JP5953205B2 - 成膜装置及び成膜方法 - Google Patents
成膜装置及び成膜方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5953205B2 JP5953205B2 JP2012234126A JP2012234126A JP5953205B2 JP 5953205 B2 JP5953205 B2 JP 5953205B2 JP 2012234126 A JP2012234126 A JP 2012234126A JP 2012234126 A JP2012234126 A JP 2012234126A JP 5953205 B2 JP5953205 B2 JP 5953205B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- plasma
- anode electrode
- thin film
- additive element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 116
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 78
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 60
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 60
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 59
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 55
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 claims description 35
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 32
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 16
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 14
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 6
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 27
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 26
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 16
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 14
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 13
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 12
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- -1 or the like Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
r=m・v/(q・B) ……(1)
そして、コイル14の通電によって発生する磁場の磁束密度Bは、コイル14に流す電流の大きさに比例する。
Claims (5)
- 成膜材料から構成される蒸気を膜状に堆積させるための基板が内部に配置される真空容器と、該真空容器内に一端が開口する筒状のアノード電極を有し、該アノード電極とカソード電極との間に直流電圧を印加した状態で生成される成膜のアシスト用のプラズマを該アノード電極の内部から真空容器内に放出するプラズマガンとを備え、前記プラズマガンのアノード電極の内部から真空容器内に前記プラズマを放出した状態で、前記蒸気を前記基板の成膜面に膜状に堆積させることにより薄膜を成膜する成膜装置であって、
前記プラズマガンのアノード電極の内周面の少なくとも一部が、成膜する薄膜に添加すべき添加元素を含有する部材であるドーパント部材により構成されており、該ドーパント部材は、前記プラズマガンが前記アノード電極の内部に生成するプラズマによりスパッタリングされ、そのスパッタリングにより該ドーパント部材に含まれる前記添加元素が真空容器内に放出されるように配置されていることを特徴とする成膜装置。 - 請求項1記載の成膜装置において、
前記アノード電極の軸心方向での前記ドーパント部材の位置と、前記アノード電極の軸心方向の磁場を発生させるために前記真空容器の外部で前記プラズマガンに備えられたコイルに通電することにより発生する磁場の強度とのうちの少なくともいずれか一方をあらかじめ調整しておくことによって、前記薄膜の成膜時に、前記プラズマによりスパッタリングされる前記添加元素の量を制御可能であることを特徴とする成膜装置。 - 請求項1又は2記載の成膜装置において、
前記薄膜は、チタン酸ジルコン酸鉛の薄膜であり、前記ドーパント部材は、前記添加元素として、Nb(ニオブ)、V(バナジウム)及びTa(タンタル)のいずれかの元素を含むことを特徴とする成膜装置。 - 真空容器内に一端が開口する筒状のアノード電極を有するプラズマガンを用い、該プラズマガンのアノード電極とカソード電極との間に直流電圧を印加することにより生成される成膜のアシスト用のプラズマを、前記アノード電極の内部から前記真空容器内に放出した状態で、該真空容器内にあらかじめ配置された基板の成膜面に、成膜材料から構成される蒸気を膜状に堆積させることにより、薄膜を成膜する方法であって、
前記プラズマガンのアノード電極の内周面の少なくとも一部を、前記薄膜に添加すべき添加元素を含有する部材であるドーパント部材により構成しておき、
前記薄膜の成膜時に、前記プラズマガンが前記アノード電極の内部に生成する前記プラズマにより、前記ドーパント部材をスパッタリングすることによって該ドーパント部材に含まれる前記添加元素を真空容器内に放出させ、該添加元素を前記基板の成膜面上に成膜される薄膜に添加することを特徴とする成膜方法。 - 請求項4記載の成膜方法において、
前記薄膜は、チタン酸ジルコン酸鉛の薄膜であり、前記ドーパント部材は、前記添加元素として、Nb(ニオブ)、V(バナジウム)及びTa(タンタル)のいずれかの元素を含むことを特徴とする成膜方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012234126A JP5953205B2 (ja) | 2012-10-23 | 2012-10-23 | 成膜装置及び成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012234126A JP5953205B2 (ja) | 2012-10-23 | 2012-10-23 | 成膜装置及び成膜方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014084499A JP2014084499A (ja) | 2014-05-12 |
JP5953205B2 true JP5953205B2 (ja) | 2016-07-20 |
Family
ID=50787863
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012234126A Active JP5953205B2 (ja) | 2012-10-23 | 2012-10-23 | 成膜装置及び成膜方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5953205B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0645281A (ja) * | 1992-06-26 | 1994-02-18 | Sony Corp | 配線形成方法及び半導体装置、及びこれに用いることができるスパッタ方法及びスパッタ装置 |
JPH06220621A (ja) * | 1993-01-26 | 1994-08-09 | Mitsubishi Electric Corp | スパッタリング式成膜装置 |
JP3650772B2 (ja) * | 2002-12-17 | 2005-05-25 | 松下電器産業株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP5264463B2 (ja) * | 2008-12-18 | 2013-08-14 | スタンレー電気株式会社 | 成膜装置、および、圧電膜素子の製造方法 |
-
2012
- 2012-10-23 JP JP2012234126A patent/JP5953205B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014084499A (ja) | 2014-05-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20100206713A1 (en) | PZT Depositing Using Vapor Deposition | |
JP2015519477A (ja) | 事前に安定させたプラズマによるプロセスのためのスパッタリング方法 | |
JP2020066800A (ja) | 大容量プラズマcvd処理用プラズマ通路 | |
JP5403501B2 (ja) | 強誘電体膜の製造方法 | |
JP5953205B2 (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
JP2946402B2 (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
JP2005076095A (ja) | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 | |
JP5816500B2 (ja) | プラズマガンおよびそれを用いた成膜装置 | |
JP2015137405A (ja) | 成膜方法及び強誘電体膜 | |
JP2019121422A (ja) | 表面処理装置 | |
JP5246542B2 (ja) | 真空成膜装置 | |
JP5421724B2 (ja) | 薄膜素子の製造方法、成膜装置、および、その運転方法 | |
JP4735291B2 (ja) | 成膜方法 | |
JP2005272965A (ja) | 電極部材、及びこれを備えた成膜装置 | |
JP6298328B2 (ja) | 成膜装置、プラズマガン、および、薄膜を備えた物品の製造方法 | |
JP4885903B2 (ja) | 被成膜物の支持機構 | |
JP5264463B2 (ja) | 成膜装置、および、圧電膜素子の製造方法 | |
JP2526182B2 (ja) | 化合物薄膜の形成方法及び装置 | |
JP4980866B2 (ja) | 膜形成装置 | |
JP2000080466A (ja) | 真空アーク蒸着装置 | |
JPS5941509B2 (ja) | 強付着性の特に硬質炭素層を大きな面積に蒸着するための装置 | |
JP2000026953A (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
JP2010132939A (ja) | イオンプレーティング装置および成膜方法 | |
JP4440304B2 (ja) | 固体イオン源 | |
JP2001140061A (ja) | デポジションアシスト蒸着装置及び薄膜形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150908 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160428 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160524 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160613 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5953205 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |