JP3835631B2 - 集中定数型サーキュレータ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、フェリ磁性体を用いたマイクロ波非相反素子である集中定数型サ−キュレ−タの小型化・高性能化に関する。
【0002】
【従来技術】
近年、IC、トランジスター等の半導体素子、積層チップコンデンサー、積層チップインダクタ、チップ抵抗等の受動部品の小型化にともない、これらを表面実装したマイクロ波装置の小型化・薄型化が急速に進行している。このような動きの中で、マイクロ波装置を構成する上できわめて重要なマイクロ波非相反素子である集中定数型アイソレータの小型化・薄型化が望まれている。このような市場のニーズに対応し、集中定数型サ−キュレ−タ・アイソレータを小型化しようとすると必然的に挿入損失が増え、同時に反射損失や逆方向損失が劣化するという問題があった。とりわけ挿入損失は携帯電話の蓄電池の寿命に直接影響を与え、その低減が強く望まれている。
【0003】
図7(a)(b)は、中心導体が編み目状となった従来技術の集中定数型サ−キュレ−タの概略を示す平面図と構造断面図である。3組の中心導体1a,1b,1cは円板状フェリ磁性体2の上に配されている。中心導体の一方は入出力端子▲1▼▲2▼▲3▼となり、他方は共通部3に接続され、この図の場合は地導体7に接地されている。4は絶縁シートで各中心導体が交差部で短絡しないように設けられている。負荷容量Cは各端子と共通部3(地導体7)の間に接続され、サ−キュレ−タの動作周波数を決める。所望のインピ−ダンスでサ−キュレ−タ動作を実現するために、フェリ磁性体には外部磁界5が印加される。また、アイソレータとするためには、図中の点線で示すようにエネルギ−吸収抵抗Roが▲3▼端子と共通部3(地導体7)の間に接続される。
【0004】
図8(a)(b)は従来技術に用いられる中心導体1a,1b,1cの部品展開図と円板状フェリ磁性体2の部品図である。中心導体1a,1b,1cは共通部3に放射状に接続された約50μm厚みの一体物の銅板からなっている。この共通部3と円板状フェリ磁性体2の外径寸法は、略同一となっている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
次に集中定数型サ−キュレ−タを小型化してゆく場合の従来技術の背景となっている考え方について述べる。直流磁界が印加されたフェリ磁性体の内部を伝わる電磁波の波長λは概略次の式で求められる。
【0006】
【数1】
【0007】
但し、λoは真空中の電磁波の波長、εはフェリ磁性体の比誘電率、μはサ−キュレ−タ動作時の比透磁率である。ここで、1GHzで計算すると、ε=16、μ=2とすれば、λ=53mmを得る。実際に、集中定数型素子として動作する最適寸法は、λ/8程度といわれている。この値は円板状フェリ磁性体の直径Dとして6.6mm程度を要求している。しかし、実際にはこのような大きなフェリ磁性体を用いたのでは、7mm角もしくは5mm角のような小型サ−キュレ−タの実現は難しい。
【0008】
サ−キュレ−タを小型化してゆく場合、必然的に円板状のフェリ磁性体2の直径Dと厚みtが小さくなる。これは、インダクタンスの減少を招くと同時に、サ−キュレ−タ本体のインピ−ダンスの減少を招く。このため、外部の特性インピ−ダンスと整合をとるためには、必然的にフェリ磁性体には共鳴磁界よりかなり強い磁界を印加する必要が生ずる。このことは、負荷容量Cの増大を招き、サ−キュレ−タ特性の比帯域幅を狭くするとともに、挿入損失をも劣化させる。このことがこれまでの集中定数型サ−キュレ−タの小型化を妨げてきた。
【0009】
本発明は、前述の従来技術の問題点を鑑み、集中定数型サ−キュレ−タの基本構造を考察することにより、小型化しても比帯域幅や挿入損失が劣化しないフェリ磁性体と中心導体の新しい構造を用いた集中定数型サ−キュレ−タの発明に関するものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明は、中央の導電性共通部に放射状に接続された3組の中心導体と、直流磁界が印加され、前記導電性共通部上に配されるフェリ磁性体とを備え、前記3組の中心導体を前記フェリ磁性体の端部で折曲げ、前記フェリ磁性体の上面側中央部で前記3組の中心導体が互いに絶縁されるように重ね合わせ、かつ前記中心導体の端部が入出力端子となる構造において、
前記導電性共通部の面積が前記フェリ磁性体の面積より小さく、平行線路として構成された前記中心導体は、前記フェリ磁性体の下面側にまで及んで前記導電性共通部と接続し、もってフェリ磁性体の下面から側面を経て上面を通して0.5ターンを超えて約0.75ターン以下の巻数で巻き付けられており、かつ前記導電性共通部が接地されるとともに、前記中心導体の入出力端子と地導体の間に負荷容量を接続した集中定数型サ−キュレ−タである。
【0011】
また本発明の集中定数型サ−キュレ−タは、中央に導電性スルーホールを有する絶縁基板を備え、前記導電性共通部が前記絶縁基板の導電性スルーホールを介して地導体に接続され、前記導電性共通部と前記中心導体は、銀めっきが施された銅板で作製されることを特徴とする。
【0012】
また本発明は、前記導電性共通部の外形寸法を前記フェリ磁性体の外形寸法の半分以下とするものである。
【0013】
【発明の実施の形態】
本発明の主眼は、小型集中定数型サ−キュレ−タを実現するためのフェリ磁性体と中心導体の新しいの構造を提供することである。小型化のためフェリ磁性体の寸法が小さくなると、必然的にインダクタンスが小さくなる。もし、小寸法のフェリ磁性体を用いても、構造の考案によりインダクタンスを大きくできれば、比帯域幅と挿入損失の劣化を抑えることができる。
【0014】
そこで本発明では、フェリ磁性体上に互いに絶縁されて重ね合わされた中心導体において、従来よりも巻き付け長さを長くして、インダクタンスを大きくするものである。
つまり、従来では、導電性共通部の面積がフェリ磁性体の面積と同じであったため、その導電性共通部から放射状に接続された中心導体は、そのフェリ磁性体の側面からその上面において、巻き付けられていた。これは、約0.5ターンの巻き付け量ということができる。
【0015】
本発明では、導電性共通部の面積をフェリ磁性体の面積よりも小さくすることにより、フェリ磁性体の下側面から巻き付けられるようにして、中心導体のフェリ磁性体への巻き付け量を大きくし、大きいインダクタンスを得るものである。つまり、導電性共通部の面積を小さくすることにより、中心導体の巻き付けを、フェリ磁性体の下側面から始まり、側面を経て、上面に巻き付けられる構成とするものである。これにより、約0.75ターンまで巻き付け量を増やすことができ、インダクタンスを大きくすることができる。
【0016】
このことから、この導電性共通部外径寸法は、フェリ磁性体の外径寸法に対し、半分以下であることが望ましい。また、この導電性共通部は、できる限り小さい方が望ましく、最低限各中心導体を接続可能な大きさまで、小さくしても良い。
【0017】
また、この共通部を接地する手段としては、請求項2で記載したように、中央に導電性スルーホールを有する絶縁基板上に、共通部を配置し、その共通部と導電性スルーホールを接続し、更にその導電性スルーホールの他端を接地導電体に接続して、接地することができる。また他の方法として、上記絶縁基板を無くし、接地導電体上に共通部がくるように直接配置することによっても構成可能である。この場合、フェリ磁性体を凸状に形成し、その凸部が共通部に対応し、そしてその共通部のみが接地導体に接触するように構成することもできる。
【0018】
本発明のフェリ磁性体と中心導体の新しい構造を用いれば、小型化を図りながら比帯域幅が広く、かつ低挿入損失である高性能な集中定数型サ−キュレ−タを構成することができる。
【0019】
【実施例】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施例を詳細に説明する。
図1(a)は、本発明に係る一実施例を示す概略上面図、図1(b)は、図1(c)のB−B’断面構造図、図1(c)は、図1(a)のA−A’断面構造図である。尚、従来例と同様の部位には、同一の符号を付しているが、これは必ずしも同一部材というものではない。図1(c)の断面図に示すように、地導体7の上に中央に導電性スルーホール8を有する絶縁基板6が配され、このスルーホール8に導電性共通部3が接続される。この上にはフェリ磁性体2がのせられる。共通部3の面積はフェリ磁性体の面積よりも小さく、3組の中心導体はフェリ磁性体の下側で共通部3に接続される。図1(b)に示すように、それぞれの中心導体はフェリ磁性体2の端部に相当する1a',2b',2c'で折れ曲がり、図1(a)に示すように上面中央部でお互いに絶縁材料4により絶縁するように重なり、それぞれの中心導体の3つの端部1a,1b,1cは、入出力端子▲1▼▲2▼▲3▼となる。各入出力端子▲1▼▲2▼▲3▼と地導体7の間に負荷容量Cが接続されている。
【0020】
図2(a)は図1の実施例を実現するための中心導体1a,1b,1cと導電性共通部3の部品展開図である。これは銀メッキが施された約50μmの厚みの銅板で作製されている。図2(b)は本発明の他の実施例を示すものであり、共通部3がさらに小さくなっている中心導体1a,1b,1cと導電性共通部3の部品展開図である。図3は円板状フェリ磁性体2の部品図である。図4は本発明の特徴の一つである中央部に導電性スルーホール8を有する絶縁基板6である。この絶縁基板6とフェリ磁性体2は、本実施例ではほぼ同じ形状の直径3.5mmφ×厚み0.3mmのものを用いた。特に、中心導体について従来技術の構造である図7(a)のものと比較すると、本発明の特徴が理解できる。すなわち、インダクタンスとして作用する平行線路の部分が本発明では、従来技術の約1.5倍である。巻数で比較すると、従来技術では0.5タ−ンであるのに対して、本発明の構造では0.75タ−ンであると見ることができる。
【0021】
次に、本発明の効果について考察する。従来技術の構造と本発明の構造を比較する場合、本発明の構造では絶縁基板6という非磁性体が空間を占有するので、小型・薄型化という点では、不利となる。従って、実際の効果は、絶縁基板6の部分を全てフェリ磁性体とした従来技術の場合と比較しなければならない。従来技術では本発明の構造より約2倍の厚みのフェリ磁性体を使用できる。従って、これらのことを考慮して、従来技術のインダクタンスを1として本発明の効果の評価を行ってみた。すなわち、本発明の構造では、断面積が1/2となり、巻数が約1.5倍になるので、インダクタンスとしては1.125倍となる。この差は、本発明の構造の効果であり、同じ空間を用いた場合、本発明の方が約13%インダクタンスが大きくなることを意味する。これは同時に、負荷容量としても87%でよく、コンデンサーの占有面積が小さくなり、小型化に有利となることを意味している。
【0022】
図5は図1の本実施例を用いて実現した集中定数型7mm角アイソレータの特性図である。同じ大きさのフェリ磁性体を用いた従来技術の結果は点線で示した。この図から分かるように、3.5mmφ×0.3mmtの小さなガ−ネットを用いた場合、帯域幅が狭く、挿入損失も中心周波数のピーク値で0.55dB程度である。一方、本発明の構造を用いた場合は、挿入損失のピーク値は0.50dBまで改善され、かつ帯域幅も1.4倍程度になっている。これは、本発明の構造を用いた場合、インダクタンスが1.2倍程度に増加したためである。
【0023】
また本発明に係る別の実施例の断面図を図6(a)(b)に示す。図6(a)に示すものは、導電性共通部3を地導体7上に直接配置した構造である。このように、導電性共通部3を地導体7上に直接配置した場合も、上記実施例と同様の効果が得られた。図6(b)に示すものは、導電性共通部3を地導体7上に直接配置した構造であるが、フェリ磁性体2の形状を変更し、導電性共通部3のみが地導体7に接触するように構成したものである。もちろん、この構成においても上記実施例と同様の効果を得ることができた。又、このフェリ磁性体2の形状は、図に示すようなテーパ状の凸部でなくてもよく、例えば、段付き状、円弧状など適宜変更できる。
【0024】
【発明の効果】
本発明によれば、フェリ磁性体と中心導体の新規な構造を用いることにより、小型の集中定数型サ−キュレ−タでありながら、低損失な集中定数型サ−キュレ−タを提供し得るものであり、携帯電話などのマイクロは装置において、極めて有益なものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る一実施例の概略上面図(a)、B−B’断面構造図(b)、A−A’断面構造図(c)である。
【図2】本発明に係るの中心導体1a,1b,1cと導電性共通部3の部品展開図である。
【図3】本発明に係る一実施例のフェリ磁性体の部品図である。
【図4】本発明に係る一実施例の絶縁基板の部品図である。
【図5】本発明に係る一実施例と従来例との特性図である。
【図6】本発明に係る別の実施例の導電性共通部3の接地状態を示す断面構造図である。
【図7】従来例の概略上面図(a)、A−A’断面構造図(b)である。
【図8】従来例の中心導体1a,1b,1cと導電性共通部3の部品展開図(a)と、フェリ磁性体の部品図である。
【符号の説明】
1 中心導体
2 フェリ磁性体
3 導電性共通部
4 絶縁シート
5 外部磁界
C 負荷容量
Ro エネルギ−吸収抵抗
6 絶縁基板
7 地導体
8 導電性スルーホール
Claims (3)
- 中央の導電性共通部に放射状に接続された3組の中心導体と、直流磁界が印加され、前記導電性共通部上に配されるフェリ磁性体とを備え、前記3組の中心導体を前記フェリ磁性体の端部で折曲げ、前記フェリ磁性体の上面側中央部で前記3組の中心導体が互いに絶縁されるように重ね合わせ、かつ前記中心導体の端部が入出力端子となる構造において、
前記導電性共通部の面積が前記フェリ磁性体の面積より小さく、平行線路として構成された前記中心導体は、前記フェリ磁性体の下面側にまで及んで前記導電性共通部と接続し、もってフェリ磁性体の下面から側面を経て上面を通して0.5ターンを超えて約0.75ターン以下の巻数で巻き付けられており、
かつ前記導電性共通部が接地されるとともに、前記中心導体の入出力端子と地導体の間に負荷容量を接続したことを特徴とする集中定数型サ−キュレ−タ。 - 中央に導電性スルーホールを有する絶縁基板を備え、前記導電性共通部が前記絶縁基板の導電性スルーホールを介して地導体に接続され、
前記導電性共通部と前記中心導体は、銀めっきが施された銅板で作製されることを特徴とする請求項1に記載の集中定数型サ−キュレ−タ。 - 前記導電性共通部の外形寸法が前記フェリ磁性体の外形寸法の半分以下であることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の集中定数型サ−キュレ−タ。
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JP02138097A JP3835631B2 (ja) | 1997-02-04 | 1997-02-04 | 集中定数型サーキュレータ |
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JP02138097A Expired - Lifetime JP3835631B2 (ja) | 1997-02-04 | 1997-02-04 | 集中定数型サーキュレータ |
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WO2008102502A1 (ja) * | 2007-02-21 | 2008-08-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | マイクロストリップラインフィルタ |
-
1997
- 1997-02-04 JP JP02138097A patent/JP3835631B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Publication date |
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