JP2007251250A - 非可逆回路素子及び通信装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】マイクロ波用フェライト31と、該フェライト31上で互いに絶縁されて交差する第1及び第2中心導体35,36と、フェライト31に直流磁界を印加する永久磁石とからなる2ポート型アイソレータ。第1中心導体35は一端が入力ポートP1に接続され、他端が出力ポートP2に接続されている。第2中心導体36は一端が出力ポートP2に接続され、他端がグランドポートP3に接続されている。入力ポートP1と出力ポートP2との間には第1整合容量C1と抵抗Rとからなる直列回路が接続されている。また、出力ポートP2とグランドポートP3との間には第2整合容量C2が接続されている。
【選択図】図4
Description
永久磁石と、
前記永久磁石により直流磁界が印加されるフェライトと、
前記フェライトの主面又は内部に配置され、一端が入力ポートに電気的に接続され、他端が出力ポートに電気的に接続されている第1中心導体と、
前記第1中心導体と電気的絶縁状態で交差して前記フェライトの主面又は内部に配置され、一端が出力ポートに電気的に接続され、他端がグランドに電気的に接続された第2中心導体と、
前記入力ポートと前記出力ポートとの間に電気的に接続された第1整合容量と抵抗とからなる直列回路と、
前記出力ポートと前記グランドとの間に電気的に接続された第2整合容量と、
を備えたことを特徴とする。
図1に、本発明の一実施例である非可逆回路素子を示す。この非可逆回路素子は2ポート型の集中定数型アイソレータであり、概略、金属製キャップ10とケース60と、永久磁石20と、マイクロ波用フェライト31及び中心導体35,36からなる中心導体組立体30と、多層基板40とで構成されている。
図2に多層基板40の第1例を示す。この多層基板40は、6枚のセラミック製誘電体シート41a〜41fを積層したもので、図2の最下段にはシート41fの下面を示している。
図3に多層基板40の第2例を示す。この多層基板40は基本的には図2に示した前記第1例と同じ構成からなり、図4に示した等価回路と同じ回路を構成している。第1例と異なるのは、抵抗膜71を省略し、第1整合容量C1と直列に接続された抵抗Rを第1整合容量C1を形成する電極74,75,77の抵抗によって形成している点である。なお、図3において図2と同じ部材には同じ符号を付し、その説明は省略する。また、この第2例において、2層目の誘電体シート41bは省略してもよい。
ところで、本発明者らは、動作周波数が835MHzと1950MHzの2ポート型アイソレータ(図1及び図2参照)について以下のスペックで条件を設定し、特性の評価を行った。
次に、本発明に係る通信装置として、携帯電話を例にして説明する。図9は携帯電話220のRF部分の電気回路を示し、222はアンテナ素子、223はデュプレクサ、231は送信側アイソレータ、232は送信側増幅器、233は送信側段間用帯域通過フィルタ、234は送信側ミキサ、235は受信側増幅器、236は受信側段間用帯域通過フィルタ、237は受信側ミキサ、238は電圧制御発振器(VCO)、239はローカル用帯域通過フィルタである。
なお、本発明に係る非可逆回路素子及び通信装置は前記実施例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。
30…中心導体組立体
31…フェライト
35…第1中心導体
36…第2中心導体
40…多層基板
71…抵抗膜
220…携帯電話
C1…第1整合容量
C2…第2整合容量
R…抵抗
P1…入力ポート
P2…出力ポート
P3…グランドポート
Claims (6)
- 永久磁石と、
前記永久磁石により直流磁界が印加されるフェライトと、
前記フェライトの主面又は内部に配置され、一端が入力ポートに電気的に接続され、他端が出力ポートに電気的に接続されている第1中心導体と、
前記第1中心導体と電気的絶縁状態で交差して前記フェライトの主面又は内部に配置され、一端が出力ポートに電気的に接続され、他端がグランドに電気的に接続された第2中心導体と、
前記入力ポートと前記出力ポートとの間に電気的に接続された第1整合容量と抵抗とからなる直列回路と、
前記出力ポートと前記グランドとの間に電気的に接続された第2整合容量と、
を備えたことを特徴とする非可逆回路素子。 - 前記抵抗は前記第1整合容量が形成された基板の表面又は内部に抵抗膜にて形成されていることを特徴とする請求項1に記載の非可逆回路素子。
- 前記抵抗は前記第1整合容量を形成する電極材によって形成されていることを特徴とする請求項1に記載の非可逆回路素子。
- 前記第1整合容量を形成する電極は抵抗体材料にて形成されていることを特徴とする請求項1又は請求項3に記載の非可逆回路素子。
- 前記第1整合容量及び前記第2整合容量は一つの積層基板に形成されていることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の非可逆回路素子。
- 請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の非可逆回路素子を備えたことを特徴とする通信装置。
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---|---|---|---|---|
JPH077307A (ja) * | 1993-06-15 | 1995-01-10 | Fujitsu Ltd | マイクロ波終端器 |
JPH07283616A (ja) * | 1994-04-07 | 1995-10-27 | Murata Mfg Co Ltd | 非可逆回路素子 |
JP2002135008A (ja) * | 2000-10-19 | 2002-05-10 | Murata Mfg Co Ltd | 非可逆回路素子および通信装置 |
JP2005020195A (ja) * | 2003-06-24 | 2005-01-20 | Murata Mfg Co Ltd | 2ポート型アイソレータ及び通信装置 |
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