JP5984942B2 - メモリ装置を製造する方法および装置 - Google Patents
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Description
本実施形態の例を下記の各項目として示す。
[項目1]
基板上に複数のワード線構造体を形成する段階であって、前記複数のワード線構造体の個々のワード線構造体が、導電性材料を有するコントロールゲート及び該コントロールゲート上に形成された電気絶縁材料を有するキャップを含む段階と、
前記個々のワード線構造体の表面上にライナーを形成すべく電気絶縁材料を堆積する段階と、
前記ライナーの少なくとも一部を除去すべく前記ライナーをエッチングする段階と、
を含む、方法。
[項目2]
前記複数のワード線構造体を形成する段階は、
前記基板上に形成された電荷蓄積ノード層上にコントロールゲート層を形成するように導電性材料を堆積する段階と、
前記コントロールゲート層と結合されるキャップ層を形成すべく前記コントロールゲート層上に電気絶縁材料を堆積する段階と、
前記複数のワード線構造体及び複数の電荷蓄積ノードを規定すべく、前記キャップ層、前記コントロールゲート層及び前記電荷蓄積ノード層の少なくとも一部を除去する段階と、
を含む、項目1に記載の方法。
[項目3]
前記ライナーを形成するように電気絶縁材料を堆積する段階は、
前記コントロールゲート及び前記キャップの側壁面上及び前記キャップの上面上に電気絶縁材料を堆積する段階を含む、項目1または2に記載の方法。
[項目4]
前記ライナーをエッチングする段階は、
堆積された前記ライナーの前記電気絶縁材料を前記キャップの前記上面から実質的に除去するように異方性ドライエッチングプロセスを用いる段階を含む、項目3に記載の方法。
[項目5]
前記エッチングの後に、前記ライナーの前記電気絶縁材料が前記個々のワード線構造体の前記側壁面を実質的に被覆するように、前記エッチングにより、前記個々のワード線構造体の前記側壁面上の前記ライナーの前記電気絶縁材料の厚みを減少させる、項目4に記載の方法。
[項目6]
前記エッチングにより、前記個々のワード線構造体の前記側壁面上の前記ライナーの前記電気絶縁材料の厚みを20オングストロームから30オングストロームの厚みに減少させる、項目5に記載の方法。
[項目7]
前記基板が半導体材料を含み、前記エッチングすることにより前記基板の前記半導体材料の一部を除去する、項目1から6のいずれか1項に記載の方法。
[項目8]
前記ライナーをエッチングする段階の後に、前記複数のワード線構造体の前記個々のワード線構造体の間にエアギャップを形成する段階を含む、項目1から7のいずれか1項に記載の方法。
[項目9]
前記エアギャップを形成する段階が、
前記キャップの上面上に堆積された電気絶縁材料が前記個々のワード線構造体の間に配置されたエアギャップをブリッジして、前記個々のワード線構造体の間に前記エアギャップを形成するように、前記キャップの前記上面上に前記電気絶縁材料を選択的に堆積させる段階を含む、項目8に記載の方法。
[項目10]
前記ライナーは酸化ケイ素(SiO 2 )又は窒化ケイ素(SiN)を含み、
前記キャップは酸化ケイ素(SiO 2 )又は窒化ケイ素(SiN)を含み、
前記コントロールゲートは金属を含み、
前記基板はシリコン(Si)を含む、項目1から9のいずれか1項に記載の方法。
[項目11]
基板と、
前記基板上に形成された複数のワード線構造体であって、前記複数のワード線構造体の個々のワード線構造体が、導電性材料を有するコントロールゲート及び該コントロールゲート上に形成された電気絶縁材料を有するキャップを含む、複数のワード線構造体と、
前記コントロールゲートの側壁及び前記キャップの側壁を実質的に被覆するように形成された電気絶縁材料を有するライナーと、
を備える装置。
[項目12]
前記ライナーは酸化ケイ素(SiO 2 )又は窒化ケイ素(SiN)を含む、項目11に記載の装置。
[項目13]
前記ライナーは20オングストロームから30オングストロームの厚みを有する、項目11または12に記載の装置。
[項目14]
前記ライナーは前記キャップの上面を被覆しない、項目11から13のいずれか1項に記載の装置。
[項目15]
前記コントロールゲートは金属を含み、
前記キャップは酸化ケイ素(SiO 2 )又は窒化ケイ素(SiN)を含む、項目14に記載の装置。
[項目16]
前記装置は、エアギャップが前記個々のワード線構造体の間に形成されるように、前記キャップの前記上面上に形成された電気絶縁層を更に備え、前記ライナーが前記エアギャップのエアと直接接する、項目14または15に記載の装置。
[項目17]
前記個々のワード線構造体は前記基板上に形成されたトンネル誘電体上に形成され、
前記エアギャップは前記トンネル誘電体内に延びる、項目16に記載の装置。
[項目18]
前記トンネル誘電体上に形成された電荷蓄積ノードと、
前記電荷蓄積ノード上に形成されたインターポリ誘電体(IPD)積層体と、
を更に備え、
前記個々のワード線構造体は前記インターポリ誘電体(IPD)積層体上に形成される、項目17に記載の装置。
[項目19]
前記ライナーは最終製品のフラッシュメモリ装置、最終製品の相変化メモリ(PCM)装置又は最終製品の相変化メモリスイッチ(PCMS)装置の一部である、項目11から18のいずれか1項に記載の装置。
[項目20]
前記ライナーを含む、前記最終製品のフラッシュメモリ装置、前記最終製品の相変化メモリ(PCM)装置又は前記最終製品の相変化メモリスイッチ(PCMS)装置が携帯コンピューティング装置の一部である、項目19に記載の装置。
Claims (16)
- メモリ装置を製造する方法であって、
基板上に複数のワード線構造体を形成する段階であって、前記複数のワード線構造体の個々のワード線構造体が、導電性材料を有するコントロールゲート及び該コントロールゲート上に形成された電気絶縁材料を有するキャップを含む段階と、
前記個々のワード線構造体の表面上にライナーを形成すべく電気絶縁材料を堆積する段階と、
前記ライナーの少なくとも一部を除去すべく前記ライナーをエッチングする段階と、
前記ライナーをエッチングする段階の後に、前記複数のワード線構造体の前記個々のワード線構造体の間にエアギャップを形成する段階と、
を含み、
前記エアギャップを形成する段階が、
前記キャップの上面上に堆積された電気絶縁材料が前記個々のワード線構造体の間に配置されたエアギャップをブリッジして、前記個々のワード線構造体の間に前記エアギャップを形成するように、前記キャップの前記上面上に前記電気絶縁材料を選択的に堆積させる段階を含み、
前記基板が半導体材料を含み、前記エッチングすることにより前記基板の前記半導体材料の一部を除去し、
前記複数のワード線構造体を形成する段階は、
前記基板上に形成された電荷蓄積ノード層上にコントロールゲート層を形成するように導電性材料を堆積する段階と、
前記コントロールゲート層と結合されるキャップ層を形成すべく前記コントロールゲート層上に電気絶縁材料を堆積する段階と、
前記複数のワード線構造体及び複数の電荷蓄積ノードを規定すべく、前記キャップ層、前記コントロールゲート層及び前記電荷蓄積ノード層の少なくとも一部を除去する段階と、
を含む
製造方法。 - 前記ライナーを形成するように電気絶縁材料を堆積する段階は、
前記コントロールゲート及び前記キャップの側壁面上及び前記キャップの上面上に電気絶縁材料を堆積する段階を含む、請求項1に記載の製造方法。 - 前記ライナーをエッチングする段階は、
堆積された前記ライナーの前記電気絶縁材料を前記キャップの前記上面から実質的に除去するように異方性ドライエッチングプロセスを用いる段階を含む、請求項2に記載の製造方法。 - 前記エッチングの後に、前記ライナーの前記電気絶縁材料が前記個々のワード線構造体の前記側壁面を実質的に被覆するように、前記エッチングにより、前記個々のワード線構造体の前記側壁面上の前記ライナーの前記電気絶縁材料の厚みを減少させる、請求項3に記載の製造方法。
- 前記エッチングにより、前記個々のワード線構造体の前記側壁面上の前記ライナーの前記電気絶縁材料の厚みを20オングストロームから30オングストロームの厚みに減少させる、請求項4に記載の製造方法。
- 前記ライナーは酸化ケイ素(SiO2)又は窒化ケイ素(SiN)を含み、
前記キャップは酸化ケイ素(SiO2)又は窒化ケイ素(SiN)を含み、
前記コントロールゲートは金属を含み、
前記基板はシリコン(Si)を含む、請求項1から5のいずれか1項に記載の製造方法。 - 基板と、
前記基板上に形成された電荷蓄積ノードと、
前記電荷蓄積ノード上に形成された複数のワード線構造体であって、前記複数のワード線構造体の個々のワード線構造体が、導電性材料を有するコントロールゲート及び該コントロールゲート上に形成された電気絶縁材料を有するキャップを含む、複数のワード線構造体と、
前記コントロールゲートの側壁及び前記キャップの側壁を実質的に被覆するように形成された電気絶縁材料を有するライナーと、
前記キャップの上面上の電気絶縁層と、
前記個々のワード線構造体の間のエアギャップと、
を備え、
前記基板は、前記複数のワード線構造体の間に凹部領域を有する
装置。 - 前記ライナーは酸化ケイ素(SiO2)又は窒化ケイ素(SiN)を含む、請求項7に記載の装置。
- 前記ライナーは20オングストロームから30オングストロームの厚みを有する、請求項7または8に記載の装置。
- 前記ライナーは前記キャップの上面を被覆しない、請求項7から9のいずれか1項に記載の装置。
- 前記コントロールゲートは金属を含み、
前記キャップは酸化ケイ素(SiO2)又は窒化ケイ素(SiN)を含む、請求項10に記載の装置。 - 前記ライナーが前記エアギャップのエアと直接接する、請求項10または11に記載の装置。
- 前記個々のワード線構造体は前記基板上に形成されたトンネル誘電体上に形成される、請求項12に記載の装置。
- 前記トンネル誘電体上に形成された前記電荷蓄積ノードと、
前記電荷蓄積ノード上に形成されたインターポリ誘電体(IPD)積層体と、
を備え、
前記個々のワード線構造体は前記インターポリ誘電体(IPD)積層体上に形成される、請求項13に記載の装置。 - 前記ライナーは最終製品のフラッシュメモリ装置、最終製品の相変化メモリ(PCM)装置又は最終製品の相変化メモリスイッチ(PCMS)装置の一部である、請求項7から14のいずれか1項に記載の装置。
- 前記ライナーを含む、前記最終製品のフラッシュメモリ装置、前記最終製品の相変化メモリ(PCM)装置又は前記最終製品の相変化メモリスイッチ(PCMS)装置が携帯コンピューティング装置の一部である、請求項15に記載の装置。
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