JP4811578B2 - 非可逆回路素子及び通信機器 - Google Patents

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Description

本発明は、アイソレータやサーキュレータ等の非可逆回路素子、及び、これを用いた通信機器に関する。
アイソレータやサーキュレータ等の非可逆回路素子は、携帯電話、無線機等の移動体通信機器や、その基地局等に用いられており、その一般的な構造は、例えば、特許文献1〜4に記載されているように、ヨークとして機能する磁性金属製保持具の内部に、永久磁石、及び、磁気回転子を含む組立体を収容して構成される。
ところで、近年、この種の非可逆回路素子では、移動体通信機器における形状の小型化、及び、軽量化の要求に対応すべく、低背化及び小型化が重要な技術的課題となっている。
ところが、小型化しようとすると、必然的に挿入損失が増え、反射損失や逆方向損失が悪化することにより、例えば、2GHz以上の高周波通過帯域内に、ノイズを発生させてしまうことがあった。上述した、特許文献1〜4には、上述したノイズを処理する手法は開示されていない。
特開2003−124711号公報 特開平10−294606号公報 特許第3399099号公報 U.S.P.6,337,607B1号明細書
本発明の課題は、ノイズの発生する周波数をコントロールし得る構造を持つ非可逆回路素子、及び、これを用いた通信機器を提供することである。
上述した課題を解決するため、本発明に係る非可逆回路素子は、磁気回転子と、接地導体と、誘電体とを含む。この構造において、前記誘電体は、前記磁気回転子と、前記接地導体との間に配置されている。
上記構造であると、磁気回転子と接地導体との間に、誘電体による静電容量が発生し、非可逆回路素子の共振周波数がその静電容量に対応して変化する。従って、誘電体による静電容量を調整することにより、ノイズの発生する周波数を、通過帯域外にシフトさせることが可能になる。誘電体による静電容量は、誘電体を構成する材料の比誘電率、誘電体の実効面積、及び、厚さによって変化するから、これらの物理量を適切に設定することにより、ノイズの発生する周波数を、通過帯域外に容易にシフトさせることができる。
好ましい態様として、前記磁気回転子と前記誘電体との間に電極板を有する。この構造によれば、電極板がキャパシタ電極として機能することになるので、磁気回転子と接地導体との間に発生する静電容量が安定する。従って、ノイズの発生する周波数を、通過帯域外に確実に、安定的にシフトさせることができる。
前記誘電体の具体例は、フッ素樹脂である。フッ素樹脂のほか、ポリイミド樹脂なども用いることができる。
本発明は、磁気回転子が、2つのフェライト基体と、中心導体とを含み、前記中心導体は前記2つのフェライト基体の間に配置されているタイプの非可逆回路素子に、有効である。このタイプの非可逆回路素子は、通常、磁気回転子の両面側に、シールドやヨークとして兼用される接地導体が配置される。そこで、この接地導体を利用して、誘電体を、磁気回転子の一面側または両面側に配置することができる。
以上述べたように、本発明によればノイズの発生する周波数をコントロールし得る構造を持つ非可逆回路素子を提供することができる。
本発明の他の目的、構成及び利点については、添付図面を参照し、更に詳しく説明する。但し、添付図面は、単なる例示に過ぎない。
図1は、本発明に係る非可逆回路素子について、その主要部の構成を概念的に示す図で、非可逆回路素子において通常備えられる構成部品の内、磁気回転子10と、永久磁石11と、接地導体12と、誘電体5とを抜き出して示してある。磁気回転子10は、2つのフェライト基体14、16と、中心導体15とを含み、中心導体15がフェライト基体14、15の間に配置されている。接地導体12は、接地のみならず、キャパシタ電極としても兼用される。
誘電体5は、磁気回転子10と、接地導体12との間に配置されている。図1では、磁気回転子10と誘電体5との間に、電極板13を有する。従って、電極板13がキャパシタ電極として機能し、電極板13と接地導体12との間に静電容量C01が発生する。
磁気回転子10に対しては、永久磁石11の直流磁界Hが印加され、直流磁界Hの印加された状態で、磁気回転子10が非可逆回路動作を行う。
非可逆回路動作において、磁気回転子10に隣接する電極板13と接地導体12との間に、誘電体5による静電容量C01が発生しているから、非可逆回路素子の共振周波数がその静電容量C01に対応して変化する。従って、誘電体5による静電容量C01を調整することにより、ノイズの発生する周波数を、通過帯域外にシフトさせることが可能になる。誘電体5による静電容量C01は、誘電体5を構成する材料の比誘電率、誘電体5の実効面積、及び、厚さによって変化するから、これらの物理量を適切に設定することにより、ノイズの発生する周波数を、通過帯域外に容易にシフトさせることができる。
図1では、磁気回転子10と誘電体5との間に電極板13を有しており、電極板13がキャパシタ電極として機能することになるので、磁気回転子10と接地導体12との間に発生する静電容量C01が安定する。従って、ノイズの発生する周波数を、通過帯域外に確実に、安定的にシフトさせることができる。
誘電体5としては、使用する周波数が2GHz前後の場合、比誘電率εrが2以上70以下、厚みが0.1〜0.6mmの範囲にある材料によって構成することができる。そのような材料の具体例は、フッ素樹脂である。フッ素樹脂のほか、ポリイミド樹脂なども用いることができる。
本発明は、非可逆回路素子におけるノイズをコントロールする技術として、広く適用可能であるが、図1に示すように、中心導体15がフェライト基体14、16の間に配置されているタイプの非可逆回路素子において良好な結果が得られる。
このタイプの非可逆回路素子は、通常、磁気回転子10の両面側に、シールドやヨークとして兼用される接地導体が配置される。そこで、この接地導体を利用して、誘電体5を、磁気回転子10の一面側または両面側に配置することができる。図1は、誘電体5を上側(図において)に配置した例を示しているが、図2に示すように、下側に配置してもよい。
また、図3に示すように、磁気回転子10の両側に配置された電極板131、132と接地導体12、12との間に、それぞれ、誘電体51、52を配置してもよい。この場合は、磁気回転子10に隣接する電極板131、132と接地導体12、12との間に、それぞれ、静電容量C01、C02が発生する。
次に、本発明に係る非可逆回路素子の具体的な構造例を示す。図4は非可逆回路素子の分解構造を示す斜視図、図5は図4に示した非可逆回路素子の組立状態における斜視図、図6は図5の6−6線に沿って切断した部分断面図である。
図4乃至図6に図示された非可逆回路素子は、保持具30、支持体40、下磁極板17、磁気回転子10、電極板13、誘電体層5、接地導体12及び永久磁石11を有しており、それぞれが上述した順序で積み重ねられている。
接地導体12は、厚さ0.1〜0.2mm程度の銅板を打ち抜いた導体板で構成されており、永久磁石11は、接地導体12の面内に載置されている。永久磁石11が、導電性のある磁性材料、例えば金属磁石でなる場合には、永久磁石11を接地導体とし、接地導体12を省略することもできる。
接地導体12と磁気回転子10との間には、誘電体5が配置されている。図では、磁気回転子10と誘電体5との間に電極板13を有し、電極板13が誘電体5に隣接している。従って、電極板13がキャパシタ電極として機能し、電極板13と接地導体12との間に静電容量C01(図1参照)が発生する。電極板13は、例えば、厚さ0.1〜0.3mm程度の鉄板を打ち抜いた導体板で構成されており、円板状や角板状に形成される。
磁気回転子10は、第1のフェライト基体14と、中心導体15と、第2のフェライト基体16とを含み、それぞれが上述した順序で積み重ねられている。第1及び第2のフェライト基体14、16は、イットリウム/鉄/ガーネット(YIG)等の軟磁性材料により、円板状又は角板に形成される。
中心導体15は、好ましくは、厚さが0.3〜1.0mm程度の銅板を加工した導体板あって、外周に突設された第1〜第3の端子151〜153を有する。中心導体15は、第1のフェライト基体14と、第2のフェライト基体16とにより挟持されている。
保持具30は、有底の略円筒形状体であって、好ましくは鉄等の磁性金属材料で構成されている。図4乃至図6を参照すると、保持具30は、第1〜第3の側壁部331〜333と、蓋部35とを含む。第1〜第3の側壁部331〜333は、互いに間隔を隔てて、底部内面31の内周縁から立ち上がっている。
蓋部35は、鉄などの磁性材料からなる板状体であって、ヨークとして用いられる。図示実施形態に係る蓋部35は、保持具30に組みつけられたとき、内部空間300に備えられた磁気回転子組立体10に荷重を印加する。
支持体40は、基体部41と、保持具挿入用孔44と、第1〜第3のグランド電極451〜453とを含み、好ましくは絶縁樹脂材料により構成されている。図示では、略正方形形状の平板状体であって、厚さ1.0〜2.0mm程度に構成される。支持体40は、少なくとも一面に開口する保持具挿入用孔44を有している。保持具挿入用孔44には、保持具30が挿入されている。
図4〜図6に示した実施例では、誘電体5が、非可逆回路素子10と隣接する電極板13と、接地導体12との間に入ることになるので、図1を参照して説明した作用効果を奏する。次に、実験データを挙げて、図4〜図6に示した実施例の奏する効果を、比較例と対比して説明する。
図4〜図6に示した構造において、誘電体5を、厚みT=0.2mmのフッ素樹脂(
テフロン(登録商標))によって構成した。これを実施例1とする。比較例1として、図4〜図6の構造において、誘電体5を持たない従来構造とした。これを比較例とする。実施例及び比較例ともに、中心周波数fcは2.55GHzである。
図7は実験によって得られた比較例1の伝送特性を示し、図8は実験によって得られた実施例1の伝送特性を示す。図7及び図8において、曲線S11は入力側から出力側を見た反射特性、曲線S22は出力側から入力側をみた反射特性、曲線S12は出力側から入力側への伝送損失特性、曲線S21は入力側から出力側への伝送損失特性をそれぞれ示している。横軸に取られた周波数軸は、全スパン1GHzである。
まず、図7を参照すると、中心周波数fcに近い周波数frc(図示枠)において、ノイズNpが発生しており、信号品質を悪化させる。
これに対して、実施例の場合は、図8に示すように、ノイズNpは、中心周波数fcから、約0.25GHzも離れた周波数frcにシフトしている。従って、使用される信号の品質を悪化させることがない。周波数frcは、誘電体5によって発生する静電容量C01(又はC02)を回路の一部とする共振回路の共振周波数でもある。
次に、誘電体5による静電容量C01(又はC02)の変化と、ノイズを発生する周波数frcとの関係を、図9〜図11を参照して説明する。図9〜図11において、中心周波数fcを2.4GHzに設定した。横軸に取られた周波数軸は、全スパン1GHzである。特性S11、S12、S21、S22は図7、図8と同じである。
まず、図9は、基準となるデータを示す。この基準データは、図4〜図6に示した構造において、誘電体5を厚みT=0.2mmのフッ素樹脂によって構成し、その静電容量CC01を7.5PFにして得られたものである。この条件では、ノイズを発生する周波数frcは2.55GHzであった。
次に、図10のデータは、図4〜図6に示した構造において、誘電体5を厚みT=0.1mmのフッ素樹脂によって構成し、静電容量C01を15PFに調整して得られたものである。この条件では、周波数frcは、2.34GHzであった。即ち、静電容量C01を大きくすると、ノイズを発生する周波数frcが低域側にシフトする。
図11のデータは、同じく図4〜図6に示した構造において、誘電体5を厚みT=0.4mmのフッ素樹脂によって構成し、静電容量C01を5PFに調整して得られたものである。この条件では、ノイズを発生する周波数frcは、2.70GHzであった。即ち、静電容量C01を小さくすると、ノイズを発生する周波数frcが高域側にシフトする。
図9〜図11のデータが示すとおり、誘電体5による静電容量C01(又はC02)を調整することにより、ノイズを発生する周波数frcを、低域側又は高域側に、任意に調整し、ノイズNpを通過帯域外にシフトさせ、伝送される信号の品質を改善することができる。
図4〜図6の非可逆回路素子は、図1に示した非可逆回路素子を具体化したものであるが、図2、図3に示した非可逆回路素子も、図4〜図6の例に倣って実現できる。何れの場合も、誘電体5が、非可逆回路素子10と隣接する電極板13と接地導体との間に入ることになるので、図4〜図6の実施例と同様の作用効果を奏する。なお、図4乃至図6を参照して説明した本発明の利点は、集中定数型の構成においても同様に奏することができる。
図12は本発明に係る非可逆回路素子を用いた通信機器のブロック図である。この通信機器は、例えば、移動通信システムにおける基地局に備えられるものであって、受信部6と、送信部7とを含み、両者は、送受信用アンテナ8に接続されている。受信部6は、受信用増幅回路62と、受信された信号を処理する受信回路61とを含んでいる。送信部7は、音声信号、映像信号などを生成する送信回路71と、電力増幅回路72とを含んでいる。上述した通信機器において、アンテナ8から受信部6及び送信部7に到る回路や、電力増幅回路72の出力段に、本発明に係る非可逆回路素子73、74が用いられる。非可逆回路素子73はサーキュレータとして機能し、非可逆回路素子74は終端抵抗器R0を有するアイソレータとして機能する。
以上、好ましい実施例を参照して本発明の内容を具体的に説明したが、本発明の基本的技術思想及び教示に基づいて、当業者であれば、種種の変形態様を採り得ることは自明である。
本発明に係る非可逆回路素子について、その主要部の構成を概念的に示す図である。 本発明に係る非可逆回路素子について、その主要部の別の構成を概念的に示す図である。 本発明に係る非可逆回路素子について、その主要部の更に別の構成を概念的に示す図である。 本発明に係る非可逆回路素子の分解斜視図である。 図4に示した非可逆回路素子の組立状態における斜視図である。 図5の6−6線に沿って切断した部分断面図である。 実験によって得られた比較例の伝送特性を示す図である。 実験によって得られた実施例の伝送特性を示す図である。 実験によって得られた別の実施例の伝送特性を示す図である。 実験によって得られた更に別の実施例の伝送特性を示す図である。 実験によって得られた更に別の実施例の伝送特性を示す図である。 本発明に係る非可逆回路素子を用いた通信機器のブロック図である。
5 誘電体
10 磁気回転子
11 永久磁石
12 接地導体
13 電極板
14 フェライト基体
15 中心導体
16 フェライト基体

Claims (9)

  1. 磁気回転子と、接地導体と、誘電体と、電極板とを含む非可逆回路素子であって、
    前記誘電体は、前記磁気回転子と、前記接地導体との間に配置されており、
    前記電極板は、前記磁気回転子と前記誘電体との間に備えられており、
    前記電極板及び前記接地導体をキャパシタ電極とし、前記電極板と前記接地導体との間に前記誘電体による静電容量が発生する、
    非可逆回路素子。
  2. 請求項1に記載された非可逆回路素子であって、前記誘電体は、フッ素樹脂で構成されている、非可逆回路素子。
  3. 請求項1又は2に記載された非可逆回路素子であって、
    前記磁気回転子は、2つのフェライト基体と、中心導体とを含み、前記中心導体は前記2つのフェライト基体の間に配置されている、
    非可逆回路素子。
  4. 請求項1乃至3の何れかに記載された非可逆回路素子であって、
    前記接地導体は、前記磁気回転子の両面側に設けられており、
    前記誘電体は、前記磁気回転子の少なくも一面側に配置されている、
    非可逆回路素子。
  5. 請求項1乃至4の何れかに記載された非可逆回路素子であって、
    前記接地導体は、前記磁気回転子の両面側に設けられており、
    前記誘電体は、前記磁気回転子の両面側に配置されている、
    非可逆回路素子。
  6. 請求項1乃至5の何れかに記載された非可逆回路素子であって、永久磁石を含んでおり、前記永久磁石は、前記磁気回転子に磁界を印加するものであって、前記接地導体の少なくとも1つに隣接している、非可逆回路素子。
  7. 請求項1乃至6の何れかに記載された非可逆回路素子であって、永久磁石を含んでおり、前記永久磁石は、前記磁気回転子に磁界を印加するものであって、前記接地導体の一部を構成する、非可逆回路素子。
  8. 請求項1乃至7の何れかに記載された非可逆回路素子であって、保持具を含んでおり、
    前記保持具は、全体を収納し、前記接地導体の一部を構成する、非可逆回路素子。
  9. 非可逆回路素子と、送信部とを含む通信機器であって、
    前記非可逆回路素子は、請求項1乃至8の何れかに記載されたものでなり、前記送信部と電気的に組み合わされている、
    通信機器。
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