JP6069540B2 - カソードユニット - Google Patents

Description

本発明は、スパッタリング法による成膜装置内に用いられるカソードユニットに関する。
本願は、２０１１年４月２６日に出願された特願２０１１−０９８４２７号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。

半導体デバイス分野又はフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）分野において、各種の薄膜を形成する装置として、スパッタリング装置が用いられている。
一般的なスパッタリング装置では、チャンバ内にスパッタリング用のカソードが設けられ、減圧したチャンバ内において、カソードに取り付けられたターゲットと所定の間隔を空けて対向するように被処理体が配置される。
次に、チャンバ内にＡｒガス（不活性ガス）を導入し、被処理体をグラウンドに接続した状態でターゲットに負の電圧を印加することにより放電させ、放電によりＡｒガスから電離したＡｒイオンをターゲットに衝突させる。
そして、ターゲットから飛び出す粒子を被処理体に付着させることにより、成膜処理が行われる。

図１０Ａは、スパッタリング法を用いた、従来の成膜装置７００の一例を示している（特許文献１）。
成膜装置７００は、複数のカソード７２０を備えている。図１０Ｂは、図１０Ａに示す複数のカソード７２０のうち一つを示す拡大断面図（特許文献２）。
図１０Ｂに示すように、カソード７２０は、スパッタリング用のターゲットと、カソード本体７１０と、カソード取り付けフランジ７０１ａと、絶縁板７１２と、電力供給部Ｅ１（Ｅ２、Ｅ３）と、接地部Ｇとで構成される。

ターゲットは、バッキングプレート７０４と、バッキングプレートの主面７０４ａに配置された母材７０５で構成され、チャンバ７０１の内部に設けられ、カソード本体７１０に、複数本のボルト部材を用いて取り付けられる。
バッキングプレート７０４の内部には、母材７０５の表面上に漏洩磁束を生成する磁場生成部Ｈ１（Ｈ２、Ｈ３）が設けられている。
また、バッキングプレート７０４の内部には、ターゲットの温度を制御するために冷却水が導入される流路７０８ａおよび冷却水が導出される流路７０８ｂで構成された循環流路が設けられている。

カソード本体７１０は、チャンバ７０１の内部に設けられ、カソード取付けフランジ７１１に、絶縁板７１２を介して複数本のボルト部材を用いて取り付けられている。カソード取り付けフランジ７１１は、接地されている。
バッキングプレート７０４およびカソード本体７１０は、母材７０５をチャンバ内の空間（成膜空間）に露出させる開口が形成されたグラウンドシールド７０１ａに覆われている。
グラウンドシールド７０１ａは母材７０５以外の部分における放電を抑えるために設けられている。グラウンドシールド７０１ａは、通常、接地された状態で、チャンバ（壁部）７０１に複数本のボルト部材を用いて取り付けられている。

従来の成膜装置７００の構成によれば、一つの成膜空間において、一つのバッキングプレートの一面に設けられた母材を用いて、母材に対向するように静止された被処理体７０２上にスパッタ膜（スパッタ法によって形成される膜）を均一に形成することができる。特に、被処理体７０２が多数の母材の総面積に相当する広さを有する場合であっても、スパッタ膜を被処理体７０２上に均一に形成することができる。

しかしながら、スパッタリング法による従来の成膜装置７００では、各カソード７２０に備えられるスパッタリング用ターゲットの母材は、一種類のみである。すなわち、従来の成膜装置７００は、一種類の母材を用いた成膜処理のみを行う構成を有している。
したがって、複数種類の成膜処理を連続して行う場合には、成膜の種類ごとに対応した別々のチャンバを用いる必要があり、チャンバが設置される複数のスペースを設けなければならない。
また、処理が終わるたびに、被処理体を、次の処理を行うチャンバへ搬送する必要がある。そのため、被処理体の搬送作業に要する時間、及び被処理体をチャンバ内に搬入したり搬出したりする工程に伴ってチャンバ内の気体を排気する作業（工程）に要する時間が生じ、一つの処理が終わってから次の処理が始まるまでの時間が長くなる。その結果として、成膜処理するために必要な時間が短くなる。

ＷＯ２００９／０２５２５８号公報 特開２００３−３２８１１９号公報

本発明は、このような事情を考慮してなされたもので、一つの成膜空間において、一つのバッキングプレートの一面に設けられた母材により形成される第一スパッタ膜と、一つのバッキングプレートの他面に設けられた母材により形成される第二スパッタ膜とを、多数の母材の面積に相当する広さを有すると共に母材に対向するように静止された被処理体上に、均一に形成することが可能なカソードユニットを提供することを目的とする

本発明の一態様のカソードユニットは、成膜装置に用いられ、このカソードユニットは、第１主面，前記第１主面とは反対側に位置する第２主面，第１側面（一方の側面），及び前記第１側面とは反対側に位置する第２側面（他方の側面）を有するバッキングプレートと、前記第１主面に配置された第一母材と、前記第２主面に配置された第二母材と、を有する成膜空間内に設けられた複数のターゲットと、前記第１側面から前記第２側面に向けて前記バッキングプレートを貫通する回転軸を前記バッキングプレートに設け、該バッキングプレートを回転させてその主面を変更することにより、前記複数のターゲットの各々に対応し、前記複数のターゲットを回転させるように設けられた複数の制御部と、前記成膜空間に近い前記バッキングプレートの面に特定の分布磁場が生成されるように、前記成膜空間から離れた前記バッキングプレートの面に近い位置（バッキングプレートの非スパッタリング処理面側）に設けられた複数の磁場生成部とを含み、前記磁場生成部は、前記バッキングプレートの外部にあり、漏洩磁束が前記第一母材に生成されるときは、前記第二母材に近い位置に配置され、漏洩磁束が前記第二母材に生成されるときは、前記第一母材に近い位置に配置されている。
本発明の一態様のカソードユニットにおいては、前記磁場生成部は、前記ターゲットが回転するときに前記ターゲットの回転半径より外側に前記磁場生成部を退避し、前記回転が終了したときに前記磁場生成部を元の位置に戻す手段を備えていることが好ましい。

本発明の一態様のカソードユニットにおいては、前記第１側面及び前記第２側面は、前記バッキングプレートの長手方向に垂直であり、前記第１側面及び前記第２側面の形状は、長方形であることが好ましい。
本発明の一態様のカソードユニットにおいては、前記第１側面及び前記第２側面は、前記バッキングプレートの長手方向に垂直であり、各々の前記バッキングプレートは、前記バッキングプレートの長手方向に平行な側部を有し、前記側部には、絶縁部材を介して、防着板が配置されていることが好ましい。

