JP6096622B2 - セラミックヒータ - Google Patents
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Description
〜1600℃で1〜12時間処理し、冷却過程において少なくとも1000〜600℃の間を200℃/時より速い速度で冷却することにより、クリストバライト結晶の生成を抑えたSiO2膜21を形成することができる。なお、載置面3側に形成されたSiO2膜に関しては、研磨によって除去する。
5のブロックに測温用の熱電対10を設置する。熱電対10としては、外径1mm以下のシース型の熱電対10を使用することが好ましい。また、基体2に埋め込まれた先端部に力がかからないように、熱電対10の中央付近が板状構造部13によって保持されている。この熱電対10の先端部は、基体2に孔が形成され、この中に設置された円筒状の金属体の内壁面にバネ材によって押し付けられて固定されている。これにより、測温の信頼性を向上させることができる。また、図1には、熱電対10を1本しか示していないが、発熱抵抗体層5を分割制御する場合は、その数に応じて熱電対10の数を増やすことが好ましい。
タ1の耐久性を向上できる。なお、ここでいうボイド24が内側領域Zに占める割合が大きいとは、単位面積当たりのボイド24の占める面積の合計が、外側領域Yにおけるよりも内側領域Zにおいて大きいということを意味している。
の数が、発熱抵抗体層5側に位置するボイド24の数が多いことを確認すればよい。
2:基体
3:載置面
4:絶縁層
5:発熱抵抗体層
6:導電層
7:導電端子
8:弾性体
10:熱電対
11:支持体
13:板状構造体
20:支持ピン
21:SiO2膜
24:ボイド
W:ウエハ
Claims (6)
- セラミックスから成る基体と、該基体の表面に設けられた発熱抵抗体層と、該発熱抵抗体層上に積層された、内部に複数のボイドを有する導電層と、該導電層に少なくとも一部が重なるように取り付けられた導電端子とを具備しており、
前記複数のボイドは、平面視したときに前記導電層のうち前記導電端子と重なる部分に分布しており、
前記複数のボイドは、前記導電端子と重なる部分のうちの内側領域に占める割合が、前記導電端子と重なる部分のうちの外側領域に占める割合よりも大きいことを特徴とするセラミックヒータ。 - 前記複数のボイドが前記内側領域にのみ分布していることを特徴とする請求項1に記載のセラミックヒータ。
- 前記内側領域のうち前記複数のボイドが分布している領域が円形状であることを特徴とする請求項2に記載のセラミックヒータ。
- 前記複数のボイドは、前記導電層の前記内側領域における径が前記外側領域における径よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載のセラミックヒータ。
- 前記複数のボイドは、断面視したときに前記導電層のうち前記発熱抵抗体層に近い領域よりも前記導電端子に近い領域に多く分布していることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載のセラミックヒータ。
- セラミックスから成る基体と、該基体の表面に設けられた発熱抵抗体層と、該発熱抵抗体層上に積層された、内部に複数のボイドを有する導電層と、該導電層に少なくとも一部が重なるように取り付けられた導電端子とを具備しており、
前記複数のボイドは、平面視したときに前記導電層のうち前記導電端子と重なる部分に分布しており、
前記複数のボイドは、断面視したときに前記導電層のうち前記発熱抵抗体層に近い領域よりも前記導電端子に近い領域に多く分布していることを特徴とするセラミックヒータ。
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