JP5869556B2 - テラヘルツ波分光計測装置 - Google Patents

テラヘルツ波分光計測装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5869556B2
JP5869556B2 JP2013507262A JP2013507262A JP5869556B2 JP 5869556 B2 JP5869556 B2 JP 5869556B2 JP 2013507262 A JP2013507262 A JP 2013507262A JP 2013507262 A JP2013507262 A JP 2013507262A JP 5869556 B2 JP5869556 B2 JP 5869556B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
prism
terahertz wave
main body
incident
body portion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2013507262A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2012132645A1 (ja
Inventor
敬史 安田
敬史 安田
陽一 河田
陽一 河田
篤司 中西
篤司 中西
高一郎 秋山
高一郎 秋山
高橋 宏典
宏典 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hamamatsu Photonics KK
Original Assignee
Hamamatsu Photonics KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hamamatsu Photonics KK filed Critical Hamamatsu Photonics KK
Priority to JP2013507262A priority Critical patent/JP5869556B2/ja
Publication of JPWO2012132645A1 publication Critical patent/JPWO2012132645A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5869556B2 publication Critical patent/JP5869556B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/28Investigating the spectrum
    • G01J3/42Absorption spectrometry; Double beam spectrometry; Flicker spectrometry; Reflection spectrometry
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/02Details
    • G01J3/0205Optical elements not provided otherwise, e.g. optical manifolds, diffusers, windows
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/25Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
    • G01N21/31Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
    • G01N21/35Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
    • G01N21/3581Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light using far infrared light; using Terahertz radiation
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/55Specular reflectivity
    • G01N21/552Attenuated total reflection

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Description

本発明は、テラヘルツ波を用いた分光計測装置及びプリズム部材に関する。
従来、テラヘルツ波を用いた分光計測装置に関連する技術として、例えば特許文献1に記載の全反射分光計測装置がある。この全反射分光計測装置では、内部全反射プリズムの入射面にテラヘルツ波発生素子が一体に設けられ、内部全反射プリズムの出射面にテラヘルツ波検出素子が一体に設けられている。このような内部全反射プリズムとテラヘルツ波発生素子とテラヘルツ波検出素子とを一体化した一体型プリズムを用いる場合、全反射分光計測装置を小型化しつつ、高い効率でテラヘルツ波の発生を検出できるという利点がある。
特開2008−224449号公報
ところで、上述のようなテラヘルツ波を用いた分光計測では、テラヘルツ波が全反射する際に生じるエバネッセント波と被測定物との相互作用を利用する反射型の分光計測が行われている。一方、分光計測の手法としては、テラヘルツ波を被測定物に透過させる透過型の分光計測も存在する。これらの測定方法にはそれぞれ長所及び短所があるため、被測定物の種類や測定項目などに応じて採用する計測方法を選択することが実情となっている。そこで、テラヘルツ波を用いた分光計測装置においても、反射型の分光計測用の構成と透過型の分光計測用の構成とを可能な限り共通化させることが望まれている。
本発明は、上記課題の解決のためになされたものであり、反射型の分光計測と透過型の分光計測とを容易に切り替えて測定できるテラヘルツ波分光計測装置、及びプリズム部材を提供することを目的とする。
上記課題の解決のため、本発明に係るテラヘルツ波分光計測装置は、レーザ光を出射する光源と、光源から出射されたレーザ光をポンプ光とプローブ光とに分岐する分岐部と、分岐部で分岐したポンプ光の入射によってテラヘルツ波を発生させるテラヘルツ波発生素子と、テラヘルツ波の入射面・出射面及び被測定物の配置部を有し、入射面から入射したテラヘルツ波を内部で伝播させて出射面から出射させる分光プリズムと、分光プリズムの出射面から出射したテラヘルツ波と、分岐部で分岐したプローブ光とが入射し、テラヘルツ波とプローブ光との間の相関を検出するテラヘルツ波検出素子と、を備え、分光プリズムは、入射面及び出射面、上面側に形成された凹部、テラヘルツ波を凹部に向けて平行光化又は集光する第1光学面、及び凹部を通ったテラヘルツ波を出射面に向けて集光する第2光学面を有する本体部分と、本体部分と略同等の屈折率を有する部材によって形成され、凹部に着脱自在に嵌合する凸部を含み、被測定物の配置部を上面に有する第1のプリズム部分と、本体部分よりも小さい屈折率を有する部材によって形成され、凹部に着脱自在に嵌合する凸部を含み、被測定物の配置部となる溝部が上面から凸部の先端側に向かって形成された第2のプリズム部分と、を備え、本体部分に第1のプリズム部分が嵌合しているときに、入射面から入射したテラヘルツ波が凹部を透過して配置部で反射し、本体部分に第2のプリズム部分が嵌合しているときに、入射面から入射したテラヘルツ波が凹部で屈折して溝部を透過することを特徴としている。
このテラヘルツ波分光計測装置では、本体部分に第1のプリズム部分又は第2のプリズム部分が嵌合することにより、分光プリズムを伝播するテラヘルツ波の光路を容易に切り替えることができる。本体部分に第1のプリズム部分が嵌合しているときには、入射面から入射したテラヘルツ波が凹部を透過して配置部で反射し、反射型の分光計測を行うことができる。また、本体部分に第2のプリズム部分が嵌合しているときには、入射面から入射したテラヘルツ波が凹部で屈折して溝部を透過し、透過型の分光計測を行うことができる。いずれの計測を行う場合も本体部分は共通化されるので、分光プリズムの構成が複雑化することも回避できる。
また、本体部分と第1のプリズム部分との嵌合部分、及び本体部分と第2のプリズム部分との嵌合部分にマッチングオイルが介在していることが好ましい。こうすると、本体部分と第1のプリズム部分との界面、及び本体部分と第2のプリズム部分との界面におけるテラヘルツ波の多重反射を防止できる。
また、本体部分と第1のプリズム部分との嵌合部分、及び本体部分と第2のプリズム部分との嵌合部分に、当該嵌合部分の外側にはみ出すフィルム部材が介在していることが好ましい。この場合、フィルム部材を把持することで、本体部分からの第1のプリズム部分及び第2のプリズム部分の取り外しが容易となる。
また、本体部分と第1のプリズム部分との嵌合部分の一部、及び本体部分と第2のプリズム部分との嵌合部分の一部にスペースが存在していることが好ましい。この場合、スペースの存在によって本体部分からの第1のプリズム部分及び第2のプリズム部分の取り外しが容易となる。
また、第1のプリズム部分及び第2のプリズム部分に取手部が設けられていることが好ましい。この場合、取手部を把持することで、本体部分からの第1のプリズム部分及び第2のプリズム部分の着脱が容易となる。
また、本発明に係るプリズム部材は、レーザ光を出射する光源と、光源から出射されたレーザ光をポンプ光とプローブ光とに分岐する分岐部と、分岐部で分岐したポンプ光の入射によってテラヘルツ波を発生させるテラヘルツ波発生素子と、テラヘルツ波の入射面・出射面及び被測定物の配置部を有し、入射面から入射したテラヘルツ波を内部で伝播させて出射面から出射させる分光プリズムと、分光プリズムの出射面から出射したテラヘルツ波と、分岐部で分岐したプローブ光とが入射し、テラヘルツ波とプローブ光との間の相関を検出するテラヘルツ波検出素子と、を備えたテラヘルツ波分光計測装置に用いられるプリズム部材であって、入射面及び出射面と、上面側に形成され、被測定物の配置部を含む別体のプリズム部材が着脱自在に嵌合する凹部と、凹部にプリズム部分が嵌合したときに、テラヘルツ波を配置部に向けて平行光化又は集光する第1光学面、及び配置部からのテラヘルツ波を出射面に向けて集光する第2光学面を有することを特徴としている。
このプリズム部材では、被測定物の配置部を含む別体のプリズム部材が着脱自在に嵌合する凹部が形成されている。したがって、性質の異なる別体のプリズム部材を凹部に嵌合させることで、分光プリズムを伝播するテラヘルツ波の光路を容易に切り替えることができる。また、凹部が上面側に形成されていることで、別体のプリズム部材の着脱が容易であり、また、別体のプリズム部材を凹部に嵌合したときのテラヘルツ波のアライメントの作業性も確保できる。
本発明によれば、反射型の分光計測と透過型の分光計測とを容易に切り替えて測定できる。
本発明に係るテラヘルツ波分光計測装置の一実施形態を示す図である。 図1に示したテラヘルツ波分光計測装置に用いられる一体型プリズムの斜視図である。 第1のプリズム部分を嵌合した場合の一体型プリズムの側面図である。 第2のプリズム部分を嵌合した場合の一体型プリズムの側面図である。 形状の異なる第2のプリズム部分を嵌合した場合の一体型プリズムの側面図である。 反射型の分光計測において被測定物の光学定数を導出する手順を示すフローチャートである。 透過型の分光計測において被測定物の光学定数を導出する手順を示すフローチャートである。 第1のプリズム部分及び第2のプリズム部分の変形例を示す図である。 第1のプリズム部分及び第2のプリズム部分の別の変形例を示す図である。 第1のプリズム部分及び第2のプリズム部分の更に別の変形例を示す図である。
以下、図面を参照しながら、本発明に係るテラヘルツ波分光計測装置の好適な実施形態について詳細に説明する。
図1は、本発明に係るテラヘルツ波分光計測装置の一実施形態を示す図である。同図に示すように、テラヘルツ波分光計測装置1は、レーザ光を出射するレーザ光源2と、テラヘルツ波発生素子32・分光プリズム31・テラヘルツ波検出素子33が一体となった一体型プリズム3と、テラヘルツ波を検出する検出部4とを備えている。また、テラヘルツ波分光計測装置1は、上記構成要素の動作を制御する制御部5と、検出部4からの出力に基づいてデータ解析を行うデータ解析部6と、データ解析部6における処理結果を表示する表示部7とを備えている。
レーザ光源2は、フェムト秒パルスレーザを発生させる光源である。レーザ光源2からは、例えば平均パワー120mW、繰り返しレート77MHzのフェムト秒パルスレーザが出力される。レーザ光源2から出射したフェムト秒パルスレーザは、ミラー11,12を経て、ビームスプリッター13によってポンプ光48とプローブ光49とに二分される。プローブ光49が伝播するプローブ光用光路C1には、ミラー14,15及びレンズ16が設けられており、プローブ光49は、レンズ16で集光されて後述のテラヘルツ波検出素子33に入射する。
一方、ポンプ光48が伝播するポンプ光用光路C2には、遅延部21と、変調器22とが設けられている。遅延部21は、一対のミラー23,24と、可動ステージ26上に設置された反射プリズム25によって構成され、反射プリズム25の位置を一対のミラー23,24に対して前後させることで、ポンプ光48の遅延調節が可能となっている。また、変調器22は、例えば光チョッパによってポンプ光48の透過と遮断を切り替える部分である。変調器22は、制御部5からの信号に基づいて、例えば1kHzでポンプ光48の透過と遮断の変調を行う。
ポンプ光用光路C2を伝播したポンプ光48は、ミラー28を経てレンズ27で集光され、一体型プリズム3に入射する。図2及び図3に示すように、一体型プリズム3を構成する分光プリズム31は、例えばSiによって形成されており、入射面31a側にはテラヘルツ波発生素子32が一体に固定され、出射面31b側にはテラヘルツ波検出素子33が一体に固定されている。分光プリズム31の上面は、屈折率、誘電率、吸収係数といった各種の光学定数を測定する対象となる被測定物34が配置される配置部31cとなっており、配置領域Kが設定されている。
また、図3及び図4に示すように、分光プリズム31の底面において、入射面31aと配置部31cとの間には、テラヘルツ波発生素子32で発生したテラヘルツ波Tを配置部31cに向けて平行光化する第1光学面31dが設けられている。さらに、配置部31cと出射面31bとの間には、配置部31cからのテラヘルツ波Tを出射面31bに向けて集光する第2光学面31eが設けられている。これらの第1光学面31d及び第2光学面31eは、分光プリズム31の底面を所定の形状に曲面加工することによって形成されている。
テラヘルツ波発生素子32としては、例えばZnTeなどの非線形光学結晶、GaAsを用いた光スイッチなどのアンテナ素子、InAsなどの半導体、超伝導体などを用いることができる。これらの素子から発生するテラヘルツ波Tのパルスは、一般的には数ピコ秒程度である。テラヘルツ波発生素子32として非線形光学結晶を用いた場合、テラヘルツ波発生素子32にポンプ光48が入射すると、非線形光学効果によってテラヘルツ波Tに変換される。
テラヘルツ波検出素子33としては、例えばZnTeなどの電気光学結晶、GaAsを用いた光スイッチなどのアンテナ素子を用いることができる。テラヘルツ波検出素子33として、電気光学結晶を用いた場合、テラヘルツ波検出素子33にテラヘルツ波Tとプローブ光49とが同時に入射すると、プローブ光49がポッケルス効果によって複屈折を受ける。プローブ光49の複屈折量は、テラヘルツ波Tの電場強度に比例する。したがって、プローブ光49の複屈折量を検出することで、テラヘルツ波Tを検出することができる。
なお、テラヘルツ波発生素子32及びテラヘルツ波検出素子33の固定には、例えば熱硬化型の接着剤が用いられる。このとき用いられる接着剤は、テラヘルツ波Tの波長において透明なものであって、テラヘルツ波発生素子32及びテラヘルツ波検出素子33それぞれの屈折率と分光プリズム31の屈折率との間の中間の屈折率、又は同等の屈折率を有していることが好ましい。
また、接着剤のほか、テラヘルツ波Tの波長において透明なワックスを溶融・凝固させて固定する方法や、テラヘルツ波発生素子32及びテラヘルツ波検出素子33を入射面31a及び出射面31bにそれぞれ直接接触させた状態で、テラヘルツ波発生素子32及びテラヘルツ波検出素子33の縁部を接着剤で固めるようにしてもよい。
テラヘルツ波を検出する検出部4は、テラヘルツ波検出素子33が電気光学結晶の場合、図1に示すように、例えばλ/4波長板41と、偏光素子42と、一対のフォトダイオード43,43と、差動増幅器44と、ロックイン増幅器47とによって構成されている。テラヘルツ波検出素子33で反射したプローブ光49は、ミラー45によって検出部4側に導かれ、レンズ46で集光されてλ/4波長板41を経由した後、ウォラストンプリズムなどの偏光素子42によって垂直直線偏光成分と水平直線偏光成分とに分離される。このプローブ光49の垂直直線偏光成分と水平直線偏光成分とは、一対のフォトダイオード43,43によってそれぞれ電気信号に変換され、差動増幅器44によってその差分が検出される。差動増幅器44からの出力信号は、ロックイン増幅器47によって増幅された後、データ解析部6に入力される。
テラヘルツ波検出素子33にテラヘルツ波Tとプローブ光49とが同時に入射した場合、差動増幅器44からはテラヘルツ波Tの電場強度に比例した強度の信号が出力され、テラヘルツ波検出素子33にテラヘルツ波Tとプローブ光49とが同時に入射しなかった場合、差動増幅器44からは信号が出力されないこととなる。
反射型の分光計測では、テラヘルツ波Tが分光プリズム31の配置部31cで反射するときに放射されるエバネッセント波が、分光プリズム31の配置部31cに配置される被測定物34と相互作用を起こし、被測定物34が配置されていない場合に比べてテラヘルツ波Tの反射率が変化する。したがって、このテラヘルツ波Tの反射率の変化を計測することで、被測定物34の分光特性を評価することができる。
一方、透過型の分光計測では、テラヘルツ波Tが配置部31cに配置された被測定物34を透過する際に、被測定物34の光学定数に関する情報が取得される。したがって、テラヘルツ波Tに含まれる情報を計測することで、被測定物34の分光特性を評価することができる。
データ解析部6は、例えばテラヘルツ波分光計測装置1の専用の解析プログラムに基づいて分光計測のデータ解析処理を行う部分であり、物理的には、CPU(中央処理装置)、メモリ、入力装置、及び表示部7などを有するコンピュータシステムである。データ解析部6は、ロックイン増幅器47から入力された信号に基づいてデータ解析処理を実行し、解析結果を表示部7に表示させる。
図6は、反射型の分光計測において被測定物34の光学定数を導出する手順を示すフローチャートである。なお、以下の説明では、テラヘルツ波Tが分光プリズム31の反射部31cに対しP偏光で入射した場合を仮定する。
図6に示すように、まず、テラヘルツ波分光計測装置1を用いてリファレンス測定及びサンプル測定を実施する(ステップS01,S02)。リファレンス測定では、光学定数が既知である物質(例えば空気)について測定し、サンプル測定では光学定数を得たい物質について測定する。そして、リファレンス計測結果Trefとサンプル測定結果Tsigとをそれぞれフーリエ変換することによって、リファレンス振幅Rref、リファレンス位相Φref、サンプル振幅Rsig、サンプル位相Φsigをそれぞれ求める(ステップS03)。
次に、リファレンス振幅Rrefとサンプル振幅Rsigとの比Pを式(1)によって求め、リファレンス位相Φrefとサンプル位相Φsigとの位相差Δを式(2)によって求める(ステップS04)。
Figure 0005869556
Figure 0005869556
さらに、上述した比Pと位相差Δとを用いて値qを式(3)のように定める(ステップS05)。
Figure 0005869556
ここで、分光プリズム31に対するテラヘルツ波Tの入射角をθ(図3参照)とし、リファレンス測定及びサンプル測定においてスネルの法則より求められる屈折角をそれぞれθref,θsigとする。さらに、フレネルの反射式を用いると、式(3)におけるPe−iΔは、以下の式(4)で表すことができる。
Figure 0005869556
上記式(4)を式(3)に代入し、式の変形を行うと、以下の式(5)が得られる。
Figure 0005869556
また、分光プリズム31を構成する物質の複素屈折率をnprismとし、被測定物34の複素屈折率をnsampleとした場合、スネルの法則は以下の式(6)のようになり、被測定物34の複素屈折率の2乗は、式(7)で表される。したがって、式(5)を式(7)に代入することで、被測定物34の複素屈折率を求めることができ、これにより、被測定物34の所望の光学定数が導出される(ステップS06)。
Figure 0005869556
Figure 0005869556
一方、図7は、透過型の分光計測において被測定物34の光学定数を導出する手順を示すフローチャートである(当該手順については、2006年 応用物理 vol.75 No.2 p.179参照)。
図7に示すように、透過型の分光計測においても、まず、テラヘルツ波分光計測装置1を用いてリファレンス測定及びサンプル測定を実施する(ステップS11,S12)。リファレンス測定では、光学定数が既知である物質(例えば空気)について測定し、サンプル測定では光学定数を得たい物質について測定する。そして、リファレンス計測結果Trefとサンプル測定結果Tsigとをそれぞれフーリエ変換することによって、リファレンス振幅Rref、リファレンス位相Φref、サンプル振幅Rsig、サンプル位相Φsigをそれぞれ求める(ステップS13)。
次に、リファレンス振幅Rrefとサンプル振幅Rsigに基づいて透過率Tを式(8)によって求め、リファレンス位相Φrefとサンプル位相Φsigとの位相差Δを式(9)によって求める(ステップS14)。
Figure 0005869556
Figure 0005869556
これらの値は、被測定物34の複素屈折率(式(10))を用いて式(11)のように表される。また、式(11)中のtas及びtsaは、透過フレネル係数であり、それぞれ式(12),式(13)のように表される。
Figure 0005869556
Figure 0005869556
Figure 0005869556
Figure 0005869556
これにより、以下の式(14),式(15)の連立方程式から被測定物34の複素屈折率を求めることができ、被測定物34の所望の光学定数が導出される(ステップS15)。
Figure 0005869556
Figure 0005869556
続いて、上述した一体型プリズム3の構成について更に詳細に説明する。
図2に示すように、一体型プリズム3は、本体部分51に第1のプリズム部分61及び第2のプリズム部分71のいずれか一方を組み合わせることによって分光プリズム31としての機能を奏するようになっている。本体部分51は、上述した入射面31a、出射面31b、第1光学面31d、及び第2光学面31eを含んで構成されている。本体部分51の上面側には、当該本体部分51を上面側から見た場合に、一体型プリズム3の内部におけるテラヘルツ波Tの光路と交差する方向に延在する断面三角状の溝部51aが形成されている。
第1のプリズム部分61は、例えば本体部分51と同様にSiによって、本体部分51の溝部51aと同じ長さの断面三角状に形成されている。第1のプリズム部分61の底面側は、本体部分51の溝部51aに嵌合する凸部となっている。また、第1のプリズム部分61の上面には、被測定物34が配置される配置部31cが設けられている。
第2のプリズム部分71は、例えば本体部分よりも小さい屈折率を有する部材(例えば屈折率が1.5程度のプラスチック)によって、本体部分51の溝部51aと同じ長さの断面三角状に形成されている。第2のプリズム部分71の底面側は、本体部分51の溝部51aに嵌合する凸部となっている。また、第2のプリズム部分71の上面には、断面矩形の溝部71aが上面から凸部の先端側に向かって形成されている。この溝部71aは、被測定物34が配置される配置部31cとなっている。
第1のプリズム部分61が本体部分51に嵌合している場合、図3に示すように、入射面31aから分光プリズム31に入射したテラヘルツ波Tは、第1光学面31dで反射して凹部51aに向かい、本体部分51と第1のプリズム部分61との嵌合部分を透過して被測定物34が配置された配置部31cで全反射する。配置部31cで全反射したテラヘルツ波Tは、本体部分51と第1のプリズム部分61との嵌合部分を透過し、第2光学面31eで反射して出射面31bから出射する。
一方、第2のプリズム部分71が本体部分51に嵌合している場合、図4に示すように、入射面31aから分光プリズム31に入射したテラヘルツ波Tは、第1光学面31dで反射して凹部51aに向かい、本体部分51と第2のプリズム部分71との嵌合部分で屈折して溝部71a内の被測定物34を透過する。被測定物34を透過したテラヘルツ波Tは、本体部分51と第2のプリズム部分71との嵌合部分で屈折し、第2光学面31eで反射して出射面31bから出射する。
例えば図5に示すように、分光プリズム31が屈折率3.4のSiからなり、第2のプリズム部分71が屈折率1.5のプラスチックからなる場合であって、分光プリズム31に対するテラヘルツ波Tの入射角θiが45°であるときは、断面三角形状の溝部51aの開き角δは69°とすればよい。このとき、テラヘルツ波Tは、本体部分51と第2のプリズム部分71との嵌合部分で屈折し、溝部71a内の被測定物34に対して略垂直に入射する。被測定物34を透過したテラヘルツ波Tは、本体部分51と第2のプリズム部分71との嵌合部分で屈折し、第1のプリズム部分61を嵌合させた場合と同様の光路に戻り、第2光学面31eで反射して出射面31bから出射する。なお、±1°程度の公差は許容される。
なお、本体部分51と第1のプリズム部分61との嵌合部分、及び本体部分51と第2のプリズム部分71との嵌合部分には、少なくともテラヘルツ波Tが通る光路領域に対応してマッチングオイルMを介在させることが好ましい。こうすると、本体部分51と第1のプリズム部分61との界面、及び本体部分51と第2のプリズム部分71との界面におけるテラヘルツ波Tの多重反射を防止できる。
以上説明したように、テラヘルツ波分光計測装置1では、本体部分51に第1のプリズム部分61又は第2のプリズム部分が嵌合することにより、分光プリズム31の内部を伝播するテラヘルツ波Tの光路を容易に切り替えることができる。本体部分51に第1のプリズム部分61が嵌合しているときには、入射面31aから入射したテラヘルツ波Tが凹部51aを透過して配置部31cで反射し、反射型の分光計測を行うことができる。また、本体部分51に第2のプリズム部分71が嵌合しているときには、入射面31cから入射したテラヘルツ波Tが凹部51aで屈折して溝部71a内の被測定物34を透過し、透過型の分光計測を行うことができる。いずれの計測を行う場合も本体部分51は共通化されるので、分光プリズム31の構成が複雑化することも回避できる。
また、本実施形態では、本体部分51の上面に凹部51aが形成されている。このため、第1のプリズム部分61及び第2のプリズム部分71の着脱が容易であり、また、第1のプリズム部分61及び第2のプリズム部分71を凹部51aに嵌合したときのテラヘルツ波Tのアライメントの作業性も確保できる。
本発明は、上記実施形態に限られるものではない。
例えば上記実施形態では、第1のプリズム部分61の断面形状、第2のプリズム部分71の断面形状、及び凹部51の形状をいずれも断面三角状としているが、これらは断面矩形状などの他の形状を適用してもよい。また、嵌合部分は平坦面に限られず、曲面であってもよい。図示しないが、嵌合部分を曲面にする場合、本体部分51に第2のプリズム部分71を嵌合したときに、本体部分51と第2のプリズム部分71との嵌合部分で屈折するテラヘルツ波Tが平行光として被測定物34を透過するように曲面形状を調整することが好ましい。また、本体部分51と第2のプリズム部分71との嵌合部分で屈折するテラヘルツ波Tが被測定物34に向けて集光するように曲面形状を調整してもよい。さらに、第1のプリズム部分61の長さ及び第2のプリズム部分71の長さは、本体部分51の溝部51aと同じ長さでなくともよく、溝部51aよりも長い場合及び短い場合のいずれであってもよい。
プリズム部分の変形例としては、例えば図8(a)に示すように、第1のプリズム部分91の底部に上面と平行な平坦面91aを形成すると共に、両側部に上面と直交する側面91b,91bを形成してもよい。同様に、例えば図8(b)に示すように、第2のプリズム部分101の底部に上面と平行な平坦面101bを形成すると共に、両側部に上面と直交する側面101c,101cを形成してもよい。
この場合、本体部分81には、第1のプリズム部分91及び第2のプリズム部分101の形状に対応した溝部81aを設ける。また、本体部分81の上面の高さを図3及び図4の場合よりも低くし、第1のプリズム部分91及び第2のプリズム部分101を本体部分81の凹部81aに嵌め込んだときに、側面91b,91b及び側面101c,101cが本体部分81の上面から突出させることが好ましい。こうすると、側面91b,91b及び側面101c,101cを第1のプリズム部分91及び第2のプリズム部分101の取手部として機能させることができ、本体部分81からの第1のプリズム部分91及び第2のプリズム部分101の着脱が容易となる。
また、例えば図9(a)に示すように、第1のプリズム部分91において、側面91b,91bから板状に突出する取手部91c,91cを更に設けてもよく、例えば図9(b)に示すように、第2のプリズム部分101において、側面101c,101cから板状に突出する取手部101d,101dを更に設けてもよい。これにより、第1のプリズム部分91及び第2のプリズム部分101の取り扱いが更に容易となる。取手部の位置は、テラヘルツ波Tの伝播や被測定物34の配置を妨げない位置であれば特に制限はない。
また、例えば図10(a)及び図10(b)に示すように、本体部分111の溝部111aの底部を平坦面111bとすると共に、第1のプリズム部分121の底部及び第2のプリズム部分131の底部を平坦面121b,131bとし、第1のプリズム部分121及び第2のプリズム部分131を本体部分111の凹部111aに嵌め込んだときに、平坦面111b,121b間及び平坦面111b,131b間にスペースSが形成されるようにしてもよい。かかる構成によっても、第1のプリズム部分121及び第2のプリズム部分131の取り扱いを容易とすることができる。
また、スペースSにおいて、本体部分111と第1のプリズム部分121との嵌合部分及び本体部分111と第2のプリズム部分131との嵌合部分の外側にはみ出すようにフィルム部材Fを介在させてもよい。この場合、フィルム部材Fを把持することで、本体部分111からの第1のプリズム部分121及び第2のプリズム部分131の取り外しが容易となる。なお、フィルム部材Fを用いる場合には、スペースSは必ずしも必要ではなく、平坦面111b,121bがフィルム部材Fと接していてもよく、平坦面111b,131bがフィルム部材Fと接していてもよい。
1…テラヘルツ波分光計測装置、2…レーザ光源、3…一体型プリズム、13…ビームスプリッター(分岐部)、31…分光プリズム、31a…入射面、31b…出射面、31c…配置面、32…テラヘルツ波発生素子、33…テラヘルツ波検出素子、34…被測定物、48…ポンプ光、49…プローブ光、51,81,111…本体部分(プリズム部材)、51a,81a,111a…凹部、61,91,111…第1のプリズム部分、71,101,131…第2のプリズム部分、91c,101d…取手部、F…フィルム部材、M…マッチングオイル、S…スペース、T…テラヘルツ波。

Claims (5)

  1. レーザ光を出射する光源と、
    前記光源から出射されたレーザ光をポンプ光とプローブ光とに分岐する分岐部と、
    前記分岐部で分岐した前記ポンプ光の入射によってテラヘルツ波を発生させるテラヘルツ波発生素子と、
    前記テラヘルツ波の入射面・出射面及び被測定物の配置部を有し、前記入射面から入射した前記テラヘルツ波を内部で伝播させて前記出射面から出射させる分光プリズムと、
    前記分光プリズムの前記出射面から出射した前記テラヘルツ波と、前記分岐部で分岐した前記プローブ光とが入射し、前記テラヘルツ波と前記プローブ光との間の相関を検出するテラヘルツ波検出素子と、を備え、
    前記分光プリズムは、
    前記入射面及び前記出射面、上面側に形成された凹部、前記テラヘルツ波を前記凹部に向けて平行光化又は集光する第1光学面、及び前記凹部を通った前記テラヘルツ波を前記出射面に向けて集光する第2光学面を有する本体部分と、
    前記本体部分と略同等の屈折率を有する部材によって形成され、前記凹部に着脱自在に嵌合する凸部を含み、前記被測定物の前記配置部を上面に有する第1のプリズム部分と、
    前記本体部分よりも小さい屈折率を有する部材によって形成され、前記凹部に着脱自在に嵌合する凸部を含み、前記被測定物の前記配置部となる溝部が上面から前記凸部の先端側に向かって形成された第2のプリズム部分と、を備え、
    前記本体部分に前記第1のプリズム部分が嵌合しているときに、前記入射面から入射した前記テラヘルツ波が前記凹部を透過して前記配置部で反射し、前記本体部分に前記第2のプリズム部分が嵌合しているときに、前記入射面から入射した前記テラヘルツ波が前記凹部で屈折して前記溝部を透過することを特徴とするテラヘルツ波分光計測装置。
  2. 前記本体部分と前記第1のプリズム部分との嵌合部分、及び前記本体部分と前記第2のプリズム部分との嵌合部分にマッチングオイルが介在していることを特徴とする請求項1記載のテラヘルツ波分光計測装置。
  3. 前記本体部分と前記第1のプリズム部分との嵌合部分、及び前記本体部分と前記第2のプリズム部分との嵌合部分に、当該嵌合部分の外側にはみ出すフィルム部材が介在していることを特徴とする請求項1又は2記載のテラヘルツ波分光計測装置。
  4. 前記本体部分と前記第1のプリズム部分との嵌合部分の一部、及び前記本体部分と前記第2のプリズム部分との嵌合部分の一部にスペースが存在していることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項記載のテラヘルツ波分光計測装置。
  5. 前記第1のプリズム部分及び前記第2のプリズム部分に取手部が設けられていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項記載のテラヘルツ波分光計測装置
JP2013507262A 2011-03-29 2012-02-21 テラヘルツ波分光計測装置 Active JP5869556B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013507262A JP5869556B2 (ja) 2011-03-29 2012-02-21 テラヘルツ波分光計測装置

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011072414 2011-03-29
JP2011072414 2011-03-29
JP2013507262A JP5869556B2 (ja) 2011-03-29 2012-02-21 テラヘルツ波分光計測装置
PCT/JP2012/054157 WO2012132645A1 (ja) 2011-03-29 2012-02-21 テラヘルツ波分光計測装置及びプリズム部材

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2012132645A1 JPWO2012132645A1 (ja) 2014-07-24
JP5869556B2 true JP5869556B2 (ja) 2016-02-24

Family

ID=46930406

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013507262A Active JP5869556B2 (ja) 2011-03-29 2012-02-21 テラヘルツ波分光計測装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9080913B2 (ja)
EP (1) EP2693199B1 (ja)
JP (1) JP5869556B2 (ja)
WO (1) WO2012132645A1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2693200B1 (en) * 2011-03-29 2019-06-12 Hamamatsu Photonics K.K. Terahertz-wave spectrometer
EP2693199B1 (en) 2011-03-29 2018-07-11 Hamamatsu Photonics K.K. Terahertz-wave spectrometer and prism member
US9417193B2 (en) 2012-08-01 2016-08-16 Tatiana Globus Terahertz spectroscopy characterization with high spectral and spatial resolution for biological and chemical sensing and method of use
FR3117214A1 (fr) * 2020-12-07 2022-06-10 Seb S.A. Element optique pour un dispositif de determination de la brillance relative d’une pluralite de fibres capillaires

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4602869A (en) * 1983-12-05 1986-07-29 Harrick Nicolas J Internal reflection prism liquid cell
JP2004093495A (ja) * 2002-09-03 2004-03-25 Jasco Corp 全反射プリズム及びそれを用いた全反射装置
WO2006051778A1 (ja) * 2004-11-12 2006-05-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 生体情報測定用光学素子およびそれを用いた生体情報測定装置
JP2007279025A (ja) * 2006-03-16 2007-10-25 Kurabo Ind Ltd 全反射減衰型光学プローブおよびそれを用いた水溶液分光測定装置
JP2008224452A (ja) * 2007-03-13 2008-09-25 Hamamatsu Photonics Kk 全反射テラヘルツ波測定装置
JP2008224451A (ja) * 2007-03-13 2008-09-25 Hamamatsu Photonics Kk テラヘルツ波測定装置
JP2010014642A (ja) * 2008-07-07 2010-01-21 Sony Corp 光強度測定方法及び光強度測定装置

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61232412A (ja) 1985-04-08 1986-10-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光スイツチ
DE3715481A1 (de) 1987-05-06 1988-11-24 Naumann Dieter Kuevettenanordnung fuer diskrete vergleichende reflektionsspektroskopische messungen
JP2000121551A (ja) 1998-10-16 2000-04-28 Mitsubishi Chemicals Corp 濃度測定装置
JP4368082B2 (ja) 1999-06-21 2009-11-18 浜松ホトニクス株式会社 テラヘルツ波分光器
GB2355309B (en) * 1999-09-27 2002-01-09 Toshiba Res Europ Ltd A radiation source
GB0021502D0 (en) 2000-09-01 2000-10-18 Central Research Lab Ltd An attenuated total reflectance sensing head
JP3747319B2 (ja) * 2002-04-09 2006-02-22 独立行政法人理化学研究所 テラヘルツ波発生装置とその同調方法
AU2003290736A1 (en) * 2002-11-26 2004-06-18 Cornell Research Foundation, Inc. Miniaturized holographic fourier transform spectrometer with digital aberration correction
US20080014580A1 (en) * 2003-04-17 2008-01-17 Alfano Robert R Detection of biological molecules using THz absorption spectroscopy
JP3950818B2 (ja) 2003-05-29 2007-08-01 アイシン精機株式会社 反射型テラヘルツ分光測定装置及び測定方法
JP2006091723A (ja) 2004-09-27 2006-04-06 Olympus Corp 倒立顕微鏡
ATE443248T1 (de) 2004-09-30 2009-10-15 Picometrix Llc Optische verzögerung
JP4474290B2 (ja) 2005-01-18 2010-06-02 富士フイルム株式会社 センサユニット
JP2007024540A (ja) 2005-07-12 2007-02-01 Fujifilm Holdings Corp センサユニット及び全反射減衰を利用した測定装置
US7601977B2 (en) * 2005-12-13 2009-10-13 Massachusetts Institute Of Technology Phase-matched terahertz emitter
US7978331B2 (en) 2006-03-16 2011-07-12 Kurashiki Boseki Kabushiki Kaisha Attenuated total reflection optical probe and apparatus therewith for spectroscopic measurement of aqueous solution
JP5132146B2 (ja) 2006-03-17 2013-01-30 キヤノン株式会社 分析方法、分析装置、及び検体保持部材
JP2007271361A (ja) 2006-03-30 2007-10-18 Fujifilm Corp 測定装置及びセンサユニットの保持方法
US7808636B2 (en) * 2007-01-11 2010-10-05 Rensselaer Polytechnic Institute Systems, methods, and devices for handling terahertz radiation
JP4871176B2 (ja) 2007-03-13 2012-02-08 浜松ホトニクス株式会社 全反射テラヘルツ波測定装置
JP2009210423A (ja) * 2008-03-04 2009-09-17 Sony Corp テラヘルツ分光装置
JP5231538B2 (ja) 2008-04-30 2013-07-10 浜松ホトニクス株式会社 全反射テラヘルツ波測定装置
US7781736B2 (en) * 2008-05-19 2010-08-24 Emcore Corporation Terahertz frequency domain spectrometer with controllable phase shift
GB0912512D0 (en) * 2009-07-17 2009-08-26 Univ Leeds Generating and detecting radiation
JP5240858B2 (ja) * 2009-09-03 2013-07-17 独立行政法人理化学研究所 単色波長可変型テラヘルツ波発生/検出システム及び方法
JP5723643B2 (ja) 2011-03-22 2015-05-27 浜松ホトニクス株式会社 全反射分光計測方法
EP2693199B1 (en) 2011-03-29 2018-07-11 Hamamatsu Photonics K.K. Terahertz-wave spectrometer and prism member

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4602869A (en) * 1983-12-05 1986-07-29 Harrick Nicolas J Internal reflection prism liquid cell
JP2004093495A (ja) * 2002-09-03 2004-03-25 Jasco Corp 全反射プリズム及びそれを用いた全反射装置
WO2006051778A1 (ja) * 2004-11-12 2006-05-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 生体情報測定用光学素子およびそれを用いた生体情報測定装置
JP2007279025A (ja) * 2006-03-16 2007-10-25 Kurabo Ind Ltd 全反射減衰型光学プローブおよびそれを用いた水溶液分光測定装置
JP2008224452A (ja) * 2007-03-13 2008-09-25 Hamamatsu Photonics Kk 全反射テラヘルツ波測定装置
JP2008224451A (ja) * 2007-03-13 2008-09-25 Hamamatsu Photonics Kk テラヘルツ波測定装置
JP2010014642A (ja) * 2008-07-07 2010-01-21 Sony Corp 光強度測定方法及び光強度測定装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2012132645A1 (ja) 2012-10-04
EP2693199B1 (en) 2018-07-11
US9080913B2 (en) 2015-07-14
US20140008540A1 (en) 2014-01-09
EP2693199A4 (en) 2014-09-10
EP2693199A1 (en) 2014-02-05
JPWO2012132645A1 (ja) 2014-07-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5607566B2 (ja) テラヘルツ波分光計測装置
JP4871176B2 (ja) 全反射テラヘルツ波測定装置
JP5943594B2 (ja) テラヘルツ波素子、テラヘルツ波検出装置、テラヘルツ時間領域分光システム及びトモグラフィ装置
JP5894575B2 (ja) テラヘルツ波分光計測装置
US7619725B1 (en) Optically amplified critical wavelength refractometer
JP5723643B2 (ja) 全反射分光計測方法
JP5877942B2 (ja) 全反射分光計測装置
JP2008224452A (ja) 全反射テラヘルツ波測定装置
JP5957294B2 (ja) プリズム部材、テラヘルツ波分光計測装置、及びテラヘルツ波分光計測方法
JP5869556B2 (ja) テラヘルツ波分光計測装置
JP5550521B2 (ja) 全反射分光計測装置
RU2302623C2 (ru) Эллипсометр
JP2012083166A (ja) 全反射分光計測装置
JP5566826B2 (ja) 全反射分光計測におけるデータ解析方法
US10480925B2 (en) Inspecting a slab of material
JP3910498B2 (ja) 測定装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20141110

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20151020

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20151208

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160105

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160107

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5869556

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250