５、を基礎とする量子井戸層を成長させるステップ、
量子井戸層に、Ａｌx1Ｉｎy1Ｇａ1-x1-y1Ｎ、但し０≦ｘ１≦０．４０、且つ平均して０＜ｙ１≦０．４を基礎とし、Ｉｎ含有量は成長方向に沿って有利には減少する第１のバリア層を成長させるステップ、
第１のバリア層に、ＧａＮを基礎とする第２のバリア層を成長させるステップ、
第２のバリア層に、Ｈ2ガスの供給下で、ＧａＮを基礎とする第３のバリア層を成長させるステップ。
Ａｌx4Ｉｎy4Ｇａ1-x4-y4Ｎ、但し０≦ｘ４≦０．４０、且つ平均して０＜ｙ４≦０．４を基礎とする第４のバリア層を、成長方向に沿ってＩｎ含有量が有利には増大するように成長させるステップ、
第４のバリア層に、ＩｎyＧａ1-yＮ、但し０．０８≦ｙ≦０．３５、を基礎とする量子井戸層を成長させるステップ、
量子井戸層に、Ａｌx1Ｉｎy1Ｇａ1-x1-y1Ｎ、但し０≦ｘ１≦０．４０、且つ平均して０＜ｙ１≦０．４を基礎とし、Ｉｎ含有量は成長方向に沿って有利には減少する第１のバリア層を成長させるステップ、
第１のバリア層に、ＧａＮを基礎とする第２のバリア層を成長させるステップ、
第２のバリア層に、Ｈ2ガスの供給下で、ＧａＮを基礎とする第３のバリア層を成長させるステップ。
材料系ＡｌＩｎＧａＮを基礎としている発光ダイオードでは、特に動作電流密度が１０Ａ／ｃｍ2を上回ると、電流−電力特性曲線における非線形が顕著になる。この現象は効率減少又はドループ現象（Efficiency-Droop）とも称される。ドループ現象の原因の一つとして、ＩＩＩ族窒化物が圧電材料であることが挙げられる。生じた電界によって、いわゆる量子閉じ込めシュタルク効果（Quantum Confined Stark Effect）が生じる。この効果によって、特に発光ダイオードの多重量子井戸構造における電荷輸送に悪影響が及ぼされる恐れがある。
量子井戸層間に設けられている、特にちょうど四つの部分層から成るバリアの比較的複雑な層構造によって、そのようにして製造されたオプトエレクトロニクス半導体チップの大電流の線形性が改善されている。特に、水素ガスが供給されることによって、殆どインジウムを含有していない、従って非常に品質の高い純粋なＧａＮ層を第３のバリア層として達成することができる。これによって、その後に成長される層の品質が改善される。
本方法の少なくとも一つの実施の形態によれば、四つのバリア層並びに量子井戸層の上述した順序での成長が何度も繰り返され、特にそれらの層は直接的に重ねて成長される。例えば、活性領域は少なくとも三つ又は少なくとも四つの量子井戸層を含んでおり、各量子井戸層には複数のバリア層が対応付けられている。択一的又は付加的に、量子井戸層の数は最大で１０又は最大で８である。
本方法の少なくとも一つの実施の形態によれば、第３のバリア層の成長中のＨ2の流量は少なくとも、Ｎについての反応ガスの流量の少なくとも１５％、又は少なくとも２０％、又は少なくとも２５％である。択一的又は付加的に、Ｈ2の流量はＮについての反応ガスの流量の最大で５５％、又は最大で５０％、又は最大で４０％である。ここでは流量が、特に１分間当りの標準リットル、略してｓｌｐｍ又はｓｌｍで決定される。この流量はガス流量とも称される。また流量は、時間単位当りの標準条件下での成長時に供給される分子量に関する尺度である。Ｎについての反応ガスは有利にはＮＨ3である。同様にＮ2Ｈ4を使用することもできる。
少なくとも一つの実施の形態によれば、第１のバリア層及び第４のバリア層はそれぞれ、少なくとも０．５ｎｍ、又は少なくとも０．６ｎｍ、又は少なくとも０．７ｎｍの平均厚さを有している。択一的又は付加的に、第１のバリア層及び第４のバリア層の平均厚さは最大で１．８ｎｍ、又は最大で１．４ｎｍ、又は最大で１．２ｎｍである。特にこの平均厚さは、約４±１の原子層に応じて、約０．８ｎｍから０．９ｎｍである。
少なくとも一つの実施の形態によれば、第２のバリア層及び第３のバリア層はそれぞれ、少なくとも０．５ｎｍ、又は少なくとも０．７ｎｍ、又は少なくとも０．８ｎｍの平均厚さを有している。択一的又は付加的に、この平均厚さは最大で２．０ｎｍ、又は最大で１．８ｎｍ、又は最大で１．４ｎｍである。特にこの平均厚さは、約５±１の原子層に応じて、約１．０ｎｍ、又は約１．１ｎｍである。
少なくとも一つの実施の形態によれば、第３のバリア層は、その平均厚さが第２のバリア層の平均厚さよりも大きくなるように成長されている。第２のバリア層の平均厚さと第３のバリア層の平均厚さの差は、例えば少なくとも０．１ｎｍ、又は少なくとも０．１５ｎｍ、また択一的又は付加的に最大で０．５ｎｍ、又は最大で０．３ｎｍである。特に、厚さの平均的な差は原子層一つ分である。
本方法の少なくとも一つの実施の形態によれば、量子井戸層は、少なくとも２．５ｎｍ、又は少なくとも２．７ｎｍ、又は少なくとも２．９ｎｍの平均厚さを有している。択一的又は付加的に、量子井戸層の平均厚さは最大で４．５ｎｍ、又は最大で４．０ｎｍ、又は最大で３．７ｎｍである。
少なくとも一つの実施の形態によれば、量子井戸層の厚さと四つのバリア層の厚さの和である総厚は、少なくとも５．５ｎｍ、又は少なくとも６．０ｎｍである。択一的又は付加的に、この総厚は最大で８．５ｎｍ、又は最大で７．５ｎｍである。
少なくとも一つの実施の形態によれば、パラメータｘ１及び／又はｘ４はそれぞれ０．０２以下、又は０．０１である。特に、パラメータｘ１及びｘ４はそれぞれ製造公差の範囲で０でも良く、その場合には、アルミニウム濃度は有利には最大で２×１０16ｃｍ-3である。
少なくとも一つの実施の形態によれば、パラメータｙ１及びｙ４はそれぞれ少なくとも０．０１、又は少なくとも０．０２、又は少なくとも０．０４である。択一的又は付加的に、パラメータｙ１及びｙ４は最大で０．２０、又は最大で０．１５、又は０．１１である。
少なくとも一つの実施の形態によれば、パラメータｙは少なくとも０．１０、又は少なくとも０．１２である。択一的又は付加的に、パラメータｙは最大で０．２５、又は最大で０．２０、又は最大で０．１８である。
本方法の少なくとも一つの実施の形態によれば、成長方向に沿って、第１のバリア層及び第４のバリア層にわたり、パラメータｙ１及びｙ４はそれぞれ、少なくとも０．０２、又は少なくとも０．０３、又は少なくとも０．０４変化する。択一的又は付加的に、この変化は最大で０．０７、又は最大で０．０６である。
少なくとも一つの実施の形態によれば、インジウム含有量は成長方向に沿って、第１のバリア層及び第４のバリア層においてそれぞれ単調に、又は極めて単調に変化する。択一的に、第１のバリア層におけるインジウム含有量の減少及び第４のバリア層におけるインジウム含有量の増大を、インジウム含有量の実際の経過に関する最良適合直線によっても決定することができる。
少なくとも一つの実施の形態によれば、量子井戸層の成長時及び／又はバリア層の成長時の成長速度は最大で０．０３ｎｍ／秒又は最大で０．０２ｎｍ／秒である。この場合、成長は比較的緩慢に行われる。
本方法の少なくとも一つの実施の形態によれば、Ｎについての反応ガスの流量と、周期表の第１３族元素、つまり特にインジウム及びガリウムについての反応ガスの流量の比の値が少なくとも３０，０００、又は少なくとも７０，０００、又は少なくとも１００，０００である。反応ガスは、例えばガリウムについてはトリメチルガリウム又はトリエチルガリウムであり、インジウムについてはトリメチルインジウム又はトリエチルインジウムである。アルミニウムについては、例えばトリメチルアルミニウム又はトリエチルアルミニウムを使用することができる。以前は、周期表の第１３族元素はＩＩＩ族とも称されていた。
少なくとも一つの実施の形態によれば、少なくとも第１のバリア層及び第４のバリア層の成長時の成長温度は、量子井戸層の成長時の成長温度に比べて高められている。例えばこの温度上昇は０℃よりも高いか、又は、少なくとも１℃、又は少なくとも１０℃、又は少なくとも１５℃である。択一的又は付加的に、この温度上昇は最大で１００℃、又は最大で６０℃、又は最大で４０℃である。
少なくとも一つの実施の形態によれば、活性領域の複数の層に関する成長温度はそれぞれ少なくとも７３０℃、又は少なくとも７５０℃である。択一的又は付加的に、成長温度は最大で８５０℃、又は最大で８１０℃である。
少なくとも一つの実施の形態によれば、パラメータｘ１及び／又はｘ４はそれぞれ０よりも大きい。換言すれば、その場合には第１のバリア層及び第４のバリア層がＡｌＩｎＧａＮを基礎としている。Ａｌについての反応ガスの供給と、Ｇａ及び／又はＩｎについての反応ガスの供給は、有利には時間的にずらされて行われる。窒素についての反応物質ガスは有利には継続的に供給される。換言すれば、アルミニウムについての反応ガスは、ガリウム及びインジウムについての反応ガスと時間的に同時に供給されることはない。特に、成長時には第１３族元素についての複数の反応ガスの内の一種類だけがその都度供給される。Ｇａ，Ｉｎ及びＡｌについての個々の反応ガスの供給の合間には、有利には１秒以上２秒以下、特に最大で１０秒、又は最大で２０秒の期間が存在する。有利には、この期間は高々、原子層一つ分の成長に平均して必要とされる時間に相当する。
少なくとも一つの実施の形態によれば、第１のバリア層及び第４のバリア層の成長時に、Ｏ2又は酸素化合物が供給される。特に、原子状酸素及び／又は活性酸素を提供する酸素化合物が供給される。その種の酸素化合物を、アルミニウムについての反応ガスとしても使用することができる。酸素化合物として例えば、ジエチルアルミニウムエトキシド、又はＮ2及びＯ2から成る混合物が挙げられる。酸素濃度は有利には１０％以下、特に０．１％以下のドーパント範囲である。
本方法の少なくとも一つの実施の形態によれば、量子井戸層は、少なくとも４３５ｎｍ及び／又は最大で４７５ｎｍ又は最大で５４５ｎｍの放射波長を有するように構成されている。
更に、オプトエレクトロニクス半導体チップが提供される。半導体チップは、上述の一つ又は複数の実施の形態と関連させて説明したような方法によって製造される。従って本方法の特徴は半導体チップの特徴も表しており、またその逆も当てはまる。
半導体チップの少なくとも一つの実施の形態においては、第３のバリア層は第２のバリア層よりも高いＧａＮ結晶品質を有している。択一的又は付加的に、第３のバリア層におけるインジウムの不純物は、第２のバリア層における不純物よりも少ない。
Ｈ2の供給に基づき、第３のバリア層は高められた品質を有している。特に有利には、第２のバリア層に対してＨ2は供給されない。何故ならば、Ｈ2を供給することによって、量子井戸層の材料品質、特に直前に成長された量子井戸層の材料品質に悪影響が及ぼされる恐れがあるからである。Ｈ2を供給することによる効果は、Ｉｎを成長反応炉から除去し、従って第３のバリア層へのＩｎの不所望な侵入を阻止することである。
第１のバリア層及び第４のバリア層への付加的なＩｎの供給によって、それらの層における材料品質が劣化する可能性があるが、しかしながら、量子井戸層のＩｎ含有量が適合される。第３のバリア層がＨ2の供給下で、従って高品質で成長されることによって、この第３のバリア層に続いて成長される、Ｉｎを含有する層の品質にも影響が及ぼされ、それによって殊に高品質のＩｎＧａＮバリア層が得られる。
以下では、本発明による方法並びに本発明によるオプトエレクトロニクス半導体チップを、図面を参照しながら複数の実施例に基づき詳細に説明する。個々の図面において、同一の構成要素には同一の参照番号を付している。しかしながら、図面は縮尺通りの関係性を表したものではなく、むしろより良い理解のために個々の構成要素を過度に拡大して図示している場合もある。
図１には、活性領域２を備えているオプトエレクトロニクス半導体チップ１の一つの実施例が概略的に示されている。半導体チップ１は、個別には図示していないＧａＮの層及びＩｎＧａＮの層が交互に設けられている超格子３を有している。超格子の一番上の層はＧａＮによって形成されている。
成長方向ｚに沿って、超格子３にはＩｎＧａＮから成る第４のバリア層２４が続いている。この第４のバリア層２４には、半導体チップ１の動作時に電磁ビームを形成するための量子井戸層２０が続いている。量子井戸層２０には、ＩｎＧａＮを基礎とする第１のバリア層２１が続いている。この第１のバリア層２１には第２のバリア層２２及び第３のバリア層２３が続いており、これらの第２及び第３のバリア層はそれぞれＧａＮを基礎としている。これらの一連の層は活性領域２内部において繰り返し複数個設けられている。成長方向ｚに沿って見て、活性領域２の一番上にある層は、特に複数ある第３のバリア層２３の内の一つを形成している。
図２においては、活性領域２が、成長方向ｚに沿った位置に応じたバンドギャップＥの経過に基づいて図示されている。隣り合う二つの量子井戸層２０の間には、四つのバリア層２１，２２，２３，２４が設けられている。層２１，２４内にはインジウムの割合に関して勾配が存在する。量子井戸層２０から離れる方向において、インジウムの割合はそれぞれ低下し、例えば約１０％から約５％に低下する。上記の説明とは異なり、バリア層２１，２４はＡｌＩｎＧａＮを基礎としていてもよい。
量子井戸層２０を挟むように設けられているＩｎＧａＮバリア層２１，２４は有利には、層２１，２２，２３，２４から成るバリア全体の幾何学的な中心に対称的に成長されている。しかしながら、第１のバリア層２１及び第４のバリア層２４をバリア層の中心に非対称的に成長させることもできる。有利には、第１のバリア層２１及び第４のバリア層２４の厚さは最大で１ｎｍ又は最大で３ｎｍである。
第２のバリア層２２及び第３のバリア層２３から成るＧａＮバリア領域は、有利には３ｎｍ以下又は２．２ｎｍ以下の厚さを有している。例えば、このＧａＮバリア領域は約１．５ｎｍ又は約２．１ｎｍの平均厚さを有している。
図３には、オプトエレクトロニクス半導体チップ１を製造するための方法が、それぞれ時間ｔに依存する、温度経過及びガス流量Ｑ又はＨ2ガス流量に基づきプロットされている。ここでは温度が、温度変化ΔＴ（単位℃）として示されており、また量子井戸層２０についての成長温度に関連付けられている。
図３からは、量子井戸層２０が第２のバリア層２２及び第３のバリア層２３よりも約１５℃低い温度で成長されることが見て取れる。第１のバリア層２１及び第４のバリア層２４の成長中にそれぞれ温度が変化され、特に温度がスロープ状に適応される。
他の全ての実施例においても同様に、図２に示したものとは異なり、第１のバリア層２１及び第４のバリア層２４におけるインジウムの割合を、量子井戸層２０のインジウム含有量から出発して、バリア層２２，２３まで連続的に又は段階的に０に低減することもできる。インジウム含有量の勾配を例えば、第１のバリア層２１及び第４のバリア層２４についての成長温度を介して、又は、インジウムについての反応物流量を介して調整することもできる。
図３とは異なり、バリア層２１，２２，２３，２４と量子井戸層２０とを製造公差の範囲で同一温度において成長させることも同様に可能である。
更に図３には、ＧａＮを基礎とする第３のバリア層２３の成長中にＨ2が供給されることも示されている。これによって、残余インジウムを成長面から除去することができ、従って第３のバリア層２３を非常に高い品質で形成することができる。
特に有利には、第２のバリア層２２及び第３のバリア層２３の成長中に、インジウムについての反応ガスの供給は停止されている。特に、インジウムについての反応物質は供給されないが、その一方で水素ガスが供給される。Ｈ2の流量は、その都度最大で３パーセントポイントの公差で、Ｎについての反応ガス、有利にはＮＨ3の流量の例えば１／６、１／５、１／４、１／３又は１／２である。代替的な実施の形態においては、図３に示したものとは異なり、水素ガスを第２のバリア層２２及び第３のバリア層２３の両層を成長させている間に供給することができる。
ＧａＮ層２２，２３の堆積中、Ｎについての反応ガスの流量と周期表の第１３族元素についての反応ガスの流量の比の値は有利には少なくとも１００，０００である。
第１のバリア層２１及び第４のバリア層２４に対してＩｎＧａＮの代わりにＡｌＩｎＧａＮが使用される場合、有利には周期表の第１３族元素の個々の元素についての複数の反応ガスは同時にはエピタキシ反応炉には導入されない。Ｎについての反応ガスのソースは有利には開かれ続ける。
第１３族元素についての反応ガスをパルス状に供給することができる。反応ガスのパルス列として、例えばＡｌｘ＊（Ｉｎ−Ｇａ）が考えられ、ここで、ｘは有利には１以上５以下の数である。つまり例えば、アルミニウム反応ガスを含む一つのパルスには、インジウム反応ガスを含む三つのパルス及びガリウム反応ガスを含む三つのパルスが続く。アルミニウムパルスとインジウムパルスとの間の成長休止期間は０秒から１０秒以下、有利には１秒以上且つ２秒以下である。個々のパルスは有利には１０秒以下の持続時間、特に１秒以上且つ２秒以下の持続時間を有している。
成長率は、第１のバリア層２１及び第４のバリア層２４については、有利には約０．０２ｎｍ／秒であり、Ｎについての反応ガスの流量と、第１３族についての反応ガスの流量の比の値は特に少なくとも４０，０００である。Ａｌ濃度は例えば０．０１％以上且つ４０％以下であり、またＩｎ濃度は有利には少なくとも１％及び／又は最大で４０％である。
ＡｌＩｎＧａＮ層２１，２４の堆積は、ＡｌＩｎＧａＮの材料品質に持続的に好影響が及ぼされるように、インジウム原子のアルミニウム原子への結合に影響を及ぼすために、酸素を供給しながら行なうことができる。酸素濃度はこの場合、例えば０．１％以下又は１０％以下である。
例えば、活性領域は以下のように構成されており、また以下のように製造される：
五つの量子井戸層２０が、４５０ｎｍの波長を形成するように、７７０℃の温度で堆積される。成長率は０．０１４ｎｍ／秒である。Ｎについての反応ガスと第１３族元素についての反応ガスの比の値は３０，０００である。量子井戸層２０はそれぞれ約３．３ｎｍの厚さを有している。
五つの量子井戸層２０が、４５０ｎｍの波長を形成するように、７７０℃の温度で堆積される。成長率は０．０１４ｎｍ／秒である。Ｎについての反応ガスと第１３族元素についての反応ガスの比の値は３０，０００である。量子井戸層２０はそれぞれ約３．３ｎｍの厚さを有している。
ＩｎＧＡＮバリア層２１，２４は平均して７．５％のインジウム濃度を有している。第１のバリア層２１及び第４のバリア層２４に関する成長温度は、第２のバリア層２２及び第３のバリア層２３に関する成長温度と量子井戸層２０の成長温度の間にある。成長方向ｚにおいて量子井戸層２０を挟むように設けられているバリア層２１，２４は対称的に成長される。バリア層２１，２４はそれぞれ約０．７５ｎｍの平均厚さを有している。
バリア層２２，２３から成るＧａＮバリア領域の厚さは約１．５ｎｍである。このＧａＮバリア領域はインジウムについての反応物の供給が停止された状態で成長される。ＧａＮバリア領域の成長の１／３が経過した時点で、水素ガスが反応炉に供給される。水素ガスの流量はＮＨ3ガスの流量をもとに定められており、ＮＨ3ガスの流量の約１／４である。ＧａＮバリア領域の成長中に、Ｎについての反応物の流量と第１３族元素についての反応物の流量の比の値は１１０，０００である。ＧａＮバリア領域は、量子井戸層２０と同じ成長温度で堆積されるか、又は約２０℃高い温度で堆積される。
量子井戸層２０を備えているバリア層２１，２２，２３，２４は約７．０ｎｍの厚さの超格子を有している。
別の例によれば、半導体チップは以下のように構成されており、また以下のように成長される：
量子井戸層が上述の例において説明したように成長される。ＧａＮバリア層２２，２３も上述の例において説明したように成長される。
量子井戸層が上述の例において説明したように成長される。ＧａＮバリア層２２，２３も上述の例において説明したように成長される。
第１のバリア層２１及び第４のバリア層２４はＡｌＩｎＧａＮを基礎としており、またＡｌ含有量はＩｎ含有量とほぼ等しく、約３０％である。バリア層２１，２４は、量子井戸層２０の成長温度に比べて約１５℃高い温度で成長される。ＡｌＩｎＧａＮバリア層２１，２４は、層２２，２３から成るＧａＮ領域に関して対称的に成長される。バリア層２１，２４はそれぞれ約０．７５ｎｍの厚さを有している。オプションとして、バリア層２１，２４の成長時に酸素を供給することができる。
上記において説明した本発明は、実施例に基づいた上記の説明によって限定されるものではない。むしろ本発明は、あらゆる新規の特徴並びにそれらの特徴のあらゆる組み合わせを含むものであり、これには殊に特許請求の範囲に記載した特徴の組み合わせ各々が含まれ、このことはそのような組み合わせ自体が特許請求の範囲あるいは実施例に明示的には記載されていないにしても当てはまる。
本願は、ドイツ連邦共和国特許出願第10 2012 104 671.9号の優先権を主張するものであり、その開示内容は参照により本願に含まれるものとする。
Claims (14)
- オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）のための活性領域（２）を製造するための方法において、
Ａｌx4Ｉｎy4Ｇａ1-x4-y4Ｎ、但し０≦ｘ４≦０．４０、且つ平均して０＜ｙ４≦０．４、からなる第４のバリア層（２４）を、成長方向（ｚ）に沿ってＩｎ含有量が増大するように成長させるステップと、
前記第４のバリア層（２４）に、ＩｎyＧａ1-yＮ、但し０．０８≦ｙ≦０．３５、からなる量子井戸層（２０）を成長させるステップと、
前記量子井戸層（２０）に、Ａｌx1Ｉｎy1Ｇａ1-x1-y1Ｎ、但し０≦ｘ１≦０．４０、且つ平均して０＜ｙ１≦０．４、からなる第１のバリア層（２１）を、前記成長方向（ｚ）に沿ってＩｎ含有量が減少するように成長させるステップと、
前記第１のバリア層（２１）に、ＧａＮからなる第２のバリア層（２２）を成長させるステップと、
前記第２のバリア層（２２）に、ＧａＮからなる第３のバリア層（２３）を成長させるステップと、
を備えており、
前記第３のバリア層（２３）だけをＨ2ガスの供給下で成長させ、
前記量子井戸層（２０）と、隣接する前記第１のバリア層（２１）及び前記第４のバリア層（２４）との間に、ならびに、前記第１のバリア層（２１）と前記第２のバリア層（２２）との間に、および、前記第３のバリア層（２３）と前記第４のバリア層（２４）との間に、前記活性領域（２）の成長方向（ｚ）に沿って、バンドギャップ（Ｅ）の経過に段階を形成し、
前記量子井戸層（２０）及び前記第１〜前記第４のバリア層（２１，２２，２３，２４）が成す総厚は、５．５ｎｍ以上且つ８．５ｎｍ以下であり、
前記第１〜前記第４のバリア層（２１，２２，２３，２４）の成長時の成長温度は、前記量子井戸層（２０）に関する成長温度よりも少なくとも１０℃、最大で６０℃高く、
前記第１〜前記第４のバリア層（２１，２２，２３，２４）の前記成長温度はそれぞれ７３０℃以上且つ８５０℃以下である、
ことを特徴とする、方法。 - 前記各層（２０，２１，２２，２３，２４）を請求項１において記載した順序で直接的に重ねて成長させ、前記順序での成長を前記活性領域（２）において３回以上且つ１０回以下繰り返す、請求項１に記載の方法。
- 前記第３のバリア層（２３）の成長中のＨ2の流量は、Ｎについての反応ガスの流量の１５％以上且つ５５％以下である、請求項１又は２に記載の方法。
- 前記第１のバリア層（２１）及び前記第４のバリア層（２４）をそれぞれ、０．６ｎｍ以上且つ１．８ｎｍ以下の平均厚さで成長させる、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第２のバリア層（２２）及び前記第３のバリア層（２３）をそれぞれ、０．６ｎｍ以上且つ１．８ｎｍ以下の平均厚さで成長させる、但し、前記第３のバリア層（２３）を前記第２のバリア層（２２）よりも大きい平均厚さを有するように成長させる、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の方法。
- 前記量子井戸層（２０）を２．５ｎｍ以上且つ４．０ｎｍ以下の平均厚さで成長させる、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の方法。
- ｘ４≦０．０２、
平均して、０．０４＜ｙ４≦０．１１、
０．１２≦ｙ≦０．１８、
ｘ１≦０．０２、且つ、
平均して、０．０４＜ｙ１≦０．１１、
である、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の方法。 - 前記成長方向（ｚ）に沿って、前記第１のバリア層（２１）及び前記第４のバリア層（２４）にわたり、ｙ１及びｙ４はそれぞれ、少なくとも０．０３、最大で０．０７変化する、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の方法。
- ｙ１は前記成長方向（ｚ）に沿って単調に減少し、ｙ４は前記成長方向（ｚ）に沿って単調に増大する、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の方法。
- 少なくとも前記量子井戸層（２０）の成長時に、
成長速度は最大で０．０３ｎｍ／秒であり、
Ｎについての反応ガスの流量と、周期表の第１３族元素についての反応ガスの流量の比の値は少なくとも３０．０００である、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の方法。 - 周期表の第１３族元素は少なくともＩｎ及びＧａである、請求項１０に記載の方法。
- ｘ１＞０且つｘ４＞０であり、
前記第１のバリア層（２１）及び前記第４のバリア層（２４）の成長時に、
Ａｌについての反応ガスの供給と、Ｉｎ及びＧａについての反応ガスの供給との間に少なくとも１秒の時間を空け、
Ｏ2又は酸素化合物を供給する、請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の方法。 - 前記量子井戸層（２０）は４３５ｎｍ以上且つ５４５ｎｍ以下の波長で放射を行うように構成されている、請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の方法。
- 前記量子井戸層（２０）中ならびに前記第２のバリア層（２２）及び前記第３のバリア層（２３）中の前記バンドギャップ（Ｅ）はそれぞれ一定であり、前記第１のバリア層（２１）及び前記第４のバリア層（２４）中の前記バンドギャップ（Ｅ）は隣接する前記量子井戸層（２０）から離れる方向においてそれぞれ線形に増大し、前記第１のバリア層（２１）及び前記第４のバリア層（２４）中のインジウム含有量は、隣接する前記量子井戸層（２０）から離れる方向においてそれぞれ１０％から５％に低下する、
請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102012104671.9 | 2012-05-30 | ||
| DE102012104671.9A DE102012104671B4 (de) | 2012-05-30 | 2012-05-30 | Verfahren zur Herstellung einer aktiven Zone für einen optoelektronischen Halbleiterchip |
| PCT/EP2013/059242 WO2013178425A1 (de) | 2012-05-30 | 2013-05-03 | Verfahren zur herstellung einer aktiven zone für einen optoelektronischen halbleiterchip und optoelektronischer halbleiterchip |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015519754A JP2015519754A (ja) | 2015-07-09 |
| JP6147336B2 true JP6147336B2 (ja) | 2017-06-14 |
Family
ID=48236971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015514398A Active JP6147336B2 (ja) | 2012-05-30 | 2013-05-03 | オプトエレクトロニクス半導体チップのための活性領域を製造するための方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9502607B2 (ja) |
| JP (1) | JP6147336B2 (ja) |
| KR (1) | KR101933256B1 (ja) |
| CN (1) | CN104396031B (ja) |
| DE (1) | DE102012104671B4 (ja) |
| WO (1) | WO2013178425A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102011115299B4 (de) * | 2011-09-29 | 2023-04-27 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips |
| DE102012217640B4 (de) | 2012-09-27 | 2020-02-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
| DE102013200507A1 (de) | 2013-01-15 | 2014-07-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement |
| JP6183060B2 (ja) * | 2013-08-24 | 2017-08-23 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子 |
| TWI612686B (zh) * | 2014-09-03 | 2018-01-21 | 晶元光電股份有限公司 | 發光元件及其製造方法 |
| DE102015104150A1 (de) | 2015-03-19 | 2016-09-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Bauelement mit einer Mehrfachquantentopfstruktur |
| DE102016116425A1 (de) * | 2016-09-02 | 2018-03-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
| CN106684222B (zh) * | 2016-11-08 | 2019-03-08 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种发光二极管外延片的制造方法 |
| KR102540198B1 (ko) * | 2020-05-22 | 2023-06-02 | 충칭 콘카 포토일렉트릭 테크놀로지 리서치 인스티튜트 컴퍼니 리미티드 | 초격자층, led 에피택셜 구조, 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
| CN114242856A (zh) * | 2022-02-24 | 2022-03-25 | 江西兆驰半导体有限公司 | 绿光发光二极管外延片及其制备方法 |
| CN114420806A (zh) * | 2022-03-30 | 2022-04-29 | 江西兆驰半导体有限公司 | 发光二极管的外延结构及其制备方法 |
Family Cites Families (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3304782B2 (ja) | 1996-09-08 | 2002-07-22 | 豊田合成株式会社 | 半導体発光素子 |
| JP3433038B2 (ja) | 1997-02-24 | 2003-08-04 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
| JPH1126812A (ja) * | 1997-07-01 | 1999-01-29 | Toyoda Gosei Co Ltd | ３族窒化物半導体素子及びその製造方法 |
| EP1536486A4 (en) | 2002-07-16 | 2006-11-08 | Nitride Semiconductors Co Ltd | COMPOSITE SEMICONDUCTOR ELEMENT ON GALLIUM NITRID BASE |
| CN1316567C (zh) | 2003-04-16 | 2007-05-16 | 方大集团股份有限公司 | 采用多量子阱制备GaN基绿发光二极管外延片生长方法 |
| JP4389723B2 (ja) * | 2004-02-17 | 2009-12-24 | 住友電気工業株式会社 | 半導体素子を形成する方法 |
| TWI232601B (en) | 2004-05-11 | 2005-05-11 | Nan Ya Photonics Inc | The characteristics and applications of the InGaN/GaN multi-quantum-well light-emitting-diodes by using multiquantum barrier structure |
| KR100670531B1 (ko) | 2004-08-26 | 2007-01-16 | 엘지이노텍 주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| JP2007088270A (ja) | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体発光素子およびそれを用いる照明装置ならびに半導体発光素子の製造方法 |
| KR100850950B1 (ko) * | 2006-07-26 | 2008-08-08 | 엘지전자 주식회사 | 질화물계 발광 소자 |
| JP2008118049A (ja) | 2006-11-07 | 2008-05-22 | Rohm Co Ltd | ＧａＮ系半導体発光素子 |
| WO2008056632A1 (fr) | 2006-11-07 | 2008-05-15 | Rohm Co., Ltd. | Élément électroluminescent semi-conducteur gan |
| US20080258135A1 (en) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | Hoke William E | Semiconductor structure having plural back-barrier layers for improved carrier confinement |
| KR100916489B1 (ko) * | 2007-07-27 | 2009-09-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| TWI466314B (zh) * | 2008-03-05 | 2014-12-21 | Advanced Optoelectronic Tech | 三族氮化合物半導體發光二極體 |
| KR20090117538A (ko) | 2008-05-09 | 2009-11-12 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 |
| JP2010021290A (ja) | 2008-07-09 | 2010-01-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 量子井戸構造の製造方法 |
| JP5394717B2 (ja) * | 2008-12-15 | 2014-01-22 | 日本オクラロ株式会社 | 窒化物半導体光素子の製造方法 |
| JP2010251612A (ja) * | 2009-04-17 | 2010-11-04 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光素子の製造方法、発光装置、窒化物半導体発光層および窒化物半導体発光素子 |
| US20110042646A1 (en) * | 2009-08-21 | 2011-02-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor wafer, nitride semiconductor chip, method of manufacture thereof, and semiconductor device |
| KR20110057541A (ko) * | 2009-11-24 | 2011-06-01 | 삼성엘이디 주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 |
| WO2011084478A1 (en) | 2009-12-15 | 2011-07-14 | Lehigh University | Nitride based devices including a symmetrical quantum well active layer having a central low bandgap delta-layer |
| US8907321B2 (en) | 2009-12-16 | 2014-12-09 | Lehigh Univeristy | Nitride based quantum well light-emitting devices having improved current injection efficiency |
| CN101777613A (zh) | 2010-01-05 | 2010-07-14 | 山西乐百利特科技有限责任公司 | 照明用的led芯片的制造方法 |
| JP5306254B2 (ja) | 2010-02-12 | 2013-10-02 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
| JP4987994B2 (ja) * | 2010-02-17 | 2012-08-01 | 株式会社東芝 | 窒化物半導体の結晶成長方法 |
| JP2011171431A (ja) * | 2010-02-17 | 2011-09-01 | Panasonic Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| US8189637B2 (en) | 2010-02-17 | 2012-05-29 | Panasonic Corporation | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same |
| JP5383880B1 (ja) * | 2012-08-13 | 2014-01-08 | 株式会社東芝 | 窒化物半導体層の製造方法及び半導体発光素子の製造方法 |
-
2012
- 2012-05-30 DE DE102012104671.9A patent/DE102012104671B4/de active Active
-
2013
- 2013-05-03 CN CN201380028965.5A patent/CN104396031B/zh active Active
- 2013-05-03 JP JP2015514398A patent/JP6147336B2/ja active Active
- 2013-05-03 WO PCT/EP2013/059242 patent/WO2013178425A1/de active Application Filing
- 2013-05-03 KR KR1020147034402A patent/KR101933256B1/ko active IP Right Grant
- 2013-05-03 US US14/404,444 patent/US9502607B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE102012104671A1 (de) | 2013-12-05 |
| US9502607B2 (en) | 2016-11-22 |
| JP2015519754A (ja) | 2015-07-09 |
| DE102012104671B4 (de) | 2020-03-05 |
| CN104396031B (zh) | 2017-02-22 |
| WO2013178425A1 (de) | 2013-12-05 |
| CN104396031A (zh) | 2015-03-04 |
| US20150108426A1 (en) | 2015-04-23 |
| KR101933256B1 (ko) | 2018-12-27 |
| KR20150022814A (ko) | 2015-03-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6147336B2 (ja) | オプトエレクトロニクス半導体チップのための活性領域を製造するための方法 | |
| KR101399250B1 (ko) | 질소 화합물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
| JP5558454B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
| JP4539752B2 (ja) | 量子井戸構造の形成方法および半導体発光素子の製造方法 | |
| JP4939014B2 (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子およびｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
| WO2010024436A1 (ja) | 半導体装置 | |
| JP4719689B2 (ja) | 窒化物半導体層を成長させる方法及びこれを利用する窒化物半導体発光素子 | |
| WO2014061692A1 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
| JP2008028121A (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
| JP2007227832A (ja) | 窒化物半導体素子 | |
| JP2008305967A (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体層の製造装置、ｉｉｉ族窒化物半導体層の製造方法、ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法、ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子及びランプ | |
| JP3626423B2 (ja) | フォトニックデバイスの製造方法 | |
| JP5234814B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
| JP2008235758A (ja) | 化合物半導体エピタキシャル基板の製造方法 | |
| JP2012204540A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP5113305B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子および当該発光素子を備える光源 | |
| JP2006100518A (ja) | 基板表面処理方法及びｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。 | |
| EP1869717A1 (en) | Production method of group iii nitride semioconductor element | |
| KR100742989B1 (ko) | 질화갈륨계 발광 소자의 제조 방법 | |
| JP2013247222A (ja) | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 | |
| TWI545798B (zh) | Nitride semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof | |
| JP3543628B2 (ja) | 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の成長方法および半導体発光素子の製造方法 | |
| JP2006310886A (ja) | ３−５族化合物半導体発光素子 | |
| JP5376458B2 (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体 | |
| JP5261969B2 (ja) | Ｉｉｉ族窒化物化合物半導体発光素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150721 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151021 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20151214 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160414 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20160421 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20160603 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170516 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6147336 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |