JP6123397B2 - 撮像装置 - Google Patents
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
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Description
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SC21=SC・S21/(S11+S12+S21+S22) ・・・(3)
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SOE=SO・SES/(SAS+SBS+SCS+SDS+SES+SFS) ・・・(10)
SOF=SO・SFS/(SAS+SBS+SCS+SDS+SES+SFS) ・・・(11)
(付記1) 所定の波長帯の赤外線を吸収し、複数の画素の画素信号をそれぞれ生成する複数の第1吸収層と、
前記複数の第1吸収層とは異なる波長帯の赤外線を吸収し、前記複数の画素間で共通の画素信号を生成する1以上の第2吸収層と、
前記複数の第1吸収層から画素信号をそれぞれ取り出す複数の第1電極と、
前記1以上の第2吸収層から画素信号を取り出す第2電極とを有することを特徴とする撮像装置。
(付記2) 前記1以上の第2吸収層から前記第2電極を介して取り出された画素信号を、前記複数の第1吸収層から前記複数の第1電極を介してそれぞれ取り出された前記複数の画素の画素信号の各強度の比に基づいて、前記複数の画素にそれぞれ対応する個別の画素信号に変換する信号処理回路を、さらに有することを特徴とする付記1に記載の撮像装置。
(付記3) 前記1以上の第2吸収層が吸収する赤外線の波長帯は、前記複数の第1吸収層が吸収する赤外線の波長帯より長波長側にあることを特徴とする付記1または2に記載の撮像装置。
(付記4) 前記複数の第1電極は、前記第2電極を中心として、等間隔に配置されていることを特徴とする請求項1乃至3の何れかに記載の撮像装置。
(付記5) 前記複数の画素は、平面内に配置された複数組の画素の一組であることを特徴とする付記1乃至4の何れかに記載の撮像装置。
(付記6) 前記複数の第1電極及び前記第2電極は、インジウムにより形成されていることを特徴とする付記1乃至5の何れかに記載の撮像装置。
11 上部吸収層(第1吸収層)
12 下部吸収層(第2吸収層)
G11,G12,G21,G22,GA〜GF 画素
U,US 画素の一組
S11,S12,S21,S22,SC,SFA〜SFS,SO 画素信号
B11,B12,B21,B22,BAS〜BFS 個別バンプ(第1電極)
BC,BS 共通バンプ(第2電極)
Claims (4)
- 分離溝により互いに分離された複数の積層体を有し、
前記複数の積層体のそれぞれは、
所定の波長帯の赤外線を吸収し、複数の画素の画素信号をそれぞれ生成する複数の第1吸収層と、
前記複数の第1吸収層の下方に積層され、前記複数の第1吸収層とは異なる波長帯の赤外線を吸収し、前記複数の画素間で共通の画素信号を生成する1以上の第2吸収層と、
前記複数の第1吸収層から画素信号をそれぞれ取り出す複数の第1バンプと、
前記1以上の第2吸収層から画素信号を取り出す第2バンプと、
前記複数の第1吸収層の上方にそれぞれ積層され、前記複数の第1吸収層と前記複数の第1バンプをそれぞれ接続する複数の上部コンタクト層と、
前記複数の第1吸収層と前記1以上の第2吸収層の間に積層され、外部から電圧が印加される中間コンタクト層と、
前記1以上の第2吸収層の下方に積層され、前記複数の積層体の各々の中央を積層方向に延びる配線により前記第2バンプと接続された下部コンタクト層とを有し、
前記複数の第1バンプの各々と前記第2バンプの中心間距離は、前記複数の積層体のうち、縦方向または横方向において隣同士に位置する2つの積層体の前記複数の第1バンプ同士の中心間距離と等しいことを特徴とする撮像装置。 - 前記1以上の第2吸収層から前記第2バンプを介して取り出された画素信号を、前記複数の第1吸収層から前記複数の第1バンプを介してそれぞれ取り出された前記複数の画素の画素信号の各強度の比に基づいて、前記複数の画素にそれぞれ対応する個別の画素信号に変換する信号処理回路を、さらに有することを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。
- 前記1以上の第2吸収層が吸収する赤外線の波長帯は、前記複数の第1吸収層が吸収する赤外線の波長帯より長波長側にあることを特徴とする請求項1または2に記載の撮像装置。
- 前記複数の第1バンプは、前記第2バンプを中心として、等間隔に配置されていることを特徴とする請求項1乃至3の何れかに記載の撮像装置。
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