JP6045971B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
第1の主面、および前記第1の主面と反対側の第2の主面を有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記第1の主面から所定の深さにわたって設けられ、第1導電型の不純物を含有するカソード領域と、
前記半導体基板の前記第2の主面から前記カソード領域に達するように設けられ、前記カソード領域よりも低濃度の不純物を含有する第1導電型のドリフト領域と、
前記第2の主面から前記半導体基板の内部に向かう方向に前記ドリフト領域よりも浅く設けられ、内部には前記ドリフト領域との境界面に形成された絶縁膜を介して導電材が充填された複数のトレンチ領域と、
前記複数のトレンチ領域の前記第2の主面に露出した露出面を含む活性領域を被覆するように前記第2の主面上に設けられ、前記ドリフト領域とショットキー接合を形成するバリア金属層と、
前記バリア金属層の上に設けられたアノード電極層と、
前記第2の主面側に設けられ、はんだの付着を防止するように構成された、はんだ排除部と、
前記アノード電極層の上面のうち前記はんだ排除部により区画されたはんだ電極形成領域に設けられた、はんだ電極と、
を備えることを特徴とする。
前記はんだ排除部は、第1の方向に走る第1のはんだ排除部と、前記第1の方向と直交する第2の方向に走る第2のはんだ排除部とを有するようにしてもよい。
前記第1のはんだ排除部と前記第2のはんだ排除部とは、前記活性領域の中央において交わるようにしてもよい。
前記はんだ排除部は、所定の間隔を隔てて所定の方向に走る第1〜第nのはんだ排除部を有するようにしてもよい。
前記各トレンチ領域は、前記第1〜第nのはんだ排除部が走る方向と直交する方向に延在するように設けられているようにしてもよい。
前記はんだ排除部は、前記アノード電極層の上に設けられた絶縁層からなるようにしてもよい。
前記はんだ排除部は、前記アノード電極層の表面をレーザ加工することにより形成された酸化膜からなるようにしてもよい。
前記はんだ排除部は、前記バリア金属層の上に設けられた絶縁層からなり、前記アノード電極層は前記はんだ排除部により分割されているようにしてもよい。
前記はんだ排除部は、前記半導体基板の前記第2の主面上に設けられた絶縁層からなり、前記バリア金属層および前記アノード電極層は前記はんだ排除部により分割されているようにしてもよい。
前記はんだ排除部を跨いで前記はんだ排除部の両側に位置する前記はんだ電極により、前記アノード電極層に電気的に接続された接続子をさらに備えてもよい。
第1の主面から所定の深さにわたって設けられ、第1導電型の不純物を含有するカソード領域と、前記第1の主面と反対側の第2の主面から前記カソード領域に達するように設けられ、前記カソード領域よりも低濃度の不純物を含有する第1導電型のドリフト領域とを有する半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板の前記第2の主面から前記半導体基板の内部に向かう方向に前記ドリフト領域よりも浅い複数の凹部を形成し、前記凹部内に絶縁膜を介して導電材を充填することにより、複数のトレンチ領域を形成する工程と、
前記複数のトレンチ領域の前記第2の主面に露出した露出面を含む活性領域を覆うように、前記第2の主面上にバリア金属層を形成する工程と、
前記バリア金属層の上にアノード電極層を形成する工程と、
前記半導体基板の前記第2の主面側に、はんだの付着を防止するように構成されたはんだ排除部を形成する工程と、
前記アノード電極層の上面のうち前記はんだ排除部により区画されたはんだ電極形成領域に、はんだ電極を形成する工程と、
を備えることを特徴とする。
前記はんだ排除部は、前記アノード電極層の上に絶縁層を形成し、前記絶縁層を所定の形状にパターニングすることにより形成するようにしてもよい。
前記はんだ排除部は、前記アノード電極層の表面をレーザ加工により酸化することにより形成するようにしてもよい。
本発明の第1の実施形態に係る半導体装置について、図1および図2を参照して説明する。図1は、第1の実施形態に係る半導体装置の平面図である。図2は、第1の実施形態に係る半導体装置の、図1中のA−A線に沿う断面図である。
次に、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置について図9および図10を参照して説明する。図9は本実施形態に係る半導体装置1Aの平面図であり、図10は半導体装置1Aに接続子14を接合した状態を示す平面図である。
2 半導体基板
2a,2b 主面
3 カソード領域
4 ドリフト領域
5 トレンチ領域
5a 露出面
6 絶縁膜
7 導電材
8 活性領域
9 バリア金属層
10 アノード電極層
10a はんだ電極形成領域
11,11a,11b,11−1,11−2,11−n はんだ排除部
12 はんだ電極
13A 絶縁膜
13 環状絶縁膜
14 接続子
Claims (6)
- 第1の主面、および前記第1の主面と反対側の第2の主面を有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記第1の主面から所定の深さにわたって設けられ、第1導電型の不純物を含有するカソード領域と、
前記半導体基板の前記第2の主面から前記カソード領域に達するように設けられ、前記カソード領域よりも低濃度の不純物を含有する第1導電型のドリフト領域と、
前記第2の主面から前記半導体基板の内部に向かう方向に前記ドリフト領域よりも浅く設けられ、内部には前記ドリフト領域との境界面に形成された絶縁膜を介して導電材が充填された複数のトレンチ領域と、
前記複数のトレンチ領域の前記第2の主面に露出した露出面を含む活性領域を被覆するように前記第2の主面上に設けられ、前記ドリフト領域とショットキー接合を形成するバリア金属層と、
前記バリア金属層の上に設けられたアノード電極層と、
前記第2の主面側に設けられ、はんだの付着を防止するように構成された、はんだ排除部と、
前記アノード電極層の上面のうち前記はんだ排除部により区画されたはんだ電極形成領域に設けられた、はんだ電極と、
を備え、
前記はんだ排除部は、所定の間隔を隔てて所定の方向に走る第1〜第nのはんだ排除部(nは2以上の整数)を有し、前記各トレンチ領域は、前記第1〜第nのはんだ排除部が走る方向と直交する方向に延在するように設けられていることを特徴とする半導体装置。 - 前記はんだ排除部は、前記アノード電極層の上に設けられた絶縁層からなることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記はんだ排除部は、前記アノード電極層の表面をレーザ加工することにより形成された酸化膜からなることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 第1の主面、および前記第1の主面と反対側の第2の主面を有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記第1の主面から所定の深さにわたって設けられ、第1導電型の不純物を含有するカソード領域と、
前記半導体基板の前記第2の主面から前記カソード領域に達するように設けられ、前記カソード領域よりも低濃度の不純物を含有する第1導電型のドリフト領域と、
前記第2の主面から前記半導体基板の内部に向かう方向に前記ドリフト領域よりも浅く設けられ、内部には前記ドリフト領域との境界面に形成された絶縁膜を介して導電材が充填された複数のトレンチ領域と、
前記複数のトレンチ領域の前記第2の主面に露出した露出面を含む活性領域を被覆するように前記第2の主面上に設けられ、前記ドリフト領域とショットキー接合を形成するバリア金属層と、
前記バリア金属層の上に設けられたアノード電極層と、
前記第2の主面側に設けられ、はんだの付着を防止するように構成された、はんだ排除部と、
前記アノード電極層の上面のうち前記はんだ排除部により区画されたはんだ電極形成領域に設けられた、はんだ電極と、
を備え、
前記はんだ排除部は、前記バリア金属層の上に設けられた絶縁層からなり、前記アノード電極層は前記はんだ排除部により分割されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記はんだ排除部は、前記半導体基板の前記第2の主面上に設けられた絶縁層からなり、前記バリア金属層および前記アノード電極層は前記はんだ排除部により分割されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記はんだ排除部を跨いで前記はんだ排除部の両側に位置する前記はんだ電極により、前記アノード電極層に電気的に接続された接続子をさらに備えることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の半導体装置。
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