JP6126710B2 - アンチヒューズ型ワンタイムプログラミングメモリセル及びそのアレイ構造 - Google Patents
アンチヒューズ型ワンタイムプログラミングメモリセル及びそのアレイ構造 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6126710B2 JP6126710B2 JP2016011490A JP2016011490A JP6126710B2 JP 6126710 B2 JP6126710 B2 JP 6126710B2 JP 2016011490 A JP2016011490 A JP 2016011490A JP 2016011490 A JP2016011490 A JP 2016011490A JP 6126710 B2 JP6126710 B2 JP 6126710B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate
- doped region
- transistor
- antifuse
- memory cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 30
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 230000004044 response Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000007334 memory performance Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B20/00—Read-only memory [ROM] devices
- H10B20/20—Programmable ROM [PROM] devices comprising field-effect components
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C17/00—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
- G11C17/14—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards in which contents are determined by selectively establishing, breaking or modifying connecting links by permanently altering the state of coupling elements, e.g. PROM
- G11C17/16—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards in which contents are determined by selectively establishing, breaking or modifying connecting links by permanently altering the state of coupling elements, e.g. PROM using electrically-fusible links
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/5226—Via connections in a multilevel interconnection structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/525—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections
- H01L23/5252—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections comprising anti-fuses, i.e. connections having their state changed from non-conductive to conductive
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/528—Geometry or layout of the interconnection structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
- H01L23/53204—Conductive materials
- H01L23/53271—Conductive materials containing semiconductor material, e.g. polysilicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0207—Geometrical layout of the components, e.g. computer aided design; custom LSI, semi-custom LSI, standard cell technique
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/1095—Body region, i.e. base region, of DMOS transistors or IGBTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B20/00—Read-only memory [ROM] devices
- H10B20/20—Programmable ROM [PROM] devices comprising field-effect components
- H10B20/25—One-time programmable ROM [OTPROM] devices, e.g. using electrically-fusible links
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Geometry (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
Description
Claims (14)
- ウェル領域と、
前記ウェル領域の表面下に形成された、第1のドープ領域、第2のドープ領域、第3のドープ領域、及び第4のドープ領域と、
前記ウェル領域の前記表面を覆うゲート酸化物層と、
前記ゲート酸化物層上に形成され、前記第1のドープ領域と前記第2のドープ領域との上にわたっている第1のゲートであって、ワード線と接続される第1のゲートと、
前記ゲート酸化物層上に形成され、前記第3のドープ領域と前記第4のドープ領域との上にわたっている第2のゲートであって、前記ワード線と接続される第2のゲートと、
前記ゲート酸化物層上に形成され、前記第2のドープ領域と前記第3のドープ領域との上にわたっている第3のゲートであって、アンチヒューズコントロール線と接続される第3のゲートと、
第1のビアを通じて前記第1のドープ領域と接続され、第2のビアを通じて前記第4のドープ領域と接続される第1の金属層であって、ビット線である、第1の金属層と、
を含むアンチヒューズ型ワンタイムプログラミングメモリセル。 - 前記第3のゲートの下の前記ゲート酸化物層が前記第1のゲートの下の前記ゲート酸化物層よりも薄く、前記第3のゲートの下の前記ゲート酸化物層が前記第2のゲートの下の前記ゲート酸化物層よりも薄い、
請求項1に記載のアンチヒューズ型ワンタイムプログラミングメモリセル。 - 第2の金属層をさらに含み、前記第1のゲートと前記第2のゲートとが前記第2の金属層を介して互いに接続されている、
請求項1に記載のアンチヒューズ型ワンタイムプログラミングメモリセル。 - 前記第1のゲートと前記第2のゲートとがポリシリコン層を介して互いに接続されている、
請求項1に記載のアンチヒューズ型ワンタイムプログラミングメモリセル。 - 前記第2のドープ領域と前記第3のドープ領域とが結合され、結合ドープ領域となっている、
請求項1に記載のアンチヒューズ型ワンタイムプログラミングメモリセル。 - 第1の選択トランジスタであって、当該第1の選択トランジスタの第1のドレイン/ソース端子がビット線と接続され、当該第1の選択トランジスタのゲート端子がワード線と接続される、第1の選択トランジスタと、
アンチヒューズトランジスタであって、当該アンチヒューズトランジスタの第1のドレイン/ソース端子が前記第1の選択トランジスタの第2のドレイン/ソース端子と接続され、当該アンチヒューズトランジスタのゲート端子がアンチヒューズコントロール線と接続される、アンチヒューズトランジスタと、
第2の選択トランジスタであって、当該第2の選択トランジスタの第1のドレイン/ソース端子が前記アンチヒューズトランジスタの第2のドレイン/ソース端子と接続され、当該第2の選択トランジスタのゲート端子が前記ワード線と接続され、当該第2の選択トランジスタの第2のドレイン/ソース端子が前記ビット線と接続される、第2の選択トランジスタと、
を含むアンチヒューズ型ワンタイムプログラミングメモリセル。 - 第1のビット線、第1のワード線、第2のワード線、第1のアンチヒューズコントロール線、及び第2のアンチヒューズコントロール線と接続されるアレイ構造であって、
第1のメモリセルであって、
ウェル領域の表面下に形成された、第1のドープ領域、第2のドープ領域、第3のドープ領域、及び第4のドープ領域と、
前記ウェル領域の前記表面を覆うゲート酸化物層と、
前記ゲート酸化物層上に形成され、前記第1のドープ領域と前記第2のドープ領域との上にわたっている第1のゲートであって、前記第1のワード線と接続される第1のゲートと、
前記ゲート酸化物層上に形成され、前記第3のドープ領域と前記第4のドープ領域との上にわたっている第2のゲートであって、前記第1のワード線と接続される第2のゲートと、
前記ゲート酸化物層上に形成され、前記第2のドープ領域と前記第3のドープ領域との上にわたっている第3のゲートであって、前記第1のアンチヒューズコントロール線と接続される第3のゲートと、
第1のビアを通じて前記第1のドープ領域と接続され、第2のビアを通じて前記第4のドープ領域と接続される第1の金属層であって、前記第1のビット線である、第1の金属層と、
を含む、第1のメモリセルと、
第2のメモリセルであって、
前記ウェル領域の前記表面下に形成された、前記第4のドープ領域、第5のドープ領域、第6のドープ領域、及び第7のドープ領域と、
前記ゲート酸化物層上に形成され、前記第4のドープ領域と前記第5のドープ領域との上にわたっている第4のゲートであって、前記第2のワード線と接続される第4のゲートと、
前記ゲート酸化物層上に形成され、前記第6のドープ領域と前記第7のドープ領域との上にわたっている第5のゲートであって、前記第2のワード線と接続される第5のゲートと、
前記ゲート酸化物層上に形成され、前記第5のドープ領域と前記第6のドープ領域との上にわたっている第6のゲートであって、前記第2のアンチヒューズコントロール線と接続される第6のゲートと、
第3のビアを通じて前記第7のドープ領域と接続される前記第1の金属層と、
を含む、第2のメモリセルと、
を含む、
アレイ構造。 - 前記第3のゲートの下の前記ゲート酸化物層が前記第1のゲートの下の前記ゲート酸化物層よりも薄く、前記第3のゲートの下の前記ゲート酸化物層が前記第2のゲートの下の前記ゲート酸化物層よりも薄く、前記第6のゲートの下の前記ゲート酸化物層が前記第4のゲートの下の前記ゲート酸化物層よりも薄く、前記第6のゲートの下の前記ゲート酸化物層が前記第5のゲートの下の前記ゲート酸化物層よりも薄い、
請求項7に記載のアレイ構造。 - 第2の金属層であって、前記第1のゲートと前記第2のゲートとが当該第2の金属層を介して互いに接続される、第2の金属層と、
第3の金属層であって、前記第4のゲートと前記第5のゲートとが当該第3の金属層を介して互いに接続される、第3の金属層と、
をさらに含む、
請求項7に記載のアレイ構造。 - 前記第1のゲートと前記第2のゲートが第1のポリシリコン層を介して互いに接続され、
前記第4のゲートと前記第5のゲートが第2のポリシリコン層を介して互いに接続される、
請求項7に記載のアレイ構造。 - 前記第2のドープ領域と前記第3のドープ領域とが結合されて、第1の結合ドープ領域となっており、前記第5のドープ領域と前記第6のドープ領域とが結合されて、第2の結合ドープ領域となっている、
請求項7に記載のアレイ構造。 - 第3のメモリセルであって、
前記ウェル領域の前記表面下に形成された、第8のドープ領域、第9のドープ領域、第10のドープ領域、及び第11のドープ領域と、
前記ゲート酸化物層上に形成され、前記第8のドープ領域と前記第9のドープ領域との上にわたっている第7のゲートであって、前記第1のワード線と接続される第7のゲートと、
前記ゲート酸化物層上に形成され、前記第10のドープ領域と前記第11のドープ領域との上にわたっている第8のゲートであって、前記第1のワード線と接続される第8のゲートと、
前記ゲート酸化物層上に形成され、前記第9のドープ領域と前記第10のドープ領域との上にわたっている第9のゲートであって、前記第1のアンチヒューズコントロール線と接続される第9のゲートと、
第4のビアを通じて前記第8のドープ領域と接続され、第5のビアを通じて前記第11のドープ領域と接続される第4の金属層であって、第2のビット線である、第4の金属層と、
を含む、第3のメモリセルと、
第4のメモリセルであって、
前記ウェル領域の前記表面下に形成された、前記第11のドープ領域、第12のドープ領域、第13のドープ領域、及び第14のドープ領域と、
前記ゲート酸化物層上に形成され、前記第11のドープ領域と前記第12のドープ領域との上にわたっている第10のゲートであって、前記第2のワード線と接続される第10のゲートと、
前記ゲート酸化物層上に形成され、前記第13のドープ領域と前記第14のドープ領域との上にわたっている第11のゲートであって、前記第2のワード線と接続される第11のゲートと、
前記ゲート酸化物層上に形成され、前記第12のドープ領域と前記第13のドープ領域との上にわたっている第12のゲートであって、前記第2のアンチヒューズコントロール線と接続される第12のゲートと、
第6のビアを通じて前記第14のドープ領域と接続される、前記第4の金属層と、
を含む、第4のメモリセルと、
をさらに含む、
請求項7に記載のアレイ構造。 - 第1のビット線と、第1のワード線と、第2のワード線と、第1のアンチヒューズコントロール線と、第2のアンチヒューズコントロール線とに接続されるアレイ構造であって、
第1のメモリセルであって、
第1の選択トランジスタであって、当該第1の選択トランジスタの第1のドレイン/ソース端子が前記第1のビット線と接続され、当該第1の選択トランジスタのゲート端子が前記第1のワード線と接続される、第1の選択トランジスタと、
第1のアンチヒューズトランジスタであって、当該第1のアンチヒューズトランジスタの第1のドレイン/ソース端子が前記第1の選択トランジスタの第2のドレイン/ソース端子と接続され、当該第1のアンチヒューズトランジスタのゲート端子が前記第1のアンチヒューズコントロール線と接続される、第1のアンチヒューズトランジスタと、
第2の選択トランジスタであって、当該第2の選択トランジスタの第1のドレイン/ソース端子が前記第1のアンチヒューズトランジスタの第2のドレイン/ソース端子と接続され、当該第2の選択トランジスタのゲート端子が前記第1のワード線と接続され、当該第2の選択トランジスタの第2のドレイン/ソース端子が前記第1のビット線と接続される、第2の選択トランジスタと、
を含む、第1のメモリセルと、
第2のメモリセルであって、
第3の選択トランジスタであって、当該第3の選択トランジスタの第1のドレイン/ソース端子が前記第1のビット線と接続され、当該第3の選択トランジスタのゲート端子が前記第2のワード線と接続される、第3の選択トランジスタと、
第2のアンチヒューズトランジスタであって、当該第2のアンチヒューズトランジスタの第1のドレイン/ソース端子が前記第3の選択トランジスタの第2のドレイン/ソース端子と接続され、当該第2のアンチヒューズトランジスタのゲート端子が前記第2のアンチヒューズコントロール線と接続される、第2のアンチヒューズトランジスタと、
第4の選択トランジスタであって、当該第4の選択トランジスタの第1のドレイン/ソース端子が前記第2のアンチヒューズトランジスタの第2のドレイン/ソース端子と接続され、当該第4の選択トランジスタのゲート端子が前記第2のワード線と接続され、当該第4の選択トランジスタの第2のドレイン/ソース端子が前記第1のビット線と接続される、第4の選択トランジスタと、
を含む、第2のメモリセルと、
を含む、
アレイ構造。 - 第3のメモリセルであって、
第5の選択トランジスタであって、当該第5の選択トランジスタの第1のドレイン/ソース端子が第2のビット線と接続され、当該第5の選択トランジスタのゲート端子が前記第1のワード線と接続される、第5の選択トランジスタと、
第3のアンチヒューズトランジスタであって、当該第3のアンチヒューズトランジスタの第1のドレイン/ソース端子が前記第5の選択トランジスタの第2のドレイン/ソース端子と接続され、当該第3のアンチヒューズトランジスタのゲート端子が前記第1のアンチヒューズコントロール線と接続される、第3のアンチヒューズトランジスタと、
第6の選択トランジスタであって、当該第6の選択トランジスタの第1のドレイン/ソース端子が前記第3のアンチヒューズトランジスタの第2のドレイン/ソース端子と接続され、当該第6の選択トランジスタのゲート端子が前記第1のワード線と接続され、当該第6の選択トランジスタの第2のドレイン/ソース端子が前記第2のビット線と接続される、第6の選択トランジスタと、
を含む、第3のメモリセルと、
第4のメモリセルであって、
第7の選択トランジスタであって、当該第7の選択トランジスタの第1のドレイン/ソース端子が前記第2のビット線と接続され、当該第7の選択トランジスタのゲート端子が前記第2のワード線と接続される、第7の選択トランジスタと、
第4のアンチヒューズトランジスタであって、当該第4のアンチヒューズトランジスタの第1のドレイン/ソース端子が前記第7の選択トランジスタの第2のドレイン/ソース端子と接続され、当該第4のアンチヒューズトランジスタのゲート端子が前記第2のアンチヒューズコントロール線と接続される、第4のアンチヒューズトランジスタと、
第8の選択トランジスタであって、当該第8の選択トランジスタの第1のドレイン/ソース端子が前記第4のアンチヒューズトランジスタの第2のドレイン/ソース端子と接続され、当該第8の選択トランジスタのゲート端子が前記第2のワード線と接続され、当該第8の選択トランジスタの第2のドレイン/ソース端子が前記第2のビット線と接続される、第8の選択トランジスタと、
を含む、第4のメモリセルと、
をさらに含む、
請求項13に記載のアレイ構造。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201562206828P | 2015-08-18 | 2015-08-18 | |
US62/206,828 | 2015-08-18 | ||
US14/980,875 | 2015-12-28 | ||
US14/980,875 US9634015B2 (en) | 2015-08-18 | 2015-12-28 | Antifuse-type one time programming memory cell and array structure with same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017041623A JP2017041623A (ja) | 2017-02-23 |
JP6126710B2 true JP6126710B2 (ja) | 2017-05-10 |
Family
ID=55754202
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016011490A Active JP6126710B2 (ja) | 2015-08-18 | 2016-01-25 | アンチヒューズ型ワンタイムプログラミングメモリセル及びそのアレイ構造 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9634015B2 (ja) |
EP (1) | EP3133605B1 (ja) |
JP (1) | JP6126710B2 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9799662B2 (en) * | 2015-08-18 | 2017-10-24 | Ememory Technology Inc. | Antifuse-type one time programming memory cell and array structure with same |
US10109364B2 (en) * | 2015-10-21 | 2018-10-23 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Non-volatile memory cell having multiple signal pathways to provide access to an antifuse of the memory cell |
KR102633049B1 (ko) * | 2016-01-08 | 2024-02-06 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 |
US10032522B2 (en) * | 2016-06-10 | 2018-07-24 | Synopsys, Inc. | Three-transistor OTP memory cell |
KR20180085120A (ko) * | 2017-01-17 | 2018-07-26 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치 |
US10276253B2 (en) | 2017-08-04 | 2019-04-30 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods including anti-fuses and for reading and programming of same |
US11380693B2 (en) * | 2018-08-20 | 2022-07-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor device including anti-fuse cell structure |
US10847236B2 (en) * | 2018-10-17 | 2020-11-24 | Ememory Technology Inc. | Memory cell with a sensing control circuit |
US11152380B2 (en) * | 2019-08-06 | 2021-10-19 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | Memory device and a method for forming the memory device |
US11663455B2 (en) * | 2020-02-12 | 2023-05-30 | Ememory Technology Inc. | Resistive random-access memory cell and associated cell array structure |
US11189356B2 (en) | 2020-02-27 | 2021-11-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | One-time-programmable memory |
CN113496988B (zh) * | 2020-04-08 | 2023-12-12 | 长鑫存储技术有限公司 | 反熔丝单元及反熔丝阵列 |
KR20220064258A (ko) | 2020-11-11 | 2022-05-18 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 프로그래밍 동작을 수행하는 전자장치 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0089457A3 (en) * | 1982-03-23 | 1986-01-22 | Texas Instruments Incorporated | Avalanche fuse element as programmable memory |
JPH09512658A (ja) * | 1994-04-29 | 1997-12-16 | アトメル・コーポレイション | 高速で、不揮発性の電気的にプログラム可能で、かつ消去可能なセルおよび方法 |
TW457687B (en) | 2000-10-18 | 2001-10-01 | Taiwan Semiconductor Mfg | Programmable antifuse cell |
US6798693B2 (en) * | 2001-09-18 | 2004-09-28 | Kilopass Technologies, Inc. | Semiconductor memory cell and memory array using a breakdown phenomena in an ultra-thin dielectric |
US6700151B2 (en) | 2001-10-17 | 2004-03-02 | Kilopass Technologies, Inc. | Reprogrammable non-volatile memory using a breakdown phenomena in an ultra-thin dielectric |
US6777757B2 (en) * | 2002-04-26 | 2004-08-17 | Kilopass Technologies, Inc. | High density semiconductor memory cell and memory array using a single transistor |
US6822903B2 (en) | 2003-03-31 | 2004-11-23 | Matrix Semiconductor, Inc. | Apparatus and method for disturb-free programming of passive element memory cells |
KR100500579B1 (ko) | 2003-06-28 | 2005-07-12 | 한국과학기술원 | 씨모스 게이트 산화물 안티퓨즈를 이용한 3-트랜지스터한번 프로그램 가능한 롬 |
US6839267B1 (en) | 2003-07-11 | 2005-01-04 | Infineon Technologies Ag | Structure and method of multiplexing bitline signals within a memory array |
US7638855B2 (en) | 2005-05-06 | 2009-12-29 | Macronix International Co., Ltd. | Anti-fuse one-time-programmable nonvolatile memory |
US7206214B2 (en) * | 2005-08-05 | 2007-04-17 | Freescale Semiconductor, Inc. | One time programmable memory and method of operation |
US7280425B2 (en) | 2005-09-30 | 2007-10-09 | Intel Corporation | Dual gate oxide one time programmable (OTP) antifuse cell |
US7606055B2 (en) | 2006-05-18 | 2009-10-20 | Micron Technology, Inc. | Memory architecture and cell design employing two access transistors |
US7508694B2 (en) | 2006-09-27 | 2009-03-24 | Novelics, Llc | One-time-programmable memory |
US7804714B1 (en) | 2007-02-21 | 2010-09-28 | National Semiconductor Corporation | System and method for providing an EPROM with different gate oxide thicknesses |
US8213211B2 (en) * | 2009-02-06 | 2012-07-03 | Sidense Corp. | High reliability OTP memory |
US8942034B2 (en) * | 2013-02-05 | 2015-01-27 | Qualcomm Incorporated | System and method of programming a memory cell |
TWI503824B (zh) * | 2013-09-13 | 2015-10-11 | Lin Chrong Jung | 記憶體陣列及其非揮發性記憶裝置 |
WO2015053009A1 (ja) * | 2013-10-11 | 2015-04-16 | シャープ株式会社 | 半導体装置 |
KR20150087540A (ko) | 2014-01-22 | 2015-07-30 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 안티 퓨즈 어레이 구조 |
KR102227554B1 (ko) * | 2014-11-18 | 2021-03-16 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 안티퓨즈 오티피 셀어레이 및 그 동작방법 |
KR20160074925A (ko) * | 2014-12-19 | 2016-06-29 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 퓨즈 셀 회로, 퓨즈 셀 어레이 및 이를 포함하는 메모리 장치 |
-
2015
- 2015-12-28 US US14/980,875 patent/US9634015B2/en active Active
-
2016
- 2016-01-25 JP JP2016011490A patent/JP6126710B2/ja active Active
- 2016-04-14 EP EP16165350.6A patent/EP3133605B1/en active Active
-
2017
- 2017-02-03 US US15/423,845 patent/US20170148801A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017041623A (ja) | 2017-02-23 |
US20170148801A1 (en) | 2017-05-25 |
EP3133605B1 (en) | 2023-11-08 |
EP3133605A1 (en) | 2017-02-22 |
US9634015B2 (en) | 2017-04-25 |
US20170053925A1 (en) | 2017-02-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6126710B2 (ja) | アンチヒューズ型ワンタイムプログラミングメモリセル及びそのアレイ構造 | |
JP6389287B2 (ja) | アンチヒューズ型ワンタイムプログラマブルメモリセルをプログラムするための方法 | |
TWI578325B (zh) | 反熔絲型一次編程的記憶胞及其相關的陣列結構 | |
JP6096237B2 (ja) | 性能改善を有するアンチヒューズotpメモリセル、およびメモリの製造方法と操作方法 | |
JP6181037B2 (ja) | ワンタイム・プログラミング・メモリ・セル、アレイ構造およびその動作方法 | |
JP6251769B2 (ja) | アンチヒューズ型ワンタイムプログラミングメモリセル及び当該メモリセルを備えるアレイ構造 | |
TWI496154B (zh) | 應用於非揮發性記憶體中的一位元記憶胞 | |
US7872898B2 (en) | One time programmable read only memory and programming method thereof | |
US20120314474A1 (en) | Non-volatile memory cell structure and method for programming and reading the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170314 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170407 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6126710 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |