JPH10224117A - 集中定数型サーキュレータ - Google Patents
集中定数型サーキュレータInfo
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- JPH10224117A JPH10224117A JP2138097A JP2138097A JPH10224117A JP H10224117 A JPH10224117 A JP H10224117A JP 2138097 A JP2138097 A JP 2138097A JP 2138097 A JP2138097 A JP 2138097A JP H10224117 A JPH10224117 A JP H10224117A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 小型で高性能な集中定数型サ−キュレ−タを
得る。 【構成】 本発明の集中定数型サ−キュレ−タは、中央
に導電性スルーホールを有する絶縁基板、中央の導電性
共通部に放射状に接続された３組の中心導体、直流磁界
が印加されたフェリ磁性体を順に重ね合わせ、前記３組
の中心導体を前記フェリ磁性体の端部で折曲げ、前記フ
ェリ磁性体の中央部で前記３組の中心導体がお互いに絶
縁されるように重ね合わせた構造において、前記導電性
共通部が前記スルーホールを介して地導体に接続される
とともに、前記導電性共通部の面積が前記フェリ磁性体
の面積より小さいことを特徴としている。
得る。 【構成】 本発明の集中定数型サ−キュレ−タは、中央
に導電性スルーホールを有する絶縁基板、中央の導電性
共通部に放射状に接続された３組の中心導体、直流磁界
が印加されたフェリ磁性体を順に重ね合わせ、前記３組
の中心導体を前記フェリ磁性体の端部で折曲げ、前記フ
ェリ磁性体の中央部で前記３組の中心導体がお互いに絶
縁されるように重ね合わせた構造において、前記導電性
共通部が前記スルーホールを介して地導体に接続される
とともに、前記導電性共通部の面積が前記フェリ磁性体
の面積より小さいことを特徴としている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フェリ磁性体を用
いたマイクロ波非相反素子である集中定数型サ−キュレ
−タの小型化・高性能化に関する。
いたマイクロ波非相反素子である集中定数型サ−キュレ
−タの小型化・高性能化に関する。
【０００２】
【従来技術】近年、ＩＣ、トランジスター等の半導体素
子、積層チップコンデンサー、積層チップインダクタ、
チップ抵抗等の受動部品の小型化にともない、これらを
表面実装したマイクロ波装置の小型化・薄型化が急速に
進行している。このような動きの中で、マイクロ波装置
を構成する上できわめて重要なマイクロ波非相反素子で
ある集中定数型アイソレータの小型化・薄型化が望まれ
ている。このような市場のニーズに対応し、集中定数型
サ−キュレ−タ・アイソレータを小型化しようとすると
必然的に挿入損失が増え、同時に反射損失や逆方向損失
が劣化するという問題があった。とりわけ挿入損失は携
帯電話の蓄電池の寿命に直接影響を与え、その低減が強
く望まれている。
子、積層チップコンデンサー、積層チップインダクタ、
チップ抵抗等の受動部品の小型化にともない、これらを
表面実装したマイクロ波装置の小型化・薄型化が急速に
進行している。このような動きの中で、マイクロ波装置
を構成する上できわめて重要なマイクロ波非相反素子で
ある集中定数型アイソレータの小型化・薄型化が望まれ
ている。このような市場のニーズに対応し、集中定数型
サ−キュレ−タ・アイソレータを小型化しようとすると
必然的に挿入損失が増え、同時に反射損失や逆方向損失
が劣化するという問題があった。とりわけ挿入損失は携
帯電話の蓄電池の寿命に直接影響を与え、その低減が強
く望まれている。
【０００３】図７(a)(b)は、中心導体が編み目状となっ
た従来技術の集中定数型サ−キュレ−タの概略を示す平
面図と構造断面図である。３組の中心導体１a,１b,１c
は円板状フェリ磁性体２の上に配されている。中心導体
の一方は入出力端子となり、他方は共通部３に接
続され、この図の場合は地導体７に接地されている。４
は絶縁シートで各中心導体が交差部で短絡しないように
設けられている。負荷容量Ｃは各端子と共通部３（地導
体７）の間に接続され、サ−キュレ−タの動作周波数を
決める。所望のインピ−ダンスでサ−キュレ−タ動作を
実現するために、フェリ磁性体には外部磁界５が印加さ
れる。また、アイソレータとするためには、図中の点線
で示すようにエネルギ−吸収抵抗Ｒｏが端子と共通部
３（地導体７）の間に接続される。
た従来技術の集中定数型サ−キュレ−タの概略を示す平
面図と構造断面図である。３組の中心導体１a,１b,１c
は円板状フェリ磁性体２の上に配されている。中心導体
の一方は入出力端子となり、他方は共通部３に接
続され、この図の場合は地導体７に接地されている。４
は絶縁シートで各中心導体が交差部で短絡しないように
設けられている。負荷容量Ｃは各端子と共通部３（地導
体７）の間に接続され、サ−キュレ−タの動作周波数を
決める。所望のインピ−ダンスでサ−キュレ−タ動作を
実現するために、フェリ磁性体には外部磁界５が印加さ
れる。また、アイソレータとするためには、図中の点線
で示すようにエネルギ−吸収抵抗Ｒｏが端子と共通部
３（地導体７）の間に接続される。
【０００４】図８(a)(b)は従来技術に用いられる中心導
体１a,１b,１cの部品展開図と円板状フェリ磁性体２の
部品図である。中心導体１a,１b,１cは共通部３に放射
状に接続された約５０μｍ厚みの一体物の銅板からなっ
ている。この共通部３と円板状フェリ磁性体２の外径寸
法は、略同一となっている。
体１a,１b,１cの部品展開図と円板状フェリ磁性体２の
部品図である。中心導体１a,１b,１cは共通部３に放射
状に接続された約５０μｍ厚みの一体物の銅板からなっ
ている。この共通部３と円板状フェリ磁性体２の外径寸
法は、略同一となっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】次に集中定数型サ−キ
ュレ−タを小型化してゆく場合の従来技術の背景となっ
ている考え方について述べる。直流磁界が印加されたフ
ェリ磁性体の内部を伝わる電磁波の波長λは概略次の式
で求められる。
ュレ−タを小型化してゆく場合の従来技術の背景となっ
ている考え方について述べる。直流磁界が印加されたフ
ェリ磁性体の内部を伝わる電磁波の波長λは概略次の式
で求められる。
【０００６】
【数１】
【０００７】但し、λｏは真空中の電磁波の波長、εは
フェリ磁性体の比誘電率、μはサ−キュレ−タ動作時の
比透磁率である。ここで、１ＧＨｚで計算すると、ε＝
１６、μ＝２とすれば、λ＝５３mmを得る。実際に、集
中定数型素子として動作する最適寸法は、λ／８程度と
いわれている。この値は円板状フェリ磁性体の直径Ｄと
して６.６mm程度を要求している。しかし、実際にはこ
のような大きなフェリ磁性体を用いたのでは、７mm角も
しくは５mm角のような小型サ−キュレ−タの実現は難し
い。
フェリ磁性体の比誘電率、μはサ−キュレ−タ動作時の
比透磁率である。ここで、１ＧＨｚで計算すると、ε＝
１６、μ＝２とすれば、λ＝５３mmを得る。実際に、集
中定数型素子として動作する最適寸法は、λ／８程度と
いわれている。この値は円板状フェリ磁性体の直径Ｄと
して６.６mm程度を要求している。しかし、実際にはこ
のような大きなフェリ磁性体を用いたのでは、７mm角も
しくは５mm角のような小型サ−キュレ−タの実現は難し
い。
【０００８】サ−キュレ−タを小型化してゆく場合、必
然的に円板状のフェリ磁性体２の直径Ｄと厚みｔが小さ
くなる。これは、インダクタンスの減少を招くと同時
に、サ−キュレ−タ本体のインピ−ダンスの減少を招
く。このため、外部の特性インピ−ダンスと整合をとる
ためには、必然的にフェリ磁性体には共鳴磁界よりかな
り強い磁界を印加する必要が生ずる。このことは、負荷
容量Ｃの増大を招き、サ−キュレ−タ特性の比帯域幅を
狭くするとともに、挿入損失をも劣化させる。このこと
がこれまでの集中定数型サ−キュレ−タの小型化を妨げ
てきた。
然的に円板状のフェリ磁性体２の直径Ｄと厚みｔが小さ
くなる。これは、インダクタンスの減少を招くと同時
に、サ−キュレ−タ本体のインピ−ダンスの減少を招
く。このため、外部の特性インピ−ダンスと整合をとる
ためには、必然的にフェリ磁性体には共鳴磁界よりかな
り強い磁界を印加する必要が生ずる。このことは、負荷
容量Ｃの増大を招き、サ−キュレ−タ特性の比帯域幅を
狭くするとともに、挿入損失をも劣化させる。このこと
がこれまでの集中定数型サ−キュレ−タの小型化を妨げ
てきた。
【０００９】本発明は、前述の従来技術の問題点を鑑
み、集中定数型サ−キュレ−タの基本構造を考察するこ
とにより、小型化しても比帯域幅や挿入損失が劣化しな
いフェリ磁性体と中心導体の新しい構造を用いた集中定
数型サ−キュレ−タの発明に関するものである。
み、集中定数型サ−キュレ−タの基本構造を考察するこ
とにより、小型化しても比帯域幅や挿入損失が劣化しな
いフェリ磁性体と中心導体の新しい構造を用いた集中定
数型サ−キュレ−タの発明に関するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、中央の導電性
共通部に放射状に接続された３組の中心導体、直流磁界
が印加され、前記導電性共通部上に配されるフェリ磁性
体、前記３組の中心導体を前記フェリ磁性体の端部で折
曲げ、前記フェリ磁性体上の中央部で前記３組の中心導
体が互いに絶縁されるように重ね合わされ、かつ前記中
心導体の端部が入出力端子となる構造において、前記導
電性共通部の面積が前記フェリ磁性体の面積より小さ
く、かつ前記導電性共通部が接地されるとともに、前記
中心導体の入出力端子と地導体の間に負荷容量を接続し
た集中定数型サ−キュレ−タである。
共通部に放射状に接続された３組の中心導体、直流磁界
が印加され、前記導電性共通部上に配されるフェリ磁性
体、前記３組の中心導体を前記フェリ磁性体の端部で折
曲げ、前記フェリ磁性体上の中央部で前記３組の中心導
体が互いに絶縁されるように重ね合わされ、かつ前記中
心導体の端部が入出力端子となる構造において、前記導
電性共通部の面積が前記フェリ磁性体の面積より小さ
く、かつ前記導電性共通部が接地されるとともに、前記
中心導体の入出力端子と地導体の間に負荷容量を接続し
た集中定数型サ−キュレ−タである。
【００１１】また本発明の集中定数型サ−キュレ−タ
は、中央に導電性スルーホールを有する絶縁基板と、中
央の導電性共通部に放射状に接続された３組の中心導体
と、直流磁界が印加されたフェリ磁性体とを順に重ね合
わせ、前記３組の中心導体を前記フェリ磁性体の端部で
折曲げ、前記フェリ磁性体の中央部で前記３組の中心導
体が互いに絶縁されるように重ね合わせ、かつ前記中心
導体の端部が入出力端子となる構造において、前記導電
性共通部が前記絶縁基板の導電性スルーホールを介して
地導体に接続されるとともに、前記導電性共通部の面積
が前記フェリ磁性体の面積より小さく、かつ前記中心導
体の入出力端子と地導体の間に負荷容量を接続したこと
を特徴としている。
は、中央に導電性スルーホールを有する絶縁基板と、中
央の導電性共通部に放射状に接続された３組の中心導体
と、直流磁界が印加されたフェリ磁性体とを順に重ね合
わせ、前記３組の中心導体を前記フェリ磁性体の端部で
折曲げ、前記フェリ磁性体の中央部で前記３組の中心導
体が互いに絶縁されるように重ね合わせ、かつ前記中心
導体の端部が入出力端子となる構造において、前記導電
性共通部が前記絶縁基板の導電性スルーホールを介して
地導体に接続されるとともに、前記導電性共通部の面積
が前記フェリ磁性体の面積より小さく、かつ前記中心導
体の入出力端子と地導体の間に負荷容量を接続したこと
を特徴としている。
【００１２】また本発明は、前記導電性共通部の外形寸
法を前記フェリ磁性体の外形寸法の半分以下とするもの
である。
法を前記フェリ磁性体の外形寸法の半分以下とするもの
である。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の主眼は、小型集中定数型
サ−キュレ−タを実現するためのフェリ磁性体と中心導
体の新しいの構造を提供することである。小型化のため
フェリ磁性体の寸法が小さくなると、必然的にインダク
タンスが小さくなる。もし、小寸法のフェリ磁性体を用
いても、構造の考案によりインダクタンスを大きくでき
れば、比帯域幅と挿入損失の劣化を抑えることができ
る。
サ−キュレ−タを実現するためのフェリ磁性体と中心導
体の新しいの構造を提供することである。小型化のため
フェリ磁性体の寸法が小さくなると、必然的にインダク
タンスが小さくなる。もし、小寸法のフェリ磁性体を用
いても、構造の考案によりインダクタンスを大きくでき
れば、比帯域幅と挿入損失の劣化を抑えることができ
る。
【００１４】そこで本発明では、フェリ磁性体上に互い
に絶縁されて重ね合わされた中心導体において、従来よ
りも巻き付け長さを長くして、インダクタンスを大きく
するものである。つまり、従来では、導電性共通部の面
積がフェリ磁性体の面積と同じであったため、その導電
性共通部から放射状に接続された中心導体は、そのフェ
リ磁性体の側面からその上面において、巻き付けられて
いた。これは、約０．５ターンの巻き付け量ということ
ができる。
に絶縁されて重ね合わされた中心導体において、従来よ
りも巻き付け長さを長くして、インダクタンスを大きく
するものである。つまり、従来では、導電性共通部の面
積がフェリ磁性体の面積と同じであったため、その導電
性共通部から放射状に接続された中心導体は、そのフェ
リ磁性体の側面からその上面において、巻き付けられて
いた。これは、約０．５ターンの巻き付け量ということ
ができる。
【００１５】本発明では、導電性共通部の面積をフェリ
磁性体の面積よりも小さくすることにより、フェリ磁性
体の下側面から巻き付けられるようにして、中心導体の
フェリ磁性体への巻き付け量を大きくし、大きいインダ
クタンスを得るものである。つまり、導電性共通部の面
積を小さくすることにより、中心導体の巻き付けを、フ
ェリ磁性体の下側面から始まり、側面を経て、上面に巻
き付けられる構成とするものである。これにより、約
０．７５ターンまで巻き付け量を増やすことができ、イ
ンダクタンスを大きくすることができる。
磁性体の面積よりも小さくすることにより、フェリ磁性
体の下側面から巻き付けられるようにして、中心導体の
フェリ磁性体への巻き付け量を大きくし、大きいインダ
クタンスを得るものである。つまり、導電性共通部の面
積を小さくすることにより、中心導体の巻き付けを、フ
ェリ磁性体の下側面から始まり、側面を経て、上面に巻
き付けられる構成とするものである。これにより、約
０．７５ターンまで巻き付け量を増やすことができ、イ
ンダクタンスを大きくすることができる。
【００１６】このことから、この導電性共通部外径寸法
は、フェリ磁性体の外径寸法に対し、半分以下であるこ
とが望ましい。また、この導電性共通部は、できる限り
小さい方が望ましく、最低限各中心導体を接続可能な大
きさまで、小さくしても良い。
は、フェリ磁性体の外径寸法に対し、半分以下であるこ
とが望ましい。また、この導電性共通部は、できる限り
小さい方が望ましく、最低限各中心導体を接続可能な大
きさまで、小さくしても良い。
【００１７】また、この共通部を接地する手段として
は、請求項２で記載したように、中央に導電性スルーホ
ールを有する絶縁基板上に、共通部を配置し、その共通
部と導電性スルーホールを接続し、更にその導電性スル
ーホールの他端を接地導電体に接続して、接地すること
ができる。また他の方法として、上記絶縁基板を無く
し、接地導電体上に共通部がくるように直接配置するこ
とによっても構成可能である。この場合、フェリ磁性体
を凸状に形成し、その凸部が共通部に対応し、そしてそ
の共通部のみが接地導体に接触するように構成すること
もできる。
は、請求項２で記載したように、中央に導電性スルーホ
ールを有する絶縁基板上に、共通部を配置し、その共通
部と導電性スルーホールを接続し、更にその導電性スル
ーホールの他端を接地導電体に接続して、接地すること
ができる。また他の方法として、上記絶縁基板を無く
し、接地導電体上に共通部がくるように直接配置するこ
とによっても構成可能である。この場合、フェリ磁性体
を凸状に形成し、その凸部が共通部に対応し、そしてそ
の共通部のみが接地導体に接触するように構成すること
もできる。
【００１８】本発明のフェリ磁性体と中心導体の新しい
構造を用いれば、小型化を図りながら比帯域幅が広く、
かつ低挿入損失である高性能な集中定数型サ−キュレ−
タを構成することができる。
構造を用いれば、小型化を図りながら比帯域幅が広く、
かつ低挿入損失である高性能な集中定数型サ−キュレ−
タを構成することができる。
【００１９】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の実施例を詳
細に説明する。図１（ａ）は、本発明に係る一実施例を
示す概略上面図、図１（ｂ）は、図１（ｃ）のＢ−Ｂ’
断面構造図、図１（ｃ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ’断面
構造図である。尚、従来例と同様の部位には、同一の符
号を付しているが、これは必ずしも同一部材というもの
ではない。図１（ｃ）の断面図に示すように、地導体７
の上に中央に導電性スルーホール８を有する絶縁基板６
が配され、このスルーホール８に導電性共通部３が接続
される。この上にはフェリ磁性体２がのせられる。共通
部３の面積はフェリ磁性体の面積よりも小さく、３組の
中心導体はフェリ磁性体の下側で共通部３に接続され
る。図１（ｂ）に示すように、それぞれの中心導体はフ
ェリ磁性体２の端部に相当する１ａ',２ｂ',２ｃ'で折
れ曲がり、図１（ａ）に示すように上面中央部でお互い
に絶縁材料４により絶縁するように重なり、それぞれの
中心導体の３つの端部１ａ,１ｂ,１ｃは、入出力端子
となる。各入出力端子と地導体７の間に負荷
容量Ｃが接続されている。
細に説明する。図１（ａ）は、本発明に係る一実施例を
示す概略上面図、図１（ｂ）は、図１（ｃ）のＢ−Ｂ’
断面構造図、図１（ｃ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ’断面
構造図である。尚、従来例と同様の部位には、同一の符
号を付しているが、これは必ずしも同一部材というもの
ではない。図１（ｃ）の断面図に示すように、地導体７
の上に中央に導電性スルーホール８を有する絶縁基板６
が配され、このスルーホール８に導電性共通部３が接続
される。この上にはフェリ磁性体２がのせられる。共通
部３の面積はフェリ磁性体の面積よりも小さく、３組の
中心導体はフェリ磁性体の下側で共通部３に接続され
る。図１（ｂ）に示すように、それぞれの中心導体はフ
ェリ磁性体２の端部に相当する１ａ',２ｂ',２ｃ'で折
れ曲がり、図１（ａ）に示すように上面中央部でお互い
に絶縁材料４により絶縁するように重なり、それぞれの
中心導体の３つの端部１ａ,１ｂ,１ｃは、入出力端子
となる。各入出力端子と地導体７の間に負荷
容量Ｃが接続されている。
【００２０】図２（ａ）は図１の実施例を実現するため
の中心導体１ａ,１ｂ,１ｃと導電性共通部３の部品展開
図である。これは銀メッキが施された約５０μｍの厚み
の銅板で作製されている。図２（ｂ）は本発明の他の実
施例を示すものであり、共通部３がさらに小さくなって
いる中心導体１ａ,１ｂ,１ｃと導電性共通部３の部品展
開図である。図３は円板状フェリ磁性体２の部品図であ
る。図４は本発明の特徴の一つである中央部に導電性ス
ルーホール８を有する絶縁基板６である。この絶縁基板
６とフェリ磁性体２は、本実施例ではほぼ同じ形状の直
径３.５ｍｍφ×厚み０.３ｍｍのものを用いた。特に、
中心導体について従来技術の構造である図７(a)のもの
と比較すると、本発明の特徴が理解できる。すなわち、
インダクタンスとして作用する平行線路の部分が本発明
では、従来技術の約１.５倍である。巻数で比較する
と、従来技術では０.５タ−ンであるのに対して、本発
明の構造では０.７５タ−ンであると見ることができ
る。
の中心導体１ａ,１ｂ,１ｃと導電性共通部３の部品展開
図である。これは銀メッキが施された約５０μｍの厚み
の銅板で作製されている。図２（ｂ）は本発明の他の実
施例を示すものであり、共通部３がさらに小さくなって
いる中心導体１ａ,１ｂ,１ｃと導電性共通部３の部品展
開図である。図３は円板状フェリ磁性体２の部品図であ
る。図４は本発明の特徴の一つである中央部に導電性ス
ルーホール８を有する絶縁基板６である。この絶縁基板
６とフェリ磁性体２は、本実施例ではほぼ同じ形状の直
径３.５ｍｍφ×厚み０.３ｍｍのものを用いた。特に、
中心導体について従来技術の構造である図７(a)のもの
と比較すると、本発明の特徴が理解できる。すなわち、
インダクタンスとして作用する平行線路の部分が本発明
では、従来技術の約１.５倍である。巻数で比較する
と、従来技術では０.５タ−ンであるのに対して、本発
明の構造では０.７５タ−ンであると見ることができ
る。
【００２１】次に、本発明の効果について考察する。従
来技術の構造と本発明の構造を比較する場合、本発明の
構造では絶縁基板６という非磁性体が空間を占有するの
で、小型・薄型化という点では、不利となる。従って、
実際の効果は、絶縁基板６の部分を全てフェリ磁性体と
した従来技術の場合と比較しなければならない。従来技
術では本発明の構造より約２倍の厚みのフェリ磁性体を
使用できる。従って、これらのことを考慮して、従来技
術のインダクタンスを１として本発明の効果の評価を行
ってみた。すなわち、本発明の構造では、断面積が１／
２となり、巻数が約１.５倍になるので、インダクタン
スとしては１.１２５倍となる。この差は、本発明の構
造の効果であり、同じ空間を用いた場合、本発明の方が
約１３％インダクタンスが大きくなることを意味する。
これは同時に、負荷容量としても８７％でよく、コンデ
ンサーの占有面積が小さくなり、小型化に有利となるこ
とを意味している。
来技術の構造と本発明の構造を比較する場合、本発明の
構造では絶縁基板６という非磁性体が空間を占有するの
で、小型・薄型化という点では、不利となる。従って、
実際の効果は、絶縁基板６の部分を全てフェリ磁性体と
した従来技術の場合と比較しなければならない。従来技
術では本発明の構造より約２倍の厚みのフェリ磁性体を
使用できる。従って、これらのことを考慮して、従来技
術のインダクタンスを１として本発明の効果の評価を行
ってみた。すなわち、本発明の構造では、断面積が１／
２となり、巻数が約１.５倍になるので、インダクタン
スとしては１.１２５倍となる。この差は、本発明の構
造の効果であり、同じ空間を用いた場合、本発明の方が
約１３％インダクタンスが大きくなることを意味する。
これは同時に、負荷容量としても８７％でよく、コンデ
ンサーの占有面積が小さくなり、小型化に有利となるこ
とを意味している。
【００２２】図６は図１の本実施例を用いて実現した集
中定数型７ｍｍ角アイソレータの特性図である。同じ大
きさのフェリ磁性体を用いた従来技術の結果は点線で示
した。この図から分かるように、３.５ｍｍφ×０.３ｍ
ｍｔの小さなガ−ネットを用いた場合、帯域幅が狭く、
挿入損失も中心周波数のピーク値で０.５５ｄＢ程度で
ある。一方、本発明の構造を用いた場合は、挿入損失の
ピーク値は０.５０ｄＢまで改善され、かつ帯域幅も１.
４倍程度になっている。これは、本発明の構造を用いた
場合、インダクタンスが１.２倍程度に増加したためで
ある。
中定数型７ｍｍ角アイソレータの特性図である。同じ大
きさのフェリ磁性体を用いた従来技術の結果は点線で示
した。この図から分かるように、３.５ｍｍφ×０.３ｍ
ｍｔの小さなガ−ネットを用いた場合、帯域幅が狭く、
挿入損失も中心周波数のピーク値で０.５５ｄＢ程度で
ある。一方、本発明の構造を用いた場合は、挿入損失の
ピーク値は０.５０ｄＢまで改善され、かつ帯域幅も１.
４倍程度になっている。これは、本発明の構造を用いた
場合、インダクタンスが１.２倍程度に増加したためで
ある。
【００２３】また本発明に係る別の実施例の断面図を図
６（ａ）（ｂ）に示す。図６（ａ）に示すものは、導電
性共通部３を地導体７上に直接配置した構造である。こ
のように、導電性共通部３を地導体７上に直接配置した
場合も、上記実施例と同様の効果が得られた。図６
（ｂ）に示すものは、導電性共通部３を地導体７上に直
接配置した構造であるが、フェリ磁性体２の形状を変更
し、導電性共通部３のみが地導体７に接触するように構
成したものである。もちろん、この構成においても上記
実施例と同様の効果を得ることができた。又、このフェ
リ磁性体２の形状は、図に示すようなテーパ状の凸部で
なくてもよく、例えば、段付き状、円弧状など適宜変更
できる。
６（ａ）（ｂ）に示す。図６（ａ）に示すものは、導電
性共通部３を地導体７上に直接配置した構造である。こ
のように、導電性共通部３を地導体７上に直接配置した
場合も、上記実施例と同様の効果が得られた。図６
（ｂ）に示すものは、導電性共通部３を地導体７上に直
接配置した構造であるが、フェリ磁性体２の形状を変更
し、導電性共通部３のみが地導体７に接触するように構
成したものである。もちろん、この構成においても上記
実施例と同様の効果を得ることができた。又、このフェ
リ磁性体２の形状は、図に示すようなテーパ状の凸部で
なくてもよく、例えば、段付き状、円弧状など適宜変更
できる。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、フェリ磁性体と中心導
体の新規な構造を用いることにより、小型の集中定数型
サ−キュレ−タでありながら、低損失な集中定数型サ−
キュレ−タを提供し得るものであり、携帯電話などのマ
イクロは装置において、極めて有益なものである。
体の新規な構造を用いることにより、小型の集中定数型
サ−キュレ−タでありながら、低損失な集中定数型サ−
キュレ−タを提供し得るものであり、携帯電話などのマ
イクロは装置において、極めて有益なものである。
【図１】本発明に係る一実施例の概略上面図（ａ）、Ｂ
−Ｂ’断面構造図（ｂ）、Ａ−Ａ’断面構造図（ｃ）で
ある。
−Ｂ’断面構造図（ｂ）、Ａ−Ａ’断面構造図（ｃ）で
ある。
【図２】本発明に係るの中心導体１ａ,１ｂ,１ｃと導電
性共通部３の部品展開図である。
性共通部３の部品展開図である。
【図３】本発明に係る一実施例のフェリ磁性体の部品図
である。
である。
【図４】本発明に係る一実施例の絶縁基板の部品図であ
る。
る。
【図５】本発明に係る一実施例と従来例との特性図であ
る。
る。
【図６】本発明に係る別の実施例の導電性共通部３の接
地状態を示す断面構造図である。
地状態を示す断面構造図である。
【図７】従来例の概略上面図（ａ）、Ａ−Ａ’断面構造
図（ｂ）である。
図（ｂ）である。
【図８】従来例の中心導体１ａ,１ｂ,１ｃと導電性共通
部３の部品展開図（ａ）と、フェリ磁性体の部品図であ
る。
部３の部品展開図（ａ）と、フェリ磁性体の部品図であ
る。
１ 中心導体 ２ フェリ磁性体 ３ 導電性共通部 ４ 絶縁シート ５ 外部磁界 Ｃ 負荷容量 Ｒｏ エネルギ−吸収抵抗 ６ 絶縁基板 ７ 地導体 ８ 導電性スルーホール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 キルティカー アモル 鳥取県鳥取市南栄町33番地12号日立金属株 式会社磁性材料研究所鳥取分室内
Claims (3)
- 【請求項１】 中央の導電性共通部に放射状に接続され
た３組の中心導体、直流磁界が印加され、前記導電性共
通部上に配されるフェリ磁性体、前記３組の中心導体を
前記フェリ磁性体の端部で折曲げ、前記フェリ磁性体上
の中央部で前記３組の中心導体が互いに絶縁されるよう
に重ね合わされ、かつ前記中心導体の端部が入出力端子
となる構造において、前記導電性共通部の面積が前記フ
ェリ磁性体の面積より小さく、かつ前記導電性共通部が
接地されるとともに、前記中心導体の入出力端子と地導
体の間に負荷容量を接続したことを特徴とする集中定数
型サ−キュレ−タ。 - 【請求項２】 中央に導電性スルーホールを有する絶縁
基板と、中央の導電性共通部に放射状に接続された３組
の中心導体と、直流磁界が印加されたフェリ磁性体とを
順に重ね合わせ、前記３組の中心導体を前記フェリ磁性
体の端部で折曲げ、前記フェリ磁性体の中央部で前記３
組の中心導体が互いに絶縁されるように重ね合わせ、か
つ前記中心導体の端部が入出力端子となる構造におい
て、前記導電性共通部が前記絶縁基板の導電性スルーホ
ールを介して地導体に接続されるとともに、前記導電性
共通部の面積が前記フェリ磁性体の面積より小さく、か
つ前記中心導体の入出力端子と地導体の間に負荷容量を
接続したことを特徴とする集中定数型サ−キュレ−タ。 - 【請求項３】 前記導電性共通部の外形寸法が前記フェ
リ磁性体の外形寸法の半分以下であることを特徴とする
請求項１又は請求項２記載の集中定数型サ−キュレ−
タ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02138097A JP3835631B2 (ja) | 1997-02-04 | 1997-02-04 | 集中定数型サーキュレータ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02138097A JP3835631B2 (ja) | 1997-02-04 | 1997-02-04 | 集中定数型サーキュレータ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10224117A true JPH10224117A (ja) | 1998-08-21 |
| JP3835631B2 JP3835631B2 (ja) | 2006-10-18 |
Family
ID=12053494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02138097A Expired - Lifetime JP3835631B2 (ja) | 1997-02-04 | 1997-02-04 | 集中定数型サーキュレータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3835631B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008102502A1 (ja) * | 2007-02-21 | 2008-08-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | マイクロストリップラインフィルタ |
-
1997
- 1997-02-04 JP JP02138097A patent/JP3835631B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008102502A1 (ja) * | 2007-02-21 | 2008-08-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | マイクロストリップラインフィルタ |
| JP4985761B2 (ja) * | 2007-02-21 | 2012-07-25 | 株式会社村田製作所 | マイクロストリップラインフィルタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3835631B2 (ja) | 2006-10-18 |
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