JP4860209B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
複数の動作モードを選択可能とした内部回路を搭載したチップでは、外部から各動作モードに対応する設定信号を供給する必要がある。このような設定信号をそれぞれ外部端子から供給しようとすると、端子数が限られている場合には、複数の動作モードに対応する設定信号を供給することが困難となる。そこで、複数の動作モードに対応する設定信号を一つの端子から内部回路に供給することが必要となっている。
この発明の目的は、一つの外部端子から多数の動作モードを設定可能としながら、電源電圧に関わらず安定した動作モード設定動作を確保し得る半導体装置を提供することにある。
図1は、多数の動作モードを設定可能としたチップを示す。チップ1上にはメイン回路2と電流検出回路3が搭載される。メイン回路2には、電流検出回路3から出力される設定信号群SGに基づいてメイン回路2に複数の動作モードを設定可能とするモード設定回路4が搭載されている。
前記トランジスタTr2のドレインは、比較器6bのプラス側入力端子に接続され、その比較器6bのマイナス側入力端子には基準電圧Vrefが入力される。
次に、上記のように構成された電流検出回路3の動作を説明する。
すなわち、外部抵抗Roの抵抗値を抵抗R3より大きく設定すると、比較器6a〜6bの出力信号OUT1〜OUT3はいずれもLレベルとなる。
また、外部抵抗Roの抵抗値をR1<Ro<R2となるように設定すると、出力信号OUT1,OUT2はHレベル、出力信号OUT3はLレベルとなる。
従って、外部抵抗Roの抵抗値の4通りの設定により、4通りの出力信号OUT1〜OUT3を設定信号群SGとして出力可能となる。
(1)チップ1の一つの外部端子に接続する外部抵抗Roの抵抗値を調整することにより、電流検出回路3から4通りの設定信号群SGをモード設定回路4に出力することができる。従って、一つの外部端子に接続する外部抵抗Roの抵抗値を調整することにより、メイン回路2を4種類の動作モードの中のいずれかで動作させることができる。
(2)外部抵抗に流れる電流Ioと同一電流を内部抵抗R1〜R3に流し、各内部抵抗R1〜R3で生成される電圧V1〜V3と基準電圧Vrefとを比較することにより、出力信号OUT1〜OUT3を設定信号群SGとして出力する。従って、電源Vccの電圧変動に関わらず、外部抵抗Roの抵抗値のみに基づいて安定した出力信号OUT1〜OUT3を出力することができる。
(第二の実施の形態)
図5は、電流検出回路の第二の実施の形態を示す。この実施の形態は、前記第一の実施の形態の電流検出回路のトランジスタTr2,Tr3を省略し、トランジスタTr1のドレインとグランドGNDとの間に抵抗R1〜R3を直列に接続した構成としたものである。増幅器5、トランジスタTr4及び外部抵抗Roは第一の実施の形態と同様である。
すると、比較器6aの非反転入力端子に入力される電圧V4は、((R1+R2+R3)/Ro)×Vrefとなる。また、比較器6bの非反転入力端子に入力される電圧V5は、((R2+R3)/Ro)×Vrefとなる。また、比較器6cの非反転入力端子に入力される電圧V6は、(R3/Ro)×Vrefとなる。
すなわち、外部抵抗Roの抵抗値をR1+R2+R3より大きく設定すると、比較器6a〜6bの出力信号OUT1〜OUT3はいずれもLレベルとなる。
また、外部抵抗Roの抵抗値をR3<Ro<R2+R3となるように設定すると、出力信号OUT1,OUT2はHレベル、出力信号OUT3はLレベルとなる。
従って、外部抵抗Roの抵抗値の4通りの設定により、4通りの出力信号OUT1〜OUT3を設定信号群SGとして出力可能となる。
(第三の実施の形態)
図7は、電流検出回路の第三の実施の形態を示す。この実施の形態は、前記第一の実施の形態の電流検出回路に消費電力を低減するためのパワーダウン機能を備えたものである。パワーダウン機能以外の構成は、第一の実施の形態と同様である。
(第四の実施の形態)
図8は、上記第一〜第三の実施の形態のメイン回路2の具体例としてのPLL回路を示す。分周器9には水晶発振器から出力される基準クロック信号CKが入力され、分周器9はその基準クロック信号CKを1/Nに分周して位相比較器10に出力する。
チャージポンプ12は位相比較器10から出力される位相差信号を電圧に変換してVCO(電圧制御発振器)13に出力する。VCO13は、チャージポンプ12から出力される電圧に応じた周波数の出力信号foutを出力する。なお、VCO13の入力端子とグランドGNDとの間にループフィルター14が配設され、チャージポンプ12の出力信号から高周波成分を除去するようになっている。
このように構成されたPLL回路は、分周器11の出力信号の周波数が分周器9の出力信号の周波数より高い場合には、位相比較器1の位相差信号に基づいてチャージポンプ12の出力電圧が低下し、VCO13の出力信号foutの周波数が低下する。
このようなPLL回路において、設定信号群SGを分周器9に入力して、分周器9の分周比を設定信号群SGにより切り替え可能とすることにより、VCO13の出力信号foutの周波数の切り替え、すなわち動作モードを変更することができる。
(第五の実施の形態)
図9は、第五の実施の形態を示す。この実施の形態は、第四の実施の形態と同様なPLL回路において、分周器11に設定信号群SGを入力して、分周器11の分周比を設定信号群SGにより切り替え可能としたものである。
(第六の実施の形態)
図10は、第六の実施の形態を示す。この実施の形態は、第四の実施の形態と同様なPLL回路において、位相比較器10に設定信号群SGを入力して位相比較器10の感度あるいは利得を切り替え可能としたものである。
(第七の実施の形態)
図11は、第七の実施の形態を示す。この実施の形態は、第四の実施の形態と同様なPLL回路において、チャージポンプ12に設定信号群SGを入力してチャージポンプ12の感度あるいは利得を切り替え可能としたものである。
(第八の実施の形態)
図12は、第八の実施の形態を示す。この実施の形態は、第四の実施の形態と同様なPLL回路において、ループフィルター14に設定信号群SGを入力してループフィルター14の減衰特性を切り替え可能としたものである。
(第九の実施の形態)
図13は、第九の実施の形態を示す。この実施の形態は、第四の実施の形態と同様なPLL回路において、VCO13に設定信号群SGを入力してVCO13の感度あるいは利得を切り替え可能としたものである。
(第十の実施の形態)
図14は、第十の実施の形態を示す。この実施の形態は、第四の実施の形態と同様なPLL回路において、VCO13を構成する電流可変回路16に設定信号群SGを入力してVCO13の感度あるいは利得を切り替え可能としたものである。
上記実施の形態は、以下の態様で実施してもよい。
・第一の実施の形態において、外部抵抗Roはパッケージ7外に配置してもよい。
2 内部回路(内部回路)
3 電流検出回路
4 モード設定回路
6a〜6c 比較器
8a〜8c ラッチ回路
Ro 外部抵抗
SG 設定信号
Claims (8)
- チップの外部端子に接続される外部抵抗と、
前記外部抵抗に流れる電流に基づいて、設定信号を生成する電流検出回路と、
前記設定信号に基づいて内部回路の動作モードを設定するモード設定回路とを備え、
前記電流検出回路は、
複数の内部抵抗と、
前記外部抵抗と前記各内部抵抗に同一電流を流す電流生成回路と、
前記各内部抵抗で生成される電圧と基準電圧とを比較し、その比較結果を前記設定信号として出力する複数の比較器とを備え、
前記電流生成回路には、パワーダウン信号の入力に基づいて消費電流を遮断する消費電流低減手段を設け、前記比較器には、当該比較器の出力信号をラッチするラッチ回路を接続したことを特徴とする半導体装置。 - 前記各内部抵抗を前記電流生成回路に対し並列に接続したことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記各内部抵抗を前記電流生成回路に対し直列に接続したことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記内部回路をPLL回路で構成し、前記モード設定回路は該PLL回路を構成する分周器としたことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記内部回路をPLL回路で構成し、前記モード設定回路は該PLL回路を構成する位相比較器としたことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記内部回路をPLL回路で構成し、前記モード設定回路は該PLL回路を構成するチャージポンプとしたことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記内部回路をPLL回路で構成し、前記モード設定回路は該PLL回路を構成するループフィルターとしたことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記内部回路をPLL回路で構成し、前記モード設定回路は該PLL回路を構成する電圧制御発振器としたことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置。
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