JP6129837B2 - 結晶化法 - Google Patents
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Description
Claims (21)
- 基板を処理する方法であって、
第1のレーザから基板の処理エリアに第1の融解レーザパルスを送達することと、
第2のレーザから前記基板の処理エリアに第2の融解レーザパルスを送達することと、
第1の凝固期間後に、第3のレーザから前記基板の処理エリアの小結晶部分に第1の凝固制御レーザパルスを送達することと、
第2の凝固期間後に、第4のレーザから前記基板の処理エリアの小結晶部分に第2の凝固制御レーザパルスを送達することとを含み、
前記第1の凝固期間と第2の凝固期間は、前記基板の処理エリアに大結晶部分とともに前記小結晶部分が形成されるように選択されている、方法。 - 前記第1の凝固期間は、前記処理エリアの温度が核形成点未満に降下する時間よりも短い持続時間を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の凝固制御レーザパルスは、前記処理エリアの温度を核形成点より高い温度に高めるエネルギー含量を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の凝固制御レーザパルス及び前記第2の凝固制御レーザパルスはそれぞれ前記小結晶部分を融解する全エネルギー含量を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の凝固期間中に前記処理エリアの第1の再凝固部分が形成され、前記第1の再凝固部分の温度は、前記第1の凝固制御レーザパルスが送達されるときに、約200℃より高くない、請求項1に記載の方法。
- 前記第2の凝固期間中に前記処理エリアの第2の再凝固部分が形成され、前記第2の再凝固部分の温度は、前記第2の凝固制御レーザパルスが送達されるときに、約200℃より高くない、請求項5に記載の方法。
- 基板を熱処理する方法であって、
前記基板の第1の処理エリアを識別するステップと、
前記第1の処理エリアにパルスエネルギーを送達することによって前記基板の前記第1の処理エリアを融解する融解ステップと、
前記第1の処理エリアの第1の部分を再凝固化して、大結晶部分及び小結晶部分を形成する再凝固化ステップと、
前記第1の処理エリアにエネルギーパルスを送達することによって前記小結晶部分を再組織化する再組織化ステップと、
前記第1の処理エリアが少なくとも約8μmの寸法の大きな結晶を有する結晶固体になるまで前記再凝固化ステップと前記再組織化ステップを繰り返す反復ステップと、
前記第1の処理エリアに実質的に隣接する後続の処理エリアを識別する識別ステップと、
前記基板の全ての所望の処理エリアが処理されるまで、前記融解ステップ、前記再凝固化ステップ、前記再組織化ステップ、前記反復ステップ、及び前記識別ステップを繰り返すステップとを
含む方法。 - 各処理エリアは約5μsec以下で処理される、請求項7に記載の方法。
- 前記基板の周囲温度を約100℃未満に維持することをさらに含む、請求項8に記載の方法。
- 前記小結晶部分を再組織化する再組織化ステップは、前記小結晶部分を融解することを含む、請求項7に記載の方法。
- 前記第1の融解レーザパルスは、エネルギーが0.45J/cmで、持続時間が26nsecである、請求項1に記載の方法。
- 前記第2の融解レーザパルスは、エネルギーが0.45J/cm 2 で、持続時間が26nsecである、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の凝固期間は、持続時間が700nsecである、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の凝固制御レーザパルスは、エネルギーが0.45J/cm 2 で、持続時間が26nsecである、請求項1に記載の方法。
- 前記第2の凝固期間は、持続時間が1200nsecである、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の凝固制御レーザパルスは、エネルギーが0.26J/cm 2 で、持続時間が26nsecである、請求項1に記載の方法。
- さらに、前記基板の周囲温度を100℃未満に維持することを含む、請求項1に記載の方法。
- さらに、基板への前記第1の融解レーザパルスの送達、前記第2の融解レーザパルスの送達、前記第1の凝固制御レーザパルスの送達、前記第2の凝固制御レーザパルスの送達が繰り返される、請求項1に記載の方法。
- 基板を処理する方法であって、
第1のレーザから基板に、エネルギーが0.45J/cm 2 で、持続時間が26nsecの第1のレーザパルスを送達することと、
第2のレーザから前記基板に、エネルギーが0.45J/cm 2 で、持続時間が26nsecの第2のレーザパルスを送達することと、
700nsecの第1の凝固期間後に、第3のレーザから前記基板に、エネルギーが0.45J/cm 2 で、持続時間が26nsecの第3のレーザパルスを送達することと、
1200nsecの第2の凝固期間後に、第4のレーザから前記基板に、エネルギーが0.26J/cm 2 で、持続時間が26nsecの第4のレーザパルスを送達することとを含む、方法。 - さらに、前記基板の周囲温度を100℃未満に維持することを含む、請求項19に記載の方法。
- さらに、基板への前記第1レーザパルスの送達、前記第2のレーザパルスの送達、前記第3のレーザパルスの送達、前記第4のレーザパルスの送達が繰り返される、請求項19に記載の方法。
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