JPWO2014069436A1 - 感光性導電ペースト及び導電パターンの製造方法 - Google Patents

Abstract

本発明は、微細パターニングが可能であり、かつ得られた導電パターンの基板等との密着性及び表面硬度が高く、さらには比較的低温においても導電性を発現させることが可能な、感光性導電ペースト及びそれを用いた導電パターンの製造方法を提供することを目的とする。本発明は、シロキサン化合物Ａと、酸価が３０〜２５０ｍｇ／ＫＯＨの化合物Ｂと、光重合開始剤Ｃと、導電性フィラーＤと、を含む、感光性導電ペーストを提供する。

Description

本発明は、感光性導電ペースト及び導電パターンの製造方法に関する。

樹脂等の有機成分と、導電フィラー等の無機成分とを含む有機−無機複合導電パターンを形成するために、樹脂や接着剤の中に微粒子状の銀フレーク、銅粉又はカーボン粒子を大量に混合した、いわゆるポリマー型の導電ペーストが実用化されている。

実用化されているポリマー型の導電ペーストの多くは、スクリーン印刷法によりパターンを形成し、それを加熱硬化して導電パターンとするものである（特許文献１、２及び３）が、寸法が１００μｍ以下のパターンを精度よく描画することは困難である。

そこで、微細なパターンを精度よく描画するために、酸性エッチング可能な導電ペースト（特許文献４）や、感光性硬化型導電ペースト（特許文献５及び６）が開発されている。

密着性、硬度を高めた絶縁材としてシロキサン化合物を適用する例（特許文献７）はあるが、密着性と硬度を維持したままパターニング性と導電性を付与することは困難であった。

特開平０２−２０６６７５号公報 特開２００７−２０７５６７号公報 特開２００７−２９４４５１号公報 特開平１０−６４３３３号公報 特開２００４−３６１３５２号公報 国際公開第２００４／６１００６号 特開２０１２−０８８６１０号公報

従来の酸性エッチング可能な導電ペーストを用いてフォトグラフィー法によりパターン形成をするためには、導電ペーストの塗布膜上にさらにレジスト層を形成せねばならず、導電パターンの製造工程が煩雑化する問題を伴うものであった。また、従来の感光性硬化型導電ペーストを用いて製造される導電パターンは、導電性が低かったり、表面硬度が低かったりするばかりでなく、ガラスやフィルムの基板上にあるＩＴＯ（酸化インジウムスズ）電極との密着性に劣るものであった。

そこで本発明は、微細パターニングが可能であり、かつ得られた導電パターンの基板等との密着性及び表面硬度が高く、さらには比較的低温においても導電性を発現させることが可能な、感光性導電ペースト及びそれを用いた導電パターンの製造方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明は、以下の（１）〜（９）に記載した感光性導電ペースト及び導電パターンの製造方法を提供する。
（１） シロキサン化合物Ａと、酸価が３０〜２５０ｍｇ／ＫＯＨの化合物Ｂと、光重合開始剤Ｃと、導電性フィラーＤと、を含む、感光性導電ペースト。
（２） 上記化合物Ｂは、不飽和二重結合を有する、上記（１）に記載の感光性導電ペースト。
（３） 上記化合物Ｂのガラス転移温度は、−１０〜６０℃である、上記（１）又は（２）に記載の感光性導電ペースト。
（４） 上記化合物Ｂがエポキシアクリレートである、上記（１）〜（３）のいずれかに記載の感光性導電ペースト。
（５） 上記シロキサン化合物Ａは、不飽和二重結合、カルボキシル基、水酸基、アラルキル基及びフロロアルキル基からなる群から選ばれる置換基を有する、上記（１）〜（４）のいずれかに記載の感光性導電ペースト。
（６） 上記シロキサン化合物Ａは、カルボキシル基、水酸基及びウレタン結合からなる群から選ばれる置換基を有する、上記（１）〜（５）のいずれかに記載の感光性導電ペースト。
（７） 熱硬化性化合物Ｅを含む、上記（１）〜（６）のいずれかに記載の感光性導電ペースト。
（８） 上記熱硬化性化合物Ｅは、アルコキシ基又はエポキシ基を有する、上記（１）〜（７）のいずれかに記載の感光性導電ペースト。
（９） 上記導電性フィラーＤの添加量が感光性導電ペースト中の全固形分に対して７０〜９５重量％である、上記（１）〜（８）のいずれか一項記載の感光性導電ペースト。
（１０） 上記（１）〜（９）のいずれかに記載の感光性導電ペーストを基板上に塗布して塗布膜を得る、塗布工程と、上記塗布膜を乾燥する、乾燥工程と、乾燥後の上記塗布膜をパターン露光する、露光工程と、露光後の上記塗布膜を現像して、上記基板上にパターンを形成する、現像工程と、上記パターンを１００〜３００℃でキュアして導電パターンを得る、キュア工程と、を備える、導電パターンの製造方法。

本発明の感光性導電ペーストによれば、導電パターンを形成するための微細パターニングが可能であり、その現像許容幅が顕著に広くなるばかりでなく、低温キュア条件においても、比抵抗率の低い導電パターンを得ることができる。また、本発明の感光性導電ペーストを用いることにより、基板等との密着性及び表面硬度に優れた、導電パターンを得ることができる。さらには、リジッド基板上のみならず、フレキシブル基板上においても微細なバンプ電極又は配線等を容易に形成することができる。

実施例の比抵抗率評価に用いたフォトマスクの透光パターンを示す模式図である。 実施例の屈曲性試験に用いたサンプルの模式図である。

本発明の感光性導電ペーストは、シロキサン化合物Ａと、酸価が３０〜２５０ｍｇ／ＫＯＨの化合物Ｂと、光重合開始剤Ｃと、導電性フィラーＤと、を含む。

本発明の感光性導電ペーストは、化合物Ｂにシロキサン化合物Ａと混ぜることで導電性フィラーＤの分散性に偏在性を与え、導電パスの形成を効率的に形成させることで低温での導電性を発現と硬度の両立を達成する。

また、本発明の導電パターンの製造方法は、本発明の感光性導電ペーストを基板上に塗布して塗布膜を得る、塗布工程と、上記塗布膜を乾燥する、乾燥工程と、乾燥後の上記塗布膜をパターン露光する、露光工程と、露光後の上記塗布膜を現像して、上記基板上にパターンを形成する、現像工程と、上記パターンを１００〜３００℃でキュアして導電パターンを得る、キュア工程と、を備えることを特徴とする。

本発明の導電パターンの製造方法により得られた導電パターンは、有機成分と無機成分との複合物となっており、本発明の感光性導電ペーストに含まれる導電性フィラーＤ同士が、キュア時の硬化収縮によって互いに接触することで導電性が発現するものである。

シロキサン化合物Ａとは、分子内にシロキサン結合を有する化合物をいう。かかるシロキサン化合物Ａを用いることにより、本発明の感光性導電ペーストは、低温での導電性発現と硬度が向上する。シロキサン化合物Ａとしては、例えば、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイル、メチルハイドロジェンシリコーンオイル、ポリシロキサン等が挙げられ、中でもポリシロキサンが好ましい。

ポリシロキサンにはポリエーテル変性ポリジメチルシロキサン、ポリエステル変性ポリジメチルシロキサン、ポリエステル変性メチルアルキルポリシロキサン、ポリエーテル変性ポリメチルアルキルシロキサン若しくはアラルキル変性ポリメチルアルキルシロキサン又は上記シロキサン化合物の一部をエポキシ基、水酸基、メルカプト基、イソシアネート基、カルボキシル基、フロロアルキル基、アラルキル基、長鎖アルキル基、ウレタン結合を有する置換基、若しくは、不飽和二重結合を有する置換基（たとえばアクリル基やメタクリル基等）、で置換した化合物が挙げられ、不飽和二重結合を有する置換基、ウレタン結合を有する置換基、カルボキシル基、水酸基、アラルキル基又はフロロアルキル基のいずれかで置換した化合物が好ましい。シロキサン化合物Ａが不飽和二重結合を有すると、露光工程における露光部において感光性成分と反応することにより、未露光部と露光部との現像液に対する溶解度差が大きくなり、パターニング性が高まるため好ましい。また、シロキサン化合物Ａがカルボキシル基、水酸基を有するとキュア時に縮合反応を起こし、その結果、導電性フィラー同士の接触確率が向上し、導電性が発現しやすくなるため好ましく、また、アラルキル基、フロロアルキル基又はウレタン結合を有すると、親水度及び疎水度が好適となり、未露光部と露光部との現像液に対する溶解度差が大きくなり、パターニング性が高まるため好ましい。さらには、シロキサン化合物Ａが不飽和二重結合、カルボキシル基、水酸基、アラルキル基又はフロロアルキル基を有することで、得られる導電パターンの表面硬度も高めることができる。

シロキサン化合物Ａの添加量は、１００重量部の化合物Ｂに対して０．０１〜２００重量部が好ましく、０．０２〜１００重量部がより好ましい。１００重量部の化合物Ｂに対する添加量が０．０１重量部以上であると、パターニング性及び表面硬度が向上する。一方で、１００重量部の化合物Ｂに対する添加量が１００重量部以下であると、屈曲性が維持される。

酸価が３０〜２５０ｍｇ／ＫＯＨの化合物Ｂ（以下、単に「化合物Ｂ」と記すこともある）は、かかる酸価の範囲を採ることでアルカリ可溶性を適切な範囲とすることができ、これにより本発明の感光性導電ペーストを塗布して得られた塗布膜を露光した後の現像工程において、露光部と未露光部との溶解度差が広がり微細加工が可能となる。酸価が３０ｍｇ／ＫＯＨ未満であると、感光性導電ペーストを塗布して得られた塗布膜を露光した後の現像工程において、可溶部分の溶解性が低下する。一方で、酸価が２５０ｍｇＫＯＨ／ｇを超えると、現像許容幅が狭くなる。なお、化合物Ｂの酸価は、ＪＩＳ Ｋ ００７０：１９９２に準拠して測定することができる。

酸価が３０〜２５０ｍｇ／ＫＯＨの化合物Ｂとしては、例えば、分子内に一以上のカルボキシル基を有するモノマー、オリゴマー若しくはポリマー又はこれらの混合物が挙げられる。より具体的には、例えば、アクリル系共重合体が挙げられる。ここでアクリル系共重合体とは、共重合成分にアクリル系モノマーを含む、共重合体をいう。

アクリル系共重合体を構成するアクリル系モノマーとしては、アクリル酸（以下、ＡＡ）、メチルアクリレート、エチルアクリレート（以下、ＥＡ）、２−エチルヘキシルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、ｉｓｏ−ブチルアクリレート、ｉｓｏ−プロパンアクリレート、グリシジルアクリレート、Ｎ−メトキシメチルアクリルアミド、Ｎ−エトキシメチルアクリルアミド、Ｎ−ｎ−ブトキシメチルアクリルアミド、Ｎ−イソブトキシメチルアクリルアミド、ブトキシトリエチレングリコールアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレート、ジシクロペンテニルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、イソボニルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、イソデキシルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、２−メトキシエチルアクリレート、メトキシエチレングリコールアクリレート、メトキシジエチレングリコールアクリレート、オクタフロロペンチルアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、ステアリルアクリレート、トリフロロエチルアクリレート、アクリルアミド、アミノエチルアクリレート、フェニルアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、１−ナフチルアクリレート、２−ナフチルアクリレート、チオフェノールアクリレート、ベンジルメルカプタンアクリレート、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、アリル化シクロヘキシルジアクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，３−ブチレングリコールジアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、グリセロールジアクリレート、メトキシ化シクロヘキシルジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、プロピレングリコールジアクリレート、ポリプロピレングリコールジアクリレート、トリグリセロールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ビスフェノールＡジアクリレート、ビスフェノールＦジアクリレート、ビスフェノールＡ−エチレンオキサイド付加物のジアクリレート、ビスフェノールＦ−エチレンオキサイド付加物のジアクリレート、ビスフェノールＡ−プロピレンオキサイド付加物のジアクリレート、ビスフェノールＡやビスフェノールＦ等のビスフェノール化合物のジグリシジルエーテルにアクリル酸が付加したエポキシアクリレートが挙げられる。また、上記アクリル系モノマーのアクリル基を、メタクリル基に置換した化合物等も好ましく用いることができる。これらのなかでもエポキシアクリレートが、好ましい。

カルボキシル基を有するアルカリ可溶性のアクリル系共重合体は、共重合モノマーとしてアクリル酸とメタクリル酸以外の不飽和カルボン酸等の不飽和酸を用いることにより得られる。なお、本発明において不飽和酸とは、本来の意味の不飽和酸だけでなく不飽和酸の酸無水物や有機酸のビニルエステルまで含む概念とする。共重合モノマーとして用いる不飽和酸としては、例えば、イタコン酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸等の不飽和酸若しくはこれらの不飽和酸の酸無水物又は酢酸ビニル等が挙げられる。

また、カルボキシル基を有するアルカリ可溶性のアクリル系共重合体は、上記不飽和酸以外に、スチレン、ｐ−メチルスチレン、ｏ−メチルスチレン、ｍ−メチルスチレン、α−メチルスチレン、クロロメチルスチレン若しくはヒドロキシメチルスチレン等のスチレン類、１−ビニル−２−ピロリドン等を共重合モノマーの一部に用いてもよい。
用いる共重合成分（不飽和酸や不飽和酸以外の共重合モノマー）の多少により、得られるアクリル系共重合体の酸価を調整することができる。

また、上記アクリル系共重合体が有するカルボキシル基と、グリシジル（メタ）アクリレート等の不飽和二重結合を有する化合物と、を反応させることにより、側鎖に反応性の不飽和二重結合を有する、アルカリ可溶性のアクリル系共重合体が得られる。

化合物Ｂのガラス転移温度（以下、Ｔｇ）は、−１０〜６０℃であることが好ましく、１０〜４０℃であることがより好ましい。Ｔｇが−１０℃以上であると、感光性導電ペーストを塗布して得られた塗布膜を乾燥した、乾燥膜のタック性を抑制することができ、Ｔｇが１０℃以上であると、上記乾燥膜の温度変化に対する形状安定性が高くなる。また、Ｔｇが６０℃以下であると、感光性導電ペーストから製造された導電パターンが室温において屈曲性を有し、Ｔｇが４０℃以下であると、上記導電パターンの屈曲させた時の内部応力が緩和され、特にクラックの発生を抑制することができる。なお、化合物ＢのＴｇは、示差走査熱量計（ＤＳＣ）測定によって求めることができる。

光重合開始剤Ｃとは、紫外線等の短波長の光を吸収して分解するか、又は、水素引き抜き反応を起こして、ラジカルが生じる化合物をいう。かかる光重合開始剤Ｃを用いることにより、本発明の感光性導電ペーストは、光重合開始剤Ｃを添加することで露光部の架橋密度が上がり、アルカリ溶解度差が大きくなる。その結果微細加工が可能となる。光重合開始剤Ｃとしては、例えば、１，２−オクタンジオン、１−［４−（フェニルチオ）−２−（Ｏ−ベンゾイルオキシム）］、２，４，６−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−ホスフィンオキサイド、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニル−ホスフィンオキサイド、エタノン、１−［９−エチル−６−２（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、ベンゾフェノン、ｏ−ベンゾイル安息香酸メチル、４，４’−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４’−ジクロロベンゾフェノン、４−ベンゾイル−４’−メチルジフェニルケトン、ジベンジルケトン、フルオレノン、２，２’−ジエトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフェノン、ｐ−ｔ−ブチルジクロロアセトフェノン、チオキサントン、２−メチルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジル、ベンジルジメチルケタール、ベンジル−β−メトキシエチルアセタール、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインブチルエーテル、アントラキノン、２−ｔ−ブチルアントラキノン、２−アミルアントラキノン、β−クロルアントラキノン、アントロン、ベンズアントロン、ジベンゾスベロン、メチレンアントロン、４−アジドベンザルアセトフェノン、２，６−ビス（ｐ−アジドベンジリデン）シクロヘキサノン、６−ビス（ｐ−アジドベンジリデン）−４−メチルシクロヘキサノン、１−フェニル−１，２−ブタンジオン−２−（ｏ−メトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−プロパンジオン−２−（ｏ−ベンゾイル）オキシム、１，３−ジフェニル−プロパントリオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−３−エトキシ−プロパントリオン−２−（ｏ−ベンゾイル）オキシム、ミヒラーケトン、２−メチル−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノ−１−プロパノン、ナフタレンスルホニルクロライド、キノリンスルホニルクロライド、Ｎ−フェニルチオアクリドン、４，４’−アゾビスイソブチロニトリル、ジフェニルジスルフィド、ベンズチアゾールジスルフィド、トリフェニルホスフィン、カンファーキノン、２，４−ジエチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、四臭化炭素、トリブロモフェニルスルホン、過酸化ベンゾイン、エオシン又はメチレンブルー等の光還元性色素と、アスコルビン酸若しくはトリエタノールアミン等の還元剤との組み合わせが挙げられる。

光重合開始剤Ｃの添加量は、１００重量部の化合物Ｂに対して０．０５〜３０重量部が好ましく、５〜２０重量部がより好ましい。１００重量部の化合物Ｂに対する添加量が５重量部以上であると、感光性導電ペーストを露光した部分の硬化密度が高くなり、現像後の残膜率が高くなる。一方で、１００重量部の化合物Ｂに対する添加量が２０重量部以下であると、感光性導電ペーストを塗布して得られた塗布膜上部における、光重合開始剤Ｃの過剰な光吸収が抑制される。その結果、製造された導電パターンが逆テーパー形状となることによる、基板との密着性低下が抑制される。

本発明の感光性導電ペーストは、光重合開始剤Ｃと共に、増感剤を含んでいても構わない。

増感剤としては、例えば、２，４−ジエチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、２，３−ビス（４−ジエチルアミノベンザル）シクロペンタノン、２，６−ビス（４−ジメチルアミノベンザル）シクロヘキサノン、２，６−ビス（４−ジメチルアミノベンザル）−４−メチルシクロヘキサノン、ミヒラーケトン、４，４−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４−ビス（ジメチルアミノ）カルコン、４，４−ビス（ジエチルアミノ）カルコン、ｐ−ジメチルアミノシンナミリデンインダノン、ｐ−ジメチルアミノベンジリデンインダノン、２−（ｐ−ジメチルアミノフェニルビニレン）イソナフトチアゾール、１，３−ビス（４−ジメチルアミノフェニルビニレン）イソナフトチアゾール、１，３−ビス（４−ジメチルアミノベンザル）アセトン、１，３−カルボニルビス（４−ジエチルアミノベンザル）アセトン、３，３−カルボニルビス（７−ジエチルアミノクマリン）、Ｎ−フェニル−Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ−フェニルエタノールアミン、Ｎ−トリルジエタノールアミン、ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、ジエチルアミノ安息香酸イソアミル、３−フェニル−５−ベンゾイルチオテトラゾール若しくは１−フェニル−５−エトキシカルボニルチオテトラゾール又はこれら増感剤の混合物が挙げられる。

増感剤の添加量は、１００重量部の化合物Ｂに対して０．０５〜１０重量部が好ましく、０．１〜１０重量部がより好ましい。１００重量部の化合物Ｂに対する添加量が０．１重量部以上であると、光感度が十分に向上する。一方で、１００重量部の化合物Ｂに対する添加量が１０重量部以下であると、感光性導電ペーストを塗布して得られた塗布膜上部における光重合開始剤Ｃの過剰な光吸収が抑制される。その結果、製造された導電パターンが逆テーパー形状となることによる、基板との密着性低下が抑制される。

導電性フィラーＤとしては、例えば、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、鉛（Ｐｂ）、スズ（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）若しくはインジウム（Ｉｎ）等の金属類若しくはこれらの合金、又は、酸化スズ、酸化スズ（ＳｎＯ_２）−アンチモン（Ｓｂ）ドープ、酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）−酸化スズドープ、酸化ルテニウム（ＲｕＯ_２）等の金属酸化物、の粒子あるいはこれら粒子の混合物が挙げられるが、導電性の観点からＡｇ、Ｃｕ又はＡｕの粒子が好ましく、コスト及び安定性の観点からＡｇの粒子がより好ましい。かかる導電性フィラーＤを用いることにより、本発明の感光性導電ペーストの導電性が発現する。

導電性フィラーＤの体積平均粒子径は、０．１〜１０μｍが好ましく、０．５〜６μｍがより好ましい。体積平均粒子径が０．１μｍ以上であると、キュア工程での導電性フィラー同士の接触確率が向上し、製造された導電パターンの比抵抗率及び断線確率が低くなる。さらには、露光工程において露光光が感光性導電ペーストを塗布して得られた塗布膜中をスムーズに透過することができ、微細パターニングが容易となる。一方で、体積平均粒子径が１０μｍ以下であると、製造された導電パターンの表面平滑度、パターン精度及び寸法精度が向上する。なお、体積平均粒子径は、コールターカウンター法により測定することができる。

導電性フィラーＤの添加量は、感光性導電ペースト中の全固形分に対して７０〜９５重量％が好ましく、８０〜９０重量％がより好ましい。全固形分に対する添加量が７０重量％以上であると、キュア工程での導電性フィラーＤ同士の接触確率が向上し、製造された導電パターンの比抵抗率及び断線確率が低くなる。一方で、全固形分に対する添加量が９５重量％以下であると、露光工程において露光光が感光性導電ペーストを塗布して得られた塗布膜中をスムーズに透過することができ、微細なパターニングが容易となる。ここで全固形分とは、感光性導電ペーストが溶剤を含む場合には溶剤を除いた感光性導電ペーストの全構成成分をいう。

本発明の感光性導電ペーストは、溶剤を含んでいても構わない。溶剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルイミダゾリジノン、ジメチルスルホキシド、γ−ブチロラクトン、乳酸エチル、１−メトキシ−２−プロパノール、１−エトキシ−２−プロパノール、エチレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、ジアセトンアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート若しくはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート又はこれら溶剤の混合物が挙げられる。

本発明の感光性導電ペーストは、その所望の特性を損なわない範囲であれば、不飽和二重結合を有しない非感光性ポリマー又は可塑剤、レベリング剤、界面活性剤、シランカップリング剤、消泡剤若しくは顔料等の添加剤を含んでいても構わない。

非感光性ポリマーとしては、例えば、エポキシ樹脂、ノボラック樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド前駆体又は既閉環ポリイミドが挙げられる。

可塑剤としては、例えば、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレート、ポリエチレングリコール又はグリセリンが挙げられる。

レベリング剤としては、例えば、特殊ビニル系重合物又は特殊アクリル系重合物が挙げられる。

シランカップリング剤としては、例えば、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン又はビニルトリメトキシシランが挙げられる。

感光性導電ペーストは、例えば、三本ローラー、ボールミル若しくは遊星式ボールミル等の分散機又は混練機を用いて製造される。

次に本発明の感光性導電ペーストを用いた、導電パターンの製造方法について説明する。本発明の感光性導電ペーストを用いた、導電パターンの製造方法は以下の各工程を備える。本発明の感光性導電ペーストを基板上に塗布して塗布膜を得る、塗布工程、得られた塗布膜を乾燥する、乾燥工程、乾燥後の上記塗布膜をパターン露光する、露光工程、露光後の塗布膜を現像して、基板上に所望のパターンを形成する現像工程、得られたパターンを１００〜３００℃でキュアして導電パターンを得るキュア工程。

基板としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム（以下、ＰＥＴフィルム）、ポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム若しくはアラミドフィルム等のフィルム、エポキシ樹脂基板、ポリエーテルイミド樹脂基板、ポリエーテルケトン樹脂基板、ポリサルフォン系樹脂基板、ガラス基板、シリコンウエハー、アルミナ基板、窒化アルミニウム基板又は炭化ケイ素基板が挙げられる。

感光性導電ペーストを基板上に塗布する方法としては、例えば、スピナーを用いた回転塗布、スプレー塗布、ロールコーティング、スクリーン印刷又はブレードコーター、ダイコーター、カレンダーコーター、メニスカスコーター若しくはバーコーターを用いた塗布が挙げられる。得られる塗布膜の膜厚は、塗布の方法又は感光性導電ペーストの全固形分濃度若しくは粘度等に応じて適宜決定すればよいが、乾燥後の膜厚が、０．１〜５０μｍになることが好ましい。なお、膜厚は、例えば “サーフコム”（登録商標）１４００（（株）東京精密製）のような触針式段差計を用いて測定することができる。より具体的には、ランダムな３つの位置の膜厚を触針式段差計（測長：１ｍｍ、走査速度：０．３ｍｍ／ｓｅｃ）でそれぞれ測定し、その平均値を膜厚とすることができる。

得られた塗布膜を乾燥する（感光性導電ペーストが溶剤を含む場合は、溶剤を揮発除去することも含む）方法としては、例えば、オーブン、ホットプレート若しくは赤外線等による加熱乾燥又は真空乾燥が挙げられる。加熱温度は５０〜１８０℃が好ましく、加熱時間は１分〜数時間が好ましい。

乾燥後の塗布膜は、フォトリソグラフィー法により露光する。露光の光源としては、水銀灯のｉ線（３６５ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）又はｇ線（４３６ｎｍ）が好ましい。

露光後の塗布膜を、現像液を用いて現像し、未露光部を溶解除去することで、所望のパターンが得られる。

アルカリ現像を行う場合の現像液としては、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム、ジエタノールアミン、ジエチルアミノエタノール、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、トリエチルアミン、ジエチルアミン、メチルアミン、ジメチルアミン、酢酸ジメチルアミノエチル、ジメチルアミノエタノール、ジメチルアミノエチルメタクリレート、シクロヘキシルアミン、エチレンジアミン又はヘキサメチレンジアミンの水溶液が挙げられるが、これらの水溶液にＮ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド若しくはγ−ブチロラクトン等の極性溶媒、メタノール、エタノール若しくはイソプロパノール等のアルコール類、乳酸エチル若しくはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のエステル類、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、イソブチルケトン若しくはメチルイソブチルケトン等のケトン類等又は界面活性剤を添加しても構わない。

有機現像を行う場合の現像液としては、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−アセチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド若しくはヘキサメチルホスホルトリアミド等の極性溶媒又はこれら極性溶媒とメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、キシレン、水、メチルカルビトール若しくはエチルカルビトールとの混合溶媒が挙げられる。

現像の方法としては、例えば、基板を静置又は回転させながら現像液を塗布膜面にスプレーする方法、基板を現像液中に浸漬する方法、又は、基板を現像液中に浸漬しながら超音波をかける方法が挙げられる。

現像により得られたパターンは、リンス液によるリンス処理を施しても構わない。ここでリンス液としては、例えば、水あるいは水にエタノール若しくはイソプロピルアルコール等のアルコール類又は乳酸エチル若しくはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のエステル類を加えた水溶液が挙げられる。

得られたパターンをキュアする方法としては、例えば、オーブン、イナートオーブン、ホットプレート若しくは赤外線等による加熱乾燥又は真空乾燥が挙げられる。

キュアする際の温度（以下、単に「キュア温度」と記すこともある）は、１００〜３００℃である。キュア温度が１００℃未満であると、樹脂の体積収縮量が大きくならず、比抵抗率を小さくできない。一方で、キュア温度が３００℃を超えると、耐熱性が低い基板等の材料上に導電パターンを形成することができない。かかる観点よりキュア温度は１２０〜１８０℃が好ましい。

本発明の感光性導電ペーストを用いて製造される導電パターンは、タッチパネル用周囲配線として好適に用いられる。タッチパネルの方式としては、例えば、抵抗膜式、光学式、電磁誘導式又は静電容量式が挙げられるが、静電容量式タッチパネルは特に微細配線が求められることから、本発明の感光性導電ペーストを用いて製造される導電パターンが、より好適に用いられる。

以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明をさらに詳しく説明する。なお、各実施例及び比較例で用いた材料及び評価方法は、以下のとおりである。なお、特に断っていない限り、測定ｎ数は１で行った。

＜パターニング性の評価方法＞
ＰＥＴフィルム（厚み１００μｍ）上に感光性導電ペーストを乾燥膜の膜厚が７μｍになるようにスクリーン印刷法で塗布し、得られた塗布膜を１００℃の乾燥オーブン内で５分間乾燥した。一定のラインアンドスペース（以下、Ｌ／Ｓ）で配列された直線群すなわち透光パターンを１つのユニットとし、Ｌ／Ｓの値が異なる１１種類のユニットをそれぞれ有するフォトマスクを介して乾燥後の塗布膜を露光、現像して、Ｌ／Ｓの値が異なるパターンをそれぞれ得た。その後、得られた１１のパターンを１４０℃で３０分間乾燥オーブン内でいずれもキュアして、Ｌ／Ｓの値が異なる導電パターンをそれぞれ得た。なお、フォトマスクが有する各ユニットのＬ／Ｓの値は、５００／５００、２５０／２５０、１００／１００、５０／５０、４０／４０、３０／３０、２５／２５、２０／２０、１７／１７、１５／１５、１０／１０とした（それぞれ、ライン幅（μｍ）／間隔（μｍ）を表す）。得られた導電パターンを光学顕微鏡で観察し、パターン間に残渣がなく、かつパターン剥がれのないＬ／Ｓの値が最小の導電パターンを確認し、そのＬ／Ｓの値を、現像可能なＬ／Ｓの値とした。なお、露光は露光装置（ＰＥＭ−６Ｍ；ユニオン光学株式会社製）を用いて露光量２００ｍＪ／ｃｍ^２（波長３６５ｎｍ換算）の全線露光を行い、現像は０．２５重量％の炭酸ナトリウム（Ｎａ_２ＣＯ_３）水溶液に基板を３０秒浸漬させた後、超純水によるリンス処理を施して行った。

＜比抵抗率の評価方法＞
ＰＥＴフィルム（厚み１００μｍ）上に感光性導電ペーストを乾燥膜の膜厚が７μｍになるようにスクリーン印刷法で塗布し、得られた塗布膜を１００℃の乾燥オーブン内で５分間乾燥した。図１に示すパターンの透光部Ａを有するフォトマスクを介して乾燥後の塗布膜を露光、現像して、パターンを得た。その後、得られたパターンを１４０℃で３０分間乾燥オーブン内でキュアして、比抵抗率測定用導電パターンを得た。比抵抗率測定用導電パターンのライン幅は０．４００ｍｍ、ライン長さは８０ｍｍとなるようにした。なお、露光及び現像の条件は、上記パターニング性の評価方法と同様とした。得られた比抵抗率測定用導電パターンのそれぞれの端部に表面抵抗計をつないで表面抵抗値を測定し、以下の式（１）に基づいて比抵抗率を算出した。
比抵抗率 ＝ 表面抵抗値×膜厚×ライン幅／ライン長 ・・・ （１）
なお、ライン幅は、ランダムな３つの位置のライン幅を光学顕微鏡で観察し、画像データを解析して得られた平均値である。

＜屈曲性の評価方法＞
図２は、屈曲性試験に用いたサンプルを模式的に示した図である。縦１０ｍｍ、横１００ｍｍの長方形のＰＥＴフィルム（厚み４０μｍ）上に感光性導電ペーストを乾燥膜の膜厚が７μｍになるようにスクリーン印刷法で塗布し、得られた塗布膜を１００℃の乾燥オーブン内で５分間乾燥した。図１に示すパターンの透光部Ａを有するフォトマスクを、透光部Ａがサンプル中央にくるように配置して露光、現像して、パターンを得た。その後、１４０℃で３０分間乾燥オーブン内でキュアして、導電パターンを得た。なお、露光及び現像の条件は、上記パターニング性の評価方法と同様とした。テスターを用いて、得られた導電パターンの抵抗値を測定してから、導電パターンを内側及び外側の交互に曲げてサンプル短辺Ｂとサンプル短辺Ｃとを接触させる屈曲動作を１００回、繰り返し、再度テスターを用いて導電パターンの抵抗値を測定した。屈曲動作の前後の抵抗値の変化量が２０％以下であり、かつ導電パターンにクラック、剥がれ又は断線がないものをＡ（ｇｏｏｄ）と判定し、そうでないものをＢ（ｐｏｏｒ）と判定した。

＜酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）との密着性の評価方法＞
ＩＴＯ付きＰＥＴフィルム“ＥＬＥＣＲＹＳＴＡ”（登録商標）Ｖ２７０Ｌ−ＴＦＳ（日東電工（株）製）上に感光性導電ペーストを乾燥膜の膜厚が７μｍになるようにスクリーン印刷法で塗布し、得られた塗布膜を１００℃の乾燥オーブン内で５分間乾燥してからその全面を露光した。なお、露光の条件は、上記パターニング性の評価方法と同様とした。その後、１４０℃で３０分間乾燥オーブン内でキュアしてから、１ｍｍ幅で１０×１０の碁盤目状にカッターで切れ目を入れ、８５℃、８５％ＲＨの恒温恒湿槽ＳＨ−６６１（エスペック（株）製）に２４０時間投入した。取り出したサンプルの碁盤目状の切れ目部位全体にセロハンテープ（ニチバン（株）製）を貼着して剥がし、残存マス数をカウントした。

＜表面硬度の評価方法＞
ガラス基板上に感光性導電ペーストを乾燥膜の膜厚が７μｍになるようにスクリーン印刷法で塗布し、得られた塗布膜を１００℃の乾燥オーブン内で５分間乾燥してからその全面を露光した。なお、露光の条件は、上記パターニング性の評価方法と同様とした。その後、１４０℃で３０分間乾燥オーブン内でキュアして、得られた導電膜の表面硬度を測定した。なお、導電膜の表面硬度は、ＪＩＳ Ｋ ５６００：１９９９に準拠して測定した。

実施例及び比較例で用いた材料は以下のとおりである。

［シロキサン化合物Ａ］
以下の合成例１〜５に示すように、シロキサン化合物Ａ−１〜５を用意した。
（合成例１）
３００ｍＬのナスフラスコに、２３．２３ｇのｐ−アミノ安息香酸及び２０９．０５ｇのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）を仕込み、室温で３０分間撹拌してから、４６．５３ｇのイソシアネートプロピルトリエトキシシラン及び１．１９ｇジラウリン酸ジブチルスズをさらに仕込み、７０℃のオイルバスで１時間撹拌した。その後室温まで放冷し、析出した固体をガラスフィルターにて濾取、乾燥させ、４６．７ｇのカルボキシル基含有シロキサン化合物（Ａ−１）を得た。
（合成例２）
５００ｍＬの三口フラスコに、１７．０３ｇのメチルトリメトキシシラン（０．１２５ｍｏｌ）、１９．８３ｇのフェニルトリメトキシシラン（０．１ｍｏｌ）、３８．４２ｇのカルボキシル基含有シラン化合物（Ａ−１；０．１ｍｏｌ）、４１．０２ｇのγ−アクリロイルプロピルトリメトキシシラン（０．１７５ｍｏｌ）及び１０９．６１ｇのジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート（以下、ＤＭＥＡ）を仕込み、４０℃のオイルバスに漬けて撹拌しながら、水２７．０ｇにリン酸０．２３７ｇ（仕込みモノマー１００重量部に対して０．２重量部）を溶かしたリン酸水溶液を、滴下ロートで１０分かけて添加した。４０℃で１時間撹拌した後、オイルバス温度を７０℃に設定して１時間撹拌し、さらにオイルバスを３０分かけて１１５℃まで昇温した。昇温開始から１時間後に、三口フラスコの内温が１００℃に到達したため、そこから２時間加熱撹拌した（三口フラスコの内温は１００〜１１０℃で推移）。反応中に副生成物であるメタノール、エタノール、水が合計５５ｇ留出した。得られたシロキサン化合物溶液に、シロキサン化合物濃度が４０重量％となるようにＤＭＥＡを加えて、シロキサン化合物溶液（Ａ−２）を得た。
（合成例３）
５００ｍＬの三口フラスコに、５４．４８ｇ（０．４０ｍｏｌ）のメチルトリメトキシシラン、７９．３２ｇ（０．４０ｍｏｌ）のフェニルトリメトキシシラン、７７．３２ｇ（０．２０ｍｏｌ）のヒドロキシメチルトリエトキシシラン５０重量％エタノール溶液、及び１１８．３２ｇのＤＭＥＡを仕込み、４０℃のオイルバスに漬けて撹拌しながら、水５４ｇに燐酸０．３４５（仕込みモノマー１００重量部に対して０．２重量部）を溶かしたリン酸水溶液を、滴下ロートで１０分かけて添加した。４０℃で１時間撹拌した後、オイルバス温度を７０℃に設定して１時間撹拌し、さらにオイルバスを３０分かけて１１５℃まで昇温した。昇温開始から１時間後に、三口フラスコの内温が１００℃に到達したため、そこから２時間加熱撹拌した（三口フラスコの内温は１００〜１１０℃で推移）。反応中に副生成物であるメタノール、エタノール、水が合計１６５ｇ留出した。得られたシロキサン化合物溶液に、シロキサン化合物濃度が４０重量％となるようにＤＭＥＡを加えて、水酸基含有シロキサン化合物溶液（Ａ−３）を得た。
（合成例４）
５００ｍＬの三口フラスコに５４．４８ｇ（０．４０ｍｏｌ）のメチルトリメトキシシラン、９８．５１ｇ（０．５０ｍｏｌ）のフェニルトリメトキシシラン、２５．４１ｇ（０．１０ｍｏｌ）の３−トリメトキシシリルプロピルコハク酸無水物、及び７４．６８ｇのＤＭＥＡを仕込み、４０℃のオイルバスに漬けて撹拌しながら、水５４ｇに燐酸０．３４９（仕込みモノマー１００重量部に対して０．２重量部）を溶かしたリン酸水溶液を、滴下ロートで１０分かけて添加した。４０℃で１時間撹拌した後、オイルバス温度を７０℃に設定して１時間撹拌し、さらにオイルバスを３０分かけて１１５℃まで昇温した。昇温開始から１時間後に、三口フラスコの内温が１００℃に到達したため、そこから２時間加熱撹拌した（三口フラスコの内温は１００〜１１０℃で推移）。反応中に副生成物であるメタノール、エタノール、水が合計１１２．５ｇ留出した。得られたシロキサン化合物溶液に、シロキサン化合物濃度が４０重量％となるようにＤＭＥＡを加えて、カルボキシル基含有シロキサン化合物溶液（Ａ−４）を得た。
（合成例５）
５００ｍＬの三口フラスコに５４．４８ｇ（０．４０ｍｏｌ）のメチルトリメトキシシラン、７９．３２ｇ（０．４０ｍｏｌ）のフェニルトリメトキシシラン、４９．４８ｇ（０．２０ｍｏｌ）の３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン及び１０３．３４ｇのＤＭＥＡを仕込み、４０℃のオイルバスに漬けて撹拌しながら、水５４ｇに燐酸０．３４５（仕込みモノマー１００重量部に対して０．２重量部）を溶かしたリン酸水溶液を、滴下ロートで１０分かけて添加した。４０℃で１時間撹拌した後、オイルバス温度を７０℃に設定して１時間撹拌し、さらにオイルバスを３０分かけて１１５℃まで昇温した。昇温開始から１時間後に、三口フラスコの内温が１００℃に到達したため、そこから２時間加熱撹拌した（三口フラスコの内温は１００〜１１０℃で推移）。反応中に副生成物であるメタノール、エタノール、水が合計１２５ｇ留出した。得られたシロキサン化合物溶液に、シロキサン化合物濃度が４０重量％となるようにＤＭＥＡを加えて、ウレタン結合含有シロキサン化合物溶液（Ａ−５）を得た。
［その他のシロキサン化合物Ａ］
以下の市販品（いずれもビックケミー・ジャパン（株）製）を用意した。
・ＢＹＫ−３０７
・ＢＹＫ−ＵＶ３５００ ・・・（アクリル基を有する）
・ＢＹＫ−３７７ ・・・（水酸基を有する）
・ＢＹＫ−３２２ ・・・（アラルキル基を有する）
［酸価が３０〜２５０ｍｇＫＯＨの化合物Ｂ］
以下の合成例６〜１０に示すように、Ｂ−１〜５を用意した。
（合成例６）
窒素雰囲気の反応容器中に、１５０ｇのＤＭＥＡを仕込み、オイルバスを用いて８０℃まで昇温した。これに、２０ｇのＥＡ、４０ｇのアクリル酸２−エチルヘキシル、２０ｇのスチレン、１５ｇのＡＡ、０．８ｇの２，２’−アゾビスイソブチロニトリル及び１０ｇのＤＭＥＡからなる混合物を、１時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに６時間重合反応を行った。その後、１ｇのハイドロキノンモノメチルエーテルを添加して、重合反応を停止した。得られた反応溶液をメタノールで精製することで未反応不純物を除去し、さらに２４時間真空乾燥することで、化合物（Ｂ−１）を得た。得られた化合物（Ｂ−１）の酸価は１２２ｍｇＫＯＨ／ｇ、Ｔｇは１７．７℃であった。
（合成例７）
窒素雰囲気の反応容器中に、１５０ｇのＤＭＥＡを仕込み、オイルバスを用いて８０℃まで昇温した。これに、５０ｇのエチレンオキサイド変性ビスフェノールＡジアクリレート（ＦＡ−３２４Ａ）、２０ｇのＥＡ、１５ｇのＡＡ、０．８ｇの２，２’−アゾビスイソブチロニトリル及び１０ｇのＤＭＥＡからなる混合物を、１時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに６時間重合反応を行った。その後、１ｇのハイドロキノンモノメチルエーテルを添加して、重合反応を停止した。引き続き、５ｇのグリシジルメタクリレート、１ｇのトリエチルベンジルアンモニウムクロライド及び１０ｇのＤＭＥＡからなる混合物を、０．５時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに２時間付加反応を行った。得られた反応溶液をメタノールで精製することで未反応不純物を除去し、さらに２４時間真空乾燥することで、化合物（Ｂ−２）を得た。得られた化合物（Ｂ−２）の酸価は９６ｍｇＫＯＨ／ｇ、Ｔｇは１９．９℃であった。
（合成例８）
反応容器中に、２００ｇのエポキシエステル３０００Ａ（共栄社化学（株）製；ビスフェノールＡ骨格を有するエポキシアクリレート化合物）、５００ｇのＤＭＥＡ、０．５ｇの２−メチルハイドロキノン（熱重合禁止剤）を０．５ｇ及び７５ｇのジヒドロキシプロピオン酸を仕込み、オイルバスを用いて４５℃まで昇温させた。これに、８４．１ｇのヘキサメチレンジイソシアネートを、反応温度が５０℃を超えないように徐々に滴下した。滴下終了後、反応温度を８０℃に昇温させ、６時間後に反応液を赤外吸収スペクトル測定法により分析して、２２５０ｃｍ^−１付近の吸収がないことを確認した。この反応液に、１６５ｇのグリシジルメタクリレートを添加後、さらに９５℃に昇温させ、６時間反応を行って５１．２重量％の化合物（Ｂ−３）溶液を得た。得られた化合物（Ｂ−３）の酸価は８９ｍｇＫＯＨ／ｇ、Ｔｇは２７．２℃であった。
（合成例９）
窒素雰囲気の反応容器中に、１５０ｇのＤＭＥＡを仕込み、オイルバスを用いて８０℃まで昇温した。これに、３０ｇのＥＡ、４０ｇのアクリル酸２−エチルヘキシル、２０ｇのスチレン、５ｇのＡＡ、０．８ｇの２，２’−アゾビスイソブチロニトリル及び１０ｇのＤＭＥＡからなる混合物を、１時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに６時間重合反応を行った。その後、１ｇのハイドロキノンモノメチルエーテルを添加して、重合反応を停止した。得られた反応溶液をメタノールで精製することで未反応不純物を除去し、さらに２４時間真空乾燥することで、化合物（Ｂ−４）を得た。得られた化合物（Ｂ−４）の酸価は３５ｍｇＫＯＨ／ｇ、Ｔｇは１０．２℃であった。
（合成例１０）
窒素雰囲気の反応容器中に、１５０ｇのＤＭＥＡを仕込み、オイルバスを用いて８０℃まで昇温した。これに、２０ｇのＥＡ、２５ｇのアクリル酸２−エチルヘキシル、２０ｇのスチレン、３０ｇのＡＡ、０．８ｇの２，２’−アゾビスイソブチロニトリル及び１０ｇのＤＭＥＡからなる混合物を、１時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに６時間重合反応を行った。その後、１ｇのハイドロキノンモノメチルエーテルを添加して、重合反応を停止した。得られた反応溶液をメタノールで精製することで未反応不純物を除去し、さらに２４時間真空乾燥することで、化合物（Ｂ−５）を得た。得られた化合物（Ｂ−５）の酸価は２２２ｍｇＫＯＨ／ｇ、Ｔｇは３４．７℃であった。

［光重合開始剤Ｃ］
以下の市販品を用意した。
・“ＩＲＧＡＣＵＲＥ”（登録商標）３６９（チバジャパン（株）製）
［導電性フィラーＤ］
表１に記載の材料、体積平均粒子径のものを用いた。

［熱硬化性化合物Ｅ］
以下の市販品を用意した。
・Ｎ−６６０（ＤＩＣ（株）製） ・・・クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
・Ｎ−ｎ−ブトキシメチルアクリルアミド
［モノマー］
以下の市販品を用意した。
・ライトアクリレートＢＰ−４ＥＡ（共栄社化学株式会社製）
［溶剤］
以下の市販品を用意した。
・ＤＭＥＡ（東京化成工業株式会社製）
（実施例１）
１００ｍＬクリーンボトルに、１．０ｇのＢＹＫ−３０７、１０．０ｇの化合物Ｂ−１、０．５０ｇの “ＩＲＧＡＣＵＲＥ”（登録商標）３６９、２．０ｇのＢＰ−４Ａ、５．０ｇのＤＭＥＡ、を入れ、混合機として“あわとり錬太郎”（登録商標）（ＡＲＥ−３１０；株式会社シンキー社製）を用いて混合し、１６．５ｇの感光性樹脂溶液（固形分６９．７重量％）を得た。

１１．７ｇの感光性樹脂溶液と、５０．０ｇのＡｇ粒子（体積平均粒子径：２μｍ）とを混ぜ合わせ、３本ローラー（ＥＸＡＫＴ Ｍ−５０；ＥＸＡＫＴ社製）を用いて混練して、６１．７ｇの感光性導電ペーストを得た。

得られた感光性導電ペーストを用いて、導電パターンのパターニング性、現像マージン、比抵抗率、屈曲性、ＩＴＯとの密着性及び表面硬度をそれぞれ評価した。パターニング性の評価指標となる現像可能な値Ｌ／Ｓの値は、１７／１７μｍであり、良好なパターン加工されていることが確認された。比抵抗率は６．９×１０^−５Ωｃｍであり、屈曲性についても良好な結果が得られた。また、表面硬度は２Ｈであった。

（実施例２〜１４）
表１に示す組成の感光性導電ペーストを用いて、実施例１と同様の評価を行った結果を表２に示す。

（比較例１〜３）
表１に示す組成の感光性導電ペーストを用いて、実施例１と同様の評価を行った結果を表２に示す。

実施例１〜１２の感光性導電ペーストはいずれもパターニング性及び表面硬度に優れたものであったが、比較例１〜３の感光性導電ペーストはいずれも表面硬度が劣るものであった。

Ａ 透光部
Ｂ、Ｃ サンプル短辺
Ｄ 導電パターン
Ｅ ＰＥＴフィルム

本発明の感光性導電ペーストは、タッチパネル用周囲配線等の導電パターンの製造のために好適に利用できる。

Claims (10)

1. シロキサン化合物Ａと、
   酸価が３０〜２５０ｍｇ／ＫＯＨの化合物Ｂと、
   光重合開始剤Ｃと、
   導電性フィラーＤと、を含む、感光性導電ペースト。
2. 前記化合物Ｂは、不飽和二重結合を有する、請求項１記載の感光性導電ペースト。
3. 前記化合物Ｂのガラス転移温度は、−１０〜６０℃である、請求項１又は２記載の感光性導電ペースト。
4. 前記化合物Ｂがエポキシアクリレートである、請求項１〜３のいずれか一項記載の感光性導電ペースト。
5. 前記シロキサン化合物Ａは、不飽和二重結合を有する置換基、ウレタン結合を有する置換基、カルボキシル基、水酸基、アラルキル基及びフロロアルキル基からなる群から選ばれる置換基を有する、請求項１〜４のいずれか一項記載の感光性導電ペースト。
6. 前記シロキサン化合物Ａは、カルボキシル基、水酸基及びウレタン結合を有する置換基からなる群から選ばれる置換基を有する、請求項１〜５のいずれか一項記載の感光性導電ペースト。
7. 熱硬化性化合物Ｅを含む、請求項１〜６のいずれか一項記載の感光性導電ペースト。
8. 前記熱硬化性化合物Ｅは、アルコキシ基又はエポキシ基を有する、請求項１〜７のいずれか一項記載の感光性導電ペースト。
9. 前記導電性フィラーＤの添加量が感光性導電ペースト中の全固形分に対して７０〜９５重量％である、請求項１〜８のいずれか一項記載の感光性導電ペースト。
10. 請求項１〜９のいずれか一項記載の感光性導電ペーストを基板上に塗布して塗布膜を得る、塗布工程と、
    前記塗布膜を乾燥する、乾燥工程と、
    乾燥後の前記塗布膜をパターン露光する、露光工程と、
    露光後の前記塗布膜を現像して、前記基板上にパターンを形成する、現像工程と、
    前記パターンを１００〜３００℃でキュアして導電パターンを得る、キュア工程と、を備える、導電パターンの製造方法。

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