JP6068763B2 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents
半導体装置の作製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6068763B2 JP6068763B2 JP2015200373A JP2015200373A JP6068763B2 JP 6068763 B2 JP6068763 B2 JP 6068763B2 JP 2015200373 A JP2015200373 A JP 2015200373A JP 2015200373 A JP2015200373 A JP 2015200373A JP 6068763 B2 JP6068763 B2 JP 6068763B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- oxide semiconductor
- capacitor
- drain
- source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 95
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 82
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 21
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 20
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 14
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 claims description 2
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 51
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 14
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 12
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 12
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 9
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 9
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910019092 Mg-O Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910019395 Mg—O Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020923 Sn-O Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 150000002483 hydrogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- RNWHGQJWIACOKP-UHFFFAOYSA-N zinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Zn+2] RNWHGQJWIACOKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
- H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/0611—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region
- H01L27/0617—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region comprising components of the field-effect type
- H01L27/0629—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region comprising components of the field-effect type in combination with diodes, or resistors, or capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
- H01L27/0817—Thyristors only
Description
いた無線通信システムにおいて、データキャリアに搭載されたアンテナが、リーダ/ライ
タに搭載されたアンテナから送信される搬送波を受信すると、電磁誘導により起電力が誘
起される。そして、データキャリアに搭載された整流回路が、そこで誘起された交流電流
から直流電流を生成する。
続された、いわゆるダイオード接続のMOSトランジスタ(以下、「トランジスタ」と記
す)により構成される。この整流回路は、搭載されたトランジスタのしきい値電圧を超え
た実効値の交流信号を、直流信号へと整流する。
する交流電圧の約3倍の逆耐電圧が必要である。ここで、データキャリアに搭載される整
流回路に入力される交流電圧の値は、リーダ/ライタのアンテナとデータキャリアのアン
テナとの距離により変化する。そのため、整流回路に入力される最大の交流電圧を考慮し
て、使用するトランジスタを選択する必要がある。
リコン,オフ電流:10−9[A/μm])における、逆バイアス静特性を示すグラフで
ある。なお、横軸は電圧[V]、縦軸は電流[A]の値を示している。このグラフより、
このダイオード接続のトランジスタに逆方向バイアスを印加すると、−10[V]より大
きい電圧で降伏現象が始まり、トランジスタが破壊することがわかる。
している。そして、この逆方向電流における自由電子が、電界で加速され衝突電離を引き
起こすことにより、降伏現象が発生する。
いトランジスタを適用することが、トランジスタの破壊を防ぎ、ひいては整流回路の信頼
性を高めるうえで重要である。
とが知られている。
流回路が提案されている。
xide),オフ電流が10−12[A/μm]であるトランジスタを搭載した、両波倍
電圧整流回路(非特許文献1 Fig.4(a))および半波整流回路(非特許文献1
Fig.4(b))が開示されている。
圧整流回路は、半波整流回路を2組直列にした回路であり、半波整流回路で整流しなかっ
た交流の残りの半サイクルも整流する回路である。そのため、両波倍電圧整流回路の出力
は、半波整流回路の出力の約2倍となる。
って、電圧振幅10[V]の交流電圧を整流し、得られた直流電圧は約4.8[V]であ
る(非特許文献1 Fig.5(a))。また、半波整流回路(非特許文献1 Fig.
4(b))によって、電圧振幅10[V]の交流電圧を整流し、得られた直流電圧は約5
[V]である(非特許文献1 Fig.5(b))。
.4(a))では、高抵抗のトランジスタ(酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたト
ランジスタ)を2つ用いているため、トランジスタを1つしか用いていない半波整流回路
(非特許文献1 Fig.4(b))よりも電圧降下が大きい、と考察している。
オフ電流は10−12[A/μm]なので、ポリシリコントランジスタと比較して、逆方
向バイアス印加による破壊には強いといえる。しかし、一般的な整流回路の特性が得られ
ておらず、整流効率が犠牲になっているといえる。
用し、トランジスタの破壊を防ぐことにより信頼性を高め、かつ、整流効率の向上した整
流回路の提供を課題とする。
端子と、を有し、前記交流信号が入力される端子に、前記トランジスタのゲートと前記ト
ランジスタのソース又はドレインの一方が電気的に接続され、前記出力端子に、前記トラ
ンジスタのソース又はドレインの他方と前記キャパシタの第1の電極が電気的に接続され
、前記キャパシタの第2の電極に、接地電位が電気的に接続され、前記トランジスタは、
酸化物半導体をチャネル形成領域に用い、前記酸化物半導体中のキャリア密度が1×10
14/cm3未満である、整流回路である。
端子と、を有し、前記交流信号が入力される端子に、前記トランジスタのゲートと前記ト
ランジスタのソース又はドレインの一方が電気的に接続され、前記出力端子に、前記トラ
ンジスタのソース又はドレインの他方と前記キャパシタの第1の電極が電気的に接続され
、前記キャパシタの第2の電極に、接地電位が電気的に接続され、前記トランジスタは、
酸化物半導体をチャネル形成領域に用い、室温において、ソース−ドレイン電圧が3.1
[V]のときにオフ電流が10[zA/μm]以下である、整流回路である。
端子と、を有し、前記交流信号が入力される端子に、前記トランジスタのゲートと前記ト
ランジスタのソース又はドレインの一方が電気的に接続され、前記出力端子に、前記トラ
ンジスタのソース又はドレインの他方と前記キャパシタの第1の電極が電気的に接続され
、前記キャパシタの第2の電極に、接地電位が電気的に接続される整流回路の作製方法で
あって、前記トランジスタのチャネル形成領域を第1の酸化物半導体によって形成する工
程と、前記第1の酸化物半導体に、水素と、水と、水酸基と、を除去するための第1の加
熱処理を施して第2の酸化物半導体を形成する工程と、連続して、酸素雰囲気または窒素
及び酸素を含む雰囲気で、前記第2の酸化物半導体の酸素欠損を修復するための第2の加
熱処理を施して第3の酸化物半導体を形成する工程を有し、前記トランジスタのチャネル
形成領域に前記第3の酸化物半導体を用いる、整流回路の作製方法である。
る端子と、第1のキャパシタと、第2のキャパシタと、出力端子と、を有し、前記交流信
号が入力される端子に、前記第1のキャパシタの第1の電極が電気的に接続され、前記第
1のキャパシタの第2の電極に、前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方と
前記第1のトランジスタのゲートと前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方
が電気的に接続され、前記出力端子に、前記第1のトランジスタのソース又はドレインの
他方と前記第2のキャパシタの第1の電極が電気的に接続され、前記第2のキャパシタの
第2の電極に、接地電位と前記第2のトランジスタのゲートと前記第2のトランジスタの
ソース又はドレインの他方が電気的に接続され、前記第1のトランジスタ及び前記第2の
トランジスタは、酸化物半導体をチャネル形成領域に用い、前記酸化物半導体中のキャリ
ア密度が1×1014/cm3未満である、整流回路である。
る端子と、第1のキャパシタと、第2のキャパシタと、出力端子と、を有し、前記交流信
号が入力される端子に、前記第1のキャパシタの第1の電極が電気的に接続され、前記第
1のキャパシタの第2の電極に、前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方と
前記第1のトランジスタのゲートと前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方
が電気的に接続され、前記出力端子に、前記第1のトランジスタのソース又はドレインの
他方と前記第2のキャパシタの第1の電極が電気的に接続され、前記第2のキャパシタの
第2の電極に、接地電位と前記第2のトランジスタのゲートと前記第2のトランジスタの
ソース又はドレインの他方が電気的に接続され、前記第1のトランジスタ及び前記第2の
トランジスタは、酸化物半導体をチャネル形成領域に用い、室温において、ソース−ドレ
イン電圧が3.1[V]のときにオフ電流が10[zA/μm]以下である、整流回路で
ある。
る端子と、第1のキャパシタと、第2のキャパシタと、出力端子と、を有し、前記交流信
号が入力される端子に、前記第1のキャパシタの第1の電極が電気的に接続され、前記第
1のキャパシタの第2の電極に、前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方と
前記第1のトランジスタのゲートと前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方
が電気的に接続され、前記出力端子に、前記第1のトランジスタのソース又はドレインの
他方と前記第2のキャパシタの第1の電極が電気的に接続され、前記第2のキャパシタの
第2の電極に、接地電位と前記第2のトランジスタのゲートと前記第2のトランジスタの
ソース又はドレインの他方が電気的に接続される整流回路の作製方法であって、前記第1
のトランジスタと、前記第2のトランジスタのチャネル形成領域を第1の酸化物半導体に
よって形成する工程と、前記第1の酸化物半導体を、水素と、水と、水酸基と、を除去す
るための第1の加熱処理を施して第2の酸化物半導体を形成する工程と、連続して、酸素
雰囲気または窒素及び酸素を含む雰囲気で、前記第2の酸化物半導体の酸素欠損を修復す
るための第2の加熱処理を施して第3の酸化物半導体を形成する工程を有し、前記第1の
トランジスタ及び前記第2のトランジスタのチャネル形成領域に前記第3の酸化物半導体
を用いる、整流回路の作製方法である。
端子と、アンテナと、を有し、前記交流信号が入力される端子に、前記トランジスタのゲ
ートと前記トランジスタのソース又はドレインの一方が電気的に接続され、前記出力端子
に、前記トランジスタのソース又はドレインの他方と前記キャパシタの第1の電極が電気
的に接続され、前記キャパシタの第2の電極に、接地電位が電気的に接続され、前記交流
信号は、前記アンテナが受信した信号であり、前記トランジスタは、酸化物半導体をチャ
ネル形成領域に用い、前記酸化物半導体中のキャリア密度が1×1014/cm3未満で
ある、無線通信装置である。
端子と、アンテナと、を有し、前記交流信号が入力される端子に、前記トランジスタのゲ
ートと前記トランジスタのソース又はドレインの一方が電気的に接続され、前記出力端子
に、前記トランジスタのソース又はドレインの他方と前記キャパシタの第1の電極が電気
的に接続され、前記キャパシタの第2の電極に、接地電位が電気的に接続され、前記交流
信号は、前記アンテナが受信した信号であり、前記トランジスタは、酸化物半導体をチャ
ネル形成領域に用い、室温において、ソース−ドレイン電圧が3.1[V]のときにオフ
電流が10[zA/μm]以下である、無線通信装置である。
端子と、アンテナと、を有し、前記交流信号が入力される端子に、前記トランジスタのゲ
ートと前記トランジスタのソース又はドレインの一方が電気的に接続され、前記出力端子
に、前記トランジスタのソース又はドレインの他方と前記キャパシタの第1の電極が電気
的に接続され、前記キャパシタの第2の電極に、接地電位が電気的に接続され、前記交流
信号は、前記アンテナが受信した信号である無線通信装置の作製方法であって、前記トラ
ンジスタのチャネル形成領域を、第1の酸化物半導体によって形成する工程と、前記第1
の酸化物半導体は、水素と、水と、水酸基と、を除去するための第1の加熱処理を施して
第2の酸化物半導体を形成する工程と、連続して、酸素雰囲気または窒素及び酸素を含む
雰囲気で、前記第2の酸化物半導体の酸素欠損を修復するための第2の加熱処理を施して
第3の酸化物半導体を形成する工程を少なくとも有する、無線通信装置の作製方法である
。
る端子と、第1のキャパシタと、第2のキャパシタと、出力端子と、アンテナと、を有し
、前記交流信号が入力される端子に、前記第1のキャパシタの第1の電極が電気的に接続
され、前記第1のキャパシタの第2の電極に、前記第1のトランジスタのソース又はドレ
インの一方と前記第1のトランジスタのゲートと前記第2のトランジスタのソース又はド
レインの一方が電気的に接続され、前記出力端子に、前記第1のトランジスタのソース又
はドレインの他方と前記第2のキャパシタの第1の電極が電気的に接続され、前記第2の
キャパシタの第2の電極に、接地電位と前記第2のトランジスタのゲートと前記第2のト
ランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され、前記交流信号は、前記アン
テナが受信した信号であり、前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタは、酸
化物半導体をチャネル形成領域に用い、前記酸化物半導体中のキャリア密度が1×101
4/cm3未満である、無線通信装置である。
る端子と、第1のキャパシタと、第2のキャパシタと、出力端子と、アンテナと、を有し
、前記交流信号が入力される端子に、前記第1のキャパシタの第1の電極が電気的に接続
され、前記第1のキャパシタの第2の電極に、前記第1のトランジスタのソース又はドレ
インの一方と前記第1のトランジスタのゲートと前記第2のトランジスタのソース又はド
レインの一方が電気的に接続され、前記出力端子に、前記第1のトランジスタのソース又
はドレインの他方と前記第2のキャパシタの第1の電極が電気的に接続され、前記第2の
キャパシタの第2の電極に、接地電位と前記第2のトランジスタのゲートと前記第2のト
ランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され、前記交流信号は、前記アン
テナが受信した信号であり、前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタは、酸
化物半導体をチャネル形成領域に用い、室温において、ソース−ドレイン電圧が3.1[
V]のときにオフ電流が10[zA/μm]以下である、無線通信装置である。
る端子と、第1のキャパシタと、第2のキャパシタと、出力端子と、アンテナと、を有し
、前記交流信号が入力される端子に、前記第1のキャパシタの第1の電極が電気的に接続
され、前記第1のキャパシタの第2の電極に、前記第1のトランジスタのソース又はドレ
インの一方と前記第1のトランジスタのゲートと前記第2のトランジスタのソース又はド
レインの一方が電気的に接続され、前記出力端子に、前記第1のトランジスタのソース又
はドレインの他方と前記第2のキャパシタの第1の電極が電気的に接続され、前記第2の
キャパシタの第2の電極に、接地電位と前記第2のトランジスタのゲートと前記第2のト
ランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され、前記交流信号は、前記アン
テナが受信した信号である無線通信装置の作製方法であって、前記第1のトランジスタと
、前記第2のトランジスタのチャネル形成領域を第1の酸化物半導体によって形成する工
程と、前記第1の酸化物半導体を、水素と、水と、水酸基と、を除去するための第1の加
熱処理を施して第2の酸化物半導体を形成する工程と、連続して、酸素雰囲気または窒素
及び酸素を含む雰囲気で、前記第2の酸化物半導体の酸素欠損を修復するための第2の加
熱処理を施して第3の酸化物半導体を形成する工程を有し、前記第1のトランジスタ及び
前記第2のトランジスタのチャネル形成領域に前記第3の酸化物半導体を用いる、無線通
信装置の作製方法である。
搭載した無線通信装置の寿命を、長寿命とすることができる。
整流回路に搭載するトランジスタとして、以下に示す、高純度化および電気的にi型(真
性)化、または実質的にi型(真性)化された酸化物半導体をチャネル形成領域に用いた
トランジスタを適用する。
本明細書に開示する酸化物半導体について説明する。トランジスタに用いる酸化物半導体
は、ドナーの原因である水素、水、水酸基または水酸化物(水素化合物ともいう)などの
不純物を意図的に排除したのち、これらの不純物の排除工程において同時に減少してしま
う酸素を供給することで、高純度化および電気的にi型(真性)化、または実質的にi型
(真性)化されている。トランジスタの電気的特性の変動を抑制するためである。
1×1014/cm3未満、好ましくは1×1012/cm3未満、より好ましくは1×
1010/cm3未満となる。
リアが誘起されにくい。そのため、酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジス
タにおいては、トンネル電流が発生し難く、ひいては、オフ電流が流れ難いといえる。
タにおいては、衝突イオン化ならびにアバランシェ降伏が起きにくい。ホットキャリア劣
化の主な要因は、アバランシェ降伏によってキャリアが増大し、高速に加速されたキャリ
アがゲート絶縁膜へ注入されることである。したがって、酸化物半導体をチャネル形成領
域に用いたトランジスタは、ホットキャリア劣化への耐性があるといえる。
の範囲で任意のゲート電圧を印加したときに、しきい値電圧Vthが正であるnチャネル
型トランジスタのソース−ドレイン間を流れる電流を指す。なお、室温とは、15℃以上
25℃以下の温度を指す。
導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタは、室温において、チャネル幅W=1[μ
m]あたりの電流値が、10−16[A/μm]以下、好ましくは10−18[A/μm
]=1[aA/μm](a:アト)以下、さらに好ましくは10−21[A/μm]=1
[zA/μm](z:ゼプト)以下である。
高純度化および電気的にi型(真性)化、または実質的にi型(真性)化された酸化物半
導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタのオフ電流を測定した結果について説明す
る。
示す特性評価用素子は、測定系30が3つ並列に接続されている。測定系30はそれぞれ
、キャパシタC30,高純度化および電気的にi型(真性)化、または実質的にi型(真
性)化された酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタM30,31および
トランジスタM32,33から構成される。
れている。トランジスタM30のソースまたはドレインの他方はトランジスタM31のソ
ースまたはドレインの一方に、接続されている。トランジスタM30のゲートは電圧Ve
xt_b2を供給する配線に、接続されている。
れている。トランジスタM31のゲートは、電圧Vext_b1を供給する配線に接続さ
れている。
れている。トランジスタM32のソースまたはドレインの他方は、出力端子に接続されて
いる。トランジスタM32のゲートは、キャパシタC30の一端に接続されている。
ンジスタM33のソースまたはドレインの他方は、ゲートに接続されている。
フ電流を測定するために電位差を付与する初期期間について説明する。初期期間において
、トランジスタM31のゲートにトランジスタM31を導通状態とする電圧Vext_b
1を入力し、トランジスタM31を導通状態とする。すると、トランジスタM30のソー
スまたはドレインの他方と接続されるノード(つまり、トランジスタM31のソースまた
はドレインの一方、キャパシタC30の一端、およびトランジスタM32のゲートに接続
されるノード)であるノードAに、電圧V1が入力される。ここで、電圧V1は、高電圧
とする。また、トランジスタM30は非導通状態としておく。
ext_b1を入力し、トランジスタM31を非導通状態とする。トランジスタM31を
非導通状態とした後に、電圧V1を低電圧とする。ここでも、トランジスタM30は非導
通状態としておく。また、電圧V2は、電圧V1と同じく低電圧とする。
M30のソースまたはドレインの一方との間に、電位差が生じている。また、ノードAと
、トランジスタM31のソースまたはドレインの他方との間にも、電位差が生じている。
そのため、トランジスタM30およびトランジスタM31にはわずかに電荷が流れる。つ
まり、オフ電流が発生する。
に低電圧に固定する。また、ノードAは、フローティング状態とする。その結果、トラン
ジスタM30には電荷が流れ、時間の経過とともにノードAに保持される電荷量は変動す
る。すなわち、ノードAの電位が変動し、出力端子の出力電位Voutも変動する。
ードAの電位VAは、出力電位Voutの関数として次の式(1)で表される。
時間微分により求められる。よって、ノードAの電流IAは、次の式(3)で表される。
化および電気的にi型(真性)化、または実質的にi型(真性)化された酸化物半導体を
チャネル形成領域に用いたトランジスタである。トランジスタは、W/L=50/10[
μm]である。また、並列された各測定系30において、キャパシタC30の容量値はそ
れぞれ、100[fF],1[pF],3[pF]である。
電圧であるが、出力電位Voutを測定するタイミングにおいて、出力回路を動作させる
必要が生じるため、10〜300[sec]ごとに、100[msec]の期間だけ高電
圧とする。また、式(3)におけるΔtは、約30000[sec]とする。
。これより、時間の経過にしたがって、電位が変化する様子が確認できる。
なお、図5は、ソース−ドレイン電圧Vと、オフ電流Iとの関係を表している。図5から
、ソース−ドレイン電圧が4[V]の条件において、オフ電流Iは約40[zA/μm]
であることがわかる。また、ソース−ドレイン電圧が3.1[V]の条件において、オフ
電流は10[zA/μm]以下であることがわかる。
る。図6は、85℃の温度環境下におけるソース−ドレイン電圧Vと、オフ電流Iとの関
係を表している。図6から、ソース−ドレイン電圧が3.1[V]の条件において、オフ
電流は100[zA/μm]以下であることがわかる。
図1(A)に示す整流回路は、トランジスタM1と、交流信号が入力される端子10と、
キャパシタC1と、出力端子11と、を有している。交流信号が入力される端子10に、
トランジスタM1のゲートとトランジスタM1のソース又はドレインの一方が電気的に接
続されている。出力端子11に、トランジスタM1のソース又はドレインの他方とキャパ
シタC1の第1の電極が電気的に接続されている。キャパシタC1の第2の電極に、接地
電位が電気的に接続された構成である。
る。この整流回路は、高純度化および電気的にi型(真性)化、または実質的にi型(真
性)化された酸化物半導体をチャネル形成領域に用いた、ダイオード接続のトランジスタ
M1およびキャパシタC1から構成されている。
を明確にするためにトランジスタを示す回路図記号には”OS”の文字を付している。
交流信号が入力される端子10と、第1のキャパシタC2と、第2のキャパシタC3と、
出力端子11と、を有している。交流信号が入力される端子10に、キャパシタC2の第
1の電極が電気的に接続されている。キャパシタC2の第2の電極に、トランジスタM3
のソース又はドレインの一方とトランジスタM3のゲートとトランジスタM2のソース又
はドレインの一方が電気的に接続されている。出力端子11に、トランジスタM3のソー
ス又はドレインの他方とキャパシタC3の第1の電極が電気的に接続されている。キャパ
シタC3の第2の電極に、接地電位とトランジスタM2のゲートとトランジスタM2のソ
ース又はドレインの他方が電気的に接続された構成である。
る。この整流回路は、高純度化および電気的にi型(真性)化、または実質的にi型(真
性)化された酸化物半導体をチャネル形成領域に用いた、ダイオード接続のトランジスタ
M2,M3およびキャパシタC2,C3から構成されている。
酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタをダイオード接続した場合の、ダ
イオード特性を示すグラフである。このグラフより、−30[V]の逆バイアス電圧を印
加しても、降伏現象が発生せず、トランジスタが破壊しないことがわかる。
おける電力損失は増加することがわかる。
される。
ート電圧,VTH:しきい値電圧,L:チャネル長
満たせばよいことがわかる。第1の条件は、移動度μを向上させる。第2の条件は、チャ
ネル長Lを短くする。第3の条件は、チャネル幅Wを大きくする。
大きくし、オン電流を高めることが挙げられる。ところが、チャネル幅Wの値はオフ電流
の値にも相関するため、その大きさには限度がある。先述のとおり、オフ電流が大きいト
ランジスタを整流回路に用いると、降伏現象や発熱により絶縁破壊が生じる可能性が高ま
るためである。
酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタは、室温において、ソース−ドレ
イン電圧が3.1[V]のときにオフ電流が10[zA/μm]以下である。
する。このとき、オフ電流も3桁高まるが、それでもオフ電流は10−18[A/μm]
以下である。ポリシリコンをチャネル形成領域に用いたトランジスタのオフ電流10−9
[A/μm]と比較して値が小さく、このトランジスタは破壊しにくいといえる。
れた酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを整流回路に搭載することに
より、電力損失が少ない、すなわち整流効率に優れ、かつ、絶縁破壊が発生しにくい整流
回路を提供することができるといえる。
高純度化および電気的にi型(真性)化、または実質的にi型(真性)化された酸化物半
導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタの作製方法の一例について、図8に基づい
て説明する。
の残留水分を除去しつつ成膜するとよい。絶縁層101に水素、水、水酸基または水酸化
物などが含まれないようにするためである。
化物半導体層の成膜前に、絶縁層101が形成された基板100を予備加熱するとよい。
酸化物半導体層に、水素、水および水酸基が極力含まれないようにするためである。予備
加熱により、基板100に吸着した水素、水などの不純物は脱離し、排気される。
を用いることができる。例えば、組成比として、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:
1:1、すなわち、In:Ga:Zn=1:1:0.5のターゲットを用いることができ
る。これ以外にも、In:Ga:Zn=1:1:1またはIn:Ga:Zn=1:1:2
の組成比を有するターゲットを用いることもできる。
Sn−Ga−Zn−O,Al−Ga−Zn−O,Sn−Al−Zn−O,In−Zn−O
,Sn−Zn−O,Al−Zn−O,Zn−Mg−O,Sn−Mg−O,In−Mg−O
,In−O,Sn−O,Zn−Oなどの金属酸化物をターゲットとして用いることができ
る。
表記される薄膜を用いることもできる。ここで、Mは、Ga、Al、MnおよびCoから
選ばれた1または複数の金属元素である。例えば、Mとして、Ga、GaおよびAl、G
aおよびMn、もしくはGaおよびCoが挙げられる。
102に加工される(図8(A)参照)。その後、酸化物半導体層102から水素、水、
および水酸基等を除去するために、基板を電気炉に導入し、加熱処理する。この加熱処理
は、酸化物半導体層102に対する脱水化、脱水素化の効果を奏する。
点未満とする。また、この加熱処理の雰囲気は、水、水素などが含まれないようにする。
素:酸素の体積比=4:1)で酸化物半導体層102を加熱処理するとよい。酸化物半導
体層102中に生じた酸素欠損を修復するためである。
の電極103bを形成する(図8(B)参照)。第1の電極103aは、ソース電極およ
びドレイン電極の一方として機能する。第2の電極103bは、ソース電極およびドレイ
ン電極の他方として機能する。
3b上にゲート絶縁層104を形成する(図8(C)参照)。なお、ゲート絶縁層104
の成膜雰囲気には、水素が含まれないようにするとよい。
電極103bに達する開口105a,105bを形成する(図8(D)参照)。
1の配線107aおよび第2の配線107bを形成する(図8(E)参照)。
された酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを作製することができる。
出力された直流電圧を示す測定データである。
る。また、キャパシタC1の容量値は、300[pF]である。
グラフ91は、出力された直流電圧のグラフである。グラフ91においてリップルは小さ
く、また、平均値3.91[V]が得られている。
流し、出力された直流電圧を示す測定データである。
5[μm]である。また、キャパシタC2,C3の容量値は、それぞれ300[pF]で
ある。
グラフ93は、出力された直流電圧のグラフである。グラフ93において、リップルは小
さく、また、平均値6.80[V]が得られている。
れた酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタによって整流回路を構成する
ことにより、電力損失が少なく、リップルが低減された品質の高い直流電流を得ることが
できる。すなわち、整流回路の整流効率を向上させることができるといえる。
11 端子
M1 酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタ
M2 酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタ
M3 酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタ
C1 キャパシタ
C2 キャパシタ
C3 キャパシタ
30 測定系
C30 キャパシタ
M30 高純度化および電気的にi型(真性)化、または実質的にi型(真性)化された
酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタ
M31 高純度化および電気的にi型(真性)化、または実質的にi型(真性)化された
酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタ
M32 トランジスタ
M33 トランジスタ
100 基板
101 絶縁層
102 酸化物半導体層
103a 第1の電極
103b 第2の電極
104 ゲート絶縁層
105a 開口
105b 開口
106 ゲート電極
107a 第1の配線
107b 第2の配線
Claims (2)
- 整流回路を有し、
前記整流回路は、
トランジスタと、入力端子と、キャパシタと、出力端子と、を有し、
前記入力端子に、前記トランジスタのゲートと前記トランジスタのソース又はドレインの一方とが電気的に接続され、
前記出力端子に、前記トランジスタのソース又はドレインの他方と前記キャパシタの電極の一方とが電気的に接続され、
前記トランジスタは、酸化物半導体層を有する半導体装置の作製方法であって、
前記酸化物半導体層は、脱水化及び脱水素化の熱処理を行った後、酸素雰囲気、又は、窒素及び酸素を含む雰囲気で熱処理され、
前記トランジスタは、室温において、ソースとドレインの間の電圧が3.1[V]のときにオフ電流が10[zA/μm]以下であるとともに、85℃において、ソースとドレインの間の電圧が3.1[V]のときにオフ電流が100[zA/μm]以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1において、
前記酸化物半導体層中のキャリア密度は1×1012/cm3未満であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015200373A JP6068763B2 (ja) | 2010-03-05 | 2015-10-08 | 半導体装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010049159 | 2010-03-05 | ||
JP2010049159 | 2010-03-05 | ||
JP2015200373A JP6068763B2 (ja) | 2010-03-05 | 2015-10-08 | 半導体装置の作製方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011041183A Division JP2011205882A (ja) | 2010-03-05 | 2011-02-28 | 整流回路、無線通信装置、整流回路の作製方法、および無線通信装置の作製方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016250259A Division JP6311001B2 (ja) | 2010-03-05 | 2016-12-23 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016012739A JP2016012739A (ja) | 2016-01-21 |
JP6068763B2 true JP6068763B2 (ja) | 2017-01-25 |
Family
ID=44531220
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011041183A Withdrawn JP2011205882A (ja) | 2010-03-05 | 2011-02-28 | 整流回路、無線通信装置、整流回路の作製方法、および無線通信装置の作製方法 |
JP2015200373A Expired - Fee Related JP6068763B2 (ja) | 2010-03-05 | 2015-10-08 | 半導体装置の作製方法 |
JP2016250259A Expired - Fee Related JP6311001B2 (ja) | 2010-03-05 | 2016-12-23 | 半導体装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011041183A Withdrawn JP2011205882A (ja) | 2010-03-05 | 2011-02-28 | 整流回路、無線通信装置、整流回路の作製方法、および無線通信装置の作製方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016250259A Expired - Fee Related JP6311001B2 (ja) | 2010-03-05 | 2016-12-23 | 半導体装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9673335B2 (ja) |
JP (3) | JP2011205882A (ja) |
TW (1) | TWI544735B (ja) |
WO (1) | WO2011108374A1 (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5890251B2 (ja) | 2011-06-08 | 2016-03-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 通信方法 |
US8901556B2 (en) | 2012-04-06 | 2014-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device |
US9035303B2 (en) * | 2012-04-06 | 2015-05-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method for manufacturing same |
JP6128906B2 (ja) | 2012-04-13 | 2017-05-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US8947158B2 (en) * | 2012-09-03 | 2015-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
JP6370795B2 (ja) * | 2012-10-29 | 2018-08-08 | アップル インコーポレイテッド | 誘導電力伝達システムの受信機及び当該受信機の制御方法 |
US9299855B2 (en) | 2013-08-09 | 2016-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having dual gate insulating layers |
TWI643435B (zh) | 2013-08-21 | 2018-12-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 電荷泵電路以及具備電荷泵電路的半導體裝置 |
JP6581765B2 (ja) * | 2013-10-02 | 2019-09-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | ブートストラップ回路、およびブートストラップ回路を有する半導体装置 |
CN111129039B (zh) | 2013-12-27 | 2024-04-16 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光装置 |
KR102267237B1 (ko) | 2014-03-07 | 2021-06-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 전자 기기 |
JP6443667B2 (ja) * | 2014-05-23 | 2018-12-26 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
US9312280B2 (en) * | 2014-07-25 | 2016-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9397112B1 (en) * | 2015-02-06 | 2016-07-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | L-shaped capacitor in thin film storage technology |
JP6809223B2 (ja) * | 2015-04-01 | 2021-01-06 | 東レ株式会社 | 整流素子、その製造方法および無線通信装置 |
US10685983B2 (en) | 2016-11-11 | 2020-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor, semiconductor device, and electronic device |
JP7064309B2 (ja) | 2017-10-20 | 2022-05-10 | 株式会社ジャパンディスプレイ | ダイオード、トランジスタ、およびこれらを有する表示装置 |
Family Cites Families (119)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244258B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244260B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
JPH0244262B2 (ja) | 1987-02-27 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
DE69635107D1 (de) | 1995-08-03 | 2005-09-29 | Koninkl Philips Electronics Nv | Halbleiteranordnung mit einem transparenten schaltungselement |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
US7061014B2 (en) | 2001-11-05 | 2006-06-13 | Japan Science And Technology Agency | Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
US6777829B2 (en) | 2002-03-13 | 2004-08-17 | Celis Semiconductor Corporation | Rectifier utilizing a grounded antenna |
CN1445821A (zh) | 2002-03-15 | 2003-10-01 | 三洋电机株式会社 | ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法 |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
CN102856390B (zh) | 2004-03-12 | 2015-11-25 | 独立行政法人科学技术振兴机构 | 包含薄膜晶体管的lcd或有机el显示器的转换组件 |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP4519713B2 (ja) | 2004-06-17 | 2010-08-04 | 株式会社東芝 | 整流回路とこれを用いた無線通信装置 |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
EP1812969B1 (en) | 2004-11-10 | 2015-05-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor comprising an amorphous oxide |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
BRPI0517560B8 (pt) | 2004-11-10 | 2018-12-11 | Canon Kk | transistor de efeito de campo |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
WO2006051994A2 (en) | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
TWI569441B (zh) | 2005-01-28 | 2017-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
TWI472037B (zh) | 2005-01-28 | 2015-02-01 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
US7544967B2 (en) | 2005-03-28 | 2009-06-09 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage flexible organic/transparent transistor for selective gas sensing, photodetecting and CMOS device applications |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
EP1770788A3 (en) | 2005-09-29 | 2011-09-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
KR101112655B1 (ko) | 2005-11-15 | 2012-02-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액티브 매트릭스 디스플레이 장치 및 텔레비전 수신기 |
WO2007063966A1 (ja) * | 2005-12-02 | 2007-06-07 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Tft基板及びtft基板の製造方法 |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
WO2007148653A1 (ja) * | 2006-06-21 | 2007-12-27 | Panasonic Corporation | 電界効果トランジスタ |
JP4839440B2 (ja) | 2006-06-27 | 2011-12-21 | 国立大学法人東北大学 | 整流回路 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
JP2008166749A (ja) * | 2006-12-05 | 2008-07-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜トランジスタ及びその作製方法、並びに該薄膜トランジスタを有する半導体装置 |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
TWI478347B (zh) | 2007-02-09 | 2015-03-21 | Idemitsu Kosan Co | A thin film transistor, a thin film transistor substrate, and an image display device, and an image display device, and a semiconductor device |
US8129714B2 (en) * | 2007-02-16 | 2012-03-06 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Semiconductor, semiconductor device, complementary transistor circuit device |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
US8164933B2 (en) * | 2007-04-04 | 2012-04-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Power source circuit |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
WO2008133345A1 (en) | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Oxynitride semiconductor |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
JP5242083B2 (ja) | 2007-06-13 | 2013-07-24 | 出光興産株式会社 | 結晶酸化物半導体、及びそれを用いてなる薄膜トランジスタ |
JP2009099847A (ja) | 2007-10-18 | 2009-05-07 | Canon Inc | 薄膜トランジスタとその製造方法及び表示装置 |
JP5215158B2 (ja) | 2007-12-17 | 2013-06-19 | 富士フイルム株式会社 | 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス |
US7923733B2 (en) | 2008-02-07 | 2011-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP5305696B2 (ja) * | 2008-03-06 | 2013-10-02 | キヤノン株式会社 | 半導体素子の処理方法 |
US8445947B2 (en) * | 2008-07-04 | 2013-05-21 | Stmicroelectronics (Rousset) Sas | Electronic circuit having a diode-connected MOS transistor with an improved efficiency |
CN102132414B (zh) * | 2008-08-27 | 2013-05-22 | 出光兴产株式会社 | 场效应型晶体管、其制造方法和溅射靶 |
TWI606592B (zh) * | 2008-09-01 | 2017-11-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
US20110101789A1 (en) * | 2008-12-01 | 2011-05-05 | Salter Jr Thomas Steven | Rf power harvesting circuit |
KR101743620B1 (ko) * | 2009-12-18 | 2017-06-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 광 센서를 포함하는 표시 장치 및 그 구동 방법 |
JP5823740B2 (ja) * | 2010-06-16 | 2015-11-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 入出力装置 |
-
2011
- 2011-02-14 WO PCT/JP2011/053597 patent/WO2011108374A1/en active Application Filing
- 2011-02-25 US US13/034,722 patent/US9673335B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-02-28 JP JP2011041183A patent/JP2011205882A/ja not_active Withdrawn
- 2011-03-02 TW TW100106921A patent/TWI544735B/zh not_active IP Right Cessation
-
2015
- 2015-10-08 JP JP2015200373A patent/JP6068763B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-12-23 JP JP2016250259A patent/JP6311001B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2011108374A1 (en) | 2011-09-09 |
TWI544735B (zh) | 2016-08-01 |
JP2016012739A (ja) | 2016-01-21 |
JP2011205882A (ja) | 2011-10-13 |
US20110216566A1 (en) | 2011-09-08 |
TW201201496A (en) | 2012-01-01 |
US9673335B2 (en) | 2017-06-06 |
JP6311001B2 (ja) | 2018-04-11 |
JP2017069577A (ja) | 2017-04-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6311001B2 (ja) | 半導体装置 | |
US7064942B2 (en) | ESD protection circuit with tunable gate-bias | |
US10504892B2 (en) | Semiconductor device | |
JP2011205882A5 (ja) | 半導体装置及び無線通信装置 | |
JP6498745B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
Jeong et al. | Long life-time amorphous-InGaZnO TFT-based shift register using a reset clock signal | |
CN108173536B (zh) | 保护电路、放大器以及开关电力供应装置 | |
Priyadarshi et al. | Reduced dynamic gate pulse stress instability in dual gate a-InGaZnO thin film transistors | |
CN108039365B (zh) | 一种晶体管、钳位电路及集成电路 | |
US20220109440A1 (en) | Circuit for Capturing Electrical Energy from Vibrating Molecular Charges | |
Wakimura et al. | Simulation and modeling of off-leakage current in InGaZnO thin-film transistors | |
JP5722499B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
Ferrara et al. | The boost transistor: A field plate controlled LDMOST | |
Filali et al. | Fabrication and characterization of ZnO/Al 2 O 3 thin film transistors: channel length effect study | |
Wu et al. | Improved reliability of a-IGZO thin-film transistor under positive gate bias stress by utilizing NH3 plasma treatment | |
Jeong et al. | Novel gated-multiprobe method for measuring a back electrode effect in amorphous oxide-based thin-film transistors | |
Nguyen et al. | Lateral profiling of defects and charges in oxide semiconductor channel thin-film transistors | |
Yu et al. | 16.3: AC and DC Bias‐Temperature Stability of Coplanar Homojunction a‐InGaZnO Thin‐Film Transistors | |
Zeumault et al. | Anomalous process temperature scaling behavior of sol-gel ZrO x gate dielectrics: Mobility enhancement in ZnO TFTs | |
Li et al. | ZnO thin film transistors for more than just displays | |
Chen et al. | Drain-side discrete-distributed layout influences on reliability issues in the 0.25 μm 60-V power pLDMOS | |
Becker et al. | Time domain electrical characterization in zinc oxide nanoparticle thin-film transistors | |
CN203289068U (zh) | 基于功率场效应管导通电阻的直流电流过流智能保护器 | |
RU2016113118A (ru) | Переключающий тпт и способ его изготовления | |
CN117116989A (zh) | N沟道mos管反用结构 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160913 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160915 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161107 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161206 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161223 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6068763 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |