JP5264463B2 - 成膜装置、および、圧電膜素子の製造方法 - Google Patents
成膜装置、および、圧電膜素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5264463B2 JP5264463B2 JP2008322761A JP2008322761A JP5264463B2 JP 5264463 B2 JP5264463 B2 JP 5264463B2 JP 2008322761 A JP2008322761 A JP 2008322761A JP 2008322761 A JP2008322761 A JP 2008322761A JP 5264463 B2 JP5264463 B2 JP 5264463B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- film
- piezoelectric film
- manufacturing
- piezoelectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 38
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 26
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 25
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 23
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 23
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 12
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 7
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 abstract description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 description 115
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 60
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 23
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 19
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 17
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 17
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 16
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 13
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 2
- 229910020684 PbZr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000005596 ionic collisions Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000009790 rate-determining step (RDS) Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
第2の実施形態として、第1の実施形態で製造するPZT膜を圧電膜として用いた2次元光スキャナについて図4を用いて説明する。
実施例1として、図1の成膜装置を用いてイオンプテーティング法により、ペロブスカイト型酸化物で強誘電体および圧電体の特性を示すチタン酸ジルコン酸鉛(PZT、Pb(ZrxTi1−x)O3)薄膜を形成しながら、Nbドーピングを行った。
実施例2として、添加元素プレート16の材質をSrにして、SrをドープしたPZT膜を製造した。PZTの成膜条件は実施例1と同様であり、Srプレート16ヘの印加電圧は400Vとした。他の条件も実施例1のNbの場合と同様にした。
Claims (8)
- プラズマガンと、前記プラズマガンの生成するプラズマを引き込むプラズマ引き込み口を備えた真空容器と、前記真空容器内に成膜すべき基板を支持する基板ホルダーと、前記真空容器内で蒸発源を加熱する加熱部と、
膜中に添加すべき元素を含有する部材を、前記真空容器内に引き込まれた前記プラズマから所定の距離に支持する支持部と、前記部材に所定のバイアス電圧を印加する電圧印加部とを有し、
前記支持部は、前記部材を前記プラズマ引き込み口の周辺に支持することを特徴とする成膜装置。 - 請求項1に記載の成膜装置において、前記支持部は、前記蒸発源から前記基板に向かう蒸気を遮蔽しない位置に前記部材を支持することを特徴とする成膜装置。
- 請求項1または2に記載の成膜装置において、前記プラズマガンは、圧力勾配型プラズマガンであって、反射型であることを特徴とする成膜装置。
- プラズマガンの生成する所定ガスのプラズマを成膜空間に引き込み、蒸発源を加熱して発生させた蒸気を前記プラズマに通過させた後、基板上に堆積させることにより圧電膜を成膜する工程を含む圧電素子の製造方法であって、
前記成膜工程において、前記圧電膜に添加すべき元素を含む部材を前記プラズマから所定の距離に配置し、該部材に所定のバイアス電圧を印加することにより、前記プラズマにより前記部材をスパッタリングし、スパッタ蒸発した前記元素を前記圧電膜に添加することを特徴とする圧電膜素子の製造方法。 - 請求項4に記載の圧電膜素子の製造方法において、前記圧電膜は、Pb含有ペロブスカイト酸化物であることを特徴とする圧電膜素子の製造方法。
- 請求項4または5に記載の圧電膜素子の製造方法において、前記添加元素は、Mg、Ca、SrおよびBaからなるA群から選択された元素、または、V、NbおよびTaからなるB群から選択された元素を含むことを特徴とする圧電膜素子の製造方法。
- 請求項6に記載の圧電膜素子の製造方法において、前記添加元素は、前記A群から選択された元素、および、前記B群から選択された元素の両方を含むことを特徴とする圧電膜素子の製造方法。
- 請求項4ないし7のいずれか1項に記載の圧電膜素子の製造方法において、前記プラズマガンは、反射型の圧力勾配型プラズマガンであり、前記部材を前記プラズマガンのアノードの近傍に配置することを特徴とする圧電膜素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008322761A JP5264463B2 (ja) | 2008-12-18 | 2008-12-18 | 成膜装置、および、圧電膜素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008322761A JP5264463B2 (ja) | 2008-12-18 | 2008-12-18 | 成膜装置、および、圧電膜素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010144218A JP2010144218A (ja) | 2010-07-01 |
JP5264463B2 true JP5264463B2 (ja) | 2013-08-14 |
Family
ID=42564936
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008322761A Active JP5264463B2 (ja) | 2008-12-18 | 2008-12-18 | 成膜装置、および、圧電膜素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5264463B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5953205B2 (ja) * | 2012-10-23 | 2016-07-20 | スタンレー電気株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4138196B2 (ja) * | 2000-02-18 | 2008-08-20 | スタンレー電気株式会社 | 強誘電体薄膜の製造方法及びその製造装置 |
JP4807901B2 (ja) * | 2000-12-15 | 2011-11-02 | スタンレー電気株式会社 | 薄膜作製方法 |
KR20080075441A (ko) * | 2005-12-06 | 2008-08-18 | 신메이와 인더스트리즈,리미티드 | 플라즈마 성막장치 |
-
2008
- 2008-12-18 JP JP2008322761A patent/JP5264463B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010144218A (ja) | 2010-07-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7772747B2 (en) | Process for producing a piezoelectric film, film forming apparatus, and piezoelectric film | |
RU2449409C2 (ru) | Способ управления фокусировки электронного луча электронной пушки типа пирса и управляющее устройство для нее | |
JP5029711B2 (ja) | 圧電薄膜素子及び圧電薄膜デバイス | |
US9246080B2 (en) | Ferroelectric thin film and method for producing same | |
JPWO2012073471A1 (ja) | 不揮発性記憶素子およびその製造方法 | |
TWI755922B (zh) | 具有pmnpt層的壓電裝置之製造 | |
JP6526071B2 (ja) | 層を堆積する方法、トランジスタを製造する方法、電子デバイスのための層スタック、及び電子デバイス | |
JP5403501B2 (ja) | 強誘電体膜の製造方法 | |
JP5274753B2 (ja) | 含Pb結晶薄膜の形成方法 | |
JP4138196B2 (ja) | 強誘電体薄膜の製造方法及びその製造装置 | |
JP4807901B2 (ja) | 薄膜作製方法 | |
JP5264463B2 (ja) | 成膜装置、および、圧電膜素子の製造方法 | |
JP5543251B2 (ja) | イオンプレーティング法を用いた成膜方法およびそれに用いられる装置 | |
TW201250049A (en) | Ion-assisted direct growth of porous materials | |
JP5653052B2 (ja) | 成膜装置 | |
JP5421724B2 (ja) | 薄膜素子の製造方法、成膜装置、および、その運転方法 | |
JP2012004396A (ja) | 圧電体膜の製造方法とそれを用いた圧電体素子 | |
JP2015137405A (ja) | 成膜方法及び強誘電体膜 | |
CN112853286A (zh) | 压电膜的物理气相沉积 | |
JP5612343B2 (ja) | 圧電体素子の製造方法 | |
JP5421723B2 (ja) | 成膜装置および強誘電体膜の製造方法 | |
JP5563345B2 (ja) | 圧電体素子の製造方法 | |
JP5953205B2 (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
US11195983B2 (en) | Piezoelectric film, piezoelectric element, and method for manufacturing piezoelectric film | |
KR101057849B1 (ko) | 강유전체박막을 포함하는 커패시터 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111215 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130116 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130122 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130319 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130409 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130430 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5264463 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |