JP5929331B2 - 記録装置 - Google Patents
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Description
1.MOPAの構成
1−1 モードロックレーザ部
1−2 半導体光増幅器
2.記録装置の構成
3.記録装置の駆動方法
4.変形例
本開示の一実施形態(以下、本実施形態)に係る光源及び記録装置の説明に先立ち、本実施形態の光源及び記録装置に用いられるMOPAについて説明する。図1は、MOPA3の概略構成図である。図1に示すように、MOPA3は、モードロックレーザ部130と、半導体光増幅器140とを備える。
まず、モードロックレーザ部130について説明する、モードロックレーザ部130は、図1に示すように、半導体レーザ100と外部共振器部120とで構成されている。図2A及び図2Bに、モードロックレーザ部130を構成する半導体レーザ100の一形態の概略構成を示す。図2Aは半導体レーザ100の斜視図であり、図2Bは半導体レーザ100からレーザ光が出射される状態の模式図である。この半導体レーザ100は、ピコ秒のパルス幅の発振光(以下、パルス光)を出力するレーザである。
L=n0・L0+n1・L1 (1)
次に、半導体光増幅器140について説明する。半導体光増幅器(SOA)140は、モードロックレーザ部130から出射されたレーザ光を増幅変調する光変調手段である。この半導体光増幅器140は、小型かつ低コストの光増幅器であり、また、光をオン・オフする光ゲート又は光スイッチとして用いることができる。本実施形態においては、この半導体光増幅器140のオン・オフによって、モードロックレーザ部130から出射したレーザ光を変調する。
図4に、本開示の一実施形態に係る記録装置1の概略構成を示す。図4に示す記録装置1は、図1に示したMOPA3、増幅器6、第1PLL回路7、変調部15、バイアスティー9、可変電圧電源12及び電流電源13を有する光源2と、ウォブル検出回路4と、第2PLL回路5と、記録信号生成部8とを備える。また、図示を省略するが、記録装置1は、光源2から出射したレーザ光を光記録媒体14に集束照射するための光学系と、信号処理や記録装置1の動作制御の為の各種回路とを備えている。図4において、図1に対応する部分には同一符号を付し重複説明を省略する。
以上の構成を有する記録装置1の駆動方法について説明する。
まず、半導体レーザ100の主電極113に、電流電源13から所定のゲイン電流Igainを供給すると共に、半導体レーザ100の副電極114に、可変電圧電源12から所定の逆バイス電圧Vsaを、コイル11を介して供給する。これにより、半導体レーザ100からパルス光が出射される。そして、半導体レーザ100から出射されたパルス光は、外部共振器120によって強制的に例えば1GHzの周波数にロックされる。これにより、モードロックレーザ部130からは、1GHzのパルス光が出射される。
次に、上述した実施形態に係る記録装置1の変形例について説明する。変形例に係る記録装置では、図示を省略するが、図4に示した変調部15にメモリバッファを設ける。これは、ドライブクロックDRIVECLKとレーザクロックLDCLKとの差による、変調部15におけるデータラッチの際の誤りを防ぐためである。
(1)
逆バイアス電圧を印加する可飽和吸収体部、及び、ゲイン電流を注入するゲイン部を有する半導体レーザと、外部共振器とを含み、所定の周波数のレーザ光を出射するモードロックレーザ部と、
前記モードロックレーザ部から出射されるレーザ光を増幅変調する半導体光増幅器と、
前記モードロックレーザ部におけるレーザ光の発振時に、該レーザ光と同期したレーザクロックを前記可飽和吸収体部から検出する検出部と、
前記レーザクロックに同期した駆動電流を作成し、前記駆動電流を半導体光増幅器に注入する変調部と
を備える光源。
(2)
前記検出部は、前記可飽和吸収体部の前記逆バイアス電圧が印加される電極から出力された信号から高周波成分を抽出するフィルタと、前記高周波成分を増幅する増幅部とを含む
(1)に記載の光源。
(3)
逆バイアス電圧を印加する可飽和吸収体部及びゲイン電流を注入するゲイン部を有する半導体レーザと、外部共振器とを含み、所定の周波数のレーザ光を出射するモードロックレーザ部と、
前記モードロックレーザ部から出射されるレーザ光を増幅変調する半導体光増幅器と、
前記モードロックレーザ部におけるレーザ光の発振時に前記可飽和吸収体部で得られる信号から、前記モードロックレーザ部から出射されるレーザ光と同期したレーザクロックを検出する検出部と、
光記録媒体のドライブからの基準信号に基づいて、記録信号を生成する記録信号生成部と、
前記記録信号を、前記レーザクロックでラッチして、前記半導体光増幅部に注入する駆動電流を生成する変調部と
を備える記録装置。
(4)
前記ドライブからの基準信号は、前記光記録媒体に形成されたウォブルから得られる信号である
(3)に記載の記録装置。
(5)
前記変調部に設けられ、前記ドライブからの基準信号と、前記レーザクロックとの差によるデータ転送速度の差を吸収するメモリバッファを更に含む
(3)又は(4)に記載の記録装置。
Claims (2)
- 逆バイアス電圧を印加する可飽和吸収体部及びゲイン電流を注入するゲイン部を有する半導体レーザと、外部共振器部とを含み、所定の周波数のレーザ光を出射するモードロックレーザ部と、
前記モードロックレーザ部から出射されるレーザ光を増幅変調する半導体光増幅器と、
前記モードロックレーザ部におけるレーザ光の発振時に、該レーザ光と同期したレーザクロックを前記可飽和吸収体部から検出した信号から生成するレーザクロック生成部と、
光記録媒体のドライブからの基準信号に基づいて、記録信号を生成する記録信号生成部と、
前記記録信号を、前記レーザクロックでラッチして、前記半導体光増幅器に注入する駆動電流を生成する変調部とを備え、
前記変調部に設けられ、前記ドライブからの基準信号と、前記レーザクロックとの差によるデータ転送速度の差を吸収するメモリバッファを更に含み、
前記変調部は、前記データ転送速度の差によって、前記メモリバッファの残量が無くなった場合や前記メモリバッファの容量をオーバーした場合には、制御フラグを前記記録信号生成部に送り、転送や記録を制御する
記録装置。 - 前記ドライブからの基準信号は、前記光記録媒体に形成されたウォブルから得られる信号である
請求項1に記載の記録装置。
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