JP2001266389A - 近接場光を用いる光ヘッド - Google Patents
近接場光を用いる光ヘッドInfo
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
- G11B7/127—Lasers; Multiple laser arrays
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- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡単な構成でありながら、情報を光密度で光
記録媒体へ記録し、高密度で記録された情報を高感度で
読み取れる光ヘッドを提供する。 【解決手段】 クラッド層１３、１４で活性層１２を挟
み、一方のクラッド層中の活性層に近接して周期的な波
状形状構造を有する第１反射部材１５を形成し、一方の
端面に微小開口の出射窓２２ａを形成した金属膜２２を
含む第２反射部材２０を形成し、他方の端面に多層誘電
体膜で第３反射部材２３を形成した分布帰還型レーザ１
１の前記出射窓から射出される情報で強度変調されたレ
ーザ光を近接場に配置した光記録媒体２７に照射して記
録を行う。光記録媒体で反射されるレーザ光を前記出射
窓を経て分布帰還型レーザへ戻し、電流注入電極間に生
じる電圧変化を検出して記録情報を再生するか、戻り光
を分布帰還型レーザで増幅し、前記第３反射部材から出
射されるレーザ光を光検出器で受光して再生する。
記録媒体へ記録し、高密度で記録された情報を高感度で
読み取れる光ヘッドを提供する。 【解決手段】 クラッド層１３、１４で活性層１２を挟
み、一方のクラッド層中の活性層に近接して周期的な波
状形状構造を有する第１反射部材１５を形成し、一方の
端面に微小開口の出射窓２２ａを形成した金属膜２２を
含む第２反射部材２０を形成し、他方の端面に多層誘電
体膜で第３反射部材２３を形成した分布帰還型レーザ１
１の前記出射窓から射出される情報で強度変調されたレ
ーザ光を近接場に配置した光記録媒体２７に照射して記
録を行う。光記録媒体で反射されるレーザ光を前記出射
窓を経て分布帰還型レーザへ戻し、電流注入電極間に生
じる電圧変化を検出して記録情報を再生するか、戻り光
を分布帰還型レーザで増幅し、前記第３反射部材から出
射されるレーザ光を光検出器で受光して再生する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術】本発明は、光記録媒体に情報を記
録したり、光記録媒体に記録された情報を再生するため
の光ヘッドに関するものであり、特に近接場光を用いて
高密度記録を実現できる光ヘッドに関するものである。
録したり、光記録媒体に記録された情報を再生するため
の光ヘッドに関するものであり、特に近接場光を用いて
高密度記録を実現できる光ヘッドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の一般的な光ヘッドは、記録時にお
いては、半導体レーザからのレーザ光を光ディスクに照
射して、光ディスク材料を熱的に変化させている。再生
時には、半導体レーザからのレーザ光を光ディスクに照
射し、その反射光の強度や偏波面などを光検出器で検出
している。光ディスクに記録される情報密度は、対物レ
ンズで集光されたレーザ光のビーム径で定まり、光波長
の１／２が限界とされている。また、光源としての半導
体レーザと光検出器とは別の素子であるため、光ヘッド
のサイズや重量が大きくなり、部品点数が増えるのでコ
スト高となるばかりではなく、半導体レーザから出射し
たレーザ光に対し、最大でも１／４のエネルギーしか光
検出器に戻って来ないので、再生信号のＳＮ比が小さい
という問題もある。
いては、半導体レーザからのレーザ光を光ディスクに照
射して、光ディスク材料を熱的に変化させている。再生
時には、半導体レーザからのレーザ光を光ディスクに照
射し、その反射光の強度や偏波面などを光検出器で検出
している。光ディスクに記録される情報密度は、対物レ
ンズで集光されたレーザ光のビーム径で定まり、光波長
の１／２が限界とされている。また、光源としての半導
体レーザと光検出器とは別の素子であるため、光ヘッド
のサイズや重量が大きくなり、部品点数が増えるのでコ
スト高となるばかりではなく、半導体レーザから出射し
たレーザ光に対し、最大でも１／４のエネルギーしか光
検出器に戻って来ないので、再生信号のＳＮ比が小さい
という問題もある。
【０００３】このような問題を軽減するために、例えば
特開平９−１４５６０３号公報や特開平１０−２５５３
０２号公報に記載されているような近接場光を利用した
光ヘッドが提案されている。この光ヘッドは、光の出射
部付近には近接場或いは近傍界と呼ばれる光成分が存在
し、この成分を利用することにより波長の１／２以下の
極微小領域を用いて光による情報の記録や再生が可能で
あるという事実に基づいている。
特開平９−１４５６０３号公報や特開平１０−２５５３
０２号公報に記載されているような近接場光を利用した
光ヘッドが提案されている。この光ヘッドは、光の出射
部付近には近接場或いは近傍界と呼ばれる光成分が存在
し、この成分を利用することにより波長の１／２以下の
極微小領域を用いて光による情報の記録や再生が可能で
あるという事実に基づいている。
【０００４】また、光が半導体レーザへ入射すると、半
導体レーザの電流注入電極間の電圧が変化することか
ら、半導体レーザ自身を光検出器として利用した光ヘッ
ドが、例えば特開昭５７−１３３５３１号公報や特開昭
６３−７４１２８号公報において提案されている。この
ような光ヘッドでは、原理的には半導体レーザから出射
したレーザ光の１００％が半導体レーザへ戻って来る。
導体レーザの電流注入電極間の電圧が変化することか
ら、半導体レーザ自身を光検出器として利用した光ヘッ
ドが、例えば特開昭５７−１３３５３１号公報や特開昭
６３−７４１２８号公報において提案されている。この
ような光ヘッドでは、原理的には半導体レーザから出射
したレーザ光の１００％が半導体レーザへ戻って来る。
【０００５】
【発明が解決すべき課題】上述したように、近接場と半
導体レーザによる光検出法とを併用した新しい光ヘッド
の開発が進められている。しかしながら、近接場といえ
ども、出射光のビーム径を小さくするために、半導体レ
ーザの出射窓の大きさを小さくすると、出力できるレー
ザ光量は少なくなり、光記録媒体への情報の記録を正確
に行うことができなくなる。したがって、必要な光量を
確保するために微小化に限界があり、記録密度を格段と
上げることは困難である。
導体レーザによる光検出法とを併用した新しい光ヘッド
の開発が進められている。しかしながら、近接場といえ
ども、出射光のビーム径を小さくするために、半導体レ
ーザの出射窓の大きさを小さくすると、出力できるレー
ザ光量は少なくなり、光記録媒体への情報の記録を正確
に行うことができなくなる。したがって、必要な光量を
確保するために微小化に限界があり、記録密度を格段と
上げることは困難である。
【０００６】また、半導体レーザへの光の再入射は半導
体レーザの動作を不安定にさせ、戻り光雑音と呼ばれる
過剰雑音を発生させることが知られており、例えばT. M
orikawa et al, Electronics Letters, Vol. 12, p.43
5, 1976に記載されている。このような過剰雑音によっ
て、光検出に誤動作が入り、光記録媒体に記録されてい
る情報を正確に再生することができないという問題があ
る。
体レーザの動作を不安定にさせ、戻り光雑音と呼ばれる
過剰雑音を発生させることが知られており、例えばT. M
orikawa et al, Electronics Letters, Vol. 12, p.43
5, 1976に記載されている。このような過剰雑音によっ
て、光検出に誤動作が入り、光記録媒体に記録されてい
る情報を正確に再生することができないという問題があ
る。
【０００７】したがって、本発明の目的は、上述した従
来の問題を解消若しくは軽減し、レーザ光のビーム径を
十分に小さくして記録密度を上げることができると共に
十分な光量のレーザ光を出射して正確な情報の記録を行
うことができる光ヘッドを提供しようとするものであ
る。
来の問題を解消若しくは軽減し、レーザ光のビーム径を
十分に小さくして記録密度を上げることができると共に
十分な光量のレーザ光を出射して正確な情報の記録を行
うことができる光ヘッドを提供しようとするものであ
る。
【０００８】本発明の他の目的は、半導体レーザへの戻
り光があっても安定なレーザ動作が可能であり、光記録
媒体に記録された情報を正確に再生することができる光
ヘッドを提供しようとするものである。
り光があっても安定なレーザ動作が可能であり、光記録
媒体に記録された情報を正確に再生することができる光
ヘッドを提供しようとするものである。
【０００９】本発明のさらに他の目的は、半導体レーザ
とは別個の光検出器を用いても、半導体レーザから出射
されるレーザ光のエネルギーを有効に利用して情報の再
生を行うことができる光ヘッドを提供しようとするもの
である。
とは別個の光検出器を用いても、半導体レーザから出射
されるレーザ光のエネルギーを有効に利用して情報の再
生を行うことができる光ヘッドを提供しようとするもの
である。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明による近接場光を
用いる光ヘッドは、それぞれ電流注入電極に電気的に接
続されたクラッド層で活性層を挟み、一方のクラッド層
中の活性層ととの界面或いは活性層と近接して周期的な
波状形状構造を有する第１の反射部材を形成し、一方の
端面に微小開口の出射窓を有する第１の反射部材を形成
し、他方の端面に第３の反射部材を形成した分布帰還型
レーザを具え、この分布帰還型レーザの前記出射窓から
射出されるレーザ光を近接場に配置した光記録媒体に照
射するようにしたことを特徴とするものである。
用いる光ヘッドは、それぞれ電流注入電極に電気的に接
続されたクラッド層で活性層を挟み、一方のクラッド層
中の活性層ととの界面或いは活性層と近接して周期的な
波状形状構造を有する第１の反射部材を形成し、一方の
端面に微小開口の出射窓を有する第１の反射部材を形成
し、他方の端面に第３の反射部材を形成した分布帰還型
レーザを具え、この分布帰還型レーザの前記出射窓から
射出されるレーザ光を近接場に配置した光記録媒体に照
射するようにしたことを特徴とするものである。
【００１１】このような本発明による光ヘッドは、情報
を光記録媒体へ書き込む記録用光ヘッドとして構成する
ことができる。このような記録用光ヘッドにおいては、
前記電流注入電極を介して分布帰還型レーザへ注入され
る電流を光記録媒体に記録すべき情報に応じて変化さ
せ、強度変調されたレーザ光を光記録媒体へ照射して光
記録媒体の材料に熱的な変化を与えて情報を記録するよ
うに構成することができる。
を光記録媒体へ書き込む記録用光ヘッドとして構成する
ことができる。このような記録用光ヘッドにおいては、
前記電流注入電極を介して分布帰還型レーザへ注入され
る電流を光記録媒体に記録すべき情報に応じて変化さ
せ、強度変調されたレーザ光を光記録媒体へ照射して光
記録媒体の材料に熱的な変化を与えて情報を記録するよ
うに構成することができる。
【００１２】また、本発明による光ヘッドは、光記録媒
体に記録された情報を読み取る再生用光ヘッドとしても
構成することができる。このような再生用光ヘッドの好
適な実施例においては、前記分布帰還型レーザへの注入
電流を一定に維持して一定強度のレーザ光を光記録媒体
へ照射し、光記録媒体から反射されるレーザ光を前記出
射窓を経て分布帰還型レーザへ戻し、前記電流注入電極
間に生じる電圧変化を検出して光記録媒体に記録されて
いる情報を再生するように構成することができる。この
ような再生用光ヘッドの構成と、上述した記録用光ヘッ
ドの構成とを併せることにより記録再生用光ヘッドとす
ることができる。
体に記録された情報を読み取る再生用光ヘッドとしても
構成することができる。このような再生用光ヘッドの好
適な実施例においては、前記分布帰還型レーザへの注入
電流を一定に維持して一定強度のレーザ光を光記録媒体
へ照射し、光記録媒体から反射されるレーザ光を前記出
射窓を経て分布帰還型レーザへ戻し、前記電流注入電極
間に生じる電圧変化を検出して光記録媒体に記録されて
いる情報を再生するように構成することができる。この
ような再生用光ヘッドの構成と、上述した記録用光ヘッ
ドの構成とを併せることにより記録再生用光ヘッドとす
ることができる。
【００１３】さらに、再生用光ヘッドとしての他の好適
な実施例においては、前記分布帰還型レーザへの注入電
流を一定に維持して一定強度のレーザ光を光記録媒体へ
照射し、光記録媒体から反射されるレーザ光を前記出射
窓を経て分布帰還型レーザへ戻し、分布帰還型レーザで
増幅され、前記第３の反射部材から出射されるレーザ光
を受光して光記録媒体に記録されていた情報の再生信号
を出力する光検出器を設ける。このような再生用光ヘッ
ドの構成と、上述した記録用光ヘッドの構成とを併せる
ことによっても記録再生光ヘッドを得ることができるこ
とは勿論である。
な実施例においては、前記分布帰還型レーザへの注入電
流を一定に維持して一定強度のレーザ光を光記録媒体へ
照射し、光記録媒体から反射されるレーザ光を前記出射
窓を経て分布帰還型レーザへ戻し、分布帰還型レーザで
増幅され、前記第３の反射部材から出射されるレーザ光
を受光して光記録媒体に記録されていた情報の再生信号
を出力する光検出器を設ける。このような再生用光ヘッ
ドの構成と、上述した記録用光ヘッドの構成とを併せる
ことによっても記録再生光ヘッドを得ることができるこ
とは勿論である。
【０００１４】さらに、本発明による光ヘッドにおいて
は、前記分布帰還型レーザの前端に設けた第２の反射部
材を、微小開口の出射窓を形成した金属膜と、その内側
に設けた誘電体膜とで構成するのが好適である。この場
合、金属膜の内側に設けた誘電体膜は電気的な絶縁と光
出射の効率を上げるためのものである。また、出射窓を
設けた第２の反射部材と対向する第３の反射部材は、最
適な反射率を得るための多層誘電体膜で構成するのが好
適である。
は、前記分布帰還型レーザの前端に設けた第２の反射部
材を、微小開口の出射窓を形成した金属膜と、その内側
に設けた誘電体膜とで構成するのが好適である。この場
合、金属膜の内側に設けた誘電体膜は電気的な絶縁と光
出射の効率を上げるためのものである。また、出射窓を
設けた第２の反射部材と対向する第３の反射部材は、最
適な反射率を得るための多層誘電体膜で構成するのが好
適である。
【００１５】
【発明の実施の形態】図１は、本発明による光ヘッドの
一実施例の構成を示す線図的な断面図である。本例の光
ヘッドは、情報を光記録媒体へ書き込む記録用光ヘッド
として構成されている。本発明の光ヘッドは、基本的に
分布帰還型レーザ（ＤＦＢレーザと称する）１１を具え
るものである。このＤＦＢレーザ１１は、ダブルヘテロ
構造、量子井戸構造或いは歪量子井戸構造より成る活性
層１２を、クラッド層１３および１４で挟み、一方のク
ラッド層１３中に、活性層１２に接近して周期的な波状
形状構造を有する第１の反射部材１５を形成した構造と
なっている。活性層１２およびクラッド層１３、１４
は、III−Ｖ族或いはII−VI族の化合物半導体によって
作られている。図１では、クラッド層１３の、活性層１
２に接近する位置に波状形状構造を持った第１の反射部
材１５が設けられているとしたが、この波状形状構造を
有する第１の反射部材15は活性層１２とクラッド層１３
との界面に設けることもできる。また、クラッド層１３
の上には低抵抗の電極接続層１６が設けられ、その上に
一方の電極１７が設けられている。さらに、これらの半
導体層は基板１８によって支持され、この基板には他方
の電極１９が設けられている。本例では、基板１８およ
びクラッド層１４はｎ型の半導体材料で形成され、活性
層１２は真性半導体材料で形成され、クラッド層１３お
よび電極接続層１６はｐ型半導体材料で形成されてい
る。
一実施例の構成を示す線図的な断面図である。本例の光
ヘッドは、情報を光記録媒体へ書き込む記録用光ヘッド
として構成されている。本発明の光ヘッドは、基本的に
分布帰還型レーザ（ＤＦＢレーザと称する）１１を具え
るものである。このＤＦＢレーザ１１は、ダブルヘテロ
構造、量子井戸構造或いは歪量子井戸構造より成る活性
層１２を、クラッド層１３および１４で挟み、一方のク
ラッド層１３中に、活性層１２に接近して周期的な波状
形状構造を有する第１の反射部材１５を形成した構造と
なっている。活性層１２およびクラッド層１３、１４
は、III−Ｖ族或いはII−VI族の化合物半導体によって
作られている。図１では、クラッド層１３の、活性層１
２に接近する位置に波状形状構造を持った第１の反射部
材１５が設けられているとしたが、この波状形状構造を
有する第１の反射部材15は活性層１２とクラッド層１３
との界面に設けることもできる。また、クラッド層１３
の上には低抵抗の電極接続層１６が設けられ、その上に
一方の電極１７が設けられている。さらに、これらの半
導体層は基板１８によって支持され、この基板には他方
の電極１９が設けられている。本例では、基板１８およ
びクラッド層１４はｎ型の半導体材料で形成され、活性
層１２は真性半導体材料で形成され、クラッド層１３お
よび電極接続層１６はｐ型半導体材料で形成されてい
る。
【００１６】ＤＦＢレーザ１１の出射側の端面には第2
の反射部材２０を設け、反対画の端面には第3の反射部
材２３が設けてある。第2の反射部材２０は、電気的な
絶縁と、光出射の効率を上げるための誘電体膜２１と、
不要な光出射を防ぎ、レーザ内に効率良く光を戻すため
の反射鏡として作用する金属膜２２とで構成されてい
る。この金属膜２２のほぼ中央には、レーザ光を出射さ
せるための微小開口の出射窓２２aを形成する。この出
射窓２２aの直径は、レーザ光の波長λに対してほぼλ
／１００からλの範囲の値とすることができる。また、
ＤＦＢレーザ１１の出射側端面とは反対側の後端面に設
けた第3の反射部材２３は、最適な反射率を得るために
多層誘電体膜で構成する。
の反射部材２０を設け、反対画の端面には第3の反射部
材２３が設けてある。第2の反射部材２０は、電気的な
絶縁と、光出射の効率を上げるための誘電体膜２１と、
不要な光出射を防ぎ、レーザ内に効率良く光を戻すため
の反射鏡として作用する金属膜２２とで構成されてい
る。この金属膜２２のほぼ中央には、レーザ光を出射さ
せるための微小開口の出射窓２２aを形成する。この出
射窓２２aの直径は、レーザ光の波長λに対してほぼλ
／１００からλの範囲の値とすることができる。また、
ＤＦＢレーザ１１の出射側端面とは反対側の後端面に設
けた第3の反射部材２３は、最適な反射率を得るために
多層誘電体膜で構成する。
【００１７】それぞれクラッド層１３および１４と電気
的に接続された電流注入電極１７および１９を、それぞ
れ導線２４および２５を介して注入電流源２６に接続す
る。この注入電流源２６によって電極１７から電極１９
へ電流を流すことによってレーザを発振させることがで
きる。ここで、基板１８およびクラッド層１４をＰ型半
導体材料で形成し、クラッド層１３および電極接続層１
６をｎ型の半導体材料で形成する場合には、電極間を流
れる電流の向きは逆となる。
的に接続された電流注入電極１７および１９を、それぞ
れ導線２４および２５を介して注入電流源２６に接続す
る。この注入電流源２６によって電極１７から電極１９
へ電流を流すことによってレーザを発振させることがで
きる。ここで、基板１８およびクラッド層１４をＰ型半
導体材料で形成し、クラッド層１３および電極接続層１
６をｎ型の半導体材料で形成する場合には、電極間を流
れる電流の向きは逆となる。
【００１８】本例の光ヘッドは、ＤＦＢレーザ１１の第
2の反射部材２０に設けた出射窓２２aに対向して近接配
置された光記録媒体２７へ情報を書き込む記録用光ヘッ
ドとして構成されている。図面では出射窓２２aと光記
録媒体２７との間の距離を大きく描いてあるが、実際に
は出射窓２２aの直径と同程度のほぼλ／１００からλ
の範囲の値である。注入電流源２６へ記録すべき情報信
号を供給してＤＦＢレーザ１１へ注入する電流の大きさ
を情報信号に応じて変化させることにより、ＤＦＢレー
ザの出射窓２２aから出射されるレーザ光の強度を変化
させる。このように強度変調されたレーザ光を光記録媒
体２７へ照射することによって光記録媒体の材料に熱的
な変化を与え、情報を高密度で書き込むことができる。
2の反射部材２０に設けた出射窓２２aに対向して近接配
置された光記録媒体２７へ情報を書き込む記録用光ヘッ
ドとして構成されている。図面では出射窓２２aと光記
録媒体２７との間の距離を大きく描いてあるが、実際に
は出射窓２２aの直径と同程度のほぼλ／１００からλ
の範囲の値である。注入電流源２６へ記録すべき情報信
号を供給してＤＦＢレーザ１１へ注入する電流の大きさ
を情報信号に応じて変化させることにより、ＤＦＢレー
ザの出射窓２２aから出射されるレーザ光の強度を変化
させる。このように強度変調されたレーザ光を光記録媒
体２７へ照射することによって光記録媒体の材料に熱的
な変化を与え、情報を高密度で書き込むことができる。
【００１９】図２は、本発明による光ヘッドの第２の実
施例の構成を線図的に示すものであり、前例と同様の部
分は同じ符号を付けて示し、その詳細な説明は省略す
る。本例の光ヘッドは、光記録媒体２７へ情報を書き込
む記録用光ヘッドとして作用すると共に光記録媒体に記
録された情報を読み取る再生用光ヘッドとしても作用す
るものである。本例の光ヘッドによって光記録媒体２７
に情報を記録する動作は上述した第１の実施例と同様で
あり、記録すべき情報信号によって注入電流源２６から
ＤＦＢレーザ１１へ注入される電流を変調し、これに応
じて強度変調されたレーザ光を、出射窓２２ａを経てＤ
ＦＢレーザの近接場に配置された光記録媒体２７へ照射
し、光記録媒体の材料に熱的な変化を与えて情報を書き
込むことができる。
施例の構成を線図的に示すものであり、前例と同様の部
分は同じ符号を付けて示し、その詳細な説明は省略す
る。本例の光ヘッドは、光記録媒体２７へ情報を書き込
む記録用光ヘッドとして作用すると共に光記録媒体に記
録された情報を読み取る再生用光ヘッドとしても作用す
るものである。本例の光ヘッドによって光記録媒体２７
に情報を記録する動作は上述した第１の実施例と同様で
あり、記録すべき情報信号によって注入電流源２６から
ＤＦＢレーザ１１へ注入される電流を変調し、これに応
じて強度変調されたレーザ光を、出射窓２２ａを経てＤ
ＦＢレーザの近接場に配置された光記録媒体２７へ照射
し、光記録媒体の材料に熱的な変化を与えて情報を書き
込むことができる。
【００２０】一方、光記録媒体２７に高密度で記録され
ている情報を読み出す場合には、注入電流源２６から一
定の注入電流をＤＦＢレーザ１１へ供給し、強度が一定
のレーザ光を発生させ、これを出射窓２２ａを経て光記
録媒体２７へ照射する。この光記録媒体２７に記録され
た情報で変調され、光記録媒体から反射されるレーザ光
を出射窓２２ａを経てＤＦＢレーザ１１へ入射させる。
このように光記録媒体２７で反射され、ＤＦＢレーザ１
１へ入射する戻りレーザ光によってＤＦＢレーザの発振
しきい値電流が変化するので、レーザ内部の光子数が変
化し、その結果として電極１７および１９間の電圧が変
化する。これらの電極１７および１９間の電圧の変化を
電圧変化検出回路２８によって検出することによって、
光記録媒体２７に記録されていた情報を表す再生信号を
得ることができる。
ている情報を読み出す場合には、注入電流源２６から一
定の注入電流をＤＦＢレーザ１１へ供給し、強度が一定
のレーザ光を発生させ、これを出射窓２２ａを経て光記
録媒体２７へ照射する。この光記録媒体２７に記録され
た情報で変調され、光記録媒体から反射されるレーザ光
を出射窓２２ａを経てＤＦＢレーザ１１へ入射させる。
このように光記録媒体２７で反射され、ＤＦＢレーザ１
１へ入射する戻りレーザ光によってＤＦＢレーザの発振
しきい値電流が変化するので、レーザ内部の光子数が変
化し、その結果として電極１７および１９間の電圧が変
化する。これらの電極１７および１９間の電圧の変化を
電圧変化検出回路２８によって検出することによって、
光記録媒体２７に記録されていた情報を表す再生信号を
得ることができる。
【００２１】図３は、本発明による光ヘッドの第３の実
施例の構成を示すものである。本例の光ヘッドも、前例
と同様に記録用および再生用光ヘッドとして機能するも
のである。ただし、本例ではＤＦＢレーザ１１の第３の
反射部材２３の後方に、光検出器３１を配置し、ＤＦＢ
レーザの第3の反射部材から出射されるレーザ光を受光
して情報を表す再生信号を出力するようにしたものであ
る。
施例の構成を示すものである。本例の光ヘッドも、前例
と同様に記録用および再生用光ヘッドとして機能するも
のである。ただし、本例ではＤＦＢレーザ１１の第３の
反射部材２３の後方に、光検出器３１を配置し、ＤＦＢ
レーザの第3の反射部材から出射されるレーザ光を受光
して情報を表す再生信号を出力するようにしたものであ
る。
【００２２】本例の光検出器３１は、IV族半導体或いは
III−V族またはII−VI族化合物半導体によって形成され
ている基板３２、光吸収層３３およびキャップ層３４か
らなり。このキャップ層の上には入射窓３５ａを有する
電極３５が形成され、基板３２の他方の表面にも電極３
６が形成されている。このような構造を有する光検出器
３１自体は公知であるが、本発明では他の任意の構造の
光検出器を用いることができる。
III−V族またはII−VI族化合物半導体によって形成され
ている基板３２、光吸収層３３およびキャップ層３４か
らなり。このキャップ層の上には入射窓３５ａを有する
電極３５が形成され、基板３２の他方の表面にも電極３
６が形成されている。このような構造を有する光検出器
３１自体は公知であるが、本発明では他の任意の構造の
光検出器を用いることができる。
【００２３】光記録媒体２７に記録された情報の読み取
りを行う場合には、注入電流源２６から一定の注入電流
をＤＦＢレーザ１１へ供給し、一定の輝度を有するレー
ザ光を第２の反射部材２０の出射窓２２ａから出射さ
せ、光記録媒体２７へ照射する。光記録媒体２７に記録
された情報で変調され、光記録媒体で反射されるレーザ
光を出射窓２２ａを経てＤＦＢレーザ１１へ入射させ
る。この戻りレーザ光により、上述したようにレーザ発
振しきい値電流が変化し、レーザ内部の光子数が変化す
る。したがって、ＤＦＢレーザ１１の第３の反射部材２
３を経て後方へ出射されるレーザ光の強度も変化する。
このように光記録媒体２７に記録された情報に応じて強
度変調され、ＤＦＢレーザで増幅されたレーザ光を光検
出器３１で受光して、光電変換することによって、記録
情報を表す再生信号をきわめて高い感度で得ることがで
きる。
りを行う場合には、注入電流源２６から一定の注入電流
をＤＦＢレーザ１１へ供給し、一定の輝度を有するレー
ザ光を第２の反射部材２０の出射窓２２ａから出射さ
せ、光記録媒体２７へ照射する。光記録媒体２７に記録
された情報で変調され、光記録媒体で反射されるレーザ
光を出射窓２２ａを経てＤＦＢレーザ１１へ入射させ
る。この戻りレーザ光により、上述したようにレーザ発
振しきい値電流が変化し、レーザ内部の光子数が変化す
る。したがって、ＤＦＢレーザ１１の第３の反射部材２
３を経て後方へ出射されるレーザ光の強度も変化する。
このように光記録媒体２７に記録された情報に応じて強
度変調され、ＤＦＢレーザで増幅されたレーザ光を光検
出器３１で受光して、光電変換することによって、記録
情報を表す再生信号をきわめて高い感度で得ることがで
きる。
【００２４】図２に示した第２の実施例についての計算
例を次に説明する。ＤＦＢレーザ１１の活性層１２をＧ
ａＡｓで形成し、クラッド層１３および１４をＡｌＧａ
Ａｓで形成し、第2および第3の反射部材２０および２３
間の距離として定義される共振器長をＬ＝１５０μｍと
する。また、第１の反射部材１５を構成する波状形状構
造の周期は、波長λ＝０．８５５μm のレーザ光が発振
されるように構成する。
例を次に説明する。ＤＦＢレーザ１１の活性層１２をＧ
ａＡｓで形成し、クラッド層１３および１４をＡｌＧａ
Ａｓで形成し、第2および第3の反射部材２０および２３
間の距離として定義される共振器長をＬ＝１５０μｍと
する。また、第１の反射部材１５を構成する波状形状構
造の周期は、波長λ＝０．８５５μm のレーザ光が発振
されるように構成する。
【００２５】図４は、このようなＤＦＢレーザ１１を用
い、出射窓２２ａから出射したレーザ光が光記録媒体２
７で反射され、出射窓からＤＦＢレーザへ戻り、レーザ
内の光と結合するまでの総合的な戻り光率Γを横軸に取
り、ＤＦＢレーザ１１の電極１７および１９間の電圧変
化を検出する電圧変化検出回路２８において検出される
電圧変化ΔＶ（ｍＶ）を縦軸に取って示すグラフであ
る。図４において、曲線Ａは本発明による光ヘッドの特
性を示すものであり、第１の反射部材１５を構成する波
状形状構造によりレーザ内での反射を表す係数がκＬ＝
３、第３の反射部材２３による電力反射率がＲｂ＝０．
０、第２の反射部材２０による電力反射率がＲｆ＝０．
９５の場合である。また、第２および第３の反射部材２
０および２３との境界における第１の反射部材１５の波
状形状構造の形状、すなわち位相は、検出電圧の絶対値
が大きくなるように最適化してある。
い、出射窓２２ａから出射したレーザ光が光記録媒体２
７で反射され、出射窓からＤＦＢレーザへ戻り、レーザ
内の光と結合するまでの総合的な戻り光率Γを横軸に取
り、ＤＦＢレーザ１１の電極１７および１９間の電圧変
化を検出する電圧変化検出回路２８において検出される
電圧変化ΔＶ（ｍＶ）を縦軸に取って示すグラフであ
る。図４において、曲線Ａは本発明による光ヘッドの特
性を示すものであり、第１の反射部材１５を構成する波
状形状構造によりレーザ内での反射を表す係数がκＬ＝
３、第３の反射部材２３による電力反射率がＲｂ＝０．
０、第２の反射部材２０による電力反射率がＲｆ＝０．
９５の場合である。また、第２および第３の反射部材２
０および２３との境界における第１の反射部材１５の波
状形状構造の形状、すなわち位相は、検出電圧の絶対値
が大きくなるように最適化してある。
【００２６】図４の曲線Ｂは、通常のファブリィペロー
型共振器を用いた場合、つまり本発明のように波状形状
構造が存在せず、全端面および後端面に設けた反射鏡を
用いて発振させた場合の特性を示すものである。この場
合は、Ｒｂ＝０．５、Ｒｆ＝０．９５である。曲線Ａお
よびＢにおいてもレーザ発振のしきい値はほぼ同じであ
る。
型共振器を用いた場合、つまり本発明のように波状形状
構造が存在せず、全端面および後端面に設けた反射鏡を
用いて発振させた場合の特性を示すものである。この場
合は、Ｒｂ＝０．５、Ｒｆ＝０．９５である。曲線Ａお
よびＢにおいてもレーザ発振のしきい値はほぼ同じであ
る。
【００２７】図４から明らかなように、波状形状構造を
有する第１の反射部材１５を設けたＤＦＢレーザを用い
る本発明の光ヘッドの方が、このような波状形状構造を
持たない光ヘッドに比べて検出感度が６倍程度増大して
いる。この感度増加の理由は完全には解明されていない
が、以下のような理由によるものであると考えられる。
有する第１の反射部材１５を設けたＤＦＢレーザを用い
る本発明の光ヘッドの方が、このような波状形状構造を
持たない光ヘッドに比べて検出感度が６倍程度増大して
いる。この感度増加の理由は完全には解明されていない
が、以下のような理由によるものであると考えられる。
【００２８】ＤＦＢレーザ１１の第２の反射部材２０の
出射窓２２ａ付近では、金属膜２２で反射される光と、
出射窓から再入射してくる光成分とが合波してレーザ内
部へ戻る。これらの成分が同位相であれば互いに強め合
い、逆位相であれば弱め合う。ファブリィペロー共振器
の場合には、複数の共振器縦モードが存在しており、戻
り光が存在する場合も存在しない場合にも共に、最も低
いしきい値となるモードで発振する。
出射窓２２ａ付近では、金属膜２２で反射される光と、
出射窓から再入射してくる光成分とが合波してレーザ内
部へ戻る。これらの成分が同位相であれば互いに強め合
い、逆位相であれば弱め合う。ファブリィペロー共振器
の場合には、複数の共振器縦モードが存在しており、戻
り光が存在する場合も存在しない場合にも共に、最も低
いしきい値となるモードで発振する。
【００２９】一方、波状形状構造が存在する場合には、
この波状形状構造によって発振縦モードが１本に選択さ
れている。そして、波状形状構造を有する第１の反射部
材１５と、第２の反射部材２０および第３の反射部材２
３とによる複合共振器となるので、第３の反射部材２３
を構成する多層誘電体膜の反射率Ｒｂ、第１の反射部材
１５を構成する波状形状構造と、第２の反射部材２０お
よび第３の反射部材２３とのそれぞれの境界での形状
（位相）、第２の反射部材２０の誘電体膜２１の光学的
膜厚、金属膜２２の反射率Ｒｆ、戻り光の位相などによ
って発振しきい値が敏感に変化する。したがって、戻り
光の有無や強弱の変化を電圧の変化として検出する場
合、波状形状構造を有する第１の反射部材１５を含めた
ＤＦＢレーザの種々の構造と、戻り光の位相関係とを最
適化することによって検出感度を上げることができる。
この波状形状構造によって発振縦モードが１本に選択さ
れている。そして、波状形状構造を有する第１の反射部
材１５と、第２の反射部材２０および第３の反射部材２
３とによる複合共振器となるので、第３の反射部材２３
を構成する多層誘電体膜の反射率Ｒｂ、第１の反射部材
１５を構成する波状形状構造と、第２の反射部材２０お
よび第３の反射部材２３とのそれぞれの境界での形状
（位相）、第２の反射部材２０の誘電体膜２１の光学的
膜厚、金属膜２２の反射率Ｒｆ、戻り光の位相などによ
って発振しきい値が敏感に変化する。したがって、戻り
光の有無や強弱の変化を電圧の変化として検出する場
合、波状形状構造を有する第１の反射部材１５を含めた
ＤＦＢレーザの種々の構造と、戻り光の位相関係とを最
適化することによって検出感度を上げることができる。
【００３０】なお、ファブリィペロー共振器の場合に
は、戻り光によって発振縦モードが移動するので、モー
ドホッピング雑音（戻り光雑音の一種）が増加してしま
うことが、例えばM. Yamada, IEEE Journal of Quantum
Electronics, Vol. QE-22, P.1052, 1989に記載されて
いる。これに対し本発明の光ヘッドでは、波状形状構造
を有する第１の反射部材１５を具えるＤＦＢレーザ１１
を用いているので、発振縦モードが１本で不動であるの
で、戻り光によるモードホッピング雑音は生じない。
は、戻り光によって発振縦モードが移動するので、モー
ドホッピング雑音（戻り光雑音の一種）が増加してしま
うことが、例えばM. Yamada, IEEE Journal of Quantum
Electronics, Vol. QE-22, P.1052, 1989に記載されて
いる。これに対し本発明の光ヘッドでは、波状形状構造
を有する第１の反射部材１５を具えるＤＦＢレーザ１１
を用いているので、発振縦モードが１本で不動であるの
で、戻り光によるモードホッピング雑音は生じない。
【００３１】図２に示した本発明の光ヘッドの第２の実
施例のように、光記録媒体２５から反射されるレーザ光
を出射窓２２ａを経てＤＦＢレーザ１１へ戻し、ＤＦＢ
レーザで増幅されて第３の反射部材２３を経て後方に出
射されるレーザ光をＤＦＢレーザとは別個の光検出器３
１で受光して再生信号を取り出すようにした光ヘッドに
おいても、上述したところと同様の作用効果が得られ
る。さらに、このようにＤＦＢレーザ１１とは別に光検
出器３１を設ける場合には、ＤＦＢレーザ１１への電流
注入用導線２４および２５と、再生信号を出力する出力
端子とが電気的に絶縁されているので、さらに安定した
レーザ動作が得られるという利点もある。
施例のように、光記録媒体２５から反射されるレーザ光
を出射窓２２ａを経てＤＦＢレーザ１１へ戻し、ＤＦＢ
レーザで増幅されて第３の反射部材２３を経て後方に出
射されるレーザ光をＤＦＢレーザとは別個の光検出器３
１で受光して再生信号を取り出すようにした光ヘッドに
おいても、上述したところと同様の作用効果が得られ
る。さらに、このようにