JP5957294B2 - プリズム部材、テラヘルツ波分光計測装置、及びテラヘルツ波分光計測方法 - Google Patents

プリズム部材、テラヘルツ波分光計測装置、及びテラヘルツ波分光計測方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5957294B2
JP5957294B2 JP2012121923A JP2012121923A JP5957294B2 JP 5957294 B2 JP5957294 B2 JP 5957294B2 JP 2012121923 A JP2012121923 A JP 2012121923A JP 2012121923 A JP2012121923 A JP 2012121923A JP 5957294 B2 JP5957294 B2 JP 5957294B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
terahertz wave
measured
liquid
spectroscopic measurement
arrangement
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2012121923A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2013246132A (ja
Inventor
高一郎 秋山
高一郎 秋山
敬史 安田
敬史 安田
陽一 河田
陽一 河田
篤司 中西
篤司 中西
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hamamatsu Photonics KK
Original Assignee
Hamamatsu Photonics KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hamamatsu Photonics KK filed Critical Hamamatsu Photonics KK
Priority to JP2012121923A priority Critical patent/JP5957294B2/ja
Priority to PCT/JP2013/062765 priority patent/WO2013179856A1/ja
Priority to EP13796936.6A priority patent/EP2857827B1/en
Priority to US14/402,570 priority patent/US9417182B2/en
Publication of JP2013246132A publication Critical patent/JP2013246132A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5957294B2 publication Critical patent/JP5957294B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/25Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
    • G01N21/31Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
    • G01N21/35Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
    • G01N21/3581Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light using far infrared light; using Terahertz radiation
    • G01N21/3586Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light using far infrared light; using Terahertz radiation by Terahertz time domain spectroscopy [THz-TDS]
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/25Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
    • G01N21/31Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
    • G01N21/35Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
    • G01N21/3581Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light using far infrared light; using Terahertz radiation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Description

本発明は、テラヘルツ波を用いた透過型分光計測に用いられるプリズム部材、及びこれを用いたテラヘルツ波分光計測装置・テラヘルツ波分光計測方法に関する。
従来、テラヘルツ波を用いたテラヘルツ波分光計測装置に関連する技術として、例えば特許文献1に記載のテラヘルツ波分光計測装置がある。このテラヘルツ波分光計測装置では、内部全反射プリズムの入射面にテラヘルツ波発生素子が一体に設けられ、内部全反射プリズムの出射面にテラヘルツ波検出素子が一体に設けられている。このような内部全反射プリズムとテラヘルツ波発生素子とテラヘルツ波検出素子とを一体化した一体型プリズムを用いる場合、テラヘルツ波分光計測装置を小型化しつつ、高い効率でテラヘルツ波を計測できるという利点がある。
また、被測定物を透過したテラヘルツ波の状態を検出する透過型分光計測を行うための検出装置として、例えば特許文献2に記載の検出装置がある。この検出装置では、ポリスチレン板の両面を金属板で挟んだ積層体の両端面にテラヘルツ波発生素子とテラヘルツ波検出素子とが設けられている。ポリスチレン板の中央部分には、断面矩形の空隙が形成されており、この空隙に被測定物が充填されるようになっている。
特開2008−224449号公報 特開2006−184078号公報
被測定物を透過したテラヘルツ波の状態を計測する場合、テラヘルツ波が空気中を通過すると、空気中の水分による吸収の影響や、導波部材と空気との界面における反射ロスの影響により、測定精度が低下してしまうおそれがある。一方、テラヘルツ波を平行光化或いは集光化して被測定物を透過させる場合もある。そのため、被測定物を配置する部分の形状や被測定物の形状にかかわらず、上述した吸収の影響や反射ロスの影響を抑えた測定を可能にする工夫が求められている。
本発明は、上記課題の解決のためになされたものであり、被測定物の形状にかかわらず、分光計測の測定精度を向上させることができるプリズム部材、これを用いたテラヘルツ波分光計測装置及びテラヘルツ波分光計測方法を提供することを目的とする。
上記課題の解決のため、本発明に係るプリズム部材は、テラヘルツ波を用いた被測定物の透過型分光計測に用いられるプリズム部材であって、ポンプ光の入射によってテラヘルツ波を発生させるテラヘルツ波発生素子が配置された入射面と、被測定物が配置される配置部と、配置部内の被測定物を透過したテラヘルツ波とプローブ光との相関を検出するテラヘルツ波検出素子が配置された出射面と、入射面から入射したテラヘルツ波を配置部に向けて平行光化又は集光する第1光学面と、配置部を通ったテラヘルツ波を出射面に向けて集光する第2光学面と、を有し、配置部は、被測定物が不溶性を示す液体を充填可能な凹部をなしていることを特徴としている。
このプリズム部材では、被測定物が配置される配置部が凹部であり、被測定物が不溶性を示す液体を凹部に充填することが可能となっている。このため、第1光学面を経て配置部を通り、第2光学面に向かうテラヘルツ波の経路において、テラヘルツ波が空気中を通ることを回避できる。したがって、空気中の水分による吸収の影響を排除でき、分光計測の測定精度を向上できる。凹部の形状は、被測定物の形状等に応じて種々変更が可能であるが、形状が異なっても凹部を液体で簡便に満たすことができるので、測定の利便性が保たれる。
また、凹部は、第1光学面からのテラヘルツ波を被測定物に向けて屈折させる第1屈折面と、被測定物を通ったテラヘルツ波を第2光学面に向けて屈折させる第2屈折面とを含んでいることが好ましい。屈折率が異なる媒質の界面で光を屈折させる場合、界面に対する入射角を適切に設定すると、界面に対し垂直に光を入射させ、屈折させずに界面を透過させる場合よりも光の反射ロスを低減することができる。このため、凹部が第1屈折面を含んでいると、第1光学面から被測定物に向かうテラヘルツ波の反射ロスを低減でき、凹部が第2屈折面を含んでいると、被測定物を通って第2光学面に向かうテラヘルツ波の反射ロスを低減できる。したがって、テラヘルツ波の反射ロスの影響をより確実に排除でき、分光計測の測定精度を更に向上できる。
また、被測定物は固体であり、配置部は、被測定物を支持する支持部を有していることが好ましい。これにより、被測定物が固体である場合に、配置部内での被測定物の姿勢を安定させることができ、測定精度をより向上させることができる。
また、被測定物は液体であり、配置部は、被測定物を入れたセルを支持する支持部を有していることが好ましい。これにより、被測定物が液体である場合に、配置部への被測定物の配置及び取り出しが容易となる。
また、本発明に係るテラヘルツ波分光計測装置は、テラヘルツ波を用いた被測定物の透過型分光計測を行うテラヘルツ波分光計測装置であって、レーザ光を出射する光源と、光源から出射されたレーザ光をポンプ光とプローブ光とに分岐する分岐部と、被測定物の配置部を有するプリズム部材と、を備え、プリズム部材は、ポンプ光の入射によってテラヘルツ波を発生させるテラヘルツ波発生素子が配置された入射面と、配置部内の被測定物を透過したテラヘルツ波とプローブ光との相関を検出するテラヘルツ波検出素子が配置された出射面と、入射面から入射したテラヘルツ波を配置部に向けて平行光化又は集光する第1光学面と、配置部を通ったテラヘルツ波を出射面に向けて集光する第2光学面と、を有し、配置部は、被測定物が不溶性を示す液体を充填可能な凹部をなしていることを特徴としている。
このテラヘルツ波分光計測装置では、プリズム部材において被測定物が配置される配置部が凹部であり、被測定物が不溶性を示す液体を凹部に充填することが可能となっている。このため、第1光学面を経て配置部を通り、第2光学面に向かうテラヘルツ波の経路において、テラヘルツ波が空気中を通ることを回避できる。したがって、空気中の水分による吸収の影響を排除でき、分光計測の測定精度を向上できる。凹部の形状は、被測定物の形状等に応じて種々変更が可能であるが、形状が異なっても凹部を液体で簡便に満たすことができるので、測定の利便性が保たれる。
また、凹部は、第1光学面からのテラヘルツ波を被測定物に向けて屈折させる第1屈折面と、被測定物を通ったテラヘルツ波を第2光学面に向けて屈折させる第2屈折面とを含んでいることが好ましい。屈折率が異なる媒質の界面で光を屈折させる場合、界面に対する入射角を適切に設定すると、界面に対し垂直に光を入射させ、屈折させずに界面を透過させる場合よりも光の反射ロスを低減することができる。このため、凹部が第1屈折面を含んでいると、第1光学面から被測定物に向かうテラヘルツ波の反射ロスを低減でき、凹部が第2屈折面を含んでいると、被測定物を通って第2光学面に向かうテラヘルツ波の反射ロスを低減できる。したがって、テラヘルツ波の反射ロスの影響をより確実に排除でき、分光計測の測定精度を更に向上できる。
また、被測定物は固体であり、配置部は、被測定物を支持する支持部を有していることが好ましい。これにより、被測定物が固体である場合に、配置部内での被測定物の姿勢を安定させることができ、測定精度をより向上させることができる。
また、被測定物は液体であり、配置部は、被測定物を入れたセルを支持する支持部を有していることが好ましい。これにより、被測定物が液体である場合に、配置部への被測定物の配置及び取り出しが容易となる。
また、本発明に係るテラヘルツ波分光計測方法は、テラヘルツ波を用いた被測定物の透過型分光計測を行うテラヘルツ波分光計測方法であって、被測定物の配置部を有するプリズム部材に、ポンプ光の入射によってテラヘルツ波を発生させるテラヘルツ波発生素子が配置された入射面と、配置部内の被測定物を透過したテラヘルツ波とプローブ光との相関を検出するテラヘルツ波検出素子が配置された出射面と、入射面から入射したテラヘルツ波を配置部に向けて平行光化又は集光する第1光学面と、配置部を通ったテラヘルツ波を出射面に向けて集光する第2光学面と、を設け、凹部によって配置部を構成し、当該凹部に被測定物が不溶性を示す液体を充填した状態で被測定物を配置し、被測定物を透過したテラヘルツ波に基づいて被測定物に関する光学定数を計測することを特徴としている。
このテラヘルツ波分光計測方法では、プリズム部材において被測定物を配置する配置部を凹部とし、被測定物が不溶性を示す液体を凹部に充填して分光計測を行う。このため、第1光学面を経て配置部を通り、第2光学面に向かうテラヘルツ波の経路において、テラヘルツ波が空気中を通ることを回避できる。したがって、空気中の水分による吸収の影響を排除でき、分光計測の測定精度を向上できる。凹部の形状は、被測定物の形状等に応じて種々変更が可能であるが、形状が異なっても凹部を液体で簡便に満たすことができるので、測定の利便性が保たれる。
また、第1光学面からのテラヘルツ波を被測定物に向けて屈折させる第1屈折面と、被測定物を通ったテラヘルツ波を第2光学面に向けて屈折させる第2屈折面とを含む凹部によって配置部を構成することが好ましい。屈折率が異なる媒質の界面で光を屈折させる場合、界面に対する入射角を適切に設定すると、界面に対し垂直に光を入射させ、屈折させずに界面を透過させる場合よりも光の反射ロスを低減することができる。このため、凹部が第1屈折面を含んでいると、第1光学面から被測定物に向かうテラヘルツ波の反射ロスを低減でき、凹部が第2屈折面を含んでいると、被測定物を通って第2光学面に向かうテラヘルツ波の反射ロスを低減できる。したがって、テラヘルツ波の反射ロスの影響をより確実に排除でき、分光計測の測定精度を更に向上できる。
また、被測定物が固体である場合に、配置部に被測定物を支持する支持部を設けることが好ましい。これにより、被測定物が固体である場合に、配置部内での被測定物の姿勢を安定させることができ、測定精度をより向上させることができる。
また、被測定物が液体である場合に、配置部に被測定物を入れたセルを支持する支持部を設けることが好ましい。これにより、被測定物が液体である場合に、配置部への被測定物の配置及び取り出しが容易となる。
また、液体として、テラヘルツ波に対する吸収性を有しない液体を用いることが好ましい。この場合、上記液体によるテラヘルツ波の吸収が抑制されるため、被測定物に関する光学定数を更に精度良く計測することができる。
また、液体として、フッ素系不活性液体を用いることが好ましい。この場合、フッ素系不活性液体を用いることで、多くの物質が上記液体に不溶性を示すと共に、上記液体によるテラヘルツ波の吸収が抑制される。また、フッ素系不活性液体は揮発しにくいので、揮発成分による周囲への悪影響がなくなる上、環境負荷も抑えられる。
また、液体として、シリコーンオイルを用いることが好ましい。この場合も、シリコーンオイルを用いることで、多くの物質が上記液体に不溶性を示すと共に、上記液体によるテラヘルツ波の吸収が抑制される。また、シリコーンオイルは揮発しにくいので、揮発成分による周囲への悪影響がなくなる上、環境負荷も抑えられる。
本発明によれば、被測定物の形状にかかわらず、分光計測の測定精度を向上させることができる。
本発明に係るテラヘルツ波分光計測装置の一実施形態を示す図である。 図1に示したテラヘルツ波分光計測装置に用いられる一体型プリズムの側面図である。 図2に示した一体型プリズムの斜視図である。 被測定物の光学定数を導出する手順を示すフローチャートである。 図1に示したテラヘルツ波分光計測装置による被測定物の吸収係数の測定結果を示す図である。 分光プリズムの変形例を示す側面図である。 分光プリズムの別の変形例を示す側面図である。 分光プリズムの更に別の変形例を示す側面図である。 分光プリズムの更に別の変形例を示す平面図である。 分光プリズムの更に別の変形例を示す平面図である。
以下、図面を参照しながら、本発明に係るプリズム部材、テラヘルツ波分光計測装置、及びテラヘルツ波分光計測方法の好適な実施形態について詳細に説明する。
図1は、本発明に係るテラヘルツ波分光計測装置の一実施形態を示す図である。同図に示すように、テラヘルツ波分光計測装置1は、レーザ光を出射するレーザ光源2と、テラヘルツ波発生素子32・分光プリズム(プリズム部材)31・テラヘルツ波検出素子33が一体となった一体型プリズム3と、テラヘルツ波を検出する検出部4とを備えている。また、テラヘルツ波分光計測装置1は、上記構成要素の動作を制御する制御部5と、検出部4からの出力に基づいてデータ解析を行うデータ解析部6と、データ解析部6における処理結果を表示する表示部7とを備えている。
レーザ光源2は、フェムト秒パルスレーザを発生させる光源である。レーザ光源2からは、例えば平均パワー120mW、繰り返しレート77MHzのフェムト秒パルスレーザが出力される。レーザ光源2から出射したフェムト秒パルスレーザは、ミラー11,12を経て、ビームスプリッター13によってポンプ光48とプローブ光49とに二分される(図2参照)。プローブ光49が伝播するプローブ光用光路C1には、ミラー14,15及びレンズ16が設けられており、プローブ光49は、レンズ16で集光されて後述のテラヘルツ波検出素子33に入射する。
一方、ポンプ光48が伝播するポンプ光用光路C2には、遅延部21と、変調器22とが設けられている。遅延部21は、一対のミラー23,24と、可動ステージ26上に設置された反射プリズム25によって構成され、反射プリズム25の位置を一対のミラー23,24に対して前後させることで、ポンプ光48の遅延調節が可能となっている。また、変調器22は、例えば光チョッパによってポンプ光48の透過と遮断を切り替える部分である。変調器22は、制御部5からの信号に基づいて、例えば1kHzでポンプ光48の透過と遮断の変調を行う。
ポンプ光用光路C2を伝播したポンプ光48は、ミラー28を経てレンズ27で集光され、一体型プリズム3に入射する。図2に示すように、一体型プリズム3を構成する分光プリズム31は、例えばSiによって形成されており、入射面31a側にはテラヘルツ波発生素子32が一体に固定され、出射面31b側にはテラヘルツ波検出素子33が一体に固定されている。分光プリズム31の上面には、屈折率、誘電率、吸収係数といった各種の光学定数を測定する対象となる被測定物34が配置される配置部31cが形成されている。
また、図2に示すように、分光プリズム31の底面において、入射面31aと配置部31cとの間には、テラヘルツ波発生素子32で発生したテラヘルツ波Tを配置部31cに向けて平行光化する第1光学面31dが設けられている。さらに、配置部31cと出射面31bとの間には、配置部31cを透過したテラヘルツ波Tを出射面31bに向けて集光する第2光学面31eが設けられている。これらの第1光学面31d及び第2光学面31eは、分光プリズム31の底面を所定の形状に曲面加工することによって形成されている。
テラヘルツ波発生素子32としては、例えばZnTeなどの非線形光学結晶、GaAsを用いた光スイッチなどのアンテナ素子、InAsなどの半導体、超伝導体などを用いることができる。これらの素子から発生するテラヘルツ波Tのパルスは、一般的には数ピコ秒程度である。テラヘルツ波発生素子32として非線形光学結晶を用いた場合、テラヘルツ波発生素子32にポンプ光48が入射すると、非線形光学効果によってテラヘルツ波Tに変換される。
テラヘルツ波検出素子33としては、例えばZnTeなどの電気光学結晶、GaAsを用いた光スイッチなどのアンテナ素子を用いることができる。テラヘルツ波検出素子33として、電気光学結晶を用いた場合、テラヘルツ波検出素子33にテラヘルツ波Tとプローブ光49とが同時に入射すると、プローブ光49がポッケルス効果によって複屈折を受ける。プローブ光49の複屈折量は、テラヘルツ波Tの電場強度に比例する。したがって、プローブ光49の複屈折量を検出することで、テラヘルツ波Tを検出することができる。
なお、テラヘルツ波発生素子32及びテラヘルツ波検出素子33の固定には、例えば熱硬化型の接着剤が用いられる。このとき用いられる接着剤は、テラヘルツ波Tの波長において透明なものであって、テラヘルツ波発生素子32及びテラヘルツ波検出素子33それぞれの屈折率と分光プリズム31の屈折率との間の中間の屈折率、又は同等の屈折率を有していることが好ましい。
また、接着剤のほか、テラヘルツ波Tの波長において透明なワックスを溶融・凝固させて固定する方法や、テラヘルツ波発生素子32及びテラヘルツ波検出素子33を入射面31a及び出射面31bにそれぞれ直接接触させた状態で、テラヘルツ波発生素子32及びテラヘルツ波検出素子33の縁部を接着剤で固めるようにしてもよい。
テラヘルツ波を検出する検出部4は、テラヘルツ波検出素子33が電気光学結晶の場合、図1に示すように、例えばλ/4波長板41と、偏光素子42と、一対のフォトダイオード43,43と、差動増幅器44と、ロックイン増幅器47とによって構成されている。テラヘルツ波検出素子33で反射したプローブ光49は、ミラー45によって検出部4側に導かれ、レンズ46で集光されてλ/4波長板41を経由した後、ウォラストンプリズムなどの偏光素子42によって垂直直線偏光成分と水平直線偏光成分とに分離される。このプローブ光49の垂直直線偏光成分と水平直線偏光成分とは、一対のフォトダイオード43,43によってそれぞれ電気信号に変換され、差動増幅器44によってその差分が検出される。差動増幅器44からの出力信号は、ロックイン増幅器47によって増幅された後、データ解析部6に入力される。
テラヘルツ波検出素子33にテラヘルツ波Tとプローブ光49とが同時に入射した場合、差動増幅器44からはテラヘルツ波Tの電場強度に比例した強度の信号が出力され、テラヘルツ波検出素子33にテラヘルツ波Tとプローブ光49とが同時に入射しなかった場合、差動増幅器44からは信号が出力されないこととなる。また、分光プリズム31の配置部31cにおけるテラヘルツ波Tの振幅と位相は、配置部31cに配置されている被測定物34に応じて変化する。したがって、このテラヘルツ波Tの振幅と位相の変化を計測することで、被測定物34の分光特性を評価することができる。
データ解析部6は、例えばテラヘルツ波分光計測装置1の専用の解析プログラムに基づいて透過分光計測のデータ解析処理を行う部分であり、物理的には、CPU(中央処理装置)、メモリ、入力装置、及び表示部7などを有するコンピュータシステムである。データ解析部6は、ロックイン増幅器47から入力された信号に基づいてデータ解析処理を実行し、解析結果を表示部7に表示させる。
次に、上述した一体型プリズム3の配置部31cの構成について更に詳細に説明する。
図2に示すように、一体型プリズム3の配置部31cは、一体型プリズム3の側面間に亘って形成された断面三角状の凹部51aによって構成されている。凹部51aは、第1光学面31dからのテラヘルツ波Tを被測定物34に向けて屈折させる第1屈折面52と、被測定物34を通ったテラヘルツ波Tを第2光学面31eに向けて屈折させる第2屈折面53とを有している。
この凹部51aには、液体50が充填されている。液体50は、被測定物34が不溶性を示す液体である必要があり、更にテラヘルツ波Tに対する吸収性を有しない液体であることが好ましい。このような液体50としては、フッ素系不活性液体やシリコーンオイル等を用いる。フッ素系不活性液体としては、パーフルオロカーボン、ハイドロフルオロカーボン、パーフルオロポリエーテルなどが挙げられる。
これらの液体の中でも、パーフルオロカーボンは、不溶性及び吸収性の点で特に好ましい。フッ素系不活性液体やシリコーンオイルは、揮発しにくいので、揮発成分による周囲への悪影響がない上、環境負荷が小さい点でも好ましい。なお、ここでいう「テラヘルツ波に対する吸収性を有しない」とは、例えば、0.1THz〜10THzのテラヘルツ波に対する吸収係数が20cm−1以下であることを意味し、より好ましくは10cm−1以下であることを意味する。
分光プリズム31が屈折率3.4のSiからなり、凹部51aに充填される液体50の屈折率が1.4であり、配置部31cに対するテラヘルツ波Tの入射角θiが45°であるときは、断面三角形状の凹部51aの開き角δは例えば67.3°とされる。凹部51a内での被測定物34の保持には、任意の治具(不図示)を用いることができる。被測定物34は、配置部31c内に入射するテラヘルツ波Tに対して略直交するように保持される。
なお、図3に示すように、一体型プリズム3の両方の側面には、それぞれブロック35,35が貼り合わされている。ブロック35,35により、一体型プリズムの両方の側面に開放された凹部51aの両側に壁が形成され、凹部51a内に液体50を充填することが可能となっている。凹部51aに充填した液体50の漏れ出しを確実に防止するために、一体型プリズム3とブロック35とはシリコーンゴム等からなる接着剤を介して貼り合わされていることが好ましい。
図4は、上述したテラヘルツ波分光計測装置1を用いた透過型の分光計測によって被測定物34の光学定数を導出する手順を示すフローチャートである。
同図に示すように、まず、テラヘルツ波分光計測装置1を用いてリファレンス測定及びサンプル測定を実施する(ステップS01,S02)。リファレンス測定では、凹部51aに液体50を充填し、光学定数が既知である物質(ここでは液体50)について測定する。また、サンプル測定では、液体50で充填された凹部51aに被測定物34を配置し、光学定数を得たい物質について測定する。そして、リファレンス計測結果Trefとサンプル測定結果Tsigとをそれぞれフーリエ変換することによって、リファレンス振幅Rref、リファレンス位相φref、サンプル振幅Rsig、サンプル位相φsigをそれぞれ求める(ステップS03)。
次に、リファレンス振幅Rrefとサンプル振幅Rsigに基づいて透過率Tを式(1)によって求め、リファレンス位相φrefとサンプル位相φsigとの位相差Δを式(2)によって求める(ステップS04)。
Figure 0005957294

Figure 0005957294
これらの値は、被測定物34の複素屈折率(式(3))を用いて式(4)のように表される。また、式(4)中のtref sig及びtsig refは、透過フレネル係数であり、それぞれ式(5),式(6)のように表される。
Figure 0005957294

Figure 0005957294

Figure 0005957294

Figure 0005957294
これにより、以下の式(7),式(8)の連立方程式から被測定物34の複素屈折率を求めることができ、被測定物34の所望の光学定数が導出される(ステップS05)。
Figure 0005957294

Figure 0005957294
以上説明したように、テラヘルツ波分光計測装置1では、分光プリズム31において被測定物34が配置される配置部31cが凹部51aであり、被測定物34が不溶性を示す液体50が凹部51aに充填されている。このため、第1光学面31dを経て配置部31cを通り、第2光学面31eに向かうテラヘルツ波Tの経路において、テラヘルツ波Tが空気中を通ることを回避できる。
したがって、空気中の水分による吸収の影響を排除でき、分光計測の測定精度を向上できる。凹部51aの形状は、被測定物34の形状等に応じて種々変更が可能であるが、形状が異なっても凹部51aを液体50で簡便に満たすことができるので、測定の利便性が保たれる。
また、凹部51aは、第1光学面31dからのテラヘルツ波Tを被測定物34に向けて屈折させる第1屈折面52と、被測定物34を通ったテラヘルツ波Tを第2光学面31eに向けて屈折させる第2屈折面53とを含んでいる。屈折率が異なる媒質の界面でP偏光の光を屈折させる場合、界面に対する入射角を適切に設定すると、界面に対し垂直に光を入射させ、屈折させずに界面を透過させる場合よりも光の反射ロスを低減することができる。このことは、屈折率が異なる媒質の界面を光が透過する際の反射率が、以下の式(9)及び式(10)で算出されることから明らかである。
Figure 0005957294

Figure 0005957294

:P偏光に対する振幅反射係数
:P偏光に対する反射率
θ:界面への光の入射角
θ:界面からの光の出射角
:光が入射する側の媒質の屈折率
:光が出射する側の媒質の屈折率
このため、凹部51aが第1屈折面52を含んでいると、第1光学面31dから被測定物34に向かうテラヘルツ波Tの反射ロスを低減でき、凹部が第2屈折面53を含んでいると、被測定物34を通って第2光学面31eに向かうテラヘルツ波Tの反射ロスを低減できる。例えば、分光プリズム31の屈折率が3.4であり、凹部51aに充填される液体50の屈折率が1.4である場合、分光プリズム31と液体50との界面に垂直にテラヘルツ波を入射させる場合の反射ロスは、液体50の入射側と出射側との合計で31.8%に達する。これに対し、凹部51aが第1屈折面52及び第2屈折面53を含んでいる場合、第1屈折面52及び第2屈折面53の角度を適切に設定することで、反射ロスを0.1%程度まで低減させることができる。したがって、テラヘルツ波の反射ロスの影響をより確実に排除でき、分光計測の測定精度を更に向上できる。
図5は、テラヘルツ波分光計測装置1を用いた被測定物34の吸収係数の測定結果を示す図である。図5(a)は、被測定物34としてグルコース無水物を用いたものであり、図5(b)は、被測定物34としてグルコース水和物を用いたものである。図中に示す従来例は、一体型プリズム3を用いず、空気中に配置した被測定物に対してテラヘルツ波を照射して取得したものである。
同図に示す結果から、いずれのサンプルにおいても、実施例では、空気中の水分による吸収の影響や反射ロスの影響が排除され、従来例に比べてS/N比が向上し、吸収曲線の吸収ピークが鮮明に得られていることが分かる。実施例では、被測定物34が液体50に対して不溶性を示すことから、得られた吸収係数は、被測定物34の物質固有の吸収係数であることが判断できる。また、測定後の被測定物34の再使用も可能となる。
本発明は、上記実施形態に限られるものではない。図6及び図7は、分光プリズムの変形例を示す図である。図6に示す例では、固体の被測定物34が例えば円板状に形成されている。また、分光プリズム31には、配置部31cをなす凹部51aの底部の頂部に被測定物34の下部を嵌め込む凹部が設けられることにより、被測定物34を支持する支持部54が形成されている。これにより、配置部31c内での被測定物34の姿勢を安定させることができ、測定精度をより向上させることができる。なお、固体の被測定物34をホルダに固定し、ホルダの底部を支持部54で支持してもよい。
また、図7に示す例では、液体の被測定物34が例えば円板状のセル55内に充填されている。また、分光プリズム31には、図6と同様の支持部54が形成され、セル55の下部を凹部に嵌め込むことによってセル55が支持される。これにより、被測定物34が液体である場合に、配置部31cへの被測定物34の配置及び取り出しが容易となる。
このほか、配置部31cの底部の頂部に平坦部を形成して被測定物34又はセル55の支持部54としてもよく、図8に示すように、凹部51aの幅よりも大きい板状部材56の中央に開口56aを設け、開口56aに被測定物34又はセル55を通した状態で板状部材56を凹部51aに被せることにより、被測定物34又はセル55を支持してもよい。板状部材56には、開口56aの幅を調整可能なスライド機構を設けてもよい。
図9は、分光プリズムの更に別の変形例を示す図である。図9に示す分光プリズム36では、入射面と出射面とを兼ねる側面36aが一方側に設けられ、側面36aの逆側の側面36bの両脇に第1光学面36c及び第2光学面36dが設けられ、側面36bの中央に配置部36eが設けられている。側面36aには、テラヘルツ波発生素子32とテラヘルツ波検出素子33とが水平方向に並ぶように一体に固定されている。第1光学面36cは、テラヘルツ波発生素子32で発生したテラヘルツ波Tを分光プリズム36内で反射させ、平行光化するように設けられている。第2光学面36dは、第1光学面36cで平行光化されたテラヘルツ波Tを反射させ、テラヘルツ波検出素子33に向けて集光するように設けられている。
配置部36eは、側面36bの中央に設けられた凹部57により構成されている。凹部57は、分光プリズム36の側面36bだけでなくの上面36fにも開放されており、平面視で矩形状をなしている。分光プリズム36の側面36bには板材37が貼り合わされている。これにより、凹部57の側面36b側に壁が形成され、凹部57内に上方から液体50を充填することが可能となっている。互いに対向する凹部57の2側面57a,57aは、第1光学面36cから第2光学面36dに向かうテラヘルツ波Tの経路に対し垂直に設けられている。
このような分光プリズム36では、分光プリズム36と液体50との界面となる2側面57a,57aに対しテラヘルツ波Tが垂直に入射し、テラヘルツ波Tが屈折することなく液体50を透過する。図9の例において凹部57を設けるのに変えて、図10に示されるように、分光プリズム36の上面36fのみに開放した凹部58を設けてもよい。これにより、分光プリズム36に板材37を貼りあわせることなく、凹部58内に液体50を充填することが可能となる。
1…テラヘルツ波分光計測装置、2…レーザ光源、3…一体型プリズム、13…ビームスプリッター(分岐部)、31…分光プリズム(プリズム部材)、31a…入射面、31b…出射面、31c…配置部、31d…第1光学面、31e…第2光学面、32…テラヘルツ波発生素子、33…テラヘルツ波検出素子、34…被測定物、48…ポンプ光、49…プローブ光、51a…凹部、52…第1屈折面、53…第2屈折面、54…支持部、55…セル、T…テラヘルツ波。

Claims (12)

  1. テラヘルツ波を用いた被測定物の透過型分光計測に用いられるプリズム部材であって、
    ポンプ光の入射によってテラヘルツ波を発生させるテラヘルツ波発生素子が配置された入射面と、
    前記被測定物が配置される配置部と、
    前記配置部内の前記被測定物を透過した前記テラヘルツ波とプローブ光との相関を検出するテラヘルツ波検出素子が配置された出射面と、
    前記入射面から入射した前記テラヘルツ波を前記配置部に向けて平行光化又は集光する第1光学面と、
    前記配置部を通った前記テラヘルツ波を前記出射面に向けて集光する第2光学面と、を有し、
    前記配置部は、前記被測定物が不溶性を示す液体を充填可能な凹部をなし
    前記凹部は、前記第1光学面からの前記テラヘルツ波を前記被測定物に向けて屈折させる第1屈折面と、前記被測定物を通った前記テラヘルツ波を前記第2光学面に向けて屈折させる第2屈折面とを含んでいることを特徴とするプリズム部材。
  2. 前記被測定物は固体であり、前記配置部は、前記被測定物を支持する支持部を有していることを特徴とする請求項記載のプリズム部材。
  3. 前記被測定物は液体であり、前記配置部は、前記被測定物を入れたセルを支持する支持部を有していることを特徴とする請求項記載のプリズム部材。
  4. テラヘルツ波を用いた被測定物の透過型分光計測を行うテラヘルツ波分光計測装置であって、
    レーザ光を出射する光源と、
    前記光源から出射されたレーザ光をポンプ光とプローブ光とに分岐する分岐部と、
    前記被測定物の配置部を有するプリズム部材と、を備え、
    前記プリズム部材は、
    前記ポンプ光の入射によってテラヘルツ波を発生させるテラヘルツ波発生素子が配置された入射面と、
    前記配置部内の前記被測定物を透過した前記テラヘルツ波と前記プローブ光との相関を検出するテラヘルツ波検出素子が配置された出射面と、
    前記入射面から入射した前記テラヘルツ波を前記配置部に向けて平行光化又は集光する第1光学面と、
    前記配置部を通った前記テラヘルツ波を前記出射面に向けて集光する第2光学面と、を有し、
    前記配置部は、前記被測定物が不溶性を示す液体を充填可能な凹部をなし
    前記凹部は、前記第1光学面からの前記テラヘルツ波を前記被測定物に向けて屈折させる第1屈折面と、前記被測定物を通った前記テラヘルツ波を前記第2光学面に向けて屈折させる第2屈折面とを含んでいることを特徴とするテラヘルツ波分光計測装置。
  5. 前記被測定物は固体であり、前記配置部は、前記被測定物を支持する支持部を有していることを特徴とする請求項記載のテラヘルツ波分光計測装置。
  6. 前記被測定物は液体であり、前記配置部は、前記被測定物を入れたセルを支持する支持部を有していることを特徴とする請求項記載のテラヘルツ波分光計測装置。
  7. テラヘルツ波を用いた被測定物の透過型分光計測を行うテラヘルツ波分光計測方法であって、
    前記被測定物の配置部を有するプリズム部材に、ポンプ光の入射によってテラヘルツ波を発生させるテラヘルツ波発生素子が配置された入射面と、前記配置部内の前記被測定物を透過した前記テラヘルツ波とプローブ光との相関を検出するテラヘルツ波検出素子が配置された出射面と、前記入射面から入射した前記テラヘルツ波を前記配置部に向けて平行光化又は集光する第1光学面と、前記配置部を通った前記テラヘルツ波を前記出射面に向けて集光する第2光学面と、を設け、
    前記第1光学面からの前記テラヘルツ波を前記被測定物に向けて屈折させる第1屈折面と、前記被測定物を通った前記テラヘルツ波を前記第2光学面に向けて屈折させる第2屈折面とを含む凹部によって前記配置部を構成し、
    当該凹部に前記被測定物が不溶性を示す液体を充填した状態で前記被測定物を配置し、前記被測定物を透過した前記テラヘルツ波に基づいて前記被測定物に関する光学定数を計測することを特徴とするテラヘルツ波分光計測方法。
  8. 前記被測定物が固体である場合に、前記配置部に前記被測定物を支持する支持部を設けることを特徴とする請求項記載のテラヘルツ波分光計測方法。
  9. 前記被測定物が液体である場合に、前記配置部に前記被測定物を入れたセルを支持する支持部を設けることを特徴とする請求項記載のテラヘルツ波分光計測方法。
  10. 前記液体として、前記テラヘルツ波に対する吸収性を有しない液体を用いることを特徴とする請求項7〜9のいずれか一項記載のテラヘルツ波分光計測方法。
  11. 前記液体として、フッ素系不活性液体を用いることを特徴とする請求項7〜10のいずれか一項記載のテラヘルツ波分光計測方法。
  12. 前記液体として、シリコーンオイルを用いることを特徴とする請求項7〜10のいずれか一項記載のテラヘルツ波分光計測方法。
JP2012121923A 2012-05-29 2012-05-29 プリズム部材、テラヘルツ波分光計測装置、及びテラヘルツ波分光計測方法 Active JP5957294B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012121923A JP5957294B2 (ja) 2012-05-29 2012-05-29 プリズム部材、テラヘルツ波分光計測装置、及びテラヘルツ波分光計測方法
PCT/JP2013/062765 WO2013179856A1 (ja) 2012-05-29 2013-05-02 プリズム部材、テラヘルツ波分光計測装置、及びテラヘルツ波分光計測方法
EP13796936.6A EP2857827B1 (en) 2012-05-29 2013-05-02 Terahertz-wave spectroscopic measurement method
US14/402,570 US9417182B2 (en) 2012-05-29 2013-05-02 Prism member, terahertz-wave spectroscopic measurement device, and terahertz-wave spectroscopic measurement method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012121923A JP5957294B2 (ja) 2012-05-29 2012-05-29 プリズム部材、テラヘルツ波分光計測装置、及びテラヘルツ波分光計測方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013246132A JP2013246132A (ja) 2013-12-09
JP5957294B2 true JP5957294B2 (ja) 2016-07-27

Family

ID=49673060

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012121923A Active JP5957294B2 (ja) 2012-05-29 2012-05-29 プリズム部材、テラヘルツ波分光計測装置、及びテラヘルツ波分光計測方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9417182B2 (ja)
EP (1) EP2857827B1 (ja)
JP (1) JP5957294B2 (ja)
WO (1) WO2013179856A1 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017078599A (ja) * 2015-10-19 2017-04-27 フェムトディプロイメンツ株式会社 テラヘルツ時間分解分光装置
CN106248616B (zh) * 2016-09-27 2017-10-24 深圳市太赫兹科技创新研究院有限公司 太赫兹全偏振态检测光谱仪
JP2019060714A (ja) * 2017-09-26 2019-04-18 株式会社島津製作所 液体試料測定用アタッチメント、屈折率測定装置及び屈折率測定方法
JP7014623B2 (ja) * 2018-01-29 2022-02-01 浜松ホトニクス株式会社 テラヘルツ波分光計測装置
CN112229814B (zh) * 2019-07-15 2021-11-05 中国科学院福建物质结构研究所 太赫兹光谱测量装置、测量方法及其用途
CN110661107A (zh) * 2019-11-13 2020-01-07 福州大学 基于pe棱镜耦合的可调光栅超材料太赫兹吸波器及方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB664754A (en) * 1949-01-25 1952-01-09 Rayner Optical Company Ltd Improvements in refractometers
US4964705A (en) * 1988-11-07 1990-10-23 General Signal Corporation Unit magnification optical system
JP2000304690A (ja) * 1999-04-20 2000-11-02 Hitachi Ltd 光学測定装置
GB2360842B (en) * 2000-03-31 2002-06-26 Toshiba Res Europ Ltd An apparatus and method for investigating a sample
GB0021502D0 (en) * 2000-09-01 2000-10-18 Central Research Lab Ltd An attenuated total reflectance sensing head
JP2003004690A (ja) 2001-06-21 2003-01-08 Tama Electric Co Ltd 電気化学センサ測定装置及びその測定方法
JP4119207B2 (ja) * 2002-09-03 2008-07-16 日本分光株式会社 全反射プリズム及びそれを用いた全反射装置
JP3950818B2 (ja) * 2003-05-29 2007-08-01 アイシン精機株式会社 反射型テラヘルツ分光測定装置及び測定方法
JP4154388B2 (ja) 2004-12-27 2008-09-24 キヤノン株式会社 被対象物を透過した電磁波の状態を検出するための検出装置
US7393143B2 (en) * 2006-02-21 2008-07-01 Hitachi Cable, Ltd. Optical connector and connection structure of optical fibers
JP4958220B2 (ja) * 2006-03-16 2012-06-20 倉敷紡績株式会社 全反射減衰型光学プローブおよびそれを用いた水溶液分光測定装置
JP2008224452A (ja) * 2007-03-13 2008-09-25 Hamamatsu Photonics Kk 全反射テラヘルツ波測定装置
JP4871176B2 (ja) * 2007-03-13 2012-02-08 浜松ホトニクス株式会社 全反射テラヘルツ波測定装置
JP4800244B2 (ja) * 2007-03-13 2011-10-26 浜松ホトニクス株式会社 テラヘルツ波測定装置
CN102265140B (zh) * 2008-12-24 2014-09-10 株式会社日立高新技术 光度计以及具备光度计的分析系统
JP2010164511A (ja) * 2009-01-19 2010-07-29 Epson Toyocom Corp センサーユニット、テラヘルツ分光測定装置およびテラヘルツ分光測定方法
JP2012083166A (ja) * 2010-10-08 2012-04-26 Hamamatsu Photonics Kk 全反射分光計測装置
JP5550521B2 (ja) * 2010-10-20 2014-07-16 浜松ホトニクス株式会社 全反射分光計測装置
EP2693200B1 (en) * 2011-03-29 2019-06-12 Hamamatsu Photonics K.K. Terahertz-wave spectrometer

Also Published As

Publication number Publication date
EP2857827A1 (en) 2015-04-08
US9417182B2 (en) 2016-08-16
EP2857827B1 (en) 2017-10-11
US20150136986A1 (en) 2015-05-21
WO2013179856A1 (ja) 2013-12-05
JP2013246132A (ja) 2013-12-09
EP2857827A4 (en) 2016-04-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5957294B2 (ja) プリズム部材、テラヘルツ波分光計測装置、及びテラヘルツ波分光計測方法
US6556306B2 (en) Differential time domain spectroscopy method for measuring thin film dielectric properties
EP2690426B1 (en) Total reflection spectroscopic measurement method
JP2016057138A (ja) 膜厚測定装置及び膜厚測定方法
JP2008224452A (ja) 全反射テラヘルツ波測定装置
JP5607566B2 (ja) テラヘルツ波分光計測装置
US20030020929A1 (en) Method and apparatus for increasing signal to noise ratio in a photoacoustic film thickness measurement system
JP5894575B2 (ja) テラヘルツ波分光計測装置
JP5877942B2 (ja) 全反射分光計測装置
US7239395B2 (en) Optical interrogation systems with reduced parasitic reflections and a method for filtering parasitic reflections
US6057928A (en) Free-space time-domain method for measuring thin film dielectric properties
JP5869556B2 (ja) テラヘルツ波分光計測装置
JP5550521B2 (ja) 全反射分光計測装置
US20200191550A1 (en) Inspecting a slab of material
JP2012083166A (ja) 全反射分光計測装置
JP5566826B2 (ja) 全反射分光計測におけるデータ解析方法
JP4053236B2 (ja) 全反射減衰を利用したセンサー
JP2003207446A (ja) 測定方法および測定装置
JP2005265693A (ja) 測定装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150128

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160126

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160311

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160614

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160620

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5957294

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250