本発明の一態様のカソードユニットにおいては、各々の前記バッキングプレートは、前記バッキングプレートの長手方向に平行な側部を有し、前記側部には、絶縁部材を介して、防着板が配置されていることが好ましい。また、互いに隣り合う前記防着板には、凸部が設けられていることが好ましい。

本発明の一態様のカソードユニットにおいては、前記第１側面及び前記第２側面は、前記バッキングプレートの長手方向に垂直であり、前記第１側面及び前記第２側面の形状は、台形であることが好ましい。

本発明の一態様のカソードユニットにおいては、前記第１側面及び前記第２側面は、前記バッキングプレートの長手方向に垂直であり、前記第１側面及び前記第２側面の形状は、平行四辺形であることが好ましい。

本発明の一態様のカソードユニットにおいては、前記第１側面及び前記第２側面は、前記バッキングプレートの長手方向に垂直であり、各々の前記バッキングプレートは、前記バッキングプレートの長手方向に平行な側部を有し、前記側部は、階段状に形成されていることが好ましい。

本発明の一態様のカソードユニットにおいては、前記第１側面及び前記第２側面は、前記バッキングプレートの長手方向に垂直であり、各々の前記バッキングプレートは、前記バッキングプレートの長手方向に平行な側部を有し、前記側部は、波状に形成されていることが好ましい。

本発明の一態様のカソードユニットにおいては、前記第１側面及び前記第２側面は、前記バッキングプレートの長手方向に垂直であり、各々の前記バッキングプレートは、前記バッキングプレートの長手方向に平行な側部を有し、互いに隣り合う前記側部のうち、一方の側部は凸部を有し、他方の側部は凹部を有することが好ましい。即ち、一方の側部は凸状に形成され、他方の側部は凹状に形成されていることが好ましい。

本発明に係るカソードユニットは複数のカソードで構成され、複数のカソードにおける成膜空間に露出している母材の合計面積（合計のスパッタリング処理面の面積）を、被処理体の被処理面積と同程度にすることができる。
そして、各々のカソードにおいては、カソードの二つの主面の各々に、母材が個別に配置されたスパッタリング用ターゲットを備えている。
また、各々のターゲットは、その側面を貫通させた回転軸（第１側面から第２側面に向けてバッキングプレートを貫通するように設けられた回転軸）により、回転させることが可能な構成を備えている。
このような構成において、ターゲットを回転させることにより、同一チャンバ内において、被処理体と対向する主面と被処理体と対向してない主面とを変更することができる。 すなわち、各々のターゲットが有する二つの主面の両方をスパッタリング処理面として用いることができ、二つの主面に配置された母材の両方を、スパッタリング処理に適用することができる。

したがって、一つの成膜空間において、一つのバッキングプレートの一面（第１主面）に設けられた母材により形成される第一スパッタ膜と、一つのバッキングプレートの他面（第２主面）に設けられた母材により形成される第二スパッタ膜とを、被処理体上に均一に形成することができる。特に、多数の母材の総面積に相当する広さを有するとともに母材に対向するように静止して配置された被処理体上に、このような第一スパッタ膜及び第二スパッタ膜を均一に形成することができる。

また、二種類の成膜工程を一つの成膜空間で行うことにより、一種類の成膜工程ごとに別々の成膜空間を用いる従来技術に比べて、成膜工程に必要なチャンバが設置されるスペースを減らすことができる。

また、第１成膜処理（一種類目の成膜処理）を行った後に、被処理体を、第２成膜処理（二種類目の成膜処理）を行う成膜空間へ搬送する必要がない。このため、従来技術のように、被処理体の搬送作業に要する時間が生じることがなく、被処理体をチャンバ内に搬入したり搬出したりする工程に伴ってチャンバ内の気体を排気する作業（工程）に要する時間が生じない。
したがって、第１成膜処理の成膜処理が終わってから第２成膜処理が始まるまでの時間を短縮することができ、成膜処理するために必要な時間を、従来技術を用いる場合に比べて長く設けることができる。

本発明の実施形態のカソードユニットを備えた成膜装置の断面図である。 制御部に接続された本発明の実施形態のカソードユニットの斜視図である。 本発明の実施形態のカソードユニットを示す図であって、回転軸に垂直な面に対応する断面図である。 本発明の実施形態に係る複数のターゲットの断面図である。 本発明の実施形態に係る複数のターゲットの断面図である。 本発明の実施形態に係る複数のターゲットの回転動作の説明図である。 本発明の実施形態に係る複数のターゲットの回転動作の説明図である。 本発明の実施形態に係る複数のターゲットの回転動作の説明図である。 本発明の実施形態に用いるターゲットの製造方法を示す工程図である。 本発明の実施形態に用いるターゲットの製造方法を示す工程図である。 本発明の実施形態に用いるターゲットの製造方法を示す工程図である。 本発明の実施形態に用いるターゲットの製造方法を示す工程図である。 本発明の実施形態に用いるターゲットの製造方法を示す工程図である。 本発明の実施形態に用いるターゲットの製造方法を示す工程図である。 変形例１に係るターゲットを示す図であって、回転軸に垂直な面に対応する断面図である。 本発明の実施形態に係る複数のターゲットの断面図である。 変形例２に係る複数のターゲットの断面図である。 変形例３に係る複数のターゲットの断面図である。 本発明の実施形態に係る複数のターゲットの断面図である。 変形例４に係るターゲットの断面図であって、隣接する二つのターゲット間の領域を示す拡大断面図である。 変形例５に係るターゲットの断面図であって、隣接する二つのターゲット間の領域を示す拡大断面図である。 変形例６に係るターゲットの断面図であって、隣接する二つのターゲット間の領域を示す拡大断面図である。 変形例２に係る複数のターゲットの断面図である。 変形例７に係るターゲットの断面図であって、隣接する二つのターゲット間の領域を示す拡大断面図である。 変形例８に係るターゲットの断面図であって、隣接する二つのターゲット間の領域を示す拡大断面図である。 変形例９に係るターゲットの断面図であって、隣接する二つのターゲット間の領域を示す拡大断面図である。 従来技術に係るカソードユニットを備えた成膜装置の断面図である。 従来技術に係るカソードユニットを示す図であって、長手方向に垂直な面に対応する断面図である。

以下、好適な実施形態に基づき、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。なお、各図においては、各構成要素を図面上で認識し得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法及び比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。

＜カソードユニットを備えた成膜装置の実施形態＞
図１Ａは、本発明の実施形態に係るカソードユニット２２０を備えた、成膜装置２００の構成について説明する図である。
成膜装置２００は、スパッタリング用のチャンバ２０１および複数のカソード２２０で形成されたカソードユニット２３０とで構成されている。
チャンバ２０１の壁部には、チャンバ２０１内を排気する排気装置（排気部）Ｐが付設されている。
各々のカソード２２０は、スパッタリング用のターゲットＣ１，Ｃ２，Ｃ３と、ターゲットＣ１，Ｃ２，Ｃ３とそれぞれ接続された制御部Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３と、磁場生成部Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３とを有する。
なお、図１Ａでは、ターゲットを三つ備えた構成を一例として示しているが、ターゲットの数は、本実施形態に限定されない。

図１Ｂは、図１Ａの各カソード２２０を構成するターゲットＣ１，Ｃ２，Ｃ３を、それぞれ拡大して示した斜視図である。
ターゲットＣ１，Ｃ２，Ｃ３を構成するバッキングプレート２０４の各々は、その長手方向Ｌに垂直な回転軸２０７を有し、回転軸２０７は、第１側面２１１から第２側面２１２に向けてバッキングプレート２０４を貫通している。
回転軸２０７の各々は、制御部Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３と電気的に接続され、制御部Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３を用いて回転させることができる。
そして、各々の回転軸２０７の回転に連動して、バッキングプレート２０４が回転する。
安定した回転を実現するために、回転軸２０７はバッキングプレート２０４の重心を貫通していることが望ましい。

制御部Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３の各々は、回転駆動部と、電力供給部と、冷却水循環部とを有する。回転駆動部は、ターゲットＣ１，Ｃ２，Ｃ３に備えられた回転軸２０７を回転させる。電力供給部は、スパッタリングに用いられる電圧（電力）をターゲットＣ１，Ｃ２，Ｃ３に印加する。冷却水循環部は、ターゲットＣ１，Ｃ２，Ｃ３の温度を制御するために用いられる冷却水をターゲットＣ１，Ｃ２，Ｃ３に供給したり、ターゲットＣ１，Ｃ２，Ｃ３から冷却水を排出したりする。
ターゲットＣ１，Ｃ２，Ｃ３の各々は、チャンバ２０１内において、被処理基板（被処理体）２０２を支持する台（支持台）２０３と対向する位置に配置される。支持台２０３は、接地部Ｇを通じて接地されている。

ターゲットＣ１，Ｃ２，Ｃ３の各々は平坦な形状を有するバッキングプレート２０４と、バッキングプレート２０４の第１主面２０４ａ（一方の主面）に配置された第一母材２０５と、第２主面２０４ｂ（他方の主面）に配置された第二母材２０６とで構成される。

各バッキングプレート２０４を構成する材料としては、高い導電性、熱伝導性、低ガス放出性を有する材料が望ましく用いられ、主に銅又はステンレスが用いられる。また、全てのバッキングプレート２０４の第１主面が一面を形成するように配置され、全てのバッキングプレート２０４の第２主面が一面を形成するように配置される。これによって、成膜空間５０に露出している複数の母材の面が同一面に位置する。ここで、成膜空間５０に露出している母材の面とは、スパッタ処理が行われている際にＡｒガス等の不活性ガスが衝突される面である。

第一母材２０５および第二母材２０６としては、金属又は絶縁体等の、被処理基板２０２に形成される膜の材料が用いられる。
全てのバッキングプレート２０４の第１主面及び第２主面に配置される第一母材２０５及び第二母材２０６の種類（材料の種類）について、スパッタリング処理面であるバッキングプレート２０４の主面に配置される全ての母材の種類は同じである（統一されている）。また、後述するように、回転軸２０７の回転によってスパッタリング処理に使用される母材が変更されても、バッキングプレート２０４の主面（スパッタリング処理面）に配置される全ての母材の種類は同じである。なお、第一母材２０５と第二母材２０６とは、同じ材料で構成されていてもよいし、異なる材料で構成されていてもよい。

磁場生成部Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３の各々は、成膜空間５０に近いバッキングプレート２０４の面に特定の分布磁場が生成されるように、成膜空間５０（スパッタリングが行われる領域）から離れた位置であって、バッキングプレート２０４の面に近い位置（非スパッタリング処理面側）に配置される。
以下の説明において、バッキングプレート２０４の「非スパッタリング処理面」とは、第１主面２０４ａ又は第２主面２０４ｂであって、スパッタリングに用いられていない母材（第一母材２０５又は第二母材２０６）が載置されている主面を意味する。
また、バッキングプレート２０４の「スパッタリング処理面」とは、第１主面２０４ａ又は第２主面２０４ｂであって、スパッタリングに用いられる母材（第一母材２０５又は第二母材２０６）が載置され、成膜空間５０に近い位置に配置される主面を意味する。
このような「非スパッタリング処理面」及び「スパッタリング処理面」は、バッキングプレート２０４の回転に伴って切り替わり、第１主面２０４ａが非スパッタリング処理面である場合には、第２主面２０４ｂがスパッタリング処理面となり、第１主面２０４ａがスパッタリング処理面である場合には、第２主面２０４ｂが非スパッタリング処理面となる。
磁場生成部Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３により生成される磁束の一部の各々は、バッキングプレート２０４を非スパッタリング処理面からスパッタリング処理面に向けて貫通し、バッキングプレート２０４のスパッタリング処理面に配置された母材（図１では第一母材２０５）の表面に漏洩する。
磁束の漏洩した領域においては、プラズマが収束することにより、集中的に母材がスパッタリングされるため、高速での成膜することが可能となる。

また、磁場生成部Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３の各々は、第一母材２０５を用いてスパッタリング処理を行う場合には、第二母材２０６に近い位置であってターゲットＣと離間するように配置され、漏洩磁束を第一母材２０５の表面に生成する。
また、磁場生成部Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３の各々は、第二母材２０６を用いてスパッタリング処理を行う場合には、第一母材２０５に近い位置であってターゲットＣと離間するように配置され、漏洩磁束を第二母材２０５の表面に生成する。

スパッタリング処理を行う際に、磁場生成部Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３の各々は、ターゲットＣ１，Ｃ２，Ｃ３に近い位置に配置されていることが望ましいが、ターゲットＣ１，Ｃ２，Ｃ３を回転させるためには、その回転を妨げないように磁場生成部Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３とバッキングプレート２０４との間に距離を空ける必要がある。
そこで、本発明の実施形態に係る磁場生成部Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３の各々は、退避駆動部（Ｈ１１，Ｈ２１，Ｈ３１）を備えている。退避駆動部（Ｈ１１，Ｈ２１，Ｈ３１）は、磁場生成部Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３の位置を制御する装置であり、通常、ターゲットＣ１，Ｃ２，Ｃ３に近い位置に磁場生成部Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３を配置させる。また、ターゲットＣ１，Ｃ２，Ｃ３が回転する際には、退避駆動部（Ｈ１１，Ｈ２１，Ｈ３１）は、ターゲットＣ１，Ｃ２，Ｃ３の回転半径よりも外側に磁場生成部Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３を退避させる。退避駆動部（Ｈ１１，Ｈ２１，Ｈ３１）は、ターゲットＣ１，Ｃ２，Ｃ３の回転が終了した後に、ターゲットＣ１，Ｃ２，Ｃ３を通常の位置（ターゲットＣ１，Ｃ２，Ｃ３に近い位置、ターゲットＣ１，Ｃ２，Ｃ３の回転半径よりも内側）に戻す。

なお、本発明の実施形態に係る磁場生成部Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３の各々は、通常はターゲットＣ１，Ｃ２，Ｃ３の回転半径の外側に位置してもよい。スパッタリング処理中にのみ、退避駆動部（Ｈ１１，Ｈ２１，Ｈ３１）がターゲットＣ１，Ｃ２，Ｃ３に近い位置に磁場生成部Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３を移動させ、かつ、スパッタリング処理が終了した後に、退避駆動部（Ｈ１１，Ｈ２１，Ｈ３１）が磁場生成部Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３を通常の位置に戻してもよい。

また、磁場生成部Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３の各々は、揺動駆動部（Ｈ１２，Ｈ２２，Ｈ３２）を備えている。揺動駆動部（Ｈ１２，Ｈ２２，Ｈ３２）は、磁場生成部Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３をバッキングプレート２０４の主面（２０４ａ、２０４ｂ）に対して平行な方向に揺動させる。また、揺動駆動部（Ｈ１２，Ｈ２２，Ｈ３２）は、ターゲットＣ１，Ｃ２，Ｃ３の長手方向Ｌに垂直な方向及びターゲットＣ１，Ｃ２，Ｃ３の長手方向Ｌに平行な方向の少なくとも一方向に、磁場生成部Ｈを揺動させる。
この揺動により、磁場生成部Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３によって生成される磁束を、各ターゲットＣ１，Ｃ２，Ｃ３のスパッタリング処理面に近い位置に配置された母材の表面に、均一に漏洩させることができる。
漏洩磁束を均一に発生させることにより、母材の表面においてプラズマが収束する領域が一様に形成される。
そのため、スパッタリング処理によって母材表面に生じるエロージョンが均一化され、各ターゲットＣ１，Ｃ２，Ｃ３の利用効率を向上させることができる。
そして、被処理基板２０２の表面に対して、面内分布の均一性を高めた成膜処理を行うことができる。

図２は、図１Ｂに示す本発明の実施形態に係る各カソード２２０を構成するターゲットＣ１，Ｃ２，Ｃ３を示す図であって、その長手方向Ｌに垂直な面に対応する断面図である。
ターゲットＣ１，Ｃ２，Ｃ３の各々を構成するバッキングプレート２０４内において、第２主面２０４ｂに近い位置に形成され、流路２０８ａ及び２０８ｂで構成された循環流路（第１循環流路及び第２循環流路）が形成されている。循環流路には、冷却水が流動する。
冷却水は、流路２０８ａおよび２０８ｂのうち、一方から導入され、他方から導出される。循環流路２０８ａおよび２０８ｂに冷却水を流すことにより、スパッタリング処理中の第一母材２０５および第二母材２０６の温度上昇を抑えることができる。

図１Ｂ及び図２に示すように、各回転軸２０７の各々は、制御部Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３と接続されている。
各バッキングプレート２０４に印加するスパッタリング電圧は、制御部Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３から、各回転軸２０７内に設けられた電力供給ラインを介してバッキングプレート２０４に供給される。
また、循環流路２０８ａ、２０８ｂを流れる冷却水は、制御部Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３から、各回転軸２０７内に設けられた冷却水の供給および排出用ラインを介して、循環流路に供給される。

また、図１Ｂ、図２に示すように、バッキングプレート２０４の長手方向Ｌに平行な側部２１３に、防着板２０９が設けられている。
防着板２０９は、接地されており、スパッタリング処理中に発生した粒子がバッキングプレート２０４の側面に回り込むのを防ぐ。
また、防着板２０９とバッキングプレート２０４との間には絶縁部材２０９ａが配置され、絶縁部材２０９ａは、スパッタリング時に供給される電圧によって防着板１０９にダメージが発生することを防ぐ。

図３Ａ及び図３Ｂは、図１Ａのカソードユニット２３０を構成する複数のターゲットＣ（Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３）を、回転軸２０７の一端側から見た図である。
ターゲットＣは、全ての回転軸２０７が互いに平行となるように、一列に並んでいる。

図３Ａに示すように、回転軸２０７の一端側から見て、互いに隣り合うターゲットの防着板２０９は近づくように配置されている。換言すると、互いに隣り合うターゲットにおいて、一方の防着板（第１防着板）は、他方の防着板（第２防着板）に近づくように配置されている。防着板の両方が互いに対向している面は、防着板が互いに重ならない形状を有する。具体的には、図３Ａの場合、互いに対向する防着板２０９の面（防着板２０９の外面）のほぼ中央域には、凸部（凸状の傾斜部）が設けられ、凸状の頂部が接近している。この構造により、互いに隣り合うターゲットの間の空間を通じて成膜空間５０とは反対側に、スパッタリング粒子が回り込むことを防ぐ。
したがって、各ターゲットを、個別の回転方向および回転速度で回転（反転）させることができる。
ただし、スパッタリング処理中に発生した粒子を、非スパッタリング処理面側の空間に回り込みにくくするために、ターゲットの隣り合う防着板２０９は、各々のターゲットの回転を妨げないように、接近していることが望ましい。

図３Ｂに示すように、回転軸２０７の一端側から見て、互いに隣り合うターゲットの防着板２０９は近づくように配置されている。換言すると、互いに隣り合うターゲットにおいて、一方の防着板（第１防着板）は、他方の防着板（第２防着板）に近づくように配置されている。防着板の両方が互いに対向している面は、防着板が互いに重ならない形状を有する。具体的には、図３Ｂの場合、互いに対向する防着板２０９の面（防着板２０９の外面）の中央を境として、一方の防着板２０９の面（半分の面）に平坦部が形成され、他方の防着板２０９の面（半分の面）に凸状傾斜部が形成されている。凸状傾斜部は、２つの傾斜面を有している。一方の傾斜面は平坦部から急峻な角度で立ち上がる面であって、ターゲットの中央に位置する急傾斜面である。他方の傾斜面は、凸状傾斜部の頂部から防着板２０９の外側に向けて延在する緩傾斜面である。また、互いに対向する防着板２０９においては、互いに隣り合う急傾斜面が噛み合うように接近している。この構造により、互いに隣り合うターゲットの間の空間を通じて、成膜空間５０とは反対側に、スパッタリング粒子が回り込むことを防ぐ。

図４Ａ〜図４Ｃは、図３Ｂに示したターゲットの回転動作の一例を説明する図である。全ての回転軸２０７は、互いに平行にかつ同一面に配置されるように含まれるように、複数のターゲットが一列に並んでいる。
初めに、図４Ａに示すように、第一母材２０５が配置された全てのバッキングプレート２０４の主面は、同一面上に位置し、かつ、スパッタリング処理面（不図示）において同一方向を向いている。
次に、図４Ｂに示すように、回転軸２０７を中心として、各ターゲットを回転させる。このとき、一対の隣り合うターゲットは、互いに反対方向に回転させる。また、ターゲットの回転速度が同じになるように、各ターゲットを回転させる。
そして、図４Ｃに示すように、第一母材２０５が配置された全てのバッキングプレート２０４の主面は、同一面上に位置し、かつ、スパッタリング処理面とは反対の面において同一方向を向いている。

本発明の実施形態に係るカソードユニットは複数のカソードで構成されており、複数のカソードにおけるスパッタリング処理面の合計面積と、被処理体の被処理面積とを同程度にすることができる。
そして、各々のカソードにおいては、カソードの二つの主面の各々に、母材が個別に配置されたスパッタリング用ターゲットを備えている。
また、各々のターゲットは、その側面を貫通させた回転軸（第１側面２１１から第２側面２１２に向けてバッキングプレート２０４を貫通するように設けられた回転軸２０７）により、回転可能である。
これらの構成を用いて、ターゲットを回転させることにより、同一チャンバ内において、被処理体と対向する主面と被処理体と対向してない主面とを変更することができる。
すなわち、各々のターゲットが有する二つの主面の両方をスパッタリング処理面として用いることができ、二つの主面に配置された母材の両方を、スパッタリング処理に適用することができる。

したがって、一つのチャンバ内において、一つのバッキングプレートの一面（第１主面）に設けられた母材により形成される第一スパッタ膜と、一つのバッキングプレートの他面（第２主面）に設けられた母材により形成される第二スパッタ膜とを、被処理体上に均一に形成することができる。特に、多数の母材の総面積に相当する広さを有するとともに母材に対向するように静止して配置された被処理体上に、このような第一スパッタ膜及び第二スパッタ膜を均一に形成することができる。

また、二種類の成膜工程を同一チャンバ内で行うことにより、一種類の成膜工程ごとに別々のチャンバを用いる従来技術に比べて、成膜工程に必要なチャンバが設置されるスペースを減らすことができる。

また、第１成膜処理（一種類目の成膜処理）を行った後に、被処理体を、第２成膜処理（二種類目の成膜処理）を行うチャンバへ搬送する必要がない。このため、従来技術のように、被処理体の搬送作業に要する時間、及び被処理体をチャンバ内に搬入したり搬出したりする工程に伴ってチャンバ内の気体を排気する作業（工程）に要する時間が生じない。
したがって、第１成膜処理の成膜処理が終わってから第２成膜処理が始まるまでの時間を短縮することができ、成膜処理するために必要な時間を、従来技術を用いる場合に比べて長く設けることができる。

また、本発明の実施形態の構成では、磁場生成部Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３の各々が、バッキングプレート２０４内に設けられておらず、バッキングプレート２０４と離間した位置に配置されている。
したがって、各カソード２２０において、一つの磁場生成部のみを用いて、二つの母材の各々の表面に、漏洩磁束を生成することができる。

また、第二母材２０６及び第一母材２０５が同一材料で構成される場合、従来のようにバッキングプレートの一つの主面にのみ配置された母材を用いる場合に比べて、ターゲット一つ当たりの使用期間を延ばすことができる。
これにより、母材の交換回数を減らすことができ、母材の交換にともなって生じるチャンバ２０１内の排気作業（チャンバ２０１の圧力が大気圧から真空になるように減圧する工程）の回数を減らすことができる。

また、第一母材２０５および第二母材２０６の各々が、被処理基板１０２上に形成される積層膜の下層および上層を形成する材料で構成される場合、一つのターゲットのみを用いて、二つの成膜処理を連続して行うことができる。
そして、連続する二つの成膜処理を同一チャンバ内で行うことにより、第一母材２０５による成膜工程と第二母材２０６による成膜工程との間に行う、チャンバ内の気体を排気する工程及び被処理基板の搬送等の作業（工程）が不要となり、このような作業（工程）に要する時間を短縮することができる。

＜ターゲットの製造方法の実施形態＞
上記実施形態の構成を備えたターゲットの製造方法について、図５Ａ〜図５Ｆに示す工程図を用いて説明する。
まず、図５Ａに示す第一工程において、第一母材２０５をバッキングプレート２０４の第１主面２０４ａに対向するように配置し、第二母材２０６をバッキングプレート２０４の第２主面２０４ｂに対向するように配置する。

次に、図５Ｂに示す第二工程において、第一接着部材（不図示）を用いて、第一母材２０５をバッキングプレート２０４の第１主面２０４ａに接合する。
より具体的には、接合面を形成するバッキングプレート２０４の第１主面２０４ａに第一接着部材を塗布し、バッキングプレート２０４及び第一接着部材を融点以上の温度で加熱して融解させる。
そして、融解した第一接着部材上に第一母材２０５を配置し、第一母材２０５とバッキングプレート２０４との間で融解した第一接着部材が挟まれた状態で室温まで冷却する。
この工程で用いる第一接着部材としては、低融点金属であることが望ましく、例えば、インジウムが用いられる。

第二工程では、バッキングプレート２０４と第一母材２０５とが、高温状態において接合され、接合した状態のまま室温まで冷却される。
そして、冷却にともなって、バッキングプレート２０４は圧縮される。
このとき、第１主面２０４ａにのみ第一母材２０５が接合されているため、第１主面２０４ａにおけるバッキングプレート２０４の圧縮率と、第２主面２０４におけるバッキングプレート２０４の圧縮率とは異なる。
したがって、バッキングプレート２０４は、第１主面２０４ａあるいは第２主面２０４ｂにおいて、凸状に反りが生じた形状を有する。

図５Ｂでは、バッキングプレート２０４が第１主面２０４ａに凸状の反りが生じている例が示されているが、バッキングプレート２０４と第一母材２０５とを構成する材料の組合せによっては、第２主面２０４ｂに凸状の反りが生じる場合もある。

次に、図５Ｃに示す第三工程において、第一母材２０５とバッキングプレート２０４との接合により反ったバッキングプレート２０４を、平坦な形状となるように整形する。
バッキングプレート２０４を整形する方法は、特定の方法に限定されないが、本実施形態では、バッキングプレート２０４の第２主面２０４ｂに対し、反りが生じている方向とは逆の方向に圧力を加えて機械的に矯正する方法を用いる。

次に、図５Ｄに示す第四工程において、第二接着部材（不図示）を用いて、第二母材２０６をバッキングプレート２０４の第２主面２０４ｂに接合する。
より具体的には、接合面を形成するバッキングプレート２０４の第２主面２０４ｂに第二接着部材を塗布し、バッキングプレート２０４及び第二接着部材を融点以上の温度で加熱して融解させる。
そして、融解した第二接着部材上に第二母材２０６を配置し、第二母材２０６とバッキングプレート２０４との間に融解した第二接着部材が挟まれた状態で室温まで冷却する。
この工程で用いる第二接着部材としては、低融点金属であることが望ましく、例えば、インジウムが用いられる。

第四工程では、バッキングプレート２０４と第二母材２０６とは、高温状態において接合され、接合した状態のまま室温まで冷却される。
そして、冷却にともなって、バッキングプレート２０４は圧縮される。
このとき、第１主面２０４ａには第一母材２０５が接合され、第２主面２０４ｂには第二母材２０６が接合されているため、第１主面２０４ａにおけるバッキングプレート２０４の圧縮率と、第２主面２０４ｂにおけるバッキングプレート２０４の圧縮率とは異なる。
したがって、バッキングプレート２０４は、第１主面２０４ａあるいは第２主面２０４ｂにおいて、凸状に反りが生じた形状を有する。

そこで、図５Ｅに示す第五工程において、第二母材２０６とバッキングプレート２０４との接合により反ったバッキングプレート２０４を、平坦な形状となるように整形する。
バッキングプレート２０４を整形する方法は、特定の方法に限定されないが、本実施形態では、バッキングプレート２０４に対し、反りが生じている方向とは逆の方向に圧力を加えて機械的に矯正する方法を用いる。

そして、図５Ｆに示す第六工程において、バッキングプレート２０４の長手方向Ｌに平行な側面に、絶縁性の接着部材（絶縁部材）２０９ａを用いて、防着板２０９を接合することにより、本発明の実施形態のターゲットが形成されている。

ここでは、バッキングプレート２０４に対して、第一母材２０５、第二母材２０６の順に接合する例を示したが、接合する順序を逆にしてもよい。

上記本発明の実施形態のターゲットの製造方法によれば、ボルト又はクランプ等の固定部材を用いて、母材をバッキングプレートに固定する場合のように、母材に固定領域を設ける必要がない。
したがって、バッキングプレート２０４のそれぞれの主面に配置された第一母材２０５および第二母材２０６の全域をスパッタリングに用いることができる。

また、本発明の実施形態のターゲットの製造方法では、バッキングプレートの第１主面２０４ａあるいは第２主面２０４ｂに母材を接合させた後に、接合により反ったバッキングプレートが、平坦な形状になるように整形する。
したがって、バッキングプレートの二つの主面の各々に、個別に、表面が平坦な形状を有する母材が接合されたターゲットを製造することができる。
これにより、母材と被処理基板が平行に配置されるため、母材から飛び出すスパッタ粒子を被処理基板の処理面内に均一に付着させ、成膜することができる。

なお、図５Ａ〜図５Ｆでは、接着部材を用いて、第一母材２０５および第二母材２０６を、バッキングプレート２０４のそれぞれの主面に接合する方法を例として示した。別の例として、クランプ等の固定用部材を用いて、第一母材２０５および第二母材２０６を、バッキングプレート２０４の各々の主面に固定する方法もある。

クランプ等の固定用部材を用いる場合には、第一母材２０５とバッキングプレートとの熱膨張率差あるいは第二母材２０６とバッキングプレートとの熱膨張率差に起因した反りが生じることはない。
したがって、上記第三工程および第五工程に相当する工程は不要となり、より簡略化したプロセスでターゲットを製造することができる。

＜変形例１＞
図６は、ターゲットの変形例を示す図であって、複数のターゲットＣのうちの一つを、回転軸６０７の一端側から見た図である。
上記実施形態のバッキングプレート２０４は単板で形成されていたのに対し、変形例１のバッキングプレート６１４は、二枚の板（バッキングプレート）６０４および６１１が重ね合わされた合板で構成されている。
バッキングプレート６１４の内部には、バッキングプレートの最外面である第１主面６１４ａに近い位置に形成され、冷却水が流動する循環流路６０８ａおよび６０８ｂと、バッキングプレートの最外面である第２主面６１４ｂに近い位置に形成され、冷却水が流動する循環流路６１３ａおよび６１３ｂとが設けられている。図６において、第１実施形態と同一部材には同一符号を付して、その説明は省略または簡略化する。

本発明の実施形態の構成では、冷却水の循環流路６０８ａ、６０８ｂは、バッキングプレート６０４内において、第１主面６０４ａあるいは第２主面６０４ｂのいずれか一方に近い位置に形成されている。
これに対し、変形例１の構成では、冷却水の循環流路６０８ａおよび６０８ｂは、バッキングプレート６１４内において、第１主面２１４ａおよび第２主面６１４ｂの両方に近い位置に形成される。
したがって、変形例１の構成によれば、第一母材６０５及び第二母材６１２の両方に対して高い冷却機能を有するターゲットを得ることができる。

ターゲットの変形例１においては、バッキングプレートの最外面である二つの主面の各々に、スパッタリングに用いられる母材が配置されている。
そのため、チャンバ内において、第１主面６１４ａに配置された第一母材６０５を用いてスパッタリング処理を行った後に、ターゲットを反転させて、第２主面６１４ｂに配置された第二母材６１２を用いてスパッタリング処理を行うことができる。

したがって、第二母材６１２が第一母材６０５と同一材料で構成される場合、従来のようにバッキングプレートの一つの主面にのみ配置された母材を用いる場合に比べて、ターゲット一つ当たりの使用期間を延ばすことができる。
これにより、母材の交換回数を減らすことができ、交換にともなって発生する、チャンバ内の気体を排気する作業（工程）の回数を減らすことができる。

また、第一母材６０５および第二母材６１２の各々が、被処理基板上に形成される積層膜の下層および上層を形成する材料で構成される場合、一つのターゲットのみを用いて、二つの成膜処理を連続して行うことができる。
そして、連続する二つの成膜処理を同一チャンバ内で行うことにより、第一母材６０５による成膜工程と第二母材６１２による成膜工程との間に行う、チャンバ内の気体を排気する工程及び被処理基板の搬送等の作業（工程）が不要となり、このような作業（工程）に要する時間を短縮することができる。

＜ターゲットの製造方法の変形例＞
上記変形例１の構成を備えたターゲットの製造方法の一例について説明する。

まず、第一工程において、第一接着部材を用いて、第一母材６０５をバッキングプレート６０４の第１主面６０４ａに接合する。
より具体的には、接合面を形成するバッキングプレート６０４の第１主面６０４ａに第一接着部材を塗布し、バッキングプレート６０４及び第一接着部材を融点以上の温度で加熱して融解させる。
そして、融解した第一接着部材上に第一母材６０５を配置し、第一母材６０５とバッキングプレート６０４との間に融解した第一接着部材を挟んだ状態で室温まで冷却する。
この工程で用いる第一接着部材としては、低融点金属であることが望ましく、例えば、インジウムが用いられる。

