JP5993632B2 - GaN系半導体装置 - Google Patents
GaN系半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5993632B2 JP5993632B2 JP2012147129A JP2012147129A JP5993632B2 JP 5993632 B2 JP5993632 B2 JP 5993632B2 JP 2012147129 A JP2012147129 A JP 2012147129A JP 2012147129 A JP2012147129 A JP 2012147129A JP 5993632 B2 JP5993632 B2 JP 5993632B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gan
- layer
- anode
- field effect
- effect transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Description
上記電界効果トランジスタのソース電極にオーミックコンタクトしたアノードを有するショットキーバリアダイオードと
を備え、
上記電界効果トランジスタと上記ショットキーバリアダイオードは、
GaN系の横型デバイスであり、
上記ショットキーバリアダイオードのアノードと上記電界効果トランジスタのゲート電極とが上記ゲート電極の幅方向に交互に配置されており、
上記電界効果トランジスタのゲート電極の幅方向に上記電界効果トランジスタと上記ショットキーバリアダイオードの両方に亘って延在していると共に上記電界効果トランジスタのドレイン電極と上記ショットキーバリアダイオードのカソードとを兼ねる共通電極を有していると共に、
上記電界効果トランジスタのゲート電極と、
上記ゲート電極からゲート幅方向に上記ショットキーバリアダイオードを横切るように連なっており、上記ショットキーバリアダイオードのアノードの下の領域に亘って延在している連続部と
を有するゲート電極連続体を備えることを特徴としている。
また、上記ゲート電極を、上記ショットキーバリアダイオードに重ならないように切断する工程が不要になるので、製造工程が簡単になる。
GaN系半導体層であるチャネル層と、
上記チャネル層上に形成されたGaN系半導体層であるバリア層と
を備え、
上記バリア層は、
表面から上記チャネル層に向かって窪んだ凹部もしくは上記チャネル層を露出させる開口が形成され、
上記ショットキーバリアダイオードのアノードは、
上記バリア層の凹部もしくは開口内まで延在している。
上記ショットキーバリアダイオードのアノードの幅が、隣り合うアノード間の間隔以下であり、
上記ショットキーバリアダイオードのアノードの幅が、100μm以下である。
図1は、この発明のGaN系半導体装置の第1実施形態を示す平面図である。また、図2は、図1のA‐A線断面を示す断面図であり、図3は、図1のB‐B線断面を示す断面図である。
図18は、上記第1実施形態に関する第1のシミュレーション結果を示すグラフである。図18では、上記GaN系半導体装置のHFET1のオン抵抗R2と図21の従来例のトランジスタのオン抵抗R1との比R2/R1を縦軸とし、横軸をアノード間の間隔Waa(μm)としている。なお、上記従来例では、ゲート電極の幅をアノードの幅と等しくした。
図19は、上記第1実施形態に関する第2のシミュレーション結果を示すグラフである。図19では、上記GaN系半導体装置のHFET1のオン抵抗R2と従来例のトランジスタのオン抵抗R1との比R2/R1を縦軸とし、横軸をアノード間の間隔Waa(μm)としている。なお、上記従来例では、ゲート電極の幅をアノードの幅と等しくした。
図20は、上記第1実施形態に関する第3のシミュレーション結果を示すグラフである。図20では、上記GaN系半導体装置のSBD2のオン抵抗R20と従来例のショットキーバリアダイオードのオン抵抗R10との比R20/R10を縦軸とし、横軸をアノード間の間隔Waa(μm)としている。なお、上記従来例では、ゲート電極の幅をアノードの幅と等しくした。
次に、図11、図12を参照して、この発明のGaN系半導体装置の第2実施形態を説明する。図11は、この発明のGaN系半導体装置の第2実施形態を示す平面図であり、図12は、図11のD‐D線断面を示す断面図である。
次に、図13、図14を参照して、この発明のGaN系半導体装置の第2実施形態を説明する。図13は、この発明のGaN系半導体装置の第3実施形態を示す平面図であり、図14は、図13のE‐E線断面を示す断面図である。
次に、図15〜図17を参照して、この発明のGaN系半導体装置の第4実施形態を説明する。図15は、この発明のGaN系半導体装置の第4実施形態を示す平面図であり、図16は、図15のF‐F線断面を示す断面図である。また、図17は、図15のG‐G線断面を示す断面図である。
2,32,72 ショットキーバリアダイオード(SBD)
11 アンドープAlxGa1−xNテンプレート層
12 アンドープAlyGa1−yN層
13 アンドープGaNチャネル層
14,54 アンドープAlzGa1−zNバリア層
15 2次元電子ガス(2DEG)層
18,38 GaNメサ層
19,37,80 絶縁膜
19A 開口部
21,41,51,77 アノード
22,42 ゲート電極
23 ソース電極
25 共通電極
118 アンドープGaN層
44 連続部
45 ゲート電極連続体
75 アノード連続体
76 連続部
Wa アノード幅
Waa アノード間間隔
Lg ゲート長
Lgs ゲート電極‐ソース電極間距離
Claims (4)
- 電界効果トランジスタと、
上記電界効果トランジスタのソース電極にオーミックコンタクトしたアノードを有するショットキーバリアダイオードと
を備え、
上記電界効果トランジスタと上記ショットキーバリアダイオードは、
GaN系の横型デバイスであり、
上記ショットキーバリアダイオードのアノードと上記電界効果トランジスタのゲート電極とが上記ゲート電極の幅方向に交互に配置されており、
上記電界効果トランジスタのゲート電極の幅方向に上記電界効果トランジスタと上記ショットキーバリアダイオードの両方に亘って延在していると共に上記電界効果トランジスタのドレイン電極と上記ショットキーバリアダイオードのカソードとを兼ねる共通電極を有していると共に、
上記電界効果トランジスタのゲート電極と、
上記ゲート電極からゲート幅方向に上記ショットキーバリアダイオードを横切るように連なっており、上記ショットキーバリアダイオードのアノードの下の領域に亘って延在している連続部と
を有するゲート電極連続体を備えることを特徴とするGaN系半導体装置。 - 請求項1に記載のGaN系半導体装置において、
上記電界効果トランジスタは、ノーマリオフタイプであることを特徴とするGaN系半導体装置。 - 請求項1または2に記載のGaN系半導体装置において、
上記電界効果トランジスタおよびショットキーバリアダイオードは、
GaN系半導体層であるチャネル層と、
上記チャネル層上に形成されたGaN系半導体層であるバリア層と
を備え、
上記バリア層は、
表面から上記チャネル層に向かって窪んだ凹部もしくは上記チャネル層を露出させる開口が形成され、
上記ショットキーバリアダイオードのアノードは、
