JP6056411B2 - 電圧検出回路及びトランジスタの特性測定方法 - Google Patents
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Description
V(probe):図4のプローブ等価回路のprobe端子における電位
図5に示す様に、パワートランジスタのオフからオンへの切り替わりにおいて、ドレイン・ソース間電圧の波形がアンダーシュートを起こす。その時、オン電圧の値が0V以下になる場合が発生して、正しくオン抵抗を決定することができない。
を含む電圧検出回路が提供される。
V(probe):図4のプローブ等価回路のprobe端子における電位
V(bnc):図8の分圧端子25の電位
Fの波形より、V(drain)が正しい値であり、V(bnc)の結果はV(drain)のそれに一致していることがわかる。一方V(probe)は負の値を示しており、明らかに誤った結果になっていることがわかる。第2の実施形態による電圧検出回路では、オン時の電圧は、V(drain)の値と一致し、更にオフ時の電圧は10V以下に抑えられているため、オシロスコープへの入力電圧は実際の電圧の1/40以下になっているためオシロスコープの入力感度を最低でも約40倍にまで引き上げることが可能になることがわかる。
2 負荷
3 被測定トランジスタ
R4、R9 ゲート抵抗
5、5A、10、10A ゲートドライバ
6、11 パルス発生器
7 同期用配線
7A 接続線
8 スイッチ
8A スイッチトランジスタ
15 キャパシタ
16、19 ドレイン端子
17、20 ゲート端子
18、21 ソース端子
22、23、24 接続線
25 分圧端子
30 カレントプローブ
Claims (6)
- 被測定トランジスタと、
前記被測定トランジスタのドレイン端子に接続されたスイッチと、
前記被測定トランジスタのゲートを制御する信号を発生する第1パルス発生器と、
前記第1パルス発生器と同期して前記スイッチを制御する信号を発生する第2パルス発生器と、
前記スイッチの、前記被測定トランジスタのドレイン端子に接続された端子とは他方の端子に接続された分圧抵抗と
を含むことを特徴とする、前記被測定トランジスタの前記ドレイン端子の電圧を検出するための電圧検出回路。 - 前記被測定トランジスタは、
電界効果型トランジスタ、MOSトランジスタ、GaN−HEMT、あるいはこれらの複合型トランジスタである
ことを特徴とする請求項1に記載の電圧検出回路。 - 前記スイッチは、電界効果型またはバイポーラ型のトランジスタであり、前記被測定トランジスタの耐圧と同じ耐圧か、あるいはそれ以上の耐圧を有する
ことを特徴とする請求項2に記載の電圧検出回路。 - 被測定トランジスタ周辺に、
前記被測定トランジスタのドレイン端子に接続されたスイッチと、
前記被測定トランジスタのゲートを制御する信号を発生する第1パルス発生器と、
前記第1パルス発生器と同期して前記スイッチを制御する信号を発生する第2パルス発生器と、
前記スイッチの、前記被測定トランジスタのドレイン端子に接続された端子とは他方の端子に接続された分圧抵抗と
を設け、
前記被測定トランジスタを駆動するドライバと前記スイッチを制御するドライバ回路を同時にオフオンさせ、
前記分圧抵抗で分圧された被測定トランジスタのドレイン電圧を測定し、
同時に前記被測定トランジスタのオン電流を測定し、
前記分圧されたドレイン電圧と、前記オン電流とから、前記被測定トランジスタのオン抵抗を計算する
ことを特徴とするトランジスタの特性測定方法。 - 前記分圧抵抗で分圧された被測定トランジスタのドレイン電圧を、直接オシロスコープの入力に接続する
ことを特徴とする請求項4に記載のトランジスタの特性測定方法。 - NPN型バイポーラトランジスタと、
前記NPN型バイポーラトランジスタのコレクタ端子に接続されたスイッチと、
前記NPN型バイポーラトランジスタのゲートを制御する信号を発生する第1パルス発生器と、
前記第1パルス発生器と同期して前記スイッチを制御する信号を発生する第2パルス発生器と、
前記スイッチの、前記NPN型バイポーラトランジスタのコレクタ端子に接続された端子とは他方の端子に接続された分圧抵抗と
を含むことを特徴とする
前記NPN型バイポーラトランジスタの前記コレクタ端子の電圧を検出するための電圧検出回路。
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CN105510697B (zh) * | 2016-01-06 | 2018-04-20 | 江苏博普电子科技有限责任公司 | GaN微波功率器件直流老化系统的实时电流监测电路 |
US10094863B2 (en) * | 2016-03-02 | 2018-10-09 | Texas Instruments Incorporated | High-resolution power electronics measurements |
US10640003B2 (en) * | 2017-06-08 | 2020-05-05 | Ford Global Technologies, Llc | Double-pulse test systems and methods |
CN108107241B (zh) * | 2017-12-01 | 2018-12-04 | 浙江大学 | 一种稳定漏电压的新型探针结构 |
US11067620B2 (en) * | 2018-08-21 | 2021-07-20 | Texas Instruments Incorporated | HEMT wafer probe current collapse screening |
CN109459675B (zh) * | 2018-11-16 | 2021-09-03 | 国网江苏省电力有限公司盐城供电分公司 | 一种SiC功率器件应用特性测试平台 |
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CN112363037B (zh) * | 2019-07-25 | 2024-03-01 | 华润微电子(重庆)有限公司 | 场效应晶体管极限性能验证电路、系统及方法 |
CN112394228B (zh) * | 2020-11-17 | 2022-09-06 | 青岛聚能创芯微电子有限公司 | 一种氮化镓功率器件导通电阻测试电路 |
CN114545177A (zh) * | 2020-11-24 | 2022-05-27 | 圣邦微电子(北京)股份有限公司 | 一种功率管的漏源电压检测电路和开关电路 |
US11747390B2 (en) * | 2021-01-15 | 2023-09-05 | Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd. | Apparatus and method for measuring dynamic on-resistance of GaN-based device |
CN115032518B (zh) * | 2022-08-11 | 2022-11-15 | 佛山市联动科技股份有限公司 | 一种动态阈值电压测试装置及方法 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3544881A (en) * | 1968-09-11 | 1970-12-01 | Gen Motors Corp | Transistor voltage and current regulating system for an alternating current generator |
US3571619A (en) * | 1969-06-27 | 1971-03-23 | Collins Radio Co | Phase detector with improved dynamic range |
US4507618A (en) | 1982-10-04 | 1985-03-26 | Tektronix, Inc. | Compensation method and apparatus for an RC attenuator |
JP3016297B2 (ja) | 1992-02-07 | 2000-03-06 | 日本電気株式会社 | 電界効果トランジスタの測定方法 |
US20030206021A1 (en) * | 1997-07-25 | 2003-11-06 | Laletin William H. | Method and apparatus for measuring and analyzing electrical or electrochemical systems |
JP2871661B1 (ja) * | 1998-01-10 | 1999-03-17 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
US7471075B2 (en) * | 1998-04-17 | 2008-12-30 | Unique Technologies, Llc | Multi-test Arc fault circuit interrupter tester |
JP3237656B2 (ja) * | 1999-06-17 | 2001-12-10 | 日本電気株式会社 | 測定装置 |
US6563746B2 (en) * | 1999-11-09 | 2003-05-13 | Fujitsu Limited | Circuit for entering/exiting semiconductor memory device into/from low power consumption mode and method of controlling internal circuit at low power consumption mode |
JP4192510B2 (ja) * | 2002-06-14 | 2008-12-10 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
US7333378B2 (en) * | 2002-09-18 | 2008-02-19 | Samsung Electronics Co., Ltd | Memory device that recycles a signal charge |
JP4364651B2 (ja) * | 2004-01-07 | 2009-11-18 | 三菱電機株式会社 | 昇圧装置及びモータ制御装置 |
JP2005304210A (ja) * | 2004-04-14 | 2005-10-27 | Renesas Technology Corp | 電源ドライバ装置及びスイッチング電源装置 |
JP2006184047A (ja) | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Agilent Technol Inc | Fetの特性測定方法 |
JP4860209B2 (ja) * | 2005-08-24 | 2012-01-25 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置 |
JP4562638B2 (ja) * | 2005-10-27 | 2010-10-13 | 三洋電機株式会社 | 低電圧検出回路 |
DE102006025351B4 (de) * | 2006-05-31 | 2013-04-04 | Globalfoundries Inc. | Teststruktur zur Überwachung von Leckströmen in einer Metallisierungsschicht und Verfahren |
JPWO2008065941A1 (ja) | 2006-11-30 | 2010-03-04 | ローム株式会社 | 電子回路 |
US7518378B2 (en) | 2007-02-13 | 2009-04-14 | Keithley Instruments, Inc. | Cable compensation for pulsed I-V measurements |
CN101029910B (zh) * | 2007-03-22 | 2010-05-26 | 华为技术有限公司 | 电流检测电路及装置 |
US20080298784A1 (en) * | 2007-06-04 | 2008-12-04 | Mark Allen Kastner | Method of Sensing Speed of Electric Motors and Generators |
JP4553395B2 (ja) | 2007-06-15 | 2010-09-29 | シャープ株式会社 | オシロスコープおよびそれを用いた半導体評価装置 |
JP5119894B2 (ja) * | 2007-12-06 | 2013-01-16 | 富士電機株式会社 | ドライバ回路 |
DE102008015160B4 (de) * | 2008-03-20 | 2010-03-25 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Detektoreinrichtung und korrespondierendes Verfahren |
EP2412136B1 (en) * | 2009-03-27 | 2017-03-01 | Rambus Inc. | Voltage mode transmitter equalizer |
JP2010239832A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Panasonic Corp | 電流制限回路 |
US8183798B2 (en) * | 2009-10-05 | 2012-05-22 | Hubbell Incorporated | Variable light control system and method using momentary circuit interrupt |
WO2011079250A1 (en) * | 2009-12-23 | 2011-06-30 | University Of New Hampshire | Fully resonant power supply |
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