JP5962475B2 - 炭化珪素半導体装置の製造方法及び炭化珪素半導体装置 - Google Patents
炭化珪素半導体装置の製造方法及び炭化珪素半導体装置 Download PDFInfo
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Description
まず、本発明の実施の形態1にかかる炭化珪素半導体装置の構成を説明する。図1は、本発明の実施の形態1にかかる炭化珪素半導体装置1を示す断面模式図である。なお、以下においては縦型のショットキバリアダイオード(以下、「SBD(Schottky barrier diode)」という。)を例にとって説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、電界効果型トランジスタ(MOSFET:Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)等の半導体装置であっても構わない。また、「炭化珪素」については、以下「SiC(Silicon Carbide)」と省略して呼ぶ。
Claims (6)
- 炭化珪素からなる半導体基板上に、第一の金属からなる金属層を形成する工程と、
前記金属層上に第二の金属を窒化した金属窒化膜を形成する工程と、
前記金属窒化膜を介してレーザ光を照射し、前記半導体基板の炭化珪素と前記金属層の前記第一の金属との合金層を形成する工程と、
前記金属窒化膜上に電極を形成する工程とを備え、
前記レーザ光を照射した場合の前記金属窒化膜の表面反射率は、前記レーザ光を前記金属層単体に照射した場合の表面反射率よりも小さい、
ことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 炭化珪素からなる半導体基板上に、第一の金属からなる金属層を形成する工程と、
前記金属層上に第二の金属を窒化した金属窒化膜を形成する工程と、
前記金属窒化膜を介してレーザ光を照射し、前記半導体基板の炭化珪素と前記金属層の前記第一の金属との合金層を形成する工程と、
前記金属窒化膜上に電極を形成する工程とを備え、
前記レーザー光の波長は、355nm又は532nmであり、
前記金属窒化膜の膜厚は、500nm以下である、
ことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記金属窒化膜は窒化チタンからなる、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記半導体基板はn型の炭化珪素からなり、
前記第一の金属はニッケルである、
ことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記金属窒化膜の膜厚は500nm以下である、
ことを特徴とする請求項4に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記金属窒化膜の膜厚は20nm以上で30nm以下である、
ことを特徴とする請求項5に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
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