JP2000111852A - 光分波回路 - Google Patents
光分波回路Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 簡単な構成で、光通信、光情報処理に有用な
高速光信号列の分波が可能な光分波回路を実現する。 【構成】 利得領域101に順電流を注入し、可飽和吸収
領域102 に逆バイアスを印加することにより、半導体レ
ーザ素子1のモード同期動作を行う。この半導体レーザ
素子1 は光信号パルスが入射されることにより、可飽和
吸収領域102の吸収が変調され、モード同期周波数が光
信号パルス列のクロック周波数fの整数分の1の周波数f/
mに引き込まれる。同時に可飽和吸収領域102には周波数
f/mの光電流パルスが発生する。この光電流を電流−電
圧変換増幅器80により電圧に変換した後、電界吸収型光
変調器2に印加する。
高速光信号列の分波が可能な光分波回路を実現する。 【構成】 利得領域101に順電流を注入し、可飽和吸収
領域102 に逆バイアスを印加することにより、半導体レ
ーザ素子1のモード同期動作を行う。この半導体レーザ
素子1 は光信号パルスが入射されることにより、可飽和
吸収領域102の吸収が変調され、モード同期周波数が光
信号パルス列のクロック周波数fの整数分の1の周波数f/
mに引き込まれる。同時に可飽和吸収領域102には周波数
f/mの光電流パルスが発生する。この光電流を電流−電
圧変換増幅器80により電圧に変換した後、電界吸収型光
変調器2に印加する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信に有用な非常に
高ビットレートの光信号パルス列を低ビットレートの光
信号パルス列に分波する光分波回路に関する。
高ビットレートの光信号パルス列を低ビットレートの光
信号パルス列に分波する光分波回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、超高速の光通信システムを構築す
るために、超高速な信号処理への要求が高まっている。
その主要な技術の一つとしては、超高速な光信号パルス
列を低速な光信号パルス列に分波する光DEMUX が挙げら
れる。光DEMUX を実現する１つの例としては、高速光デ
ータ列を光電気変換した後、電気の位相同期回路により
発生した分周クロックで電界吸収型光変調器を変調する
方法がある。
るために、超高速な信号処理への要求が高まっている。
その主要な技術の一つとしては、超高速な光信号パルス
列を低速な光信号パルス列に分波する光DEMUX が挙げら
れる。光DEMUX を実現する１つの例としては、高速光デ
ータ列を光電気変換した後、電気の位相同期回路により
発生した分周クロックで電界吸収型光変調器を変調する
方法がある。
【０００３】この方式の原理は、D. D. Marcenac, A.
D. Ellis, D. G. Moodie:“80 Gbit/s OTDM using elec
troabsorption modulators," in Tech. Digest of Euro
peanConference on Optical Communications (ECOC'9
7), vol.3, pp.23-26 (1997)に開示されている。この論
文では電界吸収型光変調器を１０ＧＨｚの正弦波変調す
ることにより、１０ｐｓのゲート幅を実現し、８０Ｇｂ
ｉｔ／ｓの光データ列を１０ＧＨｚのレートで分波した
実験結果が述べられている。
D. Ellis, D. G. Moodie:“80 Gbit/s OTDM using elec
troabsorption modulators," in Tech. Digest of Euro
peanConference on Optical Communications (ECOC'9
7), vol.3, pp.23-26 (1997)に開示されている。この論
文では電界吸収型光変調器を１０ＧＨｚの正弦波変調す
ることにより、１０ｐｓのゲート幅を実現し、８０Ｇｂ
ｉｔ／ｓの光データ列を１０ＧＨｚのレートで分波した
実験結果が述べられている。
【０００４】図５は、上述した論文にて開示された原理
を用いて構成した従来の光分波器のブロック図である。
同図に示されるように、伝送路からの光データパルス列
は光分岐回路５０により二つに分岐され、片方は高速の
光検出器９１に入射され、光−電気変換される。電気に
変換された信号は、帯域透過フィルタ９２によりクロッ
ク周波数成分が取り出され、分周器９３により、分波す
る周波数まで分周される。その後、位相比較器９４によ
り位相比較を行い、分周器９３後の信号と位相が同期す
るように電圧制御発振器９５の発振周波数の制御を行
う。このようにして得られた正弦波状の分周クロック
は、直流電圧源１２に接続されたバイアスティー（ｂｉ
ａｓ Ｔ）７２に入力され、直流電圧に重畳された後、
電界吸収変調器２に入力され、これを駆動する。
を用いて構成した従来の光分波器のブロック図である。
同図に示されるように、伝送路からの光データパルス列
は光分岐回路５０により二つに分岐され、片方は高速の
光検出器９１に入射され、光−電気変換される。電気に
変換された信号は、帯域透過フィルタ９２によりクロッ
ク周波数成分が取り出され、分周器９３により、分波す
る周波数まで分周される。その後、位相比較器９４によ
り位相比較を行い、分周器９３後の信号と位相が同期す
るように電圧制御発振器９５の発振周波数の制御を行
う。このようにして得られた正弦波状の分周クロック
は、直流電圧源１２に接続されたバイアスティー（ｂｉ
ａｓ Ｔ）７２に入力され、直流電圧に重畳された後、
電界吸収変調器２に入力され、これを駆動する。
【０００５】光分岐回路５０により分岐されたもう一方
の光は、アイソレータ４１、レンズ３１を介して電界吸
収型光変調器２に入射し、バイアスティー７２の出力信
号により変調を受けて分波される。その分波光はレンズ
３２、アイソレータ４２を介して出射される。
の光は、アイソレータ４１、レンズ３１を介して電界吸
収型光変調器２に入射し、バイアスティー７２の出力信
号により変調を受けて分波される。その分波光はレンズ
３２、アイソレータ４２を介して出射される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の光分波
回路では、電界吸収型光変調器を駆動するための分周ク
ロックを超高速の光信号パルス列から得るために、高速
な光検出器と複雑な電気の位相同期回路を作製する必要
があった。さらに、正弦波による変調のみでは完全な分
波を行うことはできず、図２には記載はないものの実際
には、短いゲート幅を実現するためにその高調波を生成
して重畳し矩形波に近い波形を形成しなければならない
ため、回路は一層大型化し複雑なものとなる。
回路では、電界吸収型光変調器を駆動するための分周ク
ロックを超高速の光信号パルス列から得るために、高速
な光検出器と複雑な電気の位相同期回路を作製する必要
があった。さらに、正弦波による変調のみでは完全な分
波を行うことはできず、図２には記載はないものの実際
には、短いゲート幅を実現するためにその高調波を生成
して重畳し矩形波に近い波形を形成しなければならない
ため、回路は一層大型化し複雑なものとなる。
【０００７】本発明の課題は上述した従来例の問題点を
解決することであって、その目的は、高速な光検出器、
複雑な位相同期回路および矩形波生成回路を必要とせ
ず、簡素な構成で超高速の光信号パルスを分波するため
の変調信号を生成しうるようにすることにある。
解決することであって、その目的は、高速な光検出器、
複雑な位相同期回路および矩形波生成回路を必要とせ
ず、簡素な構成で超高速の光信号パルスを分波するため
の変調信号を生成しうるようにすることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
め、本発明によれば、可飽和吸収領域を有し該可飽和吸
収領域の活性層を挟んで一対の第１の電極が形成されて
いる半導体レーザ素子と、光変調器と、伝送路から入力
する光信号を分岐する光分岐手段と、前記光分岐手段に
より分岐された光の一方を前記半導体レーザ素子に導波
する第１の導波手段と、前記光分岐手段により分岐され
た光の他方を前記光変調器に導波する第２の導波手段
と、前記半導体レーザ素子から得られる電気信号を変換
し変調信号として前記光変調器に供給する変換・変調手
段と、を備え、前記半導体レーザ素子の光の周回周波数
が前記光信号のクロック周波数のｎ（但し、ｎは２以上
の整数）分の１とほぼ等しいことを特徴とする光分波回
路、が提供される。
め、本発明によれば、可飽和吸収領域を有し該可飽和吸
収領域の活性層を挟んで一対の第１の電極が形成されて
いる半導体レーザ素子と、光変調器と、伝送路から入力
する光信号を分岐する光分岐手段と、前記光分岐手段に
より分岐された光の一方を前記半導体レーザ素子に導波
する第１の導波手段と、前記光分岐手段により分岐され
た光の他方を前記光変調器に導波する第２の導波手段
と、前記半導体レーザ素子から得られる電気信号を変換
し変調信号として前記光変調器に供給する変換・変調手
段と、を備え、前記半導体レーザ素子の光の周回周波数
が前記光信号のクロック周波数のｎ（但し、ｎは２以上
の整数）分の１とほぼ等しいことを特徴とする光分波回
路、が提供される。
【０００９】
【作用】光信号パルス列をそのクロック周波数のほぼ整
数分の１の基本モード同期周波数（共振器内の光の周回
周波数）を有する受動モード同期半導体レーザに入射さ
せると、可飽和吸収領域の吸収が光信号パルス列により
光学的に変調されることにより、受動モード同期半導体
レーザのモード同期周波数が光信号パルス列の整数分の
1 のクロック周波数に引き込まれる。そして、可飽和吸
収領域で吸収された光が電流に変換されることにより可
飽和吸収領域に設けられた逆バイアスの電極に光電流が
流れる。すなわち、受動モード同期半導体レーザ素子を
用いることにより、高速な光検出器を用いることなく、
光信号のクロック周波数の整数分の１の周波数の電流パ
ルスが得られる。そして、この電流パルスは急峻な立ち
上がり特性を有しているため、高調波生成手段を用いる
ことなく、超高速の光信号パルスを分波するための光変
調器への変調信号を得ることができる。
数分の１の基本モード同期周波数（共振器内の光の周回
周波数）を有する受動モード同期半導体レーザに入射さ
せると、可飽和吸収領域の吸収が光信号パルス列により
光学的に変調されることにより、受動モード同期半導体
レーザのモード同期周波数が光信号パルス列の整数分の
1 のクロック周波数に引き込まれる。そして、可飽和吸
収領域で吸収された光が電流に変換されることにより可
飽和吸収領域に設けられた逆バイアスの電極に光電流が
流れる。すなわち、受動モード同期半導体レーザ素子を
用いることにより、高速な光検出器を用いることなく、
光信号のクロック周波数の整数分の１の周波数の電流パ
ルスが得られる。そして、この電流パルスは急峻な立ち
上がり特性を有しているため、高調波生成手段を用いる
ことなく、超高速の光信号パルスを分波するための光変
調器への変調信号を得ることができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態を実施例
に即して図面を参照して説明する。図１は、本発明の第
１の実施例を示すブロック図である。この実施例では、
伝送路からの光データパルス列は光分岐回路５０により
分岐され、片方は光遅延回路６０、アイソレータ４３、
レンズ３３を通じて半導体レーザ素子１に入射される。
ここで、光遅延回路６０は、特定の順番の光信号パルス
を分波するために必要な遅れを付与するための回路であ
り、アイソレータ４３は入射側へ反射光が戻るのを抑制
するための素子である。また、半導体レーザ素子１での
共振器長は、光パルスデータ列のクロック周波数をｆと
して、ほぼｍｃ／２ｎｆ（ただし、ｃは真空中の光速、
ｎは群速度分散を含んだ屈折率、ｍは２以上の整数）に
設定されている。
に即して図面を参照して説明する。図１は、本発明の第
１の実施例を示すブロック図である。この実施例では、
伝送路からの光データパルス列は光分岐回路５０により
分岐され、片方は光遅延回路６０、アイソレータ４３、
レンズ３３を通じて半導体レーザ素子１に入射される。
ここで、光遅延回路６０は、特定の順番の光信号パルス
を分波するために必要な遅れを付与するための回路であ
り、アイソレータ４３は入射側へ反射光が戻るのを抑制
するための素子である。また、半導体レーザ素子１での
共振器長は、光パルスデータ列のクロック周波数をｆと
して、ほぼｍｃ／２ｎｆ（ただし、ｃは真空中の光速、
ｎは群速度分散を含んだ屈折率、ｍは２以上の整数）に
設定されている。
【００１１】半導体レーザ素子１には、利得領域１０１
と、可飽和吸収領域１０２とが備えられており、利得領
域１０１には直流電流源１１によって順電流が注入さ
れ、可飽和吸収領域１０２に直流電圧源１２により逆バ
イアスが印加されている。
と、可飽和吸収領域１０２とが備えられており、利得領
域１０１には直流電流源１１によって順電流が注入さ
れ、可飽和吸収領域１０２に直流電圧源１２により逆バ
イアスが印加されている。
【００１２】図２（ａ）は、本発明において用いられる
半導体レーザ素子の構成例を示す断面図である。同図に
示されるように、ｎ−ＩｎＰ基板上には、ｎ−Ｉｎクラ
ッド層１０４、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ活性層１
０５、ｐ−ＩｎＰクラッド層１０６、キャップ層１０７
が形成されており、ｎ−ＩｎＰ基板の裏面側にはｎ側共
通電極１０８が形成されている。利得領域ではキャップ
層１０７上に利得領域電極１０９が形成され、また、可
飽和吸収領域には吸収領域電極１１０が形成されてい
る。そして、可飽和吸収領域と利得領域との間には、両
領域を分離するための絶縁領域１１１が形成されてい
る。１０ＧＨｚのレートで分波するための変調信号を得
るためには、半導体レーザ素子は例えば全長４ｍｍ、可
飽和吸収領域：０．１ｍｍ、利得領域：３．９ｍｍにな
され、活性層の波長は１５５０ｎｍに選定される。
半導体レーザ素子の構成例を示す断面図である。同図に
示されるように、ｎ−ＩｎＰ基板上には、ｎ−Ｉｎクラ
ッド層１０４、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ活性層１
０５、ｐ−ＩｎＰクラッド層１０６、キャップ層１０７
が形成されており、ｎ−ＩｎＰ基板の裏面側にはｎ側共
通電極１０８が形成されている。利得領域ではキャップ
層１０７上に利得領域電極１０９が形成され、また、可
飽和吸収領域には吸収領域電極１１０が形成されてい
る。そして、可飽和吸収領域と利得領域との間には、両
領域を分離するための絶縁領域１１１が形成されてい
る。１０ＧＨｚのレートで分波するための変調信号を得
るためには、半導体レーザ素子は例えば全長４ｍｍ、可
飽和吸収領域：０．１ｍｍ、利得領域：３．９ｍｍにな
され、活性層の波長は１５５０ｎｍに選定される。
【００１３】この半導体レーザ素子１に素子内での誘導
放出が顕著にならない程度の光強度の光信号パルスを入
射した場合、注入された光パルスは半導体レーザ素子１
内での共振器効果により基本モード同期周波数であるｆ
／ｍ（例えば、８０ＧＨｚ／８）の成分が増幅されて可
飽和吸収領域１０２の吸収を変調するため、半導体レー
ザ素子１のモード同期周波数が光信号パルス列のクロッ
ク周波数ｆの整数分の１の周波数ｆ／ｍ（例えば、１０
ＧＨｚ）に引き込まれる。同時に吸収された光は電流に
変換されるため、可飽和吸収領域１０２には周波数ｆ／
ｍの光電流パルスが発生する。
放出が顕著にならない程度の光強度の光信号パルスを入
射した場合、注入された光パルスは半導体レーザ素子１
内での共振器効果により基本モード同期周波数であるｆ
／ｍ（例えば、８０ＧＨｚ／８）の成分が増幅されて可
飽和吸収領域１０２の吸収を変調するため、半導体レー
ザ素子１のモード同期周波数が光信号パルス列のクロッ
ク周波数ｆの整数分の１の周波数ｆ／ｍ（例えば、１０
ＧＨｚ）に引き込まれる。同時に吸収された光は電流に
変換されるため、可飽和吸収領域１０２には周波数ｆ／
ｍの光電流パルスが発生する。
【００１４】半導体レーザ素子１により得られるｆ／ｍ
の周波数のパルス電流はバイアスティー７１を介して電
流−電圧変換増幅器８０に伝達されて電圧信号に変換さ
れる。ここで、バイアスティー７１は、図２（ｂ）に示
すように、Ｌ（インダクタ）とＣ（キャパシタ）を有す
る回路であって、Ｌにより直流電圧源を高周波から分離
し、Ｃにより直流成分の電流−電圧変換増幅器８０への
伝達を阻止している。電流−電圧変換増幅器８０は、図
２（ｃ）に示すように、演算増幅器８０１と抵抗Ｒを用
いて構成される。電流−電圧変換増幅器８０の出力信号
は、バイアスティー７２により直流電圧源１３の電圧に
重畳されて電界吸収型光変調器２に印加される。バイア
スティー７２は、バイアスティー７１と同様に図２
（ｂ）の回路構成を持つ。また、電界吸収型光変調器２
は、図２（ｄ）に示されるように、ｎ−ＩｎＰ基板２０
１上に、ｎ−ＩｎＰクラッド層２０２、ＩｎＧａＡｓ／
ＩｎＧａＡｓＰ活性層２０３、ｐ−ＩｎＰクラッド層２
０４、キャップ層２０５を順次エピタキシャル成長させ
たものであり、ｎ−ＩｎＰ基板２０１の裏面にはｎ側電
極２０６が、またｐ−ＩｎＰ層２０５上にはｐ側電極２
０７が形成されている。ここで、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧ
ａＡｓＰ活性層２０３の波長は１４００ｎｍに設定され
ている（１０ＧＨｚのレートで分波する場合）。
の周波数のパルス電流はバイアスティー７１を介して電
流−電圧変換増幅器８０に伝達されて電圧信号に変換さ
れる。ここで、バイアスティー７１は、図２（ｂ）に示
すように、Ｌ（インダクタ）とＣ（キャパシタ）を有す
る回路であって、Ｌにより直流電圧源を高周波から分離
し、Ｃにより直流成分の電流−電圧変換増幅器８０への
伝達を阻止している。電流−電圧変換増幅器８０は、図
２（ｃ）に示すように、演算増幅器８０１と抵抗Ｒを用
いて構成される。電流−電圧変換増幅器８０の出力信号
は、バイアスティー７２により直流電圧源１３の電圧に
重畳されて電界吸収型光変調器２に印加される。バイア
スティー７２は、バイアスティー７１と同様に図２
（ｂ）の回路構成を持つ。また、電界吸収型光変調器２
は、図２（ｄ）に示されるように、ｎ−ＩｎＰ基板２０
１上に、ｎ−ＩｎＰクラッド層２０２、ＩｎＧａＡｓ／
ＩｎＧａＡｓＰ活性層２０３、ｐ−ＩｎＰクラッド層２
０４、キャップ層２０５を順次エピタキシャル成長させ
たものであり、ｎ−ＩｎＰ基板２０１の裏面にはｎ側電
極２０６が、またｐ−ＩｎＰ層２０５上にはｐ側電極２
０７が形成されている。ここで、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧ
ａＡｓＰ活性層２０３の波長は１４００ｎｍに設定され
ている（１０ＧＨｚのレートで分波する場合）。
【００１５】光分岐回路５０によって分岐されたもう一
方の信号光はアイソレータ４１、レンズ３１を介して電
界吸収型光変調器２に入射され、変調を受ける。その被
変調信号光はレンズ３２、アイソレータ４２を介して出
射される。図１のＡ（Ａ′）〜Ｅの各点での信号波形を
図３（ａ）〜（ｅ）に示す。図３（ｄ）に示す電圧は、
電界吸収型光変調器のｐ側電極２０７に印加され、ｎ側
電極２０６は接地される。
方の信号光はアイソレータ４１、レンズ３１を介して電
界吸収型光変調器２に入射され、変調を受ける。その被
変調信号光はレンズ３２、アイソレータ４２を介して出
射される。図１のＡ（Ａ′）〜Ｅの各点での信号波形を
図３（ａ）〜（ｅ）に示す。図３（ｄ）に示す電圧は、
電界吸収型光変調器のｐ側電極２０７に印加され、ｎ側
電極２０６は接地される。
【００１６】図３（ｂ）に示されるように、半導体レー
ザ素子１からは正弦波ではなくパルス状の信号が得られ
るため、電界吸収型光変調器に対し幅の短いゲート動作
を行うことが可能であり、光遅延回路６０により半導体
レーザ素子１から得られる電流パルスの位相を調整する
ことにより、図３（ａ）、（ｅ）に示されるように、超
高速の光信号から所望の信号を分波することが可能であ
る。また、可飽和吸収領域１０２が、光−電気変換と分
周クロック抽出器との役割を果たしているために、変調
信号を生成するのに高速な光検出器や複雑な位相同期回
路を必要としない。
ザ素子１からは正弦波ではなくパルス状の信号が得られ
るため、電界吸収型光変調器に対し幅の短いゲート動作
を行うことが可能であり、光遅延回路６０により半導体
レーザ素子１から得られる電流パルスの位相を調整する
ことにより、図３（ａ）、（ｅ）に示されるように、超
高速の光信号から所望の信号を分波することが可能であ
る。また、可飽和吸収領域１０２が、光−電気変換と分
周クロック抽出器との役割を果たしているために、変調
信号を生成するのに高速な光検出器や複雑な位相同期回
路を必要としない。
【００１７】図４は、本発明の第２の実施例を示すブロ
ック図である。この実施例では、光分岐回路５０より分
岐された信号光の一方は、光遅延回路を介さずにアイソ
レータ４３、レンズ４３を介して半導体レーザ素子１に
入射される。半導体レーザ素子１の可飽和吸収領域１０
２より得られる電流パルスはバイアスティー７１におい
て直流分が除去された後に電流−電圧変換増幅器８０に
入力されて電圧信号に変換される。この電圧信号は遅延
回路９０により所定の順番の光信号パルスを分波するに
必要な時間遅れが付与された後、バイアスティー７２に
より直流に重畳され、電界吸収型光変調器２に入力され
る。
ック図である。この実施例では、光分岐回路５０より分
岐された信号光の一方は、光遅延回路を介さずにアイソ
レータ４３、レンズ４３を介して半導体レーザ素子１に
入射される。半導体レーザ素子１の可飽和吸収領域１０
２より得られる電流パルスはバイアスティー７１におい
て直流分が除去された後に電流−電圧変換増幅器８０に
入力されて電圧信号に変換される。この電圧信号は遅延
回路９０により所定の順番の光信号パルスを分波するに
必要な時間遅れが付与された後、バイアスティー７２に
より直流に重畳され、電界吸収型光変調器２に入力され
る。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光分波回
路は、周回周波数が光信号のクロック周波数の整数分の
１となる半導体レーザ素子の可飽和吸収領域において得
られる光吸収電流を用いて光変調器へ入力される変調信
号を生成するものであるので、本発明によれば、今後の
超高速光通信応用上重要である超高速の光信号パルス列
の光分波を簡素な構成で実現することが可能になる。
路は、周回周波数が光信号のクロック周波数の整数分の
１となる半導体レーザ素子の可飽和吸収領域において得
られる光吸収電流を用いて光変調器へ入力される変調信
号を生成するものであるので、本発明によれば、今後の
超高速光通信応用上重要である超高速の光信号パルス列
の光分波を簡素な構成で実現することが可能になる。
【図１】 本発明の第１の実施例の光分波回路のブロッ
ク図。
ク図。
【図２】 本発明の第１の実施例の光分波回路の各部の
具体的構成を示す図。
具体的構成を示す図。
【図３】 本発明の第１の実施例の光分波回路の各部の
信号波形図。
信号波形図。
【図４】 本発明の第２の実施例の光分波回路のブロッ
ク図。
ク図。
【図５】 従来の光分波回路の一例を示すブロック図。
１ 半導体レーザ素子 １０１ 利得領域 １０２ 可飽和吸収領域 １０３ ｎ−ＩｎＰ基板 １０４ ｎ−ＩｎＰクラッド層 １０５ ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ活性層 １０６ ｐ−ＩｎＰクラッド層 １０７ キャップ層 １０８ ｎ側共通電極 １０９ 利得領域電極 １１０ 吸収領域電極 １１１ 絶縁領域 ２ 電界吸収型光変調器 ２０１ ｎ−ＩｎＰ基板 ２０２ ｎ−ＩｎＰクラッド層 ２０３ ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ活性層 ２０４ ｐ−ＩｎＰクラッド層 ２０５ キャップ層 ２０６ ｎ側電極 ２０７ ｐ側電極 １１ 直流電流源 １２、１３ 直流電圧源 ３１、３２、３３ レンズ ４１、４２、４３ アイソレータ ５０ 光分岐回路 ６０ 光遅延回路 ７１、７２ バイアスティー ８０ 電流−電圧変換増幅器 ８０１ 演算増幅器 ９０ 遅延回路 ９１ 光検出器 ９２ 帯域透過フィルタ ９３ 分周器 ９４ 位相比較器 ９５ 電圧制御発振器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｂ 10/04 10/06
Claims (7)
- 【請求項１】 可飽和吸収領域を有し該可飽和吸収領域
の活性層を挟んで一対の第１の電極が形成されている半
導体レーザ素子と、光変調器と、伝送路から入力する光
信号を分岐する光分岐手段と、前記光分岐手段により分
岐された第１の分岐光を前記半導体レーザ素子に導波す
る第１の導波手段と、前記光分岐手段により分岐された
第２の分岐光を前記光変調器に導波する第２の導波手段
と、前記半導体レーザ素子から得られる電気信号を変換
し変調信号として前記光変調器に供給する変換・変調手
段と、を備える光分波回路であって、前記半導体レーザ
素子の光の周回周波数が前記光信号のクロック周波数の
ｎ（但し、ｎは２以上の整数）分の１とほぼ等しいこと
を特徴とする光分波回路。 - 【請求項２】 前記光変調器が電界吸収型光変調器であ
ることを特徴とする請求項１記載の光分波回路。 - 【請求項３】 前記半導体レーザ素子は利得領域を有し
ており、該利得領域の活性層を挟んで前記第１の電極と
は電気的に高抵抗に分離された一対の第２の電極が形成
されていることを特徴とする請求項１または２記載の光
分波回路。 - 【請求項４】 前記半導体レーザ素子から得られる前記
電気信号が光電流であり、前記変換・変調手段が電流を
電圧に変換する電流−電圧変換手段を有していることを
特徴とする請求項１、２または３記載の光分波回路。 - 【請求項５】 前記変換・変調手段が前記電流−電圧変
換手段の出力する電圧信号を直流電圧に重畳する電圧重
畳手段を備えていることを特徴とする請求項４記載の光
分波回路。 - 【請求項６】 前記第１の導波手段が、光信号を所定の
時間遅延させる光遅延回路を備えていることを特徴とす
る請求項１、２、３、４または５記載の光分波回路。 - 【請求項７】 前記変換・変調手段が、前記半導体レー
ザ素子が出力する信号を所定の時間遅延させる遅延回路
を備えていることを特徴とする請求項１、２、３、４ま
たは５記載の光分波回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10282145A JP2000111852A (ja) | 1998-10-05 | 1998-10-05 | 光分波回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10282145A JP2000111852A (ja) | 1998-10-05 | 1998-10-05 | 光分波回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000111852A true JP2000111852A (ja) | 2000-04-21 |
Family
ID=17648699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10282145A Pending JP2000111852A (ja) | 1998-10-05 | 1998-10-05 | 光分波回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000111852A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007251365A (ja) * | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Oki Electric Ind Co Ltd | 電気クロック信号抽出装置 |
| CN103310811A (zh) * | 2012-03-06 | 2013-09-18 | 索尼公司 | 光源和记录装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06141002A (ja) * | 1992-10-28 | 1994-05-20 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 光中継装置 |
| JPH08340154A (ja) * | 1995-06-09 | 1996-12-24 | Nec Corp | 光パルス発生方法および装置 |
-
1998
- 1998-10-05 JP JP10282145A patent/JP2000111852A/ja active Pending
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