JP4348698B2 - 非可逆回路素子 - Google Patents
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Description
このような小型化の中で、特許文献2に示されるような2ポート型アイソレータは、従来の3ポート型のアイソレータに比較し、部品点数が少なく、小型化に有利と考えられる。そこで、本発明者は、この2ポート型アイソレータを超小型に構成することを試みた。ところが、中心周波数と挿入損失特性が所望の周波数にて得られないという問題点が生じた。
本発明においては、電気的に導通されない他方の側壁は、上ケースと絶縁性接着剤により接合するのが好ましい。また、電気的に導通する側壁は、上ケースと半田により接合され、半田付けされる側壁は、前記第2の中心導体の前記他端側にあり、前記上ケースと半田付けされない側壁は、前記第2の中心導体の前記一端側にあるのが好ましい。
なお本発明において、ループ状電流が前記金属ケース上に生じないように構成されているとは、直流的にループ状電流が流れない構成となっていればよい。
また、上ケース270は材質が金属であるから、磁気回路を形成するとともに他の構成部材を収納保持する外部ケースとしての機能も有している。
更に、上ケース270の表面には、銀、銅、金、アルミニウムのうち少なくとも一つを含む金属または合金で電気抵抗率が5.5μΩcm以下、好ましくは3.0μΩcm、更に好ましくは1.8μΩcm以下の導電性の高い金属膜を形成することが好ましい。金属膜の厚さは0.5〜25μm、好ましくは0.5〜10μm、更に好ましくは1〜8μmである。磁気ヨークはグランドとしても機能するが、このように構成することで前記金属皮膜が高周波電流のアース端子への経路となり、よって高周波信号の伝送効率を高めるとともに、外部との相互干渉を抑制して損失を低減することができる。
この容量値を合わせるための別の方法として、積層基板250に形成された電極パターン等をトリミングして、容量値を微調整する方法も用いることはできる。
もちろん、調整不要であれば、積層基板250に形成された整合用コンデンサのみで構成してもよい。
第1中心導体221と第2中心導体222のそれぞれの一端部221a,222aはフェリ磁性体210の側面で開放端となり、他端部は一体となってフェリ磁性体210の下面に延在している。第1中心導体221の一端部221aは入力端子INに電気的に接続され、他端は出力端子OUTに電気的に接続される。
前記中心導体220は、銅板の厚みは30μmで、高周波における表皮効果による損失を低減するために半光沢の銀メッキを1〜4μm施し、全体厚みを35μmとした。
すなわち、実施例1に示すように、フェリ磁性体210として矩形状のものを用いることにより、フェリ磁性体210に巻かれる中心導体221,222の長さを極力長く取ることができるため、中心導体221,222のインダクタンスを大きくすることができ、低周波化に適用可能となる。また、矩形状のフェリ磁性体210は、円板状のフェリ磁性体よりも載置時のデッドスペースを減らすこともできるため、より小型化にも対応可能となる。
誘電体シートS1には、図4の等価回路におけるコンデンサCfを調整するための電極251が形成される。電極251をトリミングすることによりコンデンサCfの調整ができる。電極252はコンデンサCiを調整するための電極である。
誘電体シートS2には、コンデンサCfを形成するための電極253が形成され、誘電体シートS1の電極251と誘電体シートS3の電極255との間で、各々コンデンサCfを形成する。また、コンデンサCiを形成するための電極254が形成され、誘電体シートS1の電極252との間でコンデンサCiを形成する。
誘電体シートS3には電極255が形成され、誘電体シートS2の電極253との間でコンデンサCfを形成する。
誘電体シートS4には電極256が形成され、誘電体シートS3の電極255、誘電体シートS5の電極257との間で、各々コンデンサCiを形成する。
誘電体シートS5には電極257が形成され、誘電体シートS4の電極256との間でコンデンサCiを、誘電体シートS6の電極258との間でコンデンサCfを各々形成する。
誘電体シートS6には電極258が形成され、誘電体シートS5の電極257との間でコンデンサCfを形成する。電極259は、図4で示す等価回路のインダクタンスLを構成する。
以上の誘電体シートS1〜S6がビアホールVhg1〜Vhg6,Vhi1〜Vhi6,Vho1〜Vho6で電気的に接続されて、図4で示す等価回路を形成する。
より好ましくは、主成分であるAl,Si,Sr,TiをそれぞれAl2O3、SiO2、SrO、TiO2に換算したとき、Al2O3換算で10〜60wt%、SiO2換算で25〜60wt%、SrO換算で7.5〜50wt%、TiO2換算で20wt%以下(0を含む)であり、その主成分100wt%に対して、副成分として、Bi、Na、K、Coの群のうちの少なくとも1種をBi2O3換算で0.1〜10wt%、Na2O換算で0.1〜5wt%、K2O換算で0.1〜5wt%、CoO換算で0.1〜5wt%含有し、更に、Cu、Mn、Agの群のうちの少なくとも1種をCuO換算で0.01〜5wt%、MnO2換算で0.01〜5wt%、Agを0.01〜5wt%含有し、その他不可避不純物を含有している混合物を700℃〜850℃で仮焼し、これを粉砕して平均粒径0.6〜2μmの微粉砕粒子からなる誘電体磁器組成物である。
これにより、積層基板250は、銀や銅、金といった高い導電率を有する金属材料を内部電極として用いて、一体焼結を行うことができる。その結果、誘電体材料の有する高いQ値を用い、しかも電気抵抗による損失を抑えた内部電極を用い、極めて損失の小さい非可逆回路素子を構成することができる。
積層基板250は、誘電体のグリーンシートに電極パターンを導電性ペーストで印刷してビアホールにも導電性ペーストを充填して積層した後に焼成する通常のLTCC(Low Temperature Cofiring:低温焼成法)で製造できる。
更に好ましくは、拘束焼成法によると焼成歪が小さい小型の積層基板を得ることができる。すなわち、積層基板の焼成条件(特に焼成温度1000℃以下)では焼成せず、積層基板の基板平面方向(X−Y方向)の焼成収縮を抑制する収縮抑制シートに上下を挟持して焼成した後に、収縮抑制シートを除去して積層基板250を得ることが出来る。
収縮抑制シートの材料は、アルミナ粉末や、アルミナ粉末と安定化ジルコニア粉末の混合材料などが使用できる。
表1に図9〜11に対応する数値を示す。
つまり、実施例1では、上ケースと下ケースにおいて、2箇所(2側面)で接続しているが、一方では半田付けにより導通しているものの、他方では接着剤により固定しているので導通してなく、前記の誘導電流(中心導体を囲むように周回するループ状電流)304が生じない構造(直流的にループ状電流が流れない構造)としている。また、実施例2では、上ケースと下ケースは接着剤のみで接合しているので、同様に前記の誘導電流(中心導体を囲むように周回するループ状電流)304が生じない構造としている。そして、これにより、所望の周波数で、所望の特性を得ることができ、しかも超小型、薄型の非可逆回路素子を構成できている。
220 中心導体
221 第1の中心導体
222 第2の中心導体
230 中心導体組立体
240 永久磁石
250 積層基板
261,262 チップコンデンサ
270,275 上ケース
280 樹脂一体型下ケース
281a、281b フレーム(側壁)
281c フレーム(下部)
282 樹脂ベース
283 スリット
290 絶縁性の高い磁性材料
301 電流
302 誘導起電力
303 高周波磁界
304 誘導電流(中心導体を囲むように周回するループ状電流)
Claims (4)
- 永久磁石と、前記永久磁石により直流磁界が印加されるフェリ磁性体と、前記フェリ磁性体に配置される並列導体で形成された第1中心導体、及び一本の導体で形成された第2中心導体と、前記各中心導体に並列に接続されるコンデンサと、前記永久磁石による直流磁界の磁気回路を構成するための金属ケースを有し、前記第1中心導体の一端が入力端子と接続され、他端が出力端子と接続され、前記第2中心導体の一端が前記出力端子と接続され、他端が接地された非可逆回路素子であって、
前記金属ケースは上ケースと下ケースとで構成され、前記下ケースは対向する一対の側壁を備え、少なくとも一方の側壁と上ケースとの間を電気的に非導通とし、下ケースの側壁間に伸びる第2中心導体による誘導起電力によって生じる、第2中心導体の配置方向と略同じ方向に金属ケースを周回するループ状電流の発生を抑制したことを特徴とする非可逆回路素子。 - 電気的に導通されない他方の側壁は、上ケースと絶縁性接着剤により接合されたことを特徴とする請求項1に記載の非可逆回路素子。
- 電気的に導通する側壁は、上ケースと半田により接合され、半田付けされる側壁は、前記第2の中心導体の前記他端側にあり、前記上ケースと半田付けされない側壁は、前記第2の中心導体の前記一端側にあることを特徴とする請求項又は2に記載の非可逆回路素子。
- 永久磁石と、前記永久磁石により直流磁界が印加されるフェリ磁性体と、前記フェリ磁性体に配置される並列導体で形成された第1中心導体、及び一本の導体で形成された第2中心導体と、前記各中心導体に並列に接続されるコンデンサと、前記永久磁石による直流磁界の磁気回路を構成するための金属ケースを有し、前記第1中心導体の一端が入力端子と接続され、他端が出力端子と接続され、前記第2中心導体の一端が前記出力端子と接続され、他端が接地された非可逆回路素子であって、
前記金属ケースは上ケースと下ケースとで構成され、前記下ケースは対向する一対の側壁を備え、下ケースにスリットを形成して前記側壁間を電気的に非導通とし、下ケースの側壁間に伸びる第2中心導体による誘導起電力によって生じる、第2中心導体の配置方向と略同じ方向に金属ケースを周回するループ状電流の発生を抑制し、前記スリットには樹脂が充填されたことを特徴とする非可逆回路素子。
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