JP6027001B2 - 放熱回路基板 - Google Patents

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Description

本発明は、放熱回路基板及びその製造方法に関するものである。
回路基板は、電気絶縁性基板に回路パターンを含むものであって、電子部品などを搭載するための基板である。
このような電子部品は発熱素子、例えば発光ダイオード(LED:light emitting diode)などであるが、発熱素子は深刻な熱を放出する。発熱素子からの放出熱は回路基板の温度を上昇させて発熱素子の誤動作及び信頼性に問題をもたらす。
放出熱による問題を解決するために、図1のように放熱回路基板が提案された。
図1は、従来の回路基板の断面図である。
図1を参照すると、従来の放熱回路基板1は、金属プレート2、絶縁層3、回路パターン4、及び発熱素子実装部5から構成される。
前述のような従来の放熱回路基板1は、搭載された発熱素子から放出される熱が絶縁層3の干渉によって放熱目的として使われた金属プレート2に伝達できなくなる。
本発明の目的は、新たな構造を有する放熱回路基板及びその製造方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、熱効率が向上した放熱回路基板及びその製造方法を提供することにある。
本発明は、発熱素子を実装する放熱回路基板において、放熱回路基板は発熱素子を付着する半田が形成される金属突起を含む金属プレート、金属突起の上に形成されている接着層、金属突起を露出し、金属プレートの上に形成されている絶縁層、そして絶縁層の上に形成されている回路パターンを含む。
一方、本発明に従う放熱回路基板の製造方法は、金属原板に対して金属突起を含む金属プレートを形成するステップ、金属突起の上に半田との接着性の高い銅を含む合金でメッキして接着層を形成するステップ、金属突起を露出するように金属プレートの上に絶縁層を形成するステップ、そして絶縁層の上に導電層を形成し、パターニングして回路パターンを形成するステップを含む。
本発明によれば、実装パッドの下部に放熱突起を含む金属プレートを使用することによって、発熱素子から放出される熱を金属プレートに直接伝達して熱放出効率が高まる。また、放熱突起の表面に銅を含む合金でメッキすることによって、半田との接着性を向上させることができるので不良を減らすことができる。
従来の放熱回路基板の断面図である。 本発明の第1実施形態に従う放熱回路基板の断面図である。 図2の放熱回路基板を製造するための第1方法を示す断面図である。 図2の放熱回路基板を製造するための第1方法を示す断面図である。 図2の放熱回路基板を製造するための第1方法を示す断面図である。 図2の放熱回路基板を製造するための第1方法を示す断面図である。 図2の放熱回路基板を製造するための第1方法を示す断面図である。 図2の放熱回路基板を製造するための第1方法を示す断面図である。 図2の放熱回路基板を製造するための第1方法を示す断面図である。 図2の放熱回路基板を製造するための第1方法を示す断面図である。 図2の放熱回路基板を製造するための第2方法を示す断面図である。 図2の放熱回路基板を製造するための第2方法を示す断面図である。 図2の放熱回路基板を製造するための第2方法を示す断面図である。 図2の放熱回路基板を製造するための第2方法を示す断面図である。 図2の放熱回路基板を製造するための第2方法を示す断面図である。 図2の放熱回路基板を製造するための第2方法を示す断面図である。 本発明の第2実施形態に従う放熱回路基板の断面図である。 (a)は本発明に従う対照群の構成図であり、(b)は本発明に従う実験群の構成図である。 (a)及び(b)は本発明に従う対照群の状態変化を示す写真であり、()及び()は本発明に従う実験群の状態変化を示す写真である。 本発明の第3実施形態に従う放熱回路基板の断面図である。 図20の放熱回路基板を製造するための第1方法を示す断面図である。 図20の放熱回路基板を製造するための第1方法を示す断面図である。 図20の放熱回路基板を製造するための第1方法を示す断面図である。 図20の放熱回路基板を製造するための第1方法を示す断面図である。 図20の放熱回路基板を製造するための第1方法を示す断面図である。 図20の放熱回路基板を製造するための第1方法を示す断面図である。 図20の放熱回路基板を製造するための第1方法を示す断面図である。 図20の放熱回路基板を製造するための第2方法を示す断面図である。 図20の放熱回路基板を製造するための第2方法を示す断面図である。 図20の放熱回路基板を製造するための第2方法を示す断面図である。 図20の放熱回路基板を製造するための第2方法を示す断面図である。 図20の放熱回路基板を製造するための第2方法を示す断面図である。 図20の放熱回路基板を製造するための第2方法を示す断面図である。 図20の放熱回路基板を製造するための第2方法を示す断面図である。 本発明の第4実施形態に従う放熱回路基板の断面図である。 本発明の第3実施形態の適用例を示す断面図である。 (a)は本発明に対する対照群の上面写真であり、(b)は図20の放熱回路基板の上面写真である。
以下、添付した図面を参照して本発明の実施形態に対して本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかしながら、本発明はさまざまな相異なる形態に具現されることができ、ここで説明する実施形態に限定されるものではない。
明細書の全体で、どの部分がどの構成要素を「含む」とする時、これは特別に反対になる記載がない限り、他の構成要素を除外するものでなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。
そして、図面において、本発明を明確に説明するために説明と関係ない部分は省略し、幾つの層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して表し、明細書の全体を通じて類似の部分に対しては類似の図面符号を付けた。
層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上に」あるとする時、これは他の部分の「真上に」ある場合だけでなく、その中間に更に他の部分がある場合も含む。反対に、どの部分が他の部分の「真上に」あるとする時には中間に他の部分がないことを意味する。
本発明は、放熱を目的として金属プレートを用いた回路基板において、放熱構造及び半田接着構造を含む回路基板を提供する。
以下、図2乃至図10を参照して本発明の第1実施形態に従う放熱回路基板を説明する。
図2は、本発明の第1実施形態に従う放熱回路基板の断面図である。
図2を参照すると、本発明の第1実施形態に従う放熱回路基板100は、金属プレート10、金属プレート10の上に形成される接着層20、接着層20の上に形成される絶縁層30、及び絶縁層30の上に形成される回路パターン40を含む。
金属プレート10は、熱伝導度の良いアルミニウム、ニッケル、金、白金などを含む合金のうちの1つでありうる。
金属プレート10は、発熱素子60を実装する金属突起11を含む。
金属突起11は金属プレート10から延長されて垂直に突出しており、上面に発熱素子60を実装するための半田50が位置できるように所定の面積を有して形成される。
金属プレート10の上に接着層20が形成されている。
接着層20は、金属プレート10から突出している金属突起11と半田50との間の接着力を高めるためのものであって、半田50と接着性の良い物質である銅を含む合金、好ましくは銅またはニッケルを含む合金で金属プレート10をメッキ処理したメッキ層でありうる。
金属プレート10の上に絶縁層30が形成されている。
絶縁層30は金属突起11を開放して形成されており、熱伝導度(約0.2〜0.4W/mk)の低いエポキシ系絶縁樹脂を含むことができ、これとは異なり、熱伝導度が相対的に高いポリイミド系樹脂を含むこともできる。
絶縁層30は、図2のように接着層20が形成されている金属突起11の高さと同一の厚さで形成されることができ、これとは異なり、金属突起11の高さより小さな厚さで形成されることができる。
絶縁層30は単一層に形成することもできるが、複数の層に形成することができ、複数の層に形成する場合、各層の物質は互いに異なることがある。
絶縁層30の上に複数の回路パターン40が形成されている。
回路パターン40は、絶縁層30の上に積層されている導電層をパターニングして形成される。
回路パターン40は電気伝導度が高く、抵抗が低い物質で形成されるが、薄い銅層である銅箔を導電層にパターニングして形成できる。
回路パターン40は、薄い銅層をシード層として銀またはアルミニウムメッキで形成できる。
一方、金属プレート10の金属突起11は発熱素子実装パッドであって、金属突起11の上に実装のための半田50が形成されており、半田50の上に発熱素子60が形成されている。
このような半田50は有鉛または無鉛半田クリームを金属突起11の上に塗布し、発熱素子60を実装した後、熱処理して形成することができる。
金属突起11の上に発熱素子60、例えば、発光ダイオードパッケージのような発光素子は、ワイヤー65のボンディングにより回路パターン40と電気的に連結できる。一方、発熱素子60がこれとは異なりフリップチップボンディングにより実装されることもできる。
このように、金属突起11の上面が絶縁層30により外部に露出して発熱素子60の実装パッドとして使用することによって、別途の実装パッドを形成しなくて、下の金属プレート10との直接連結が可能であるので放熱性が高まる。
また、金属突起11を含む金属プレート10の表面を半田50との接着力が良い銅またはニッケルを含む合金でメッキして銅の以外の金属で金属プレート10を形成する場合、半田50との接着力を高めることができる。
したがって、銅より値段の低いアルミニウムなどを金属プレート10に使用しながらも放熱性及び半田50との接着性を確保することができる。
以下、図3乃至図16を参照して図2の放熱回路基板を製造する方法を説明する。
図3乃至図10は、図2の放熱回路基板を製造するための第1方法を示す断面図である。
まず、図3のように金属原板10aを用意し、原板10aに図4のように金属突起11と金属プレート10を形成する。
この際、金属原板10aは熱伝導度の良いアルミニウム、ニッケル、金、白金などを含む合金のうちの1つでありうるが、半田50と接着力の低い金属でありうる。
金属突起11は、金属原板10aを圧延工程を通じて所定のモールディングにより形成し、または、金属原板10aをエッチングして形成することができる。
この際、金属突起11の高さは後で形成される絶縁層30の厚さを考慮して絶縁層30の厚さと等しいか大きく形成する。
次に、金属プレート10及び金属突起11の表面に図5の接着層20を形成する。
接着層20は銅またはニッケルを含む合金をメッキして形成することができ、金属プレート10及び金属突起11の表面を亜鉛酸塩などの金属塩で化学処理した後、銅またはニッケルを含む合金でメッキすることにより形成する。
次に、図6のように、金属プレート10の上に第1絶縁層31を形成する。
第1絶縁層31は絶縁性のエポキシ系樹脂を含むプリプレグを塗布し、硬化して形成することができる。
第1絶縁層31は、金属突起11の高さより小さい厚さを有するように金属突起11を除外した金属プレート10の接着層20の上に塗布されて形成される。
次に、図7のように銅箔層45を含む第2絶縁層35を用意する。
第1絶縁層31と第2絶縁層35の厚さの和が金属突起11の高さと等しいか小さく形成することができ、第2絶縁層35は第1絶縁層31と同一のエポキシ系樹脂を含むことができる。
図7の銅箔層45と第2絶縁層35の積層構造は従来型のCCL(Cupper clad laminate)でありえ、これとは異なり、銅箔層45の上に第2絶縁層35をペースト状態で塗布した後、硬化して形成することもできる。
図7の銅箔層45及び第2絶縁層35の積層構造は、所定の開口部35a、45aを有するように形成される。
即ち、第2絶縁層35は金属突起11の面積と同一のサイズの絶縁開口部35aを含み、銅箔層45は絶縁開口部35aと整列する銅箔開口部45aを含む。
開口部35a、45aの形成は物理的な加工により遂行されることができ、ドリル加工またはレーザー加工により形成できる。
次に、図8のように、絶縁開口部35aが第1絶縁層31の上に突出している金属突起11を露出するように整列しながら第2絶縁層35が第1絶縁層31の上に位置するように図6の構造と図7の構造とを熱圧着して一体化させる。
したがって、第1絶縁層31及び第2絶縁層35が図2の絶縁層30を形成し、絶縁層30の厚さが金属突起11の高さと等しいかより低く形成される。
次に、図9のように、銅箔層45をエッチングして所定の回路パターン40を形成し、回路パターン40は銀またはアルミニウムなどでメッキできる。
また、これとは異なり、図7の積層構造で銅箔層45をエッチングして回路パターン40を先に形成した後、図6の構造と熱圧着することも可能である。
図9のように形成される放熱回路基板は、絶縁層30を開放し、下部の金属プレート10と直接連結されている金属突起11が発熱素子60の実装パッドとして機能して、発熱素子60からの放出熱を直接金属プレート10に伝達して熱効率が高まる。
このような構造で放熱回路基板は、発熱素子60との接着性を高めるために、金属突起11の表面に銅を含むメッキを遂行する。
このように、表面に銅を含むメッキ層である接着層20が形成されることによって、図10のように、半田50クリームを金属突起11の表面接着層20の上に塗布した後、発熱素子60を実装し、熱処理して半田50クリームと接着層20との合金を誘導することによって、発熱素子60の接着を強固にすることができる。
このような放熱回路基板はバックライト用光源または照明用光源に用いられ、特に熱放出の多い発光ダイオードパッケージを実装してバックライト用光源または照明用光源に使用する場合、発光ダイオードパッケージからの放出熱を金属突起11を通じて外部に放出することによって、銅の以外の金属基板を使用しながらも高い熱放出効率及び素子接着性を有する回路基板を提供することができる。
一方、図2の放熱回路基板は、図3乃至図10と異なる方法でも形成することができる。
以下、図11乃至図16を参照して図2の放熱回路基板を製造する他の方法を説明する。
図11の金属原板10aを用意し、原板10aに図12のように金属突起11及び金属プレート10を形成する。
この際、金属原板10aは熱伝導度の良いアルミニウム、ニッケル、金、白金などを含む合金のうちの1つでありえ、半田50と接着力の低い金属でありうる。
金属突起11は、金属原板10aを圧延工程を通じて所定のモールディングにより形成し、または、金属原板10aをエッチングして形成することができる。
この際、金属突起11の高さは後で形成される絶縁層30の厚さを考慮して絶縁層30の厚さと等しいかより大きく形成する。
次に、図13のように、金属プレート10及び金属突起11の表面に接着層20を形成する。
接着層20は銅またはニッケルを含む合金をメッキして形成することができ、金属プレート及び金属突起11の表面を亜鉛酸塩などの金属塩で化学処理した後、銅またはニッケルを含む合金でメッキすることによって形成する。
次に、図14のように金属プレート10の上に絶縁層30を形成する。
絶縁層30は、エポキシ系樹脂を含む絶縁性物質を金属突起11の高さと等しいか小さい厚さを有し、金属突起11が露出するように塗布して形成する。
次に、図15のように、銅箔層45を絶縁層30の上に形成し、熱圧着して絶縁層30を硬化する。
この際、金属突起11が絶縁層30より突出している場合、銅箔層45は金属突起11を露出するように金属突起11の面積と同一のサイズのホール(図示せず)を含むことができる。
次に、図16のように、銅箔層45をエッチングして所定の回路パターン40を形成し、回路パターン40は銀またはアルミニウムなどでメッキできる。
この際、銅箔層45が金属突起11の上部を覆っている場合、回路パターン40の形成時、金属突起11を露出するように銅箔層45をエッチングする。
第2方法によれば、絶縁層30を1つの層に形成し、銅箔層45を直接絶縁層30の上に形成することによって、製造工程を減らすことができる。
また、図16のように形成されている放熱回路基板は、絶縁層30を露出し、下部の金属プレート10と直接連結されている金属突起11が発熱素子60の実装パッドとして機能することによって、発熱素子60からの放出熱を直接金属プレート10に伝達して熱効率が高まる。
このような構造で放熱回路基板は発熱素子60との接着性を高めるために金属突起11の表面に銅を含むメッキを遂行する。
このように、表面に銅を含むメッキ層である接着層20が形成されることによって、図2のように、半田50クリームを金属突起11の表面に塗布した後、発熱素子60を実装し、熱処理して半田50クリームと接着層20との合金を誘導することによって、発熱素子60の接着性を高めることができる。
以下、図17を参照して本発明の他の実施形態に従う放熱回路基板を説明する。
図17は、本発明の第2実施形態に従う放熱回路基板の断面図である。
図17を参照すると、本発明の第2実施形態に従う放熱回路基板200は、金属プレート110、金属プレート110の上に形成される接着層120、金属プレート110の上に形成される絶縁層130、及び絶縁層130の上に形成される回路パターン140を含む。
金属プレート110は、熱伝導度の良いアルミニウム、ニッケル、金、白金などを含む合金のうちの1つでありうる。
金属プレート110は、発熱素子160を実装する金属突起111を含む。
金属突起111は、金属プレート110から延長されて垂直に突出しており、上面に発熱素子160を実装するための半田150が位置しえる所定の面積を有して形成される。
金属突起111の上面のみに選択的に接着層120が形成される。
接着層120は、金属プレート110から突出している金属突起111と半田150との間の接着力を高めるためのものであって、半田150と接着性の良い物質である銅を含む合金、好ましくは銅またはニッケルを含む合金で金属突起111を選択的にメッキ処理したメッキ層でありうる。
金属プレート110の上に絶縁層130が形成される。
絶縁層130は金属突起111を開放しながら形成されており、熱伝導度(約0.2〜0.4W/mk)の低いエポキシ系絶縁樹脂を含むことができ、また、熱伝導度が相対的に高いポリイミド系樹脂を含むこともできる。
絶縁層130は、図2のようにメッキ層が形成される金属突起111の高さと同一の厚さで形成され、また、金属突起111の高さより薄い厚さで形成できる。
絶縁層130は単一層に形成することもできるが、複数の層に形成することもでき、複数の層に形成する場合、各層の物質は互いに異なることがある。
絶縁層130の上に複数の回路パターン140が形成されている。
回路パターン140は、絶縁層130の上に積層されている導電層をパターニングして形成される。
回路パターン140は電気伝導度が高く、抵抗が低い物質で形成するが、薄い銅層である銅箔を導電層としてパターニングして形成できる。
回路パターン140は薄い銅層をシード層として銀またはアルミニウムメッキすることができる。
一方、金属プレート110の金属突起111は発熱素子実装パッドであって、金属突起111の上に実装のための半田150が形成されており、半田150の上に発熱素子160が形成されている。
このような半田150は有鉛または無鉛半田クリームを金属突起111の上に塗布し、発熱素子160を実装した後、熱処理して形成することができる。
金属突起111の上に発熱素子160、例えば、発光ダイオードパッケージのような発光素子はワイヤー165のボンディングにより回路パターン140と電気的に連結できる。
このように、金属突起111の上面が絶縁層130により外部に露出して発熱素子の実装パッドとして使用することによって、別途の実装パッドを形成せずに、下の金属プレート110との直接連結が可能であるので放熱性が高まる。
また、金属突起111の表面を半田150との接着力の良い銅またはニッケルを含む合金でメッキして銅の以外の金属で金属プレート110を形成する場合、半田150との接着力を高めることができる。
したがって、銅より値段の低いアルミニウムなどを金属プレート110に使用しながらも放熱性及び半田150の接着性を確保することができ、金属突起111の上に選択的に接着層120を形成することによって、費用を減らすことができる。
図17に図示する放熱回路基板200も図3乃至図16で説明する製造方法により製造できることは自明である。
以下、本発明に従う放熱回路基板の接着層20の効果について図18a乃至図19cを参照して説明する。
図18aは本発明の対照群の構成図であり、図19a及び図19bは対照群の状態変化を示す写真であり、図18bは本発明に従う実験群の構成図であり、図19c及び図19dは実験群の状態変化を示す写真である。
図18aの対照群の放熱回路基板300は、図2のように金属突起211が形成されているアルミニウムプレート210及び絶縁層230、絶縁層230の上に回路パターン240を含み、金属突起211の上に半田250が形成されている。
19aは、図18aの放熱回路基板300の上面を撮影した写真であって、所定時間経過後、図19bのように金属突起211から半田250が分離される。
金属突起211が銅を含まないアルミニウムを含む合金で形成されているので、半田250と合金が形成されないことで、接着力が低くなる。
一方、図18b、図19c、及び図19dを参照して本発明に従う放熱回路基板100を説明すれば、図18bのように、図2に図示されている放熱回路基板100の場合、アルミニウムプレート10を使用し、アルミニウムプレート10の上に銅を含む合金で金属突起11の表面をメッキして接着層20を形成したものである。
19cのように、金属突起11に半田50を形成した後、所定時間が経過しても半田50が金属突起11から脱着されず、金属突起11の表面接着層20と半田50とが合金を形成しながら接着されていることを確認することができる。
このように、本発明によれば、銅を含まない金属プレートを用いて放熱突起を形成しながら熱効率及び経済性を確保する一方、発熱素子実装パッドとして使われる金属突起の表面に銅を含む合金でメッキして半田との接着性を高めることができる。
以下、図20乃至図27を参照して本発明の第3実施形態に従う放熱回路基板を説明する。
図20は、本発明の第3実施形態に従う放熱回路基板の断面図である。
図20を参照すると、本発明の第3実施形態に従う放熱回路基板300は、金属プレート10、金属プレート10の上に形成される絶縁層30、及び絶縁層30の上に形成される回路パターン40を含む。
第3実施形態の構成のうち、第1実施形態と同一の構成に対する説明は省略する。
金属プレート10は、発熱素子60を実装する金属突起11を含む。
金属突起11は、金属プレート10から延長されて垂直に突出しており、上面に発熱素子60を実装するための半田50が位置できる所定の面積を有するように第1幅d1を有して形成される。
金属プレート10の上に絶縁層30が形成されている。
絶縁層30は、強化繊維、ガラス繊維、またはフィラーなどの固形成分21を樹脂に含浸させて形成するプリプレグを硬化して形成することができる。
金属突起11から近接した領域に所定厚さ(Δd)で金属突起11の側面を囲む側面絶縁層80が形成されている。
この際、側面絶縁層80は金属突起11を基準に互いに異なる厚さ(Δd)を有するように形成することもできる。
側面絶縁層80は、絶縁層30から延長して、金属突起11の高さと同一の高さで形成されており、絶縁層30の固形成分21を含まず、樹脂のみで形成される。
図20のように、側面絶縁層80は樹脂のみで構成されて金属突起11を囲みながら第1幅d1より大きい第2幅d2を有するように所定厚さ(Δd)で形成され、絶縁層30は側面絶縁層80から延長して金属プレート10の平面の上に固形成分21と樹脂を全て含んで形成される。
この際、絶縁層30の固形成分21から側面絶縁層80までの距離は約100μm以下を満たす。
絶縁層30は、金属突起11の高さと同一の厚さで形成され、図2のように、金属突起11の高さより小さな厚さで形成されて、側面絶縁層80より低く形成できる。
絶縁層30の上に複数の回路パターン40が形成される。
回路パターン40は、絶縁層30の上に積層されている導電層をパターニングして形成され、金属突起11より低く形成できる。
一方、金属プレート10の金属突起11は発熱素子実装パッドであって、金属突起11の上に実装のための半田50が形成されており、半田50の上に発熱素子60が形成される。
絶縁層30から金属突起11の側面を囲む側面絶縁層80を形成することによって、金属突起11と隣り合う回路パターン40の間に電気絶縁性を確保することができる。
以下、図21乃至図34を参照して図20の放熱回路基板を製造する方法を説明する。
まず、図21のように、金属原板10aを用意し、金属原板10aに図22のように金属突起11及び金属プレート10を形成する。
金属突起11は第1幅d1を有し、金属原板10aを圧延工程を通じて所定のモールディングにより形成し、または、金属原板10aをエッチングして形成することができる。
次に、図23のように金属プレート10の上に絶縁層30を形成する。
絶縁層30は、強化繊維、ガラス繊維、またはフィラーなどの固形成分21がエポキシ系樹脂などの樹脂に含浸されているプリプレグを金属プレート10の上に塗布することによって形成することができる。
この際、プリプレグは金属突起11を露出する開口部30aを有するように形成する。
開口部30aは、金属突起11の第1幅d1より大きい第2幅d2を有するように形成され、開口部30aの側面から金属突起11までの離隔距離(Δd)は次の数式を満たす。
〔数式〕
(Δd)=d2−d1/2
離隔距離(Δd)はプリプレグの上に銅箔層45を含む積層構造を熱圧着する時、プリプレグの樹脂が熱圧着により金属突起11に向けて流れながら金属突起11の側面を囲んで形成される側面絶縁層80の厚さと同一である。
この際、プリプレグ開口部30aと金属突起11の整列時、微差によって金属突起11から互いに異なる離隔距離(Δd)を有するようにプリプレグが形成できる。
一方、開口部30aの第2幅d2はプリプレグ厚さに対して少なくとも80倍以上の大きさを有することができ、熱圧着の温度及び圧力によって変更できる。
次に、図24のように銅箔層45を用意する。
図24の銅箔層45は、銅箔開口部45aを有するように形成される。
即ち、銅箔層45は絶縁層30の開口部30aの幅と同一の第2幅d2を有するように形成された銅箔開口部45aを含む。
銅箔開口部45aの形成は物理的な加工により遂行され、ドリル加工またはレーザー加工により形成できる。
次に、図25のように、銅箔開口部45aが絶縁層30の上に突出している金属突起11を露出するように整列しながら銅箔層45が絶縁層30の上に位置するように熱圧着して一体化させる。
したがって、絶縁層30の厚さが金属突起11の高さと等しいかより低く形成される。
この際、銅箔層45と金属プレート10との熱圧着により絶縁層30をなすプリプレグが硬化され、熱圧着時、圧力によりプリプレグから樹脂が金属突起11に向けて流れることによって、樹脂が絶縁層30の開口部30a及び銅箔開口部45aを埋める。
プリプレグ樹脂が絶縁層30の開口部30a及び銅箔層45の開口部45aを埋めた状態で硬化されることで、絶縁層30から延長されて、金属突起11を囲む側面絶縁層80が形成され、側面絶縁層80の以外の絶縁層30は樹脂と固形成分21とが混合されて硬化されている。
この際、図25のように、樹脂の一部80aが金属突起11の上面及び銅箔層45の上面を覆う場合、図26のように、金属突起11の上面及び銅箔層45の上面を露出するように樹脂を除去する。金属突起11及び銅箔層45の上面を露出する工程は、絶縁層30のスミアを除去するためのデスミア工程を通じて遂行することができる。
次に、図27のように銅箔層45をエッチングして所定の回路パターン40を形成し、回路パターン40は銀またはアルミニウムなどでメッキできる。
図28のように形成されている放熱回路基板100は、絶縁層30を露出し、下部の金属プレート10と直接連結されている金属突起11が発熱素子60の実装パッドとして機能することによって、発熱素子60からの放出熱を直接金属プレート10に伝達して熱効率が高まる。
このような構造で放熱回路基板100の製造時、絶縁層30を金属突起11より大きい開口部30aを有するように形成した後、熱圧着させることによって、絶縁層30の樹脂が流れて側面絶縁層80を形成することができる。
したがって、側面絶縁層80により金属突起11と隣り合う回路パターン40の間の電気絶縁性が確保される。
このような放熱回路基板100は、バックライト用光源または照明用光源に用いられ、特に熱放出の多い発光ダイオードパッケージを実装してバックライト用光源または照明用光源に使用する場合、発光ダイオードパッケージからの放出熱を金属突起11を通じて外部に放出する金属突起11の上面面積を確保して放熱性及び接着性を高めて、側面絶縁層80により絶縁性が確保されて信頼性が高まる。
一方、図20の放熱回路基板100は他の方法でも形成することができる。
以下、図28乃至図34を参照して図20の放熱回路基板を製造する他の方法を説明する。
まず、図28のように、金属原板10aを用意し、原板10aに図29のように金属突起11及び金属プレート10を形成する。
この際、金属原板10aは熱伝導度の良い銅、アルミニウム、ニッケル、金、白金などを含む合金のうちの1つでありうる。
金属突起11は、金属原板10aを圧延工程を通じて所定のモールディングにより形成し、または、金属原板10aをエッチングして形成することができる。
この際、金属突起11の高さは後で形成される絶縁層30の厚さを考慮して絶縁層30の厚さと等しいかより厚く形成する。
次に、図30のように銅箔層45を含む絶縁層30を用意する。
銅箔層45を含む絶縁層30の構造は、従来型のCL(Cupper clad laminate)でありえ、これとは異なり、銅箔層45の上に絶縁層30をペースト状態で塗布して形成することもできる。
絶縁層30は、強化繊維、ガラス繊維、またはフィラーなどがエポキシ系樹脂などの樹脂に含浸されているプリプレグでありうる。
この際、プリプレグは金属突起11を露出する開口部30aを有するように形成し、銅箔層45はやはり開口部30aと整列する銅箔開口部45aを含む。開口部30a及び銅箔開口部45aは化学的エッチングまたはレーザーエッチングを通じて形成し、または、物理的加工法、例えばパンチングなどを通じて形成することができる。
開口部30a及び銅箔開口部45aは、金属突起11の第1幅d1より大きい第2幅d2を有するように形成され、開口部30a、45aの側面から金属突起11までの離隔距離(Δd)は、次の数式を満たす。
〔数式〕
(Δd)=d2−d1/2
離隔距離(Δd)は積層構造を絶縁プレート10と熱圧着する時、プリプレグ樹脂が熱圧着により金属突起11に向けて流れながら金属突起11の側面を囲んで形成される側面絶縁層80の幅と同一である。
一方、開口部30aの第2幅d2はプリプレグ厚さに対して少なくとも80倍以上の大きさを有することができ、熱圧着の温度及び圧力によって変更できる。
次に、図31のように絶縁層30の開口部30aと銅箔開口部45aが金属突起11を露出するように整列しながら熱圧着して一体化させる。
この際、絶縁層30と金属プレート10との熱圧着により絶縁層30をなすプリプレグが硬化され、プリプレグから樹脂が金属突起11に向けて流れることによって、絶縁層30の開口部30a及び銅箔開口部45aを埋める。
樹脂が絶縁層30の開口部30aを埋めた状態で硬化することで、絶縁層30から延長され、金属突起11を囲む側面絶縁層80が形成され、側面絶縁層80の以外の絶縁層30は樹脂と固形成分21とが混合して硬化される。
この際、図31のように側面絶縁層80の樹脂の一部80aが金属突起11の上面を覆う場合、図32のように金属突起11の上面を露出するように樹脂を除去することによって、側面絶縁層80の高さと金属突起11の高さとを同一に形成する。
金属突起11の上面を露出する工程は、絶縁層30のスミア(残渣)を除去するためのデスミア工程を通じて遂行することができる。
次に、図33のように、絶縁層30の上の銅箔層45を所定のパターンでエッチングして回路パターン40を形成し、図34のように、露出している金属突起11の上面に半田50クリームを塗布し、図20のように、発熱素子60を実装した後、熱処理することができる。
図34のように形成された放熱回路基板100は、絶縁層30を露出し、下部の金属プレート10と直接連結された金属突起11が発熱素子60の実装パッドとして機能することによって、発熱素子60からの放出熱を直接金属プレート10に伝達して熱効率が高まる。
以下、図35を参照して本発明の第2実施形態に従う放熱回路基板を説明する。
図35は、本発明の第4実施形態に従う放熱回路基板の断面図である。
図35を参照すると、本発明の第4実施形態に従う放熱回路基板400は、金属プレート10、金属プレート10の上に形成される接着層20、接着層20の上に形成される絶縁層30の上に形成される回路パターン40を含む。
本発明の第4実施形態に従う放熱回路基板400は、金属プレート10の上に接着層20が形成されている。
接着層20は金属プレート10から突出している金属突起11と半田50との間の接着力を高めるためのものであって、半田50と接着力の良い物質である銅を含む合金、好ましくは銅またはニッケルを含む合金で金属プレート10をメッキ処理したメッキ層でありうる。
絶縁層30及び側面絶縁層80の構成は図20と同一である。
金属突起11の上にメッキで接着層20を形成して半田50との接着性を確保することができる。
図35で図示する放熱回路基板400も前述した方法により製造できることは自明である。
このように、本発明の放熱回路基板は製造工程の上で発生できる誤差を補完して金属突起と隣り合う回路パターンとの絶縁を確保する。
以下、図36を参照して本発明が適用されている放熱回路基板を説明する。
図36は、図20の放熱回路基板の適用例を示す断面図である。
図36を参照すると、本発明に従う放熱回路基板は、金属プレート210、金属プレート210の上に形成される絶縁層220の上に形成される回路パターン240を含み、各々の構成は図20と同一である。
絶縁層220は、強化繊維、ガラス繊維、またはフィラーなどの固形成分221を樹脂に含浸させて形成するプリプレグを硬化して形成することができる。
この際、金属突起211から近接した領域に絶縁層220から延長して金属突起211を囲み、固形成分221を含まず、樹脂のみを含む側面絶縁層230が形成される。
側面絶縁層230は、金属突起211の高さと同一の高さに形成される。
一方、金属プレート210の金属突起211は発熱素子260の実装パッドであって、金属突起211または回路パターン240の上に実装のための半田250が形成されており、半田250の上に発熱素子260が形成される。
この際、図28の放熱回路基板200は、絶縁プレート210の加工時、加工偏差により金属突起211の左側と右側の段差が互いに異なるように形成できる。
図36の放熱回路基板の製造工程は、次の通りである。
絶縁層220のプリプレグと回路パターン240を形成するための銅箔層を図21乃至図34のように絶縁プレート210と熱圧着して、絶縁層220と銅箔層の開口部をプリプレグ樹脂で埋めることによって、側面絶縁層230を形成する。
この際、両方の段差が互いに異なる場合、絶縁層220の高さが一定に維持されるように熱圧着して絶縁層220の厚さを互いに異なるように形成する。次に、金属突起211及び銅箔層を覆う樹脂を除去し、銅箔層をエッチングして回路パターン240を形成すれば、回路パターン240は両方が同一の高さに形成できる。
したがって、両方の回路パターン240が互いに異なる高さを有することによって、半田250を形成し、発熱素子260を付着する時、力が非対称に作用して付着が不完全に進行することを防止することができる。
また、工程の偏差にも関わらず、回路パターン240と金属突起211との高さが同一に形成されることによって、側面絶縁層230による金属突起211と隣り合う回路パターン240との間の絶縁を確保することができる。
以下、本発明に従う放熱回路基板の効果について図37a及び図37bを参照して説明する。
図37aは本発明に対する対照群の写真であり、図37bは図20の放熱回路基板の上面写真である。
図37aは、本発明の放熱回路基板とは異なり、金属突起が形成されている金属プレートに絶縁プリプレグを塗布しながら、金属突起を露出する開口部が金属突起の幅と同一の幅を有するように形成し、後工程を遂行しない場合の上面を示す。
図37aの放熱回路基板のように、開口部と金属突起との間に余裕空間がない場合、プリプレグ熱圧着時、プリプレグの樹脂が金属突起に乗り上がって金属突起の露出面積を減らす。
一方、本発明の図20の放熱回路基板300のように金属突起11の幅より広い開口部30aを有するように絶縁層30を形成する場合、絶縁層30の熱圧着後に金属突起11の側面に側面絶縁層30を形成しながら、後工程により金属突起11の上面を露出することによって、図37bのように金属突起11の面積が確保されることを確認することができる。
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるものではなく、次の請求範囲で定義している本発明の基本概念を用いた当業者のさまざまな変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属するものである。

Claims (6)

  1. 発熱素子を実装する放熱回路基板であって、
    前記発熱素子を付着する半田が形成される金属突起を含む金属プレートと、
    前記金属突起を含む前記金属プレートの上に形成されている接着層と、
    前記金属プレートの接着層の上に前記金属突起の側面を囲み、前記金属突起の上の接着層の上面を露出し、固形成分を含ま樹脂のみで形成される第1絶縁層と、
    前記金属プレートの接着層の上に形成され、前記第1絶縁層の側面を囲み、前記金属突起の上の接着層の上面を露出し、前記固形成分及び前記樹脂を両方とも含んで形成される第2絶縁層と、
    前記第2絶縁層の上に形成されている回路パターンと、を含み、
    前記第1絶縁層は、前記金属突起及び前記金属突起の上の接着層の高さと同一の高さを有し、上面が前記金属突起の上の接着層の上面と同一平面上に位置し、
    前記第2絶縁層は、前記第1絶縁層より薄く、上面が前記金属突起及び前記第1絶縁層の上面より低く位置し、
    前記半田は、前記金属突起の上の接着層の上に形成された第1部分と、前記第1絶縁層の上に形成された第2部分とを含むことを特徴とする、放熱回路基板。
  2. 前記接着層は、前記半田との接着性の高い銅またはニッケルを含む合金を含むことを特徴とする、請求項1に記載の放熱回路基板。
  3. 前記金属プレートは、アルミニウムを含む合金で形成されていることを特徴とする、請求項1又は2に記載の放熱回路基板。
  4. 前記接着層は、前記金属突起の上面のみに選択的に形成されていることを特徴とする、請求項1ないし3のいずれか一項に記載の放熱回路基板。
  5. 前記固形成分は、強化繊維、ガラス繊維、またはフィラーを含むことを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項に記載の放熱回路基板。
  6. 前記金属突起を中心に前記金属プレートの厚さが互いに異なることを特徴とする、請求項1に記載の放熱回路基板。
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