上記バリア層の凹部もしくは開口内まで延在していることを特徴とするGaN系半導体装置。 - 請求項1から3のいずれか1つに記載のGaN系半導体装置において、
上記電界効果トランジスタのゲート電極と上記共通電極との間の距離が、5μm以上であり、
上記ショットキーバリアダイオードのアノードの幅が、隣り合うアノード間の間隔以下であり、
上記ショットキーバリアダイオードのアノードの幅が、100μm以下であることを特徴とするGaN系半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012147129A JP5993632B2 (ja) | 2012-06-29 | 2012-06-29 | GaN系半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012147129A JP5993632B2 (ja) | 2012-06-29 | 2012-06-29 | GaN系半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014011317A JP2014011317A (ja) | 2014-01-20 |
JP5993632B2 true JP5993632B2 (ja) | 2016-09-14 |
Family
ID=50107735
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012147129A Active JP5993632B2 (ja) | 2012-06-29 | 2012-06-29 | GaN系半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5993632B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103109369B (zh) * | 2010-06-24 | 2016-04-06 | 富士通株式会社 | 半导体装置 |
CN105607369B (zh) | 2016-01-05 | 2019-03-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置 |
CN106024588A (zh) * | 2016-07-20 | 2016-10-12 | 中山大学 | 一种选择区域外延生长界面改善方法 |
CN108538866B (zh) * | 2018-06-13 | 2024-04-26 | 中山大学 | 一种高温环境原位探测GaN基功率器件工作温度的传感器及其制备方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5672756B2 (ja) * | 2010-04-16 | 2015-02-18 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置 |
-
2012
- 2012-06-29 JP JP2012147129A patent/JP5993632B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014011317A (ja) | 2014-01-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI770134B (zh) | 半導體裝置及半導體裝置之製造方法 | |
JP5776217B2 (ja) | 化合物半導体装置 | |
JP5564815B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP5825018B2 (ja) | 化合物半導体装置及びその製造方法 | |
JP6090764B2 (ja) | 窒化物半導体装置およびその製造方法 | |
US11462635B2 (en) | Nitride semiconductor device and method of manufacturing the same | |
JP5306438B2 (ja) | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 | |
JP5712583B2 (ja) | 化合物半導体装置及びその製造方法 | |
JP7426786B2 (ja) | 窒化物半導体装置 | |
JP2011204717A (ja) | 化合物半導体装置 | |
JP6496149B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2009060049A (ja) | 窒化物系化合物半導体装置 | |
WO2019187789A1 (ja) | 窒化物半導体装置 | |
WO2013108844A1 (ja) | 窒化物半導体装置 | |
JP2019169551A (ja) | 窒化物半導体装置 | |
JP5827529B2 (ja) | 窒化物半導体装置およびその製造方法 | |
JP5993632B2 (ja) | GaN系半導体装置 | |
JP2021190501A (ja) | 窒化物半導体装置 | |
JP5991000B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2014029991A (ja) | 窒化物半導体装置の電極構造および窒化物半導体電界効果トランジスタ | |
JP2013229458A (ja) | ヘテロ接合電界効果型トランジスタおよびその製造方法 | |
US10373833B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
US20220359669A1 (en) | Nitride semiconductor device and method of manufacturing the same | |
JP2016086108A (ja) | 化合物半導体装置 | |
JP6176677B2 (ja) | 窒化物半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150401 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160108 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160119 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160224 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160726 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160822 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5993632 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D03 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |