JP5932988B2 - 希土類低減ガーネット系および関連のマイクロ波適用例 - Google Patents
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Description
この出願は、2011年6月6日に出願された米国仮出願番号第61/493,942号および2012年5月18日に出願された米国仮出願番号第61/648,892号の、米国特許法第119条(e)に基づく優先権の利益を主張する。以上の出願の各々の全体がここに引用により援用される。
分野
本開示は、合成ガーネット系および関連の無線周波数(RF)適用例に一般的に関する。
携帯電話、生物医学装置、およびRFIDセンサなどの電子機器の構成要素として、磁性を有するさまざまな結晶性材料が用いられている。ガーネットは、マイクロ波領域のより低い周波数部分で動作する、RF電子工学で特に有用なフェリ磁性を有する結晶性材料である。多数のマイクロ波磁性材料は、主にその強磁性共振周波数での狭い線吸収などのその好ましい磁性によってさまざまな電気通信装置で広く用いられるガーネットの合成形態であるイットリウム鉄ガーネット(YIG)の誘導体である。YIGは一般的に、イットリウム、鉄、酸素からなり、ランタニドまたはスカンジウムなどの1つ以上の他の希土類金属でドープされることがある。しかしながら、イットリウムなどの希土類元素の供給は最近ますます限られており、そのため対応してコストが急激に上昇している。このように、材料の磁性を損なわず、マイクロ波適用例に使用可能な、合成ガーネット構造中の希土類元素の費用対効果のよい置換物を見出す必要性が存在する。
この開示の組成、材料、調製方法、装置、およびシステムは各々、いくつかの局面を有し、そのいずれの単一の1つもその望ましい属性のみを担うものではない。この発明の範囲を限定することなく、そのより顕著な特徴を以下に簡単に論じる。
本明細書中に付与する見出しは、存在する場合は、便宜上のみのものであり、請求する発明の範囲または意味に必ずしも影響を及ぼすものではない。
1つの実現例では、改変合成ガーネット組成を一般式I:BixCay+2xY1−x−y−2zFe5−y−zZryVzO12で表わし得、式中、x=0〜3、y=0〜1、およびz=0〜1.5、より好ましくはx=0.5〜1.4、y=0.3〜0.55、およびz=0〜0.6である。好ましい実現例では、0.5〜1.4式単位のビスマス(Bi)を十二面体部位上のイットリウム(Y)のいくらかの代わりに用い、0.3〜0.55式単位のジルコニウム(Zr)を八面体部位上の鉄(Fe)のいくらかの代わりに用いる。いくつかの実施形態では、0.6式単位までのバナジウム(V)を四面体部位上の鉄(Fe)のいくらかの代わりに用いる。電荷のバランスは、残余のイットリウム(Y)のいくらかまたはすべての代わりに用いるカルシウム(Ca)によって達成される。いくつかの他の実施形態では、少量のニオビウム(Nb)を八面体部位上に置いてもよく、少量のモリブデン(Mo)を四面体部位上に置いてもよい。
改変合成ガーネット材料の調製は、公知のセラミック技術を用いることによって達成可能である。プロセスフローの特定の例を図8に図示する。
商業用途のガーネット系は典型的に、Y3-x(REまたはCa)xFe2-y(Me)yFe3-z(Me′)zO12として表現することができる一連の組成に属し、式中、「RE」は非Y希土類元素を表わす。非Y希土類元素(RE)は、たとえば、磁化の温度補償のためのGdであり得、高出力ドーピング目的のためには少量のHoを用いることがある。希土類は典型的に三価であり、十二面体部位を占める。八面体部位の「Me」は典型的に非磁性である(たとえば、典型的にZr+4、もっとも、In+3またはSn+4を典型的には式中約y=0.4で用いることができる)。四面体部位の「Me′」は典型的に非磁性である(たとえば、典型的にAl+3またはV+5、式中、zは磁化の範囲を与えるように式中0〜約1に異なることができる)。Ca+2は、八面体または四面体置換物が原子価>3のイオンである場合に、原子価補償のために十二面体部位で用いられる。以上に基づき、そのような商業用のガーネット系は、40%よりも多くのYまたは他のRE元素を含有し、残部は主に八面体および四面体部位上のFe+3であることがわかる。
セルラーインフラなどのRF適用例のためのフェライト装置の磁化(4πMs)は典型的に、上記共鳴モードでは400MHz〜3GHzで動作する。約5〜15%の典型的な帯域幅を達成するため、約1,000〜2,000ガウス(約0.1〜0.2テスラ)の範囲の磁化が望まれる。
式中xが1.25である、式がBi(3−2x)Ca2xFe5−xVxO12である単結晶材料が過去に成長されている。約600ガウスの4πMsの値が得られ(これは1−2GHz範囲のいくつかの同調可能なフィルタおよび共振器に好適である)、線幅は約1エルステッドであり、これはシステムの低い内在的磁気損失を示す。しかしながら、Bi置換のレベルは、式中わずか約0.5であった。
十二面体部位上のBi+3と八面体部位上のZr+4との組合せから結果的に生じ得る効果(たとえば、低い磁気結晶異方性、およびしたがって低い磁気損失)を見るため、以下の方策を試験した。第1の例示的な構成は、式Bi0.5Y2.5−xCaxZrxFe5−xO12中に、固定されたBiおよび可変Zrを含んだ。式中、xは約0から0.35に変化した。第2の例示的な構成は、式BixY2.65−xCa0.35Zr0.35Fe4.65O12中に、固定されたZrおよび可変Biを含んだ。式中、xは約0.5から1.4に変化した。
本明細書中に記載するように、希土類含有量が低減されたまたはこれを含有しないガーネットを形成することができ、そのようなガーネットは、RF適用例などの適用例のための装置で用いるのに望ましい性質を有することができる。いくつかの実現例では、そのような装置は、Bi+3イオンの独自の性質を利用するように構成可能である。
本明細書中に記載のように、希土類の含有量が低減されたまたはこれを含有しないガーネットを有するフェライト装置は、高誘電性を含むように構成可能である。RF適用例に適用されるような誘電率に関するさまざまな設計上の考慮点をここで説明する。いくつかの実現例では、誘電率が高いガーネットを利用するそのような設計は、希土類非含有構成に係ってもよく、または必ずしも係らなくてもよい。
式中、(有効透過率)=Hdc+4πMs/Hdcであり、Hdcは磁場バイアスである。式1は、固定された周波数および磁気バイアスについて、半径Rが誘電率の平方根に反比例することを示す。
これは、Rと誘電率との間の関係という観点で、式1と同様である。
本明細書中に記載のように、フェライトの大きさは、ガーネット構造と関連の誘電率を増大させることによって大幅に低減することができる。本明細書中にも記載のように、イットリウムが低減されたおよび/または非Y希土類含有量が低減されたガーネットを適切なビスマス置換によって形成することができる。いくつかの実施形態では、そのようなガーネットはイットリウム非含有または希土類非含有ガーネットを含むことができる。誘電率が増大し、かつイットリウム非含有ガーネットを有するフェライト装置を有する例示的なRF装置を図15−図17を参照して説明する。
Claims (19)
- 十二面体部位を含む構造を備える合成ガーネット材料であって、ビスマスは前記十二面体部位のうち少なくともいくつかを占め、前記ガーネット材料は誘電率値が少なくとも21であり、前記ガーネット材料が実質的に希土類を含有せず、かつ式がBi 1.4 Ca 1.6 Zr 0.55 V 0.525 Fe 3.925 O 12 となる、材料。
- 前記誘電率値は25〜32の範囲にある、請求項1に記載の材料。
- 前記誘電率値は27である、請求項1に記載の材料。
- 前記ガーネット材料は12エルステッド未満のフェリ磁性共鳴線幅値を有する、請求項1に記載の材料。
- 十二面体部位、八面体部位、および四面体部位を有する合成ガーネット材料を作製するための方法であって、
前記十二面体部位の少なくともいくつかにビスマスを導入することと、
前記八面体および四面体部位のいずれかまたは両方のうち少なくともいくつかに高分極イオンを導入して、前記ガーネット材料について少なくとも21の誘電率値を生じることとを備え、前記ガーネット材料が実質的に希土類を含有せず、かつ式がBi 1.4 Ca 1.6 Zr 0.55 V 0.525 Fe 3.925 O 12 となる、方法。 - 前記ガーネット材料の磁気共鳴線幅は12エルステッド以下である、請求項5に記載の方法。
- 前記誘電率値は25〜32の範囲にある、請求項5に記載の方法。
- サーキュレータであって、
複数の信号ポートを有する導体と、
磁場を与えるように構成される1つ以上の磁石と、
前記磁場により無線周波数(RF)信号が前記信号ポートの間で選択的に経路設定されるように前記導体および前記1つ以上の磁石に対して配設される1つ以上のフェライトディスクとを備え、前記1つ以上のフェライトディスクの各々は少なくとも21の向上した誘電率値と少なくともいくつかのガーネット構造とを有し、前記ガーネット構造は十二面体部位を含み、前記十二面体部位のうち少なくともいくつかはビスマスによって占められ、前記ガーネット構造が実質的に希土類を含有せず、かつ式がBi 1.4 Ca 1.6 Zr 0.55 V 0.525 Fe 3.925 O 12 となる、サーキュレータ。 - 前記フェライトディスクは円形のディスクである、請求項8に記載のサーキュレータ。
- 円形の前記フェライトディスクは、(ε/ε′)の平方根だけ、誘電率εを有する円形のフェライトディスクよりも直径が小さくされ、εは14〜16の範囲の誘電率であり、ε′は前記向上した誘電率値である、請求項9に記載のサーキュレータ。
- 前記サーキュレータは横方向磁気(TM)モード装置である、請求項8に記載のサーキュレータ。
- パッケージ化されたサーキュレータモジュールであって、
1つ以上の構成要素をその上に受けるように構成される実装プラットフォームと、
前記実装プラットフォーム上に実装されるサーキュレータ装置とを備え、前記サーキュレータ装置は複数の信号ポートを有する導体を含み、前記サーキュレータ装置は、磁場を与えるように構成される1つ以上の磁石をさらに含み、前記サーキュレータ装置は、前記磁場により無線周波数(RF)信号が前記信号ポートの間で選択的に経路設定されるように前記導体および前記1つ以上の磁石に対して配設される1つ以上のフェライトディスクをさらに含み、前記1つ以上のフェライトディスクの各々は少なくとも21の向上した誘電率値と少なくともいくつかのガーネット構造とを有し、前記ガーネット構造は十二面体部位を含み、少なくともそのいくつかはビスマスによって占められ、前記ガーネット構造が実質的に希土類を含有せず、かつ式がBi 1.4 Ca 1.6 Zr 0.55 V 0.525 Fe 3.925 O 12 となり、さらに
前記実装プラットフォーム上に実装され、前記サーキュレータ装置を実質的に囲みかつ保護するように寸法決めされる筺体を備える、パッケージ化されたサーキュレータモジュール。 - 無線周波数(RF)回路板であって、
複数の構成要素を受けるように構成される回路基板と、
前記回路基板上に配設され、RF信号を処理するように構成される複数の回路と、
前記回路基板上に配設され、前記回路のうち少なくともいくつかと相互接続されるサーキュレータ装置とを備え、前記サーキュレータ装置は複数の信号ポートを有する導体を含み、前記サーキュレータ装置は磁場を与えるように構成される1つ以上の磁石をさらに含み、前記サーキュレータ装置は、前記磁場により無線周波数(RF)信号が前記信号ポートの間で選択的に経路設定されるように前記導体および前記1つ以上の磁石に対して配設される1つ以上のフェライトディスクをさらに含み、前記1つ以上のフェライトディスクの各々は少なくとも21の向上した誘電率値と少なくともいくつかのガーネット構造とを有し、前記ガーネット構造は十二面体部位を含み、その少なくともいくつかはビスマスによって占められ、前記ガーネット構造が実質的に希土類を含有せず、かつ式がBi 1.4 Ca 1.6 Zr 0.55 V 0.525 Fe 3.925 O 12 となり、さらに
前記RF回路板へのおよび前記RF回路板からの前記RF信号の通過を容易にするように構成される複数の接続特徴を備える、無線周波数回路板。 - 無線周波数(RF)システムであって、
RF信号の送信および受信を容易にするように構成されるアンテナアセンブリと、
前記アンテナアセンブリに相互接続され、前記アンテナアセンブリによる送信のための送信信号を生成しかつ前記アンテナアセンブリからの受信信号を処理するように構成されるトランシーバと、
前記送信信号および前記受信信号の経路設定を容易にするように構成されるフロントエンドモジュールとを備え、前記フロントエンドモジュールは1つ以上のサーキュレータを含み、各々のサーキュレータは複数の信号ポートを有する導体を含み、前記サーキュレータは磁場を与えるように構成される1つ以上の磁石をさらに含み、前記サーキュレータは、前記磁場により無線周波数(RF)信号が前記信号ポートの間で選択的に経路設定されるように前記導体および前記1つ以上の磁石に対して配設される1つ以上のフェライトディスクをさらに含み、前記1つ以上のフェライトディスクの各々は少なくとも21の向上した誘電率値と少なくともいくつかのガーネット構造とを有し、前記ガーネット構造は十二面体部位を含み、その少なくともいくつかはビスマスによって占められ、前記ガーネット構造が実質的に希土類を含有せず、かつ式がBi 1.4 Ca 1.6 Zr 0.55 V 0.525 Fe 3.925 O 12 となる、無線周波数(RF)システム。 - 基地局を含む、請求項14に記載のRFシステム。
- 前記基地局はセル方式基地局を含む、請求項15に記載のRFシステム。
- 円形の前記1つ以上のフェライトディスクは、(ε/ε′)の平方根だけ、誘電率εを有する円形のフェライトディスクよりも直径が小さくされ、εは14〜16の範囲の誘電率であり、ε′は前記向上した誘電率である、請求項12に記載のパッケージ化されたサーキュレータモジュール。
- 円形の前記1つ以上のフェライトディスクの各々は、(ε/ε′)の平方根だけ、誘電率εを有する円形のフェライトディスクよりも直径が小さくされ、εは14〜16の範囲の誘電率であり、ε′は前記向上した誘電率である、請求項13に記載の無線周波数回路板。
- 円形の前記1つ以上のフェライトディスクの各々は、(ε/ε′)の平方根だけ、誘電率εを有する円形のフェライトディスクよりも直径が小さくされ、εは14〜16の範囲の誘電率であり、ε′は前記向上した誘電率である、請求項14に記載のRFシステム。
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