JP4315262B2 - 集中定数型非可逆回路素子 - Google Patents
集中定数型非可逆回路素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4315262B2 JP4315262B2 JP28361998A JP28361998A JP4315262B2 JP 4315262 B2 JP4315262 B2 JP 4315262B2 JP 28361998 A JP28361998 A JP 28361998A JP 28361998 A JP28361998 A JP 28361998A JP 4315262 B2 JP4315262 B2 JP 4315262B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ferrite
- capacitance
- circuit device
- nonreciprocal circuit
- lumped
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Description
本発明は集中定数型非可逆回路素子に関するものであり、特に形状の小型化、低周波数化、高さの低減についての改善に関する。そして、本発明においては、集中定数型非可逆回路素子とは集中定数型サーキュレータまたはアイソレータを意味する。
【従来の技術】
集中定数型非可逆回路素子を小型化するために、同一の回路構成で相似縮小の形状を基本に対応してきた。しかし、小型化の際、所望の動作周波数帯域を確保するために必要である端子・アース間の並列キャパシタンスの確保が困難になっている。
所望の並列キャパシタンスを確保できないために、所望の電気特性が所望の動作周波数帯域より高い帯域となってしまう。同様に、中心導体を長くして、所望のL値を得るにも限界があった。
また、移動体通信の装置が低電力化・小型化しているため、装置の面積だけでなく、高さについても、低減の要求が強くなっている。したがって、装置に使用される部品の非可逆回路素子に対しても、同様の要求がなされている。
非可逆回路素子としての温度特性についても、ファラデー回転用フェライトの飽和磁化と、直流磁界を印加するための永久磁石の残留磁束密度との温度特性のアンバランスのために、その特性の変動を避けることができない。
本発明に最も近い構成の従来技術として特公昭49−28219号公報の「集中定数サーキュレータ」があげられる。この従来技術においては、独立した3個の直列キャパシタンスによって構成されている。
同公報のサーキュレータの等価回路は本発明の図13(a)又は(b)と同一で、同公報の図に記載されている3個のコイル及び3個の直列キャパシタンスの値がそれぞれ同じ値であれば、図13(a)と、同(b)は同等となる。同公報には1/8波長以下の直径のフェライトを使わざるを得なかった従来の方法に対して、1/4波長までの直径のフェライトを使うことができるようになり、1KW程度の高い電力定格に耐えうるサーキュレータを提供して、4倍の定格電力のサーキュレータの製造が可能になったと開示している。
しかし、同一のコイル値または同一のキャパシタンス値の回路は理論的にはありえたとしても、コイル値またはキャパシタンス値にバラツキがあることを考慮すると、実装上は図13(a)と同(b)とは同一の等価回路にはならない。上記従来技術は高い耐電力を得るための発明であり、直径15cm程度のフェライトを使用した動作周波数100MHz帯の大型サーキュレータを提供することを目的としたものであって、上記小型化要求または温度特性が変動する欠点を解決するものではない。
【発明が解決しようとする課題】
集中定数型非可逆回路素子を小型化して、並列キャパシタンスの所望の値を保持できない場合において、該キャパシタンスの値を増やすことなく、所望の動作周波数帯域を確保できる集中定数型非可逆回路素子が必要となる。
同様に、中心導体を従来より長くする工夫をすることによりL値を大きくして、所望の動作周波数帯域を確保できる集中定数型非可逆回路素子が必要となる。ここで述べる小型化とは、集中定数型非可逆回路素子を基板に搭載する際の占有面積の削減、または、高さの低減を意味する。
また、従来の非可逆回路素子の分解斜視図を図12に、その温度特性を図11に示す。図11において、図11(a)は−25℃における、同(b)は+23℃における、同(c)は+85℃における非可逆回路素子の特性を示している。この3つのグラフを比較すると、V.S.W.R.(電圧定在波比)、インサーションロス(順方向損失)及びアイソレーション(逆方向損失)特性が、周波数方向に関係なく、安定していないことがわかる。
【課題を解決する手段】
前記課題を解決するために、本発明では、図1に示すように少なくとも1枚のフェライト8と、シールド板7と、該シールド板7に接続されていて、長さが該フェライトの直径と厚さとの和より長く、かつ120度の角度で交差する3組の中心導体6と、該中心導体6の間を絶縁する絶縁板(図示は省略)とからなるフェライト組立体5を構成し、該フェライト組立体5とアースとの間に直列キャパシタンス17を形成する。
このようにすることにより、図8に示すように、入出力端子4・アース間の並列キャパシタンス16を増やすことなく、動作周波数の低周波数化が可能となる。特に、直列キャパシタンス17の値を300pF以下とすることにより、50MHz以上動作周波数を下げることができる。さらに、同キャパシタンス17の値を30pF以下にした場合には、100MHz以上動作周波数を下げることができる。
また、高さの低減のためには永久磁石2、フェライト8、蓋1、ケース14などのうち、いずれかまたは全部の厚さを薄くする必要がある。中でも、最も効果的なのは、永久磁石2の厚さを薄くすることである。図9は永久磁石2から印加される直流磁界をパラメータとして、アイソレーション特性を示す。
図9(a)はフェライト組立体5とアース間を直接接続した場合のアイソレーション特性である。同(b)はフェライト組立体5とアース間に、値が1pFの直列キャパシタンス17を接続した場合のアイソレーション特性である。
図9(a)と同(b)の比較からわかるように、動作周波数だけでなく、印加直流磁界も下げることができる。すなわち、永久磁石2の厚さを薄くしても、必要な磁界の強さを維持できる。
本発明においては、該直列キャパシタンス17を適切な範囲に選ぶことにより、上記必要な磁界の強さを所定の値とすることができる。従って、集中定数型非可逆回路素子の高さの低減を達成することができる。
本発明の集中定数型非可逆回路素子の温度特性を図10に示す。図10(a)は−25℃における、同(b)は+23℃における、同(c)は+85℃における非可逆回路素子の特性を示している。この3つのグラフを比較すると、V.S.W.R.、インサーションロス及びアイソレーション特性が、周波数方向に関係なく、安定していることがわかる。
本発明により、800MHz帯以上の周波数帯において5mm*5mm*2mmまたは、7mm*7mm*2mm相当の集中定数型非可逆回路素子を提供することができる。このとき、厚さ0.6mmの永久磁石2を使った集中定数型非可逆回路素子を実現できる。
すなわち、本発明は以下を特徴とする。
(1) 蓋、永久磁石、ケース、フェライト組立体、キャパシタンス及び入出力端子からなるサーキュレータ、または該サーキュレータの3つの入出力端子の中の1つの端子とアース間を抵抗で終端してなるアイソレータであって、該フェライト組立体は少なくとも1枚のフェライトと、シールド板と、該シールド板に接続されていて、長さが該フェライトの直径と厚さとの和より長く、かつ120度の角度で交差する3組の中心導体と、該中心導体の間を絶縁する絶縁板とからなり、該フェライト組立体とアースとの間に、キャパシタンスが形成されていることを特徴とする集中定数型非可逆回路素子。
(2) 前記キャパシタンスはフェライト組立体を構成するシールド板の底面の面積に等しいか、または小さい面積で形成されていることを特徴とする(1)記載の集中定数型非可逆回路素子。
(3) 前記キャパシタンスは、孔のない誘電体基板の両面に電極が形成されてなる(1)または(2)記載の集中定数型非可逆回路素子。
(4) 前記キャパシタンスは、孔を有する誘電体基板からなり、該孔はフェライト組立体が挿入できない程度に小さく、かつ該孔の周辺の両面に電極が形成されている(1)または(2)記載の集中定数型非可逆回路素子。
(5) 前記キャパシタンスは、フェライト組立体が挿入可能な孔のある誘電体基板であって、該孔の中に、第2の誘電体基板に電極が形成されてなることを特徴とする(1)または(2)記載の集中定数型非可逆回路素子。
(6) 前記キャパシタンスは、孔のある基板とない基板との積層構造となっている積層誘電体基板からなり、該誘電体基板の両面に電極が形成されていることを特徴とする(1)または(2)記載の集中定数型非可逆回路素子。
(7) 前記電極の形状は、少なくとも一方の面の電極が略円形または略ドーナツ形であることを特徴とする(3)、(4)、(5)または(6)記載の集中定数型非可逆回路素子。
(8) 前記電極の形状は、少なくとも一方の面の電極の一部が切り欠かれていることを特徴とする(3)、(4)、(5)、(6)または(7)記載の集中定数型非可逆回路素子。
(9) 前記電極により構成されるキャパシタンス値が300pF以下であることを特徴とする(3)、(4)、(5)、(6)、(7)または(8)記載の集中定数型非可逆回路素子。
(10) 前記電極により構成されるキャパシタンス値が30pF以下であることを特徴とする(3)、(4)、(5)、(6)、(7)または(8)記載の集中定数型非可逆回路素子。
(11) 前記電極により構成されるキャパシタンス値が1pF以下であることを特徴とする(3)、(4)、(5)、(6)、(7)または(8)記載の集中定数型非可逆回路素子。
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図1乃至7を参照して説明する。
フェライト組立体5とアースとの間に、直列キャパシタンス17を形成することによって、入出力端子4・アース間の並列キャパシタンス16の値を増やすことなく、動作周波数を所望の帯域に下げた集中定数型非可逆回路素子を実現できる。
直列キャパシタンス17の電極形状を適宜選ぶことにより、フェライト組立体5と直列キャパシタ17とをハンダ付けなどにより固定する際、安定した方法で固定することができる。
直列キャパシタンス17の値を適宜選ぶことにより、必要な磁界の強さを低減した集中定数型非可逆回路素子を実現できる。
直列キャパシタンス17の値を適切な範囲に選ぶことにより、温度特性を改善された集中定数型非可逆回路素子が実現できる。
中心導体の長さを適切な範囲に選ぶことにより、所望の動作周波数において、最適なインサーションロスまたはV.S.W.R.を確保することができる。
【実施例】
以下、本発明の実施例について説明する。
〔実施例1〕
中心導体の長さをフェライトの直径と厚さとの和より大きくし、フェライト組立体5とアースとの間に、直列キャパシタンス17を形成することによって、入出力端子4・アース間の並列キャパシタンス16の値を増やすことなく、動作周波数を所望の帯域に下げた非可逆回路素子の実施例を図1に示す。なお、以下の実施例においても素子の組立方法は全く同じである。
〔実施例2〕
中心導体の長さをフェライトの直径と厚さとの和より大きくし、フェライト組立体5の底面の一部と、アースとの間に小さな値の直列キャパシタンス17を形成する。誘電体基板9の両面に電極15を形成して並列キャパシタンス16と直列キャパシタンス17を形成し、該直列キャパシタンス17を前記組立体5の底面に等しいかまたは小さい面積で構成して、動作周波数を所望の帯域に下げた集中定数型非可逆回路素子の実施例を、図2に示す。
〔実施例3〕
誘電体基板9にフェライト組立体5が挿入不能な孔11が設けられ、該孔11の周辺の両面に電極が形成された実施例を図3に示す。
〔実施例4〕
誘電体基板9にフェライト組立体5が挿入可能な孔12が設けられ、該孔12の中に前記組立体5を挿入し、前記組立体5は、電極が形成された第2の誘電体基板10(直列キャパシタ17を構成している)の上に搭載された実施例を図4に示す。
〔実施例5〕
フェライト組立体5が挿入可能な孔のある誘電体基板と、孔のない誘電体基板との積層構造となっている積層誘電体基板19の、フェライト組立体5が挿入可能な穴13にフェライト組立体5を搭載した実施例を図5に示す。
〔実施例6〕
誘電体基板9または積層誘電体基板19に設けられた直列キャパシタンス17の少なくとも一方の電極の形状が、略円形、または略ドーナツ形である実施例を図6に示す。
〔実施例7〕
誘電体基板9または積層誘電体19に設けられた直列キャパシタンス17の少なくとも一方の電極の形状が、略円形、または略ドーナツ形の一部が切り欠かれた実施例を図7に示す。
これらの実施例3乃至8はいずれも実施例1または実施例2と同様の効果を奏する。
〔実施例8〕
フェライト組立体5の底面の一部と、アースとの間に小さな値の直列キャパシタンス17を形成する。該直列キャパシタンスの値を300pF以下にすることによって、動作周波数を50MHz以上下げることができる。図8にアイソレーション特性を代表例として、動作周波数帯域の低周波数化を示す。
〔実施例9〕
フェライト組立体5の底面の一部と、アースとの間に小さな値の直列キャパシタンス17を形成する。該直列キャパシタンスの値を30pF以下にすることによって、動作周波数を100MHz以上下げることができる。図8にアイソレーション特性を代表例として、動作周波数帯域の低周波数化を示す。
〔実施例10〕
フェライト組立体5の底面の一部と、アースとの間に小さな値の直列キャパシタンス17を形成する。該直列キャパシタンスの値を1pF以下にすることによって、動作周波数を所望の帯域に下げると共に、集中定数型非可逆回路素子の温度特性の改善を図ることができる。図10に改善された温度特性グラフを示す。
【発明の効果】
本発明の効果は次の通りである。
(効果1)
フェライト組立体5とアースとの間に直列キャパシタンス17を形成することにより、入出力端子4・アース間の並列キャパシタンス16を増やすことなく、動作周波数を下げることができる。従って、並列キャパシタンス16を確保するための面積を増やす必要がなく、集中定数型非可逆回路素子の小型化を図ることができる。
従来例では、各中心導体ごとに直列キャパシタンス17を形成しているが、各キャパシタンス値のバラツキが、集中定数型非可逆回路素子のインサーションロス、アイソレーション、反射損失の各特性の最適動作周波数範囲及び、最適動作磁界のバラツキの原因となる。
一方、本発明の構造においては各中心導体6の一方をシールド板7に接続し、該シールド板7とアースとの間に共通の直列キャパシタンス17を形成しているから、バラツキの要素のひとつを除去することができる。
(効果2)
フェライト組立体5とアースとの間に直列キャパシタンス17を設ける構造であって、該組立体5の底面全体を使った大きな直列キャパシタンス17を形成する場合には、該組立体5とアースとを短絡した場合の特性に近づく。しかし、(a)該直列キャパシタンス17の値を小さくすることによって、動作周波数を下げ、(b)必要な磁界の強さを下げ、かつ、(c)適切な直列キャパシタンス17の値の範囲では、集中定数型非可逆回路素子の電気特性において温度補償効果をもたらす。従来の、永久磁石2の残留磁束密度と、フェライト8の飽和磁化との温度変化率を近づけることによる温度補償効果だけでは得られなかった優れた温度補償効果である。
すなわち、(a)により、非可逆回路素子の小型化を図ることができ、(b)により、永久磁石2の厚さを薄くすることで非可逆回路素子の高さの低減を図ることができ、(c)により、温度特性の優れた非可逆回路素子を提供することができる。
(効果3)
従来の中心導体は最大でフェライトの直径と厚さの和であり、長さに一定の制限があった。そのため、無理に動作周波数帯域を低周波数化させた場合には、インサーションロスが上がり、特性が劣化する。一方、本発明の中心導体により、適正なコイル成分を確保することができるため、インサーションロス特性が劣化しない非可逆回路素子を提供することができる。
(効果4)
本発明は、800MHz帯以上の移動体通信用端末デバイス及びその小型基地局用に使用される集中定数型非可逆回路素子に関するものであるが、放送及び他の無線通信で使用されるVHF帯用の集中定数型非可逆回路素子にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例を示す分解斜視図である。
【図2】本発明の第2実施例を示す分解斜視図である。
【図3】本発明の第3実施例を示す分解斜視図である。
【図4】本発明の第4実施例を示す分解斜視図である。
【図5】本発明の第5実施例を示す分解斜視図である。
【図6】本発明の第6実施例を示す分解斜視図である。(a)は一方の面の電極が略円形である例を示した図である。(b)は一方の面の電極が略ドーナツ形である例を示した図である。
【図7】本発明の第7実施例を示す分解斜視図である。(a)は一方の面の電極が略円形であって、一部が切り欠かれていることを示した図である。(b)は一方の面の電極が略ドーナツ形であって、一部が切り欠かれていることを示した図である。
【図8】本発明のフェライト組立体5とアースとの間に形成された直列キャパシタンス17の値をパラメータとして、アイソレーション特性の動作周波数の変化を示す図である。(a)は各直列キャパシタンス17の値において、アイソレーション特性が最良となるように印加する直流磁界を最適化したときの特性グラフである。(b)は一定の直流磁界におけるアイソレーション特性を示したグラフである。
【図9】永久磁石2から印加される直流磁界をパラメータとしたアイソレーション特性を示す図であり、(a)はフェライト組立体とアース間を直接接続した場合の従来例のアイソレーション特性を、(b)はフェライト組立体とアース間に、値が1pFの直列キャパシタンス17を接続した場合の本発明のアイソレーション特性をグラフを示す。
【図10】本発明のフェライト組立体5とアースとの間に形成された直列キャパシタンス17の値を1pFとしたときの集中定数型非可逆回路素子の温度特性の変化を示す図である。(a)は−25℃における特性グラフである。(b)は+23℃における特性グラフである。(c)は+85℃における特性グラフである。
【図11】従来の温度特性の変化を示す図である。(a)は−25℃における特性グラフである。(b)は+23℃における特性グラフである。(c)は+85℃における特性グラフである。
【図12】従来の集中定数型サーキュレータを示す分解斜視図である。(a)はフェライト組立体5がアースに直接接続されている図である。(b)は各中心導体6の一方を入出力端子4として、他方を直列キャパシタ17経由でアース接続された図である。
【図13】等価回路図を示す図である。(a)及び(b)は従来技術の等価回路図であり、(c)は本発明の等価回路図である。
【符号の説明】
1 蓋
2 永久磁石
3 樹脂ケース
4 入出力端子
5 フェライト組立体
6 中心導体
7 シールド板
8 フェライト
9 誘電体基板
10 第2の誘電体基板
11 フェライト組立体が挿入不可能な孔
12 フェライト組立体が挿入可能な孔
13 フェライト組立体が挿入可能な穴
14 ケース
15 電極
16 並列キャパシタンス
17 直列キャパシタンス
18 非可逆回路素子
19 積層誘電体基板
20 コイル
21 個別の直列キャパシタンス
Claims (8)
- フェライト組立体と、ケースとを含む非可逆回路素子であって、
前記フェライト組立体は、少なくとも1枚のフェライトと、シールド板と、3組の中心導体とを含んでおり、
前記シールド板は、前記フェライトの底面に、前記底面よりも小面積となるように配置されており、
前記中心導体のそれぞれは、一端が、前記フェライトの前記底面において、前記シールド板に接続され、前記フェライトの前記底面及び側面を通って表面側に導かれ、前記表面において互いに交差し、長さが前記フェライトの直径と厚さとの和より長くなっており、
前記フェライト組立体の前記底面と、前記ケースとの間に直列キャパシタンスが形成されており、
前記中心導体に対する入出力端子と、アースとの間に、並列キャパシタンスが形成されており、前記並列キャパシタンスのそれぞれは、一端が前記入出力端子に接続され、他端がアースに接続されていること、
を特徴とする非可逆回路素子。 - 更に、両面に電極を有する前記誘電体基板を含み、前記誘電体基板を、前記フェライト組立体と前記ケースとの間に配置し、前記電極により、前記並列キャパシタンス、及び、前記直列キャパシタンスを生じさせたことを特徴とする請求項1に記載の非可逆回路素子。
- 前記キャパシタンスは、孔のない誘電体基板の両面に電極が形成されてなる請求項1または2記載の集中定数型非可逆回路素子。
- 前記キャパシタンスは、孔を有する誘電体基板からなり、該孔はフェライト組立体が挿入できない程度に小さく、かつ該孔の周辺の両面に電極が形成されている請求項1または2記載の集中定数型非可逆回路素子。
- 前記キャパシタンスは、フェライト組立体が挿入可能な孔のある誘電体基板であって、該孔の中に、第2の誘電体基板に電極が形成されてなることを特徴とする請求項1または2記載の集中定数型非可逆回路素子。
- 前記キャパシタンスは、孔のある基板とない基板との積層構造となっている積層誘電体基板からなり、該誘電体基板の両面に電極が形成されていることを特徴とする請求項1または2記載の集中定数型非可逆回路素子。
- 前記電極の形状は、少なくとも一方の面の電極が略円形または略ドーナツ形であることを特徴とする請求項3、4、5または6記載の集中定数型非可逆回路素子。
- 前記電極の形状は、少なくとも一方の面の電極の一部が切り欠かれていることを特徴とする請求項3、4、5、6または7記載の集中定数型非可逆回路素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28361998A JP4315262B2 (ja) | 1998-10-06 | 1998-10-06 | 集中定数型非可逆回路素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28361998A JP4315262B2 (ja) | 1998-10-06 | 1998-10-06 | 集中定数型非可逆回路素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000114819A JP2000114819A (ja) | 2000-04-21 |
JP4315262B2 true JP4315262B2 (ja) | 2009-08-19 |
Family
ID=17667864
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28361998A Expired - Fee Related JP4315262B2 (ja) | 1998-10-06 | 1998-10-06 | 集中定数型非可逆回路素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4315262B2 (ja) |
-
1998
- 1998-10-06 JP JP28361998A patent/JP4315262B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000114819A (ja) | 2000-04-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7253697B2 (en) | Two-port isolator and communication apparatus | |
EP1098386B1 (en) | Nonreciprocal device with lumped elements | |
US5017894A (en) | Lumped constant non-reciprocal circuit element | |
JPH11234003A (ja) | 非可逆回路素子 | |
JP2007208943A (ja) | 非可逆回路素子及び通信装置 | |
JP4315262B2 (ja) | 集中定数型非可逆回路素子 | |
US20020089390A1 (en) | Non-reciprocal circuit element, lumped element type isolator, and mobile communication unit | |
JP4240776B2 (ja) | 非可逆回路素子 | |
JP4423619B2 (ja) | 非可逆回路素子 | |
JP2000114818A (ja) | 集中定数型非可逆回路素子 | |
US6844790B2 (en) | Non-reciprocal circuit device | |
JPH09307315A (ja) | 非可逆回路素子 | |
JPH1197911A (ja) | 集中定数型非可逆回路素子 | |
JP4066349B2 (ja) | 3巻線型非可逆素子 | |
JP3656868B2 (ja) | 非可逆回路素子 | |
JP4192883B2 (ja) | 2ポート型非可逆回路素子および通信装置 | |
JP4329079B2 (ja) | 2ポート型非可逆回路素子 | |
JPH08213808A (ja) | 非可逆回路素子 | |
JP3835631B2 (ja) | 集中定数型サーキュレータ | |
US20020089392A1 (en) | Non-reciprocal circuit element, lumped element type isolator, and mobile communication unit | |
JP4348698B2 (ja) | 非可逆回路素子 | |
JP2009135557A (ja) | 2ポート型アイソレータ及び通信装置 | |
JP3761035B2 (ja) | 非可逆回路素子 | |
JP2001189606A (ja) | 非可逆回路素子及び通信機装置 | |
JPH11308013A (ja) | 集中定数型非可逆回路素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051004 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070308 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070320 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20070516 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20070516 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070518 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20070516 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070912 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071112 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081001 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20090219 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090513 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090513 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120529 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130529 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140529 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |