JP5810987B2 - 冷却型半導体素子 - Google Patents
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Description
2 下部電極層
3 受光層
4 上部電極層
5 溝
6 画素領域
7 保護絶縁膜
8,9 コンタクト電極
10 配線
11 第1のバンプ
12 第2のバンプ
13 第2の半導体基板
20 受光素子
21 半絶縁性GaAs基板
22 n型GaAs層
23 多重量子井戸受光層
231 Al0.25Ga0.75As層
232 n型GaAs層
24 n型GaAs層
25 レジストパターン
26 分離溝
27 画素領域
28 SiO2膜パターン
29 レジストパターン
30,31 コンタクト電極
32 レジストパターン
33 Au配線
34 レジストパターン
35,36 Inバンプ
40 信号処理素子
41 シリコン基板
42 回路素子
51 半絶縁性AlGaAs層
52 n型GaAs層
53 多重量子井戸受光層
54 n型GaAs層
55 画素領域
56 SiO2膜パターン
57,58,59,60 コンタクト電極
61,62 Au配線
63,64 Inバンプ
71 GaAs基板
72 n型GaAs下部電極層
73 多重量子井戸受光層
74 n型GaAs上部電極層
75 画素
76 保護絶縁膜
77,78 AuGe/Au電極
79 Au配線
80,81 Inバンプ
82 シリコン基板
Claims (5)
- 2次元マトリクス状に画素が形成された第1の半導体基板と、
前記第1の半導体基板と異なった基板材料からなり信号処理回路が設けられた第2の半導体基板と
を有し、
各々の前記画素毎に第1のバンプと第2のバンプが設けられ、
前記画素の隣接する画素との境界領域を含めた面積がL2であるとともに、前記第1のバンプの中心と前記第2のバンプの中心の間隔が(2/3±0.1)×Lであり、
且つ、隣り合う画素同士で前記第1のバンプの中心と前記第2のバンプの中心を結ぶ線分の延在方向が互いに直交するとともに、前記隣り合う画素同士の前記線分の中点同士の間隔がLであり、
前記第1のバンプと前記第2のバンプにより前記第1の半導体基板と前記第2の半導体基板がハイブリッド接合されていることを特徴とする冷却型半導体素子。 - 前記画素が一つの受光領域を有するとともに、前記第1のバンプと前記第2のバンプが互いに異なった極性のバンプであることを特徴とする請求項1に記載の冷却型半導体素子。
- 前記画素が、互いに分離されて積層された2つの受光領域を有するとともに、前記第1のバンプと前記第2のバンプが互いに同じ極性のバンプであることを特徴とする請求項1に記載の冷却型半導体素子。
- 前記画素の隣接する画素との境界領域を含めた平面形状が、正方形であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の冷却型半導体素子。
- 前記第1のバンプの一部と前記第2のバンプの一部がL×Lの正方形からはみ出しており、前記画素が前記第1のバンプの一部と前記第2のバンプを包括する非正方形の形状であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の冷却型半導体素子。
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