JP6090537B1

JP6090537B1 - 積層部材及びタッチパネル

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Publication number: JP6090537B1
Application number: JP2016533684A
Authority: JP
Inventors: 創水口; 友孝河野
Original assignee: Toray Industries Inc
Current assignee: Toray Industries Inc
Priority date: 2015-04-21
Filing date: 2016-03-30
Publication date: 2017-03-08
Anticipated expiration: 2036-03-30
Also published as: US10275104B2; TWI632063B; KR101810855B1; US20180059826A1; CN107107587A; JPWO2016170943A1; CN107107587B; TW201704025A; KR20170060160A; WO2016170943A1

Abstract

基材上に形成された導電層と感光性樹脂層とのイオンマイグレーション耐性に優れる、積層部材を提供する。本発明は、上記基材上に形成された、樹脂層Ａと、上記樹脂層Ａ上に形成された、透明電極層Ｂと、上記樹脂層Ａ及び上記透明電極層Ｂ上に形成された、導電層Ｃと、を備え、上記樹脂層Ａは、カルボキシル基を有する樹脂（ａ）を含有し、上記導電層Ｃは、導電性粒子及びカルボキシル基を有する樹脂（ｃ）を含有し、かつ、上記導電層Ｃが、上記樹脂層Ａ及び上記透明電極層Ｂに接触しており、上記樹脂層Ａが含有する有機成分の酸価をＳＡ、上記導電層Ｃが含有する有機成分の酸価をＳＣ、としたとき、ＳＡ−ＳＣの値が、２０〜１５０ｍｇＫＯＨ／ｇである、積層部材を提供する。

Description

本発明は、積層部材及びタッチパネルに関する。

静電容量式タッチパネルの表示領域に形成される表示電極は、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）等からなる透明電極である。そのパターン加工のプロセスとしては、スパッタ等により基材にＩＴＯ等の金属薄膜を膜付けして、その表面にさらに感光性を有する樹脂であるフォトレジストを塗布してフォトマスクを介して露光をし、現像でレジストパターンを形成した後にエッチング及びレジスト除去をするのが一般的である。

一方で、基材上に予め感光性樹脂層及び透明電極層を積層したものを用意しておくことで、透明電極のパターンを形成する都度フォトレジストを塗布したり、除去したりすることを省く技術も考案されている（特許文献１及び２）。

静電容量式タッチパネルでは表示領域の周辺には、透明電極と接続する周囲配線が形成される。この周囲配線の形成の方法としては、導電ペーストをスクリーン印刷法等で塗布する方法（特許文献３及び４）や、感光性を有する導電ペーストをフォトリソ法で微細加工する方法が知られている（特許文献５〜９）。ここで、上記の感光性樹脂層及び透明電極層を積層した基材から形成した透明電極パターンに接続する周囲配線を形成しようとした場合、該基材上に形成される周囲配線すなわち導電層は、透明電極層のみならず、感光性樹脂層にも接触することとなる。

特開２０１５−１８１５７号公報特開２０１４−１９９８１４号公報特開昭６３−０７９７２７号公報特開２００４−０７３７４０号公報特許第５２７８６３２号公報国際公開第２０１３／１０８６９６号特許第５３６０２８５号公報特許第５４０３１８７号公報国際公開第２０１３／１４６１０７号

しかしながら、基材上の感光性樹脂層の表面に導電層が接触した部位においては、導電層と感光性樹脂層とのイオンマイグレーションが問題視されていた。

そこで本発明は、基材上に形成された導電層と感光性樹脂層とのイオンマイグレーション耐性に優れる、積層部材を提供することを目的とする。

本発明者らは、鋭意検討をした結果、感光性樹脂層が含有するカルボキシル基を有する樹脂の酸価と、導電層が含有するカルボキシル基を有する樹脂の酸価との差が、２０〜１５０ｍｇＫＯＨ／ｇの範囲にあることが、上記課題の解決に極めて有効であることを見出し、本発明を完成した。

すなわち本発明は、基材と、上記基材上に形成された、樹脂層Ａと、上記樹脂層Ａ上に形成された、透明電極層Ｂと、上記樹脂層Ａ及び上記透明電極層Ｂ上に形成された、導電層Ｃと、を備え、上記樹脂層Ａは、カルボキシル基を有する樹脂（ａ）を含有し、上記導電層Ｃは、導電性粒子及びカルボキシル基を有する樹脂（ｃ）を含有し、かつ、上記導電層Ｃが、上記樹脂層Ａ及び上記透明電極層Ｂに接触しており、上記樹脂層Ａが含有する有機成分の酸価をＳ_Ａ、上記導電層Ｃが含有する有機成分の酸価をＳ_Ｃ、としたとき、Ｓ_Ａ−Ｓ_Ｃの値が、２０〜１５０ｍｇＫＯＨ／ｇである、積層部材を提供する。

本発明によれば、基材上に形成された導電層と感光性樹脂層とのイオンマイグレーション耐性に極めて優れる、積層部材を提供することができる。

さらにベンゾトリアゾール系化合物もしくはイソボルニル骨格を有するＯＣＡを積層させることでよりイオンマイグレーション耐性を高めることができる。

積層部材の断面を示す概略図である。イオンマイグレーション耐性の評価に用いた積層部材の概略図である。屈曲性の評価に用いた積層部材の概略図である。ＯＣＡ層を積層した積層部材の断面を示す概略図である。ＯＣＡ層を積層したイオンマイグレーション耐性の評価に用いた積層部材の概略図である。ＯＣＡ層を積層した屈曲性の評価に用いた積層部材の概略図である。

本発明の積層部材は、基材と、上記基材上に形成された、樹脂層Ａと、上記樹脂層Ａ上に形成された、透明電極層Ｂと、上記樹脂層Ａ及び上記透明電極層Ｂ上に形成された、導電層Ｃと、を備え、上記樹脂層Ａは、カルボキシル基を有する樹脂（ａ）（以下、「樹脂（ａ）」と称すことがある。）を含有し、上記導電層Ｃは、導電性粒子及びカルボキシル基を有する樹脂（ｃ））（以下、「樹脂（ｃ）」と称すことがある。）を含有し、かつ、上記導電層Ｃが、上記樹脂層Ａ及び上記透明電極層Ｂに接触しており、上記樹脂層Ａが含有する有機成分の酸価をＳ_Ａ、上記導電層Ｃが含有する有機成分の酸価をＳ_Ｃ、としたとき、Ｓ_Ａ−Ｓ_Ｃの値が、２０〜１５０ｍｇＫＯＨ／ｇであることを特徴とする。

本発明の積層部材が備える基材とは、その表面上に透明電極層や導電層等を形成するための、支持体をいう。基材としては、例えば、ガラス、ガラエポ基板若しくはセラミックス基板等のリジッド基板又はポリエステルフィルム若しくはポリイミドフィルム等のフレキシブル基板が挙げられる。

基材上に形成されている樹脂層Ａは、いわゆる感光性樹脂層であり、透明電極層Ｂのパターン形成のためのフォトレジストとして機能を果たしたものである。樹脂層Ａを構成する樹脂（ａ）は、その分子鎖中にカルボキシル基を有しており、アルカリ可溶性が好ましい。樹脂（ａ）としては、例えば、アクリル系共重合体、エポキシカルボキシレート化合物、ポリアミック酸又はシロキサンポリマーが挙げられるが、可視光透過率の高いアクリル系共重合体又はエポキシカルボキシレート化合物が好ましい。

カルボキシル基を有するアクリル系共重合体は、アクリル系モノマー及び不飽和カルボン酸等の不飽和酸を共重合成分として、共重合させることにより得られる。

アクリル系モノマーとしては、例えば、アクリル酸（以下、「ＡＡ」と称すことがある。）、メチルアクリレート、エチルアクリレート（以下、「ＥＡ」と称すことがある。）、２−エチルヘキシルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート（以下、「ＢＡ」と称すことがある。）、ｉｓｏ−ブチルアクリレート、ｉｓｏ−プロパンアクリレート、グリシジルアクリレート、ブトキシトリエチレングリコールアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレート、ジシクロペンテニルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、イソボルニルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、イソデキシルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、２−メトキシエチルアクリレート、メトキシエチレングリコールアクリレート、メトキシジエチレングリコールアクリレート、オクタフロロペンチルアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、ステアリルアクリレート、トリフロロエチルアクリレート、アミノエチルアクリレート、フェニルアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、１−ナフチルアクリレート、２−ナフチルアクリレート、チオフェノールアクリレート、ベンジルメルカプタンアクリレート、アリル化シクロヘキシルジアクリレート、メトキシ化シクロヘキシルジアクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，３−ブチレングリコールジアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、プロピレングリコールジアクリレート、ポリプロピレングリコールジアクリレート、トリグリセロールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、アクリルアミド、Ｎ−メトキシメチルアクリルアミド、Ｎ−エトキシメチルアクリルアミド、Ｎ−ｎ−ブトキシメチルアクリルアミド、Ｎ−イソブトキシメチルアクリルアミド、エポキシ基を不飽和酸で開環させた水酸基を有するエチレングリコールジグリシジルエーテルのアクリル酸付加物、ジエチレングリコールジグリシジルエーテルのアクリル酸付加物、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテルのアクリル酸付加物、グリセリンジグリシジルエーテルのアクリル酸付加物、ビスフェノールＡジグリシジルエーテルのアクリル酸付加物、ビスフェノールＦのアクリル酸付加物若しくはクレゾールノボラックのアクリル酸付加物等のエポキシアクリレートモノマー又はγ−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、あるいは、それらのアクリル基を、メタクリル基に置換した化合物が挙げられるが、樹脂層Ａの可視光透過性を高めるため、脂肪鎖又は脂環式構造を有するアクリル系モノマーが好ましい。

不飽和酸としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸若しくは酢酸ビニル又はこれらの酸無水物が挙げられる。共重合成分として用いる不飽和酸の多少により、得られるアクリル系共重合体の酸価を調整することができる。

エポキシカルボキシレート化合物とは、エポキシ化合物と、不飽和二重結合を有するカルボキシル化合物と、を出発原料として合成することができる化合物をいう。

出発原料となり得るエポキシ化合物としては、例えば、グリシジルエーテル類、脂環式エポキシ樹脂、グリシジルエステル類、グリシジルアミン類又はエポキシ樹脂が挙げられる。より具体的には、例えば、メチルグリシジルエーテル、エチルグリシジルエーテル、ブチルグリシジルエーテル、エチレングリコールジグリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、トリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、水添ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、ビスフェノールＦジグリシジルエーテル、ビスフェノールＳジグリシジルエーテル、ビスフェノールフルオレンジグリシジルエーテル、ビフェノールジグリシジルエーテル、テトラメチルビフェノールグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、３’，４’−エポキシシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート又はｔｅｒｔ−ブチルグリシジルアミンが挙げられる。

出発原料となり得る不飽和二重結合を有するカルボキシル化合物としては、例えば、（メタ）アクリル酸、クロトン酸、桂皮酸又はα−シアノ桂皮酸が挙げられる。

エポキシカルボキシレート化合物と多塩基酸無水物とを反応させて、エポキシカルボキシレート化合物の酸価を調整しても構わない。多塩基酸無水物としては、例えば、無水コハク酸、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、無水イタコン酸、３−メチルテトラヒドロ無水フタル酸、４−メチルーヘキサヒドロ無水フタル酸、無水トリメリット酸又は無水マレイン酸が挙げられる。

上記の多塩基酸無水物により酸価を調整したエポキシカルボキシレート化合物が有するカルボキシル基と、グリシジル（メタ）アクリレート等の不飽和二重結合を有する化合物と、を反応させることにより、エポキシカルボキシレート化合物が有する反応性の不飽和二重結合の量を調整しても構わない。

エポキシカルボキシレート化合物が有するヒドロキシ基と、ジイソシアネート化合物とを反応させることにより、ウレタン化をしても構わない。ジイソシアネート化合物としては、例えば、ヘキサメチレンジイソシアネート、テトラメチルキシレンジイソシアネート、ナフタレン−１，５−ジイソシアネート、トリデンジイソシアネート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、アリルシアンジイソシアネート又はノルボルナンジイソシアネートが挙げられる。

樹脂（ａ）の酸価は、樹脂層Ａがアルカリ可溶性のフォトレジストとして機能することが好ましいため、５０〜２５０ｍｇＫＯＨ／ｇであることが好ましく、パターン加工性をより高めるため、６０〜１５０ｍｇＫＯＨ／ｇがより好ましい。なお樹脂（ａ）の酸価は、ＪＩＳＫ００７０（１９９２）に準拠して測定することができる。

樹脂層Ａの可視光透過率は、本発明により製造される積層部材をタッチパネルの構成要素とする場合には、８０％以上であることが好ましい。

樹脂層Ａの上に積層されている透明電極層Ｂは、全面的に平坦な層ではなく、樹脂層Ａのフォトレジストとしての機能を利用してパターン加工がされた、任意形状のパターンである。すなわち、透明電極層は樹脂層Ａを完全に覆い隠しているのではなく、透明電極層Ｂのパターンが形成されていない部位においては、樹脂層Ａが露出した状態となっている。

透明電極層Ｂは、導電成分のみからなるか、又は、導電成分を含有することが好ましい。透明電極層Ｂを構成する導電成分としては、例えば、インジウム、スズ、亜鉛、ガリウム、アンチモン、チタン、ジルコニウム、マグネシウム、アルミニウム、金、銀、銅、パラジウム若しくはタングステン又はこれら金属の酸化物あるいはカーボンナノチューブが挙げられる。より具体的には、例えば、インジウムスズ酸化物（以下、「ＩＴＯ」と称すことがある。）、インジウム亜鉛酸化物、酸化インジウム−酸化亜鉛複合酸化物、アルミニウム亜鉛酸化物、ガリウム亜鉛酸化物、フッ素亜鉛酸化物、フッ素インジウム酸化物、アンチモンスズ酸化物又はフッ素スズ酸化物が挙げられる。中でも、導電性及び可視光透過性が高く、かつ価格面でも有利な、ＩＴＯ又は繊維状の銀（以下、「銀繊維」と称すことがある。）が好ましく、後述する導電層Ｃとの接続信頼性が高い、銀繊維がより好ましい。

パターン加工をする前の、透明電極層の形成方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法又はコーティング法が挙げられる。

透明電極層Ｂの厚さは、良好な導電性及び可視光透過性を両立させるため、０．０１〜１．０μｍが好ましい。透明電極層Ｂの厚みが０．０１μｍ以上であると、抵抗値のバラツキを抑制することができる。一方で、透明電極層Ｂの厚みが１．０μｍ以下であると、可視光透過率を高くすることができる。なお透明電極層Ｂの可視光透過率は、樹脂層Ａと同様の理由から、８０％以上であることが好ましい。

樹脂層Ａ及び透明電極層Ｂに接触している導電層Ｃは、導電性粒子、及び、樹脂（ｃ）を含有する。導電層Ｃは、全面的に平坦な層ではなく、任意形状のパターンであっても構わない。この場合、導電層Ｃは樹脂層Ａ及び透明電極層Ｂを完全に覆い隠しているのではなく、導電層Ｃのパターンが形成されていない部位においては、樹脂層Ａ及び／又は透明電極層Ｂが露出した状態となっている。

導電層Ｃが含有する導電性粒子としては、銀、金、銅、白金、鉛、スズ、ニッケル、アルミニウム、タングステン、モリブデン、クロム、チタン若しくはインジウム又はこれら金属の合金が挙げられるが、導電性高い銀、金又は銅が好ましく、安定性が高くかつ価格面でも有利な、銀がより好ましい。

導電性粒子の形状としては、長軸長を短軸長で除した値であるアスペクト比が、１．０〜３．０であることが好ましく、１．０〜２．０であることがより好ましい。導電性粒子のアスペクト比が１．０以上であると、導電性粒子同士の接触確率が、より高まることになる。一方で、導電性粒子のアスペクト比が２．０以下であると、フォトリソグラフィー法で導電層Ｃのパターンを形成する場合において露光光が遮蔽されにくく、現像マージンが広くなる。導電性粒子のアスペクト比は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）又は透過型顕微鏡（ＴＥＭ）で導電性粒子を観察し、無作為に１００個の導電性粒子の一次粒子を選択して、それぞれの長軸長及び短軸長を測定し、両者の平均値からアスペクト比を求めることで決定することができる。

導電性粒子の粒径は、０．０５〜２．０μｍが好ましく、０．１〜１．５μｍがより好ましい。導電性粒子の粒径が０．０５μｍ以上であると、粒子間の相互作用が弱く、導電性粒子の分散状態を保ち易い。一方で、導電性粒子の粒径が２．０μｍ以下であると、形成した導電層Ｃのパターンのエッジをシャープにすることができる。導電層Ｃが含有する導電性粒子の粒径は、採取した導電層Ｃをテトラヒドロフラン（以下、「ＴＨＦ」と称すことがある。）に溶解し、沈降した導電性粒子を回収し、ボックスオーブンを用いて７０℃で１０分間乾燥をしたものについて、電子顕微鏡で観察し、無作為に２０個の導電性粒子の一次粒子を選択して、それぞれの最大幅を測定し、それらの平均値を求めることで算出することができる。

導電層Ｃが含有する導電性粒子に占める粒径０．３〜２．０μｍの粒子の割合は、フォトリソグラフィー法で導電層Ｃのパターンを形成する場合において樹脂層Ａに取り込まれた導電性粒子の洗い流しが容易となるため、８０％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましい。

導電層Ｃが含有する導電性粒子に占める粒径０．３〜２．０μｍの粒子の割合は、電子顕微鏡で導電性粒子を観察し、無作為に１００個の導電性粒子の一次粒子を選択して、それぞれの最大幅を測定し、最大幅が０．３〜２．０μｍの範囲にあった一次粒子の割合から決定することができる。

導電層Ｃが含有する導電性粒子の割合は、６０〜９５質量％が好ましい。導電性粒子の割合が６０質量％以上であると、導電性粒子同士の接触確率が高まり、得られる導電層Ｃの抵抗値を安定化することができる。一方で、導電性粒子の割合が９５質量％以下であると、本発明の積層部材を屈曲させた場合の導電層Ｃの導電性を、より安定化できる。

導電層Ｃが含有する樹脂（ｃ）としては、樹脂（ａ）同様、アクリル系共重合体又はエポキシカルボキシレート化合物が挙げられるが、得られる導電層Ｃの密着性を高めるため、エポキシカルボキシレート化合物が好ましい。

導電層Ｃは、光重合開始剤を含有しても構わない。導電層Ｃが重合開始剤を含有すると、フォトリソグラフィー法により導電層Ｃのパターンを形成することができる。光重合開始剤としては、例えば、１，２−オクタンジオン−１−［４−（フェニルチオ）−２−（Ｏ−ベンゾイルオキシム）］、２，４，６−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−ホスフィンオキサイド、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルホスフィンオキサイド、エタノンー１−［９−エチル−６−２（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、ベンゾフェノン、ｏ−ベンゾイル安息香酸メチル、４，４’−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４’−ジクロロベンゾフェノン、４−ベンゾイル−４’−メチルジフェニルケトン、ジベンジルケトン、フルオレノン、２，２’−ジエトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフェノン、ｐ−ｔ−ブチルジクロロアセトフェノン、チオキサントン、２−メチルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジル、ベンジルジメチルケタール、ベンジル−β−メトキシエチルアセタール、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインブチルエーテル、アントラキノン、２−ｔ−ブチルアントラキノン、２−アミルアントラキノン、β−クロルアントラキノン、アントロン、ベンズアントロン、ジベンゾスベロン、メチレンアントロン、４−アジドベンザルアセトフェノン、２，６−ビス（ｐ−アジドベンジリデン）シクロヘキサノン、６−ビス（ｐ−アジドベンジリデン）−４−メチルシクロヘキサノン、１−フェニル−１，２−ブタンジオン−２−（Ｏ−メトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−プロパンジオン−２−（Ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−プロパンジオン−２−（Ｏ−ベンゾイル）オキシム、１，３−ジフェニル−プロパントリオン−２−（Ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−３−エトキシ−プロパントリオン−２−（Ｏ−ベンゾイル）オキシム、ミヒラーケトン、２−メチル−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノ−１−プロパノン、ナフタレンスルホニルクロライド、キノリンスルホニルクロライド、Ｎ−フェニルチオアクリドン、４，４’−アゾビスイソブチロニトリル、ジフェニルジスルフィド、ベンズチアゾールジスルフィド、トリフェニルホスフィン、カンファーキノン、２，４−ジエチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、四臭化炭素、トリブロモフェニルスルホン、過酸化ベンゾイン、エオシン、又は、メチレンブルー等の光還元性色素と、アスコルビン酸若しくはトリエタノールアミン等の還元剤との組み合わせが挙げられるが、光感度の高い、オキシムエステル系化合物が好ましい。

導電層Ｃのパターンをフォトリソグラフィー法で形成する場合の光重合開始剤の添加量は、樹脂（ｃ）１００質量部に対して、０．０５〜３０質量部が好ましい。光重合開始剤の添加量が０．０５質量部以上であると、露光部の硬化密度が増加して、現像後の残膜率を高くすることができる。一方で、光重合開始剤の添加量が３０質量部以下であると、光重合開始剤による過剰な光吸収が抑制される。その結果、得られる導電層Ｃのパターンの断面形状が矩形となり、樹脂層Ａとの密着性低下が抑制される。

導電層Ｃは光重合開始剤と共に、増感剤を含有しても構わない。

増感剤としては、例えば、２，４−ジエチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、２，３−ビス（４−ジエチルアミノベンザル）シクロペンタノン、２，６−ビス（４−ジメチルアミノベンザル）シクロヘキサノン、２，６−ビス（４−ジメチルアミノベンザル）−４−メチルシクロヘキサノン、ミヒラーケトン、４，４−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４−ビス（ジメチルアミノ）カルコン、４，４−ビス（ジエチルアミノ）カルコン、ｐ−ジメチルアミノシンナミリデンインダノン、ｐ−ジメチルアミノベンジリデンインダノン、２−（ｐ−ジメチルアミノフェニルビニレン）イソナフトチアゾール、１，３−ビス（４−ジメチルアミノフェニルビニレン）イソナフトチアゾール、１，３−ビス（４−ジメチルアミノベンザル）アセトン、１，３−カルボニルビス（４−ジエチルアミノベンザル）アセトン、３，３−カルボニルビス（７−ジエチルアミノクマリン）、Ｎ−フェニル−Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ−フェニルエタノールアミン、Ｎ−トリルジエタノールアミン、ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、ジエチルアミノ安息香酸イソアミル、３−フェニル−５−ベンゾイルチオテトラゾール又は１−フェニル−５−エトキシカルボニルチオテトラゾールが挙げられる。

増感剤の添加量は、樹脂（ｃ）１００質量部に対して０．０５〜１０質量部が好ましい。増感剤の添加量が０．０５質量部以上であると、光感度が向上する。一方で、増感剤の添加量が１０質量部以下であると、導電層Ｃのパターンをフォトリソグラフィー法で形成する場合における、塗布膜上部での、過剰な光吸収が抑制される。その結果、形成される導電層Ｃのパターンの断面形状が矩形となり、樹脂層Ａとの密着性低下が抑制される。

導電層Ｃは、ウレタン結合を有する化合物を含有しても構わない。導電層Ｃがウレタン結合を有する化合物を含有することで、導電層が柔軟性のあるものとなり、その結果、積層部材全体に柔軟性を付与することができる。導電層Ｃにウレタン結合を有する化合物を含有させる方法としては、例えば、導電層Ｃを形成するための組成物に、ウレタン結合を有する化合物を添加する方法が挙げられる。ウレタン結合を有する化合物としては、例えば、ウレタンモノマー又はポリウレタンが挙げられる。

導電層Ｃを形成するための組成物における、ウレタン結合を有する化合物の添加量は、樹脂（ｃ）１００質量部に対して０．０５〜１００質量部が好ましい。ウレタン結合を有する化合物の添加量が０．０５質量部以上であると、得られる導電層Ｃの柔軟性が十分に高くなる。一方で、ウレタン結合を有する化合物の添加量が１００質量部以下であると、本発明の積層部材を屈曲させた場合の導電層Ｃの導電性を、より安定化できる。

導電層Ｃは、シクロヘキサン骨格を有する化合物を含有しても構わない。導電層Ｃがシクロヘキサン骨格を有する化合物を含有することで、導電層が柔軟性のあるものとなり、その結果、積層部材全体に柔軟性を付与することができる。導電層Ｃにシクロヘキサン骨格を有する化合物を含有させる方法としては、例えば、導電層Ｃを形成するための組成物に、シクロヘキサン骨格を有する化合物を添加する方法が挙げられる。シクロヘキサン骨格を有する化合物としては、例えば、ジシクロヘキシルメタン４，４’−ジイソシアネート、トランス−４−メチルシクロヘキシルイソシアネート、タケネート６００（１，３−ビス（イソシアナートメチル）シクロヘキサン；三井化学社製）、１，２−エポキシシクロヘキサン、１−ビニル−３，４−エポキシシクロヘキサン、リカレジンＤＭＥ−１００（１，４−シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテル；新日本理化株式会社製）、リカレジンＨＢＥ−１００（４，４’−イソプロピリデンジシクロヘキサノールと（クロロメチル）オキシランとのポリマー；新日本理化株式会社製）、ＳＴ−４０００Ｄ（水添ビスフェノールＡを主成分とするエポキシ樹脂；新日鐵化学株式会社製）、水添ビスフェノールＡのＰＯ付加物ジアクリレート、水添ビスフェノールＡのＥＯ付加物ジメタクリレート、水添ビスフェノールＡのＰＯ付加物ジメタクリレート、シクロヘキシルアクリレート又はシクロヘキシルメタクリレートが挙げられる。

導電層Ｃを形成するための組成物における、シクロヘキサン骨格を有する化合物の添加量は、樹脂（ｃ）１００質量部に対して０．０５〜１００質量部が好ましい。シクロヘキサン骨格を有する化合物の添加量が０．０５質量部以上であると、得られる導電層Ｃの柔軟性が十分に高くなる。一方で、シクロヘキサン骨格を有する化合物の添加量が１００質量部以下であると、本発明の積層部材を屈曲させた場合の導電層Ｃの導電性を、より安定化できる。

導電層Ｃはエポキシ樹脂の硬化物を含有しても構わない。ここでエポキシ樹脂の硬化物とは、エポキシ樹脂を光又は熱により反応させたものをいう。エポキシ樹脂としては、例えば、エチレングリコール変性エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、臭素化エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂又は複素環式エポキシ樹脂が挙げられるが、得られる導電層Ｃの樹脂層Ａへの密着性を高めるため、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂又は水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂が好ましく、導電層Ｃのパターンをフォトリソグラフィー法で形成する場合における露光光の透過性が高い、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂がより好ましい。

導電層Ｃを形成するための組成物における、エポキシ樹脂の添加量は、樹脂（ｃ）１００質量部に対して０．０５〜２０質量部が好ましい。エポキシ樹脂の添加量が０．０５質量部以上であると、得られる導電層Ｃと、樹脂層Ａとの密着性を高めることができる。一方で、エポキシ樹脂の添加量が２０質量部以下であると、露光膜Ｃの現像液に対する溶解性が良好となる。

導電層Ｃの厚みは２．０〜８．０μｍが好ましい。導電層Ｃの厚みが２．０μｍ以上であれば抵抗のバラツキを抑えることができる。一方で、導電層Ｃの厚みが８．０μｍ以下であれば柔軟性を高くすることができる。

本発明の積層部材のイオンマイグレーション耐性をより向上させるため、樹脂層Ａの酸価Ｓ_Ａと、導電層Ｃの有機成分酸価Ｓ_Ｃとの差（Ｓ_Ａ−Ｓ_Ｃの値）は、２０〜１５０ｍｇＫＯＨ／ｇであることが好ましく、３０〜１００ｍｇＫＯＨ／ｇであることがより好ましく、４０〜９０ｍｇＫＯＨ／ｇであることがさらに好ましい。得られる導電層Ｃは、カルボキシル基を有する樹脂（ｃ）に起因して吸湿性が高く、その影響で導電性粒子を起点とするイオンマイグレーション現象が起こりやすい。しかしながら、Ｓ_Ａ−Ｓ_Ｃの値が２０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上であると、水分を樹脂層Ａが優先的に吸湿するため、導電層Ｃの吸湿が抑制され、結果として積層部材のイオンマイグレーション耐性を向上させることができる。一方で、Ｓ_Ａ−Ｓ_Ｃの値が１５０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であると、樹脂層Ａと導電層Ｃとがそれぞれ含有する、樹脂（ａ）及び樹脂（ｃ）のカルボキシル基同士の水素結合量を増やすことができ、樹脂層Ａと導電層Ｃとの密着性を向上させることができる。

Ｓ_Ａの値は、採取した１質量部の層Ａを、１００質量部のＴＨＦに溶解し、該溶液をフェノールフタレイン液を指示薬として０．１ｍｏｌ／Ｌ水酸化カリウム溶液で滴定して、算出することができる。

Ｓ_Ｃの値は、まず、採取した１質量部の導電層Ｃを、１０質量部のＴＨＦに溶解し、フィルター等で導電粒子を除去後、該溶液をフェノールフタレイン液を指示薬として０．１ｍｏｌ／Ｌ水酸化カリウム溶液で滴定して導電層Ｃの酸価を算出することができる。
なお組成物Ｃにエポキシ樹脂が含有されている場合、キュア工程でカルボキシル基と反応し、導電層Ｃの有機成分酸価を下げることができる。本発明の積層部材は、マイグレーションの抑制を目的に、ベンゾトリアゾール系化合物またはイソボルニル骨格を有するＯＣＡ（ＯｐｔｉｃａｌＣｌｅａｒＡｄｈｅｓｉｖｅ）層Ｄで被覆できる。

ベンゾトリアゾール系化合物としては１Ｈ−ベンゾトリアゾール（１，２，３−ベンゾトリアゾール）、４−メチルベンゾトリアゾール、５−メチルベンゾトリアゾール、ベンゾトリアゾール−１−メチルアミン、４−メチルベンゾトリアゾール−１−メチルアミン、５−メチルベンゾトリアゾール−１−メチルアミン、Ｎ−メチルベンゾトリアゾール−１−メチルアミン、Ｎ−エチルベンゾトリアゾール−１−メチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルベンゾトリアゾール−１−メチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルベンゾトリアゾール−１−メチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジプロピルベンゾトリアゾール−１−メチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルベンゾトリアゾール−１−メチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジヘキシルベンゾトリアゾール−１−メチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジオクチルベンゾトリアゾール−１−メチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−４−ベンゾトリアゾール−１−メチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−５−ベンゾトリアゾール−１−メチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチル−４−ベンゾトリアゾール−１−メチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチル−５−ベンゾトリアゾール−１−メチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジプロピル−４−ベンゾトリアゾール−１−メチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジプロピル−５−ベンゾトリアゾール−１−メチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチル−４−ベンゾトリアゾール−１−メチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチル−５−ベンゾトリアゾール−１−メチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジヘキシル−４−ベンゾトリアゾール−１−メチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジヘキシル−５−ベンゾトリアゾール−１−メチルアミンなどが挙げられる。

イソボルニル骨格を有する化合物としてはイソボルニルアセテート、イソボルニルアクリレート、イソボルニルメタクリレート、イソボルニルシクロヘキサノールなどが挙げられ、これら化合物をアクリル共重合体の構成成分の一つとして含有してもよい。

ＯＣＡ層Ｄを形成するためのＯＣＡ材は上記化合物を含有する粘着剤を離型処理された基材の上に塗工し、乾燥することで得られる。得られたＯＣＡ材を熱ラミネーター等で熱圧着することでＯＣＡ層Ｄを形成することができる。

本発明のタッチパネルは、本発明により製造された積層部材を具備する。より具体的には、本発明の積層部材は、タッチパネル用の部材として好適に用いられる。タッチパネルの方式としては、例えば、抵抗膜式、光学式、電磁誘導式又は静電容量式が挙げられるが、静電容量式タッチパネルは特に微細な配線が求められることから、本発明の一態様である、フォトリソグラフィー法を用いて導電層Ｃのパターンを形成した積層部材がより好適に用いられる。そのような導電層Ｃのパターンをその周囲配線として備え、かつ該周囲配線が５０μｍピッチ（配線幅＋配線間幅）以下であるタッチパネルにおいては、額縁幅を細くでき、ビューエリアを広くすることができる。

以下に本発明を実施例及び比較例を挙げて詳細に説明するが、本発明の態様はこれらに限定されるものではない。

各実施例及び比較例で用いた材料は、以下のとおりである。

［樹脂（ａ）］
（合成例１）
共重合比率（質量基準）：ＥＡ／メタクリル酸２−エチルヘキシル（以下、「２−ＥＨＭＡ」と称すことがある。）／ＢＡ／Ｎ−メチロールアクリルアミド（以下、「ＭＡＡ」と称すことがある。）／ＡＡ＝２０／４０／２０／５／１５
窒素雰囲気の反応容器中に、１５０ｇのジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート（以下、「ＤＭＥＡ」と称すことがある。）を仕込み、オイルバスを用いて８０℃まで昇温した。これに、２０ｇのＥＡ、４０ｇの２−ＥＨＭＡ、２０ｇのＢＡ、５ｇのＭＡＡ、１５ｇのＡＡ、０．８ｇの２，２’−アゾビスイソブチロニトリル及び１０ｇのＤＭＥＡからなる混合物を、１時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに６時間重合反応を行った。その後、１ｇのハイドロキノンモノメチルエーテルを添加して、重合反応を停止した。得られた反応溶液をメタノールで精製することで未反応不純物を除去し、さらに２４時間真空乾燥することで、樹脂（ａ−１）を得た。得られた樹脂（ａ−１）の酸価は１０３ｍｇＫＯＨ／ｇであった。

（合成例２）
共重合比率（質量基準）：ＥＡ／２−ＥＨＭＡ／ＢＡ／ＭＡＡ／ＡＡ＝２０／２０／２０／１５／２５
窒素雰囲気の反応容器中に、１５０ｇのＤＭＥＡを仕込み、オイルバスを用いて８０℃まで昇温した。これに、２０ｇのＥＡ、２０ｇの２−ＥＨＭＡ、２０ｇのＢＡ、５ｇのＭＡＡ、２５ｇのＡＡ、０．８ｇの２，２’−アゾビスイソブチロニトリル及び１０ｇのＤＭＥＡからなる混合物を、１時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに６時間重合反応を行った。その後、１ｇのハイドロキノンモノメチルエーテルを添加して、重合反応を停止した。得られた反応溶液をメタノールで精製することで未反応不純物を除去し、さらに２４時間真空乾燥することで、樹脂（ａ−２）を得た。得られた樹脂（ａ−２）の酸価は１５３ｍｇＫＯＨ／ｇであった。

（合成例３）
共重合比率（質量基準）：ＥＡ／２−ＥＨＭＡ／スチレン（以下、「Ｓｔ」と称すことがある。）／グリシジルメタクリレート（以下、「ＧＭＡ」と称すことがある。）／ＡＡ＝３０／３０／２５／５／１０
窒素雰囲気の反応容器中に、１５０ｇのＤＭＥＡを仕込み、オイルバスを用いて８０℃まで昇温した。これに、３０ｇのＥＡ、３０ｇの２−ＥＨＭＡ、２５ｇのＳｔ、１０ｇのＡＡ、０．８ｇの２，２’−アゾビスイソブチロニトリル及び１０ｇのＤＭＥＡからなる混合物を、１時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに６時間重合反応を行った。その後、１ｇのハイドロキノンモノメチルエーテルを添加して、重合反応を停止した。引き続き、５ｇのＧＭＡ、１ｇのトリエチルベンジルアンモニウムクロライド及び１０ｇのＤＭＥＡからなる混合物を、０．５時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに２時間付加反応を行った。得られた反応溶液をメタノールで精製することで未反応不純物を除去し、さらに２４時間真空乾燥することで、樹脂（ａ−３）を得た。得られた樹脂（ａ−３）の酸価は８３ｍｇＫＯＨ／ｇであった。
［樹脂（ｃ）］
（合成例４）
共重合比率（質量基準）：ＥＡ／２−ＥＨＭＡ／ＢＡ／ＭＡＡ／ＡＡ＝３０／２０／２０／２５／５
窒素雰囲気の反応容器中に、１５０ｇのＤＭＥＡを仕込み、オイルバスを用いて８０℃まで昇温した。これに、３０ｇのＥＡ、２０ｇの２−ＥＨＭＡ、２０ｇのＢＡ、２５ｇのＭＡＡ、５ｇのＡＡ、０．８ｇの２，２’−アゾビスイソブチロニトリル及び１０ｇのＤＭＥＡからなる混合物を、１時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに６時間重合反応を行った。その後、１ｇのハイドロキノンモノメチルエーテルを添加して、重合反応を停止した。得られた反応溶液をメタノールで精製することで未反応不純物を除去し、さらに２４時間真空乾燥することで、樹脂（ｃ−１）を得た。得られた樹脂（ｃ−１）の酸価は２９ｍｇＫＯＨ／ｇであった。

（合成例５）
共重合比率（質量基準）：ＥＡ／２−ＥＨＭＡ／スチレン／ＧＭＡ／ＡＡ＝２０／４０／２５／５／１０
窒素雰囲気の反応容器中に、１５０ｇのＤＭＥＡを仕込み、オイルバスを用いて８０℃まで昇温した。これに、２０ｇのＥＡ、４０ｇの２−ＥＨＭＡ、２５ｇのＳｔ、１０ｇのＡＡ、０．８ｇの２，２’−アゾビスイソブチロニトリル及び１０ｇのＤＭＥＡからなる混合物を、１時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに６時間重合反応を行った。その後、１ｇのハイドロキノンモノメチルエーテルを添加して、重合反応を停止した。引き続き、５ｇのＧＭＡ、１ｇのトリエチルベンジルアンモニウムクロライド及び１０ｇのＤＭＥＡからなる混合物を、０．５時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに２時間付加反応を行った。得られた反応溶液をメタノールで精製することで未反応不純物を除去し、さらに２４時間真空乾燥することで、樹脂（ｃ−２）を得た。得られた樹脂（ｃ−２）の酸価は７３ｍｇＫＯＨ／ｇであった。

（合成例６）
窒素雰囲気の反応溶液中に、４９２．１ｇのカルビトールアセテート、８６０．０ｇのＥＯＣＮ−１０３Ｓ（日本化薬（株）製；クレゾールノボラック型エポキシ樹脂；エポキシ当量：２１５．０ｇ／当量）、２８８．３ｇのＡＡ、４．９２ｇの２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−クレゾール及び４．９２ｇのトリフェニルホスフィンを仕込み、９８℃の温度で反応液の酸価が０．５ｍｇ・ＫＯＨ／ｇ以下になるまで反応させ、エポキシカルボキシレート化合物を得た。引き続き、この反応液に１６９．８ｇのカルビトールアセテート及び２０１．６ｇのテトラヒドロ無水フタル酸を仕込み、９５℃で４時間反応させ、樹脂（ｃ−３）を得た。得られた樹脂（ｃ−３）の酸価は１０４ｍｇＫＯＨ／ｇであった。

（合成例７）
窒素雰囲気の反応容器中に、３６８．０ｇのＲＥ−３１０Ｓ（日本化薬（株）製；エポキシ当量：１８４．０ｇ／当量）、１４１．２ｇのＡＡ、１．０２ｇのハイドロキノンモノメチルエーテル及び１．５３ｇのトリフェニルホスフィンを仕込み、９８℃の温度で反応液の酸価が０．５ｍｇＫＯＨ／ｇ以下になるまで反応させ、エポキシカルボキシレート化合物を得た。その後、この反応溶液に７５５．５ｇのカルビトールアセテート、２６８．３ｇの２，２−ビス（ジメチロール）−プロピオン酸、１．０８ｇの２−メチルハイドロキノン及び１４０．３ｇのスピログリコールを加え、４５℃に昇温した。この溶液に４８５．２ｇのトリメチルヘキサメチレンジイソシアネートを、反応温度が６５℃を超えないように徐々に滴下した。滴下終了後、反応温度を８０℃に上昇させ、赤外吸収スペクトル測定法により、２２５０ｃｍ^−１付近の吸収がなくなるまで６時間反応させ、樹脂（ｃ−４）を得た。得られた樹脂（ｃ−４）の酸価は８０．０ｍｇＫＯＨ／ｇであった。

［光重合開始剤］
・ＩＲＧＡＣＵＲＥ（登録商標）ＯＸＥ−０１（以下、「ＯＸＥ−０１」と称すことがある。）；チバジャパン（株）製
・ＩＲＧＡＣＵＲＥ（登録商標）３６９（以下、「ＩＣ−３６９」と称すことがある。）；チバジャパン（株）製
［モノマー］
・ライトアクリレートＭＰＤ−Ａ（以下、「ＭＰＤ−Ａ」と称すことがある。）；共栄社化学（株）製
［ウレタン結合を有する化合物］
・ＵＡ−１６０ＴＭ（共栄社化学（株）製）
［シクロヘキサン骨格を有する化合物］
・ｊＥＲ（登録商標）ＹＸ−８０００（以下、「ＹＸ−８０００」と称すことがある。）；三菱化学（株）製
［透明電極材料］
・ＩＴＯ（酸化インジウム９７質量％、酸化スズ３質量％）
・銀繊維（線径５ｎｍ、線長５μｍ）
［ＯＣＡ（ｄ）］（合成例８）
窒素雰囲気の反応容器中に、１５０ｇの酢酸エチルを仕込み、オイルバスを用いて８０℃まで昇温した。これに、５０．０ｇのＥＡ、１０．０ｇの２−ヒドロキシエチルアクリレート、０．８ｇの２，２’−アゾビスイソブチロニトリル及び１０ｇの酢酸エチルからなる混合物を、１時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに６時間重合反応を行った。その後、１ｇのハイドロキノンモノメチルエーテルを添加して、重合反応を停止した。

次に上記アクリル共重合体溶液に１ｇの１，２，３−ベンゾトリアゾールを添加し、樹脂固形分が３０％になるように酢酸エチルで希釈し、そこへ１．２ｇのデュラネートＰ３０１−７５Ｅ（旭化成（株）製；固形分７５％）を添加したものを片面を離型処理された５０μｍのＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚さが２５μｍになるように塗工して、７５℃で５分間乾燥することでＯＣＡ（ｄ−１）を得た。

（合成例９）
窒素雰囲気の反応容器中に、１５０ｇの酢酸エチルを仕込み、オイルバスを用いて８０℃まで昇温した。これに、５０．０ｇのイソボルニルメタクリレート、１０．０ｇの２−ヒドロキシエチルアクリレート、０．８ｇの２，２’−アゾビスイソブチロニトリル及び１０ｇの酢酸エチルからなる混合物を、１時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに６時間重合反応を行った。その後、１ｇのハイドロキノンモノメチルエーテルを添加して、重合反応を停止した。

次に上記アクリル共重合体溶液を酢酸エチルで樹脂固形分が３０％になるように希釈し、そこへ１．２ｇのデュラネートＰ３０１−７５Ｅ（旭化成（株）製；固形分７５％）を添加したものを片面を離型処理された５０μｍのＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚さが２５μｍになるように塗工して、７５℃で５分間乾燥することでＯＣＡ（ｄ−２）を得た。

（合成例１０）
窒素雰囲気の反応容器中に、１５０ｇの酢酸エチルを仕込み、オイルバスを用いて８０℃まで昇温した。これに、５０．０ｇのイソボルニルメタクリレート、１０．０ｇの２−ヒドロキシエチルアクリレート、０．８ｇの２，２’−アゾビスイソブチロニトリル及び１０ｇの酢酸エチルからなる混合物を、１時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに６時間重合反応を行った。その後、１ｇのハイドロキノンモノメチルエーテルを添加して、重合反応を停止した。

次に上記アクリル共重合体溶液に１ｇの１，２，３−ベンゾトリアゾールを添加し、樹脂固形分が３０％になるように酢酸エチルで希釈し、そこへ１．２ｇのデュラネートＰ３０１−７５Ｅ（旭化成（株）製；固形分７５％）を添加したものを片面を離型処理された５０μｍのＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚さが２５μｍになるように塗工して、７５℃で５分間乾燥することでＯＣＡ（ｄ−３）を得た。

（実施例１）
＜樹脂層Ａの形成＞
基材として、厚さ３０μｍの二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムを用意した。基材の片面に、樹脂（ａ−１）、ＭＰＤ−Ａ及びＩＣ−３６９が１００：５０：１の質量割合で混合されたものを塗布し、熱処理及び乾燥して、厚さが４μｍの樹脂層Ａ１を形成した。

＜透明電極層Ｂの形成＞
樹脂層Ａの表面に、ＩＴＯの焼結体ターゲットを備えたスパッタ装置を用いて、ＩＴＯからなる厚さ２０ｎｍのＩＴＯ薄膜を形成した。

＜ＩＴＯ薄膜のパターン加工＞
ＩＴＯ薄膜にフォトマスクを密着させ、超高圧水銀ランプを有する露光機で２００ｍＪ／ｃｍ^２の露光量で樹脂層Ａ１及びＩＴＯ薄膜を露光し、さらにフォトマスクを介すことなく、２００ｍＪ／ｃｍ^２の露光量で樹脂層Ａ１及びＩＴＯ薄膜を全面露光した露光後、３０℃の１質量％炭酸ナトリウム水溶液で３０秒間スプレー現像し、樹脂層Ａ１上にパターン加工された透明電極層Ｂ１を形成した。

＜導電層Ｃを形成するための組成物の調製＞
１００ｍＬクリーンボトルに、１０．０ｇの樹脂（ｃ−１）及び５．０ｇのジエチエングリコールを入れ、自転−公転真空ミキサー“あわとり錬太郎”（登録商標）ＡＲＥ−３１０（（株）シンキー製）で混合して、１５．０ｇの樹脂溶液（固形分６６．７質量％）を得た。

得られた１５．０ｇの樹脂溶液に、５６．７ｇの銀粒子を混ぜ合わせ、３本ローラーミル（ＥＸＡＫＴＭ−５０；ＥＸＡＫＴ社製）を用いて混練し、７１．７ｇの組成物Ｃ１を得た。

＜導電層Ｃの形成＞
樹脂層Ａ１及びパターン加工された透明電極層Ｂ１の表面に、組成物Ｃ１をスクリーン印刷機で導電層Ｃ１の膜厚が６μｍになるように塗布し、１４０℃で６０分間キュアを行い、積層部材１及び２をそれぞれ製造した。積層部材１の導電層Ｃ１のパターンはスクリーン印刷により形成をした。

積層部材１の樹脂層Ａ１の酸価Ｓ_Ａは９８ｍｇＫＯＨ／ｇ、導電パターンＣ１の有機成分酸価Ｓ_Ｃは２６ｍｇＫＯＨ／ｇであり、Ｓ_Ａ−Ｓ_Ｃの値は、７２ｍｇＫＯＨ／ｇであった。

樹脂層Ａ１の酸価Ｓ_Ａについては１質量部の樹脂層Ａ１を採取し、１００質量部のＴＨＦに溶解し、該溶液をフェノールフタレイン液を指示薬として０．１ｍｏｌ／Ｌ水酸化カリウム溶液で滴定して算出した。また、導電パターンＣ１の有機成分酸価Ｓ_Ｃについては１質量部の導電層Ｃ１を採取し、１０質量部のＴＨＦに溶解し、該溶液を開孔２μｍのポリプロピレンフィルターで濾過し、ろ液をフェノールフタレイン液を指示薬として０．１ｍｏｌ／Ｌ水酸化カリウム溶液で滴定して算出した。なお、Ｓ_Ａ、Ｓ_Ｃの値が樹脂層Ａ１、導電層Ｃ１に含有される樹脂（ａ−１）、（ｃ−１）の酸価よりも低くなった点についてはキュア工程でカルボキシル基の一部が脱水縮合等の化学反応により一部消失したものと思われる。

＜イオンマイグレーション耐性の評価＞
図２に示す積層部材２を、８５℃、８５％ＲＨの高温高湿槽に投入し、端子部からＤＣ５Ｖの電圧を印加して、急激に抵抗値が３桁低下する短絡時間を確認した。計１０個の導電パターン形成部材１で同評価を繰り返し、それらの平均値を、イオンマイグレーション耐性の値とした。結果を表２に示す。

＜屈曲性の評価＞
図３に示す積層部材３について、テスターを用いて抵抗値を測定した。その後、導電層Ｃが内側、外側、内側、外側と交互になるように積層部材を折り曲げて、図３に示す短辺Ｄと短辺Ｅとを接触させては元に戻す屈曲動作を１００回繰り返してから、再度テスターを用いて抵抗値を測定し、抵抗値の変化率（％）を算出した。結果を表２に示す。

（実施例２〜５）
表１に示す積層部材を実施例１と同様の方法で製造し、実施例１と同様の評価を行った。結果を表２に示す。

（実施例６）
実施例１と同様の方法で、基材上に樹脂層Ａ及び透明電極層Ｂを形成し、ＩＴＯ薄膜のパターン加工をした。

＜導電層Ｃの形成＞
樹脂層Ａ１及びパターン加工された透明電極層Ｂ１の表面に、組成物Ｃ１をスクリーン印刷機で乾燥膜の膜厚が５μｍになるように塗布し、７０℃で１０分間熱風乾燥機で乾燥後、所定のフォトマスクを介して超高圧水銀ランプを有する露光機で３００ｍＪ／ｃｍ^２の露光量で露光し、０．２質量％炭酸ナトリウム水溶液を０．１ＭＰａの圧力で３０秒間スプレー現像した後、１４０℃で６０分間キュアを行い、図２に示す積層部材４、及び、図３に示す積層部材５をそれぞれ製造した。積層部材４及び５について、実施例１と同様の評価を行った。結果を表２に示す。

（実施例７〜１６）
表１に示す積層部材を実施例６と同様の方法で製造し、実施例１と同様の評価を行った。結果を表２に示す。

（実施例１７）
実施例６と同様の方法で、基材上に樹脂層Ａ及びパターン加工した透明電極層Ｂ、導電層Ｃを積層した積層部材を製造した。
＜ＯＣＡ層Ｄの形成＞
樹脂層Ａ１及びパターン加工した透明電極層Ｂ１、導電層Ｃ１の表面にＯＣＡ（ｄ−１）を８０℃、圧着圧力０．５ＭＰａの条件でラミネートして、図５に示す積層部材６、及び図６に示す積層部材７をそれぞれ製造した。

積層部材６及び７について、実施例１と同様の評価を行った。結果を表２に示す。

（実施例１８〜１９）
表１に示す積層部材を実施例１７と同様の方法で製造し、実施例１と同様の評価を行った。結果を表２に示す。

（比較例１及び２）
表１に示す積層部材を実施例１と同様の方法で製造し、実施例１と同様の評価を行った。結果を表２に示す。

（比較例３）
表１に示す積層部材を実施例６と同様の方法で製造し、実施例１と同様の評価を行った。結果を表２に示す。

実施例１〜１９においては、いずれもイオンマイグレーション耐性に優れる積層部材を製造できていることが判る。

本発明の積層部材は、タッチパネルの構成要素として好適に利用することができる。

１透明電極層Ｂ
２導電パターンＣ
３層Ａ
４支持体
５端子部
６導電層Ｃ
７短辺Ｄ
８短辺Ｅ
９ＯＣＡ層Ｄ

Claims

基材と、
前記基材上に形成された、樹脂層Ａと、
前記樹脂層Ａ上に形成された、透明電極層Ｂと、
前記樹脂層Ａ及び前記透明電極層Ｂ上に形成された、導電層Ｃと、を備え、
前記樹脂層Ａは、カルボキシル基を有する樹脂（ａ）を含有し、
前記導電層Ｃは、導電性粒子及びカルボキシル基を有する樹脂（ｃ）を含有し、かつ、
前記導電層Ｃが、前記樹脂層Ａ及び前記透明電極層Ｂに接触しており、
前記樹脂層Ａが含有する有機成分の酸価をＳ_Ａ、前記導電層Ｃが含有する有機成分の酸価をＳ_Ｃ、としたとき、Ｓ_Ａ−Ｓ_Ｃの値が、２０〜１５０ｍｇＫＯＨ／ｇである、積層部材。
前記導電層Ｃが、光重合開始剤もしくはその反応物を含有する、請求項１記載の積層部材。
前記導電層Ｃが、ウレタン結合を有する化合物を含有する、請求項１又は２記載の積層部材。
前記導電層Ｃが、シクロヘキサン骨格を有する化合物を含有する、請求項１〜３のいずれか一項記載の積層部材。
前記透明電極層Ｂが、銀を含有する、請求項１〜４のいずれか一項記載の積層部材。
前記銀が、繊維状である、請求項５記載の積層部材。
前記透明電極層Ｂの厚さが０．１〜１．０μｍであり、導電層Ｃの厚さが２．０〜８．０μｍである、請求項１〜６のいずれか一項記載の積層部材。
前記樹脂層Ａと、前記透明電極層Ｂと、導電層Ｃ上に積層されたＯＣＡ層Ｄがイソボルニル骨格を含有する、請求項１〜７のいずれか一項記載の積層部材。
前記層Ｄがベンゾトリアゾール系化合物を含有する、請求項１〜８のいずれか一項記載の積層部材。
請求項１〜９のいずれか一項記載の積層部材を備える、タッチパネル。