第一工程では、バッキングプレート６０４と第一母材６０５とは、高温状態において接合され、接合した状態のまま室温まで冷却される。
そして、冷却にともなって、バッキングプレート６０４は圧縮される。
このとき、第１主面６０４ａにのみ第一母材６０５が接合されているため、第１主面６０４ａにおけるバッキングプレート６０４の圧縮率と、第２主面６０４ｂにおけるバッキングプレート６０４の圧縮率とは異なる。
したがって、バッキングプレート６０４は、第１主面６０４ａあるいは第２主面６０４ｂにおいて、凸状に反りが生じた形状を有する。

次に、第二工程において、第一母材６０５とバッキングプレート６０４との接合により反ったバッキングプレート６０４を、平坦な形状となるように整形する。
バッキングプレート６０４を整形する方法は、特定の方法に限定されないが、本変形例では、バッキングプレート６０４に対し、反りが生じている方向とは逆の方向に圧力を加えて機械的に矯正する方法を用いる。

次に、第三工程において、第二接着部材を用いて、第二母材６１２をバッキングプレート６１１の第１主面６１１ａに接合する。
より具体的には、接合面を形成するバッキングプレート６１１の第１主面６１１ａに第二接着部材を塗布し、バッキングプレート６１１及び第二接着部材を融点以上の温度で加熱して融解させる。
そして、融解した第二接着部材上に第二母材６１２を配置し、第二母材６１２とバッキングプレート６１１との間に融解した第二接着部材が挟まれた状態で室温まで冷却する。
この工程で用いる第二接着部材としては、低融点金属であることが望ましく、例えば、インジウムが用いられる。

次に、第四工程において、バッキングプレート６１１と第二母材６１２との接合により反ったバッキングプレート６１１を、平坦な形状となるように整形する。
バッキングプレート６１１を整形する方法は、特定の方法に限定されないが、本変形例では、バッキングプレート６１１に対し、反りが生じている方向とは逆の方向に圧力を加えて機械的に矯正する方法を用いる。

次に、第五工程において、バッキングプレート６０４の第２主面６０４ｂとバッキングプレート６１１の第２主面６１１ｂとが、向かい合うように、バッキングプレート６０４とバッキングプレート６１１とを接着部材を用いて接合する。

次に、第六工程において、バッキングプレート６１４の長手方向に平行な側面に、絶縁性の接着部材（絶縁部材）６０９ａを用いて、防着板６０９を接合することにより、ターゲットの変形例１が形成される。

なお、第一工程〜第二工程と、第三工程〜第四工程とは、順序を入れ替えて行ってもよいし、同時に行ってもよい。

また、ターゲットの変形例は、二枚の板６０４および６１１を重ね合わせることによってバッキングプレート６１４を予め形成し、その後、本発明の実施形態におけるバッキングプレート６０４と同様に、上述したターゲットの製造方法を用いることによっても形成される。

上記ターゲットの製造方法の変形例によれば、ボルト又はクランプ等の固定部材を用いて、母材をバッキングプレートに固定する場合のように、母材に固定領域を設ける必要がない。
したがって、バッキングプレート６１４のそれぞれの主面に配置された第一母材６０５および第二母材６１２の全域をスパッタリングに用いることができる。

また、ターゲットの製造方法の変形例では、バッキングプレートの第１主面６１４ａあるいは第２主面６１４ｂに母材を接合させた後に、接合により反ったバッキングプレートを、平坦な形状になるように整形する。
したがって、バッキングプレートの二つの主面の各々に、個別に、表面が平坦な形状を有する母材が接合されたターゲットを製造することができる。
これにより、母材と被処理基板が平行に配置されるため、母材から飛び出すスパッタ粒子を被処理基板の処理面内に均一に付着させ、成膜することができる。

＜変形例２、３＞
図７Ａは、第一実施形態に係る複数のターゲットＣを回転軸２０７の一端側から見た図である。
図７Ｂは、変形例２に係る複数のターゲットＣを回転軸２０７の一端側から見た図である。
図７Ｃは、変形例３に係る複数のターゲットＣを回転軸２０７の一端側から見た図である。
第一実施形態では、各々のターゲットを構成するバッキングプレートの回転軸２０７に垂直な断面は、長方形である。
これに対し、変形例２では、各々のターゲットを構成するバッキングプレートの回転軸２０７に垂直な断面（第１側面２１１及び前記第２側面２１２に対応する断面）は、台形である。また、変形例３では、各々のターゲットを構成するバッキングプレートの回転軸２０７に垂直な断面は、平行四辺形である。

変形例２または変形例３に係る複数のターゲットＣにおいては、各々のバッキングプレート３０４，４０４は、その長手方向に平行な側面（側部）を有する。複数のバッキングプレート３０４及び複数のバッキングプレート４０４においては、互いに隣接するバッキングプレートの一方の側面と他方の側面とが重なるように、バッキングプレートの側面が互いに覆われている。
すなわち、変形例２または変形例３においては、互いに隣接する各々のバッキングプレートは、バッキングプレートの防着板として機能する。
そのため、バッキングプレートの長手方向に平行な側面に、第一実施形態において用いられるような防着板を取り付ける作業が発生しないため、個々のターゲットを製造する方法（工程）を簡略化することができる。

＜変形例４、５、６＞
図８Ａは、複数のターゲットＣを回転軸２０７の一端側から見た図である。
図８Ｂ〜図８Ｄは、図８Ａにおける、隣り合う二つのターゲットの間の領域Ｆ１を示す拡大断面図である。図８Ｂに示す変形例４は、第一実施形態の構造の変形例に相当する。
図８Ｃに示す変形例５は、第一実施形態の構造の変形例に相当する。図８Ｄに示す変形例６は、第一実施形態の構造の変形例に相当する。
第一実施形態では、各々の前記バッキングプレートの長手方向に平行な側部（側面）が平面状に形成されている。
これに対し、図８Ｂに示す変形例４においては、各々のバッキングプレートの長手方向に平行な側部が、階段状に形成されている。
また、図８Ｃに示す変形例５においては、各々のバッキングプレートの長手方向に平行な側部が、波状に形成されている。
また、図８Ｄに示す変形例６においては、互いに隣り合うバッキングプレートの長手方向に平行に延在する側部のうち、一方の側部に凸部が形成され（一方の側部が凸状に形成され）、他方の側部に凹部が形成されている（他方の側部が凹状に形成されている）。

変形例４、５、６に係る複数のターゲットＣにおいては、各々のバッキングプレート２１４、２２４、２３４は、その長手方向に平行に延在する側面（側部）を有する。複数のバッキングプレート２１４，複数のバッキングプレート２２４，及び複数のバッキングプレート２３４においては、互いに隣接するバッキングプレート一方の側面と他方の側面とが重なるように、バッキングプレートの側面が互いに覆われている。
すなわち、変形例４、５、６においては、互いに隣接する各々のバッキングプレートは、バッキングプレートの防着板として機能する。
そのため、バッキングプレートの長手方向に平行な側面に、第一実施形態において用いられるような防着板を取り付ける作業が発生しないため、個々のターゲットを製造する方法（工程）を簡略化することができる。

図９Ａは、複数のターゲットＣを回転軸３０７の一端側から見た図である。
図９Ｂ〜図９Ｄは、図９Ａにおける、隣り合う二つのターゲットの間の領域Ｆ２を示す拡大断面図である。図９Ｂに示す変形例７は、上述の変形例２を更に変形させた例を示している。図９Ｃに示す変形例８は、上述の変形例２を更に変形させた例を示している。図９Ｄに示す変形例９は、上述の変形例２を更に変形させた例を示している。
変形例２では、各々のバッキングプレートの長手方向に平行な側部（側面）が平面状に形成されている。
これに対し、図９Ｂに示す変形例７においては、各々のバッキングプレートの長手方向に平行な側部が、階段状に形成されている。
また、図９Ｃに示す変形例８においては、各々のバッキングプレートの長手方向に平行な側部が、波状に形成されている。
また、図９Ｄに示す変形例９においては、互いに隣り合うバッキングプレートの長手方向に平行に延在する側部のうち、一方の側部に凸部が形成され（一方の側部が凸状に形成され）、他方の側部に凹部が形成されている（他方の側部が凹状に形成されている）。

変形例７、８、９に係る複数のターゲットＣにおいては、各々のバッキングプレート３１４、３２４、３３４は、その長手方向に平行に延在する側面（側部）を有する。複数のバッキングプレート３１４，複数のバッキングプレート３２４，及び複数のバッキングプレート３３４においては、互いに隣接するバッキングプレート一方の側面と他方の側面とが重なるように、バッキングプレートの側面が互いに覆われている。
すなわち、変形例７、８、９においては、互いに隣接する各々のバッキングプレートは、バッキングプレートの防着板として機能する。
そのため、バッキングプレートの長手方向に平行な側面に、第一実施形態において用いられるような防着板を取り付ける作業が発生しないため、個々のターゲットを製造する方法（工程）を簡略化することができる。

本発明は、被処理体にスパッタリング法による成膜工程を行う場合に対し、広く適用することができる。

２００・・・成膜装置、２０４・・・バッキングプレート、２０４ａ、２０４ｂ・・・主面、２０５・・・第一母材、２０６・・・第二母材、２０７・・・回転軸、２０９・・・防着板、２０９ａ・・・絶縁部材・・・２０９ａ、２３０・・・カソードユニット、Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３・・・ターゲット、Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３・・・制御部、Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３・・・磁場生成部。

Claims (10)

1. 第１主面，前記第１主面とは反対側に位置する第２主面，第１側面，及び前記第１側面とは反対側に位置する第２側面を有するバッキングプレートと、前記第１主面に配置された第一母材と、前記第２主面に配置された第二母材と、を有する成膜空間内に設けられた複数のターゲットと、
   前記第１側面から前記第２側面に向けて前記バッキングプレートを貫通する回転軸を前記バッキングプレートに設け、該バッキングプレートを回転させてその主面を変更することにより、前記複数のターゲットの各々に対応し、前記複数のターゲットを回転させるように設けられた複数の制御部と、
   前記成膜空間に近い前記バッキングプレートの面に特定の分布磁場が生成されるように、前記成膜空間から離れた前記バッキングプレートの面に近い位置に設けられた複数の磁場生成部とを含み、
   前記磁場生成部は、前記バッキングプレートの外部にあり、漏洩磁束が前記第一母材に生成されるときは、前記第二母材に近い位置に配置され、漏洩磁束が前記第二母材に生成されるときは、前記第一母材に近い位置に配置されている
   ことを特徴とするカソードユニット。
2. 請求項１に記載のカソードユニットであって、
   前記磁場生成部は、前記ターゲットが回転するときに前記ターゲットの回転半径より外側に前記磁場生成部を退避し、前記回転が終了したときに前記磁場生成部を元の位置に戻す手段を備えている
   ことを特徴とするカソードユニット。
3. 請求項１又は２に記載のカソードユニットであって、
   前記第１側面及び前記第２側面は、前記バッキングプレートの長手方向に垂直であり、前記第１側面及び前記第２側面の形状は、長方形である
   ことを特徴とするカソードユニット。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項に記載のカソードユニットであって、
   前記第１側面及び前記第２側面は、前記バッキングプレートの長手方向に垂直であり、
   各々の前記バッキングプレートは、前記バッキングプレートの長手方向に平行な側部を有し、
   前記側部には、絶縁部材を介して、防着板が配置されている
   ことを特徴とするカソードユニット。
5. 請求項４に記載のカソードユニットであって、
   互いに隣り合う前記防着板には、凸部が設けられている
   ことを特徴とするカソードユニット。
6. 請求項１又は２に記載のカソードユニットであって、
   前記第１側面及び前記第２側面は、前記バッキングプレートの長手方向に垂直であり、前記第１側面及び前記第２側面の形状は、台形である
   ことを特徴とするカソードユニット。
7. 請求項１又は２に記載のカソードユニットであって、
   前記第１側面及び前記第２側面は、前記バッキングプレートの長手方向に垂直であり、前記第１側面及び前記第２側面の形状は、平行四辺形である
   ことを特徴とするカソードユニット。
8. 請求項１、２、３、６、７のいずれか一項に記載のカソードユニットであって、
   前記第１側面及び前記第２側面は、前記バッキングプレートの長手方向に垂直であり、
   各々の前記バッキングプレートは、前記バッキングプレートの長手方向に平行な側部を有し、
   前記側部は、階段状に形成されている
   ことを特徴とするカソードユニット。
9. 請求項１、２、３、６、７のいずれか一項に記載のカソードユニットであって、
   前記第１側面及び前記第２側面は、前記バッキングプレートの長手方向に垂直であり、
   各々の前記バッキングプレートは、前記バッキングプレートの長手方向に平行な側部を有し、
   前記側部は、波状に形成されている
   ことを特徴とするカソードユニット。
10. 請求項１、２、３、６、７のいずれか一項に記載のカソードユニットであって、
    前記第１側面及び前記第２側面は、前記バッキングプレートの長手方向に垂直であり、
    各々の前記バッキングプレートは、前記バッキングプレートの長手方向に平行な側部を有し、
    互いに隣り合う前記側部のうち、一方の側部は凸部を有し、他方の側部は凹部を有する
    ことを特徴とするカソードユニット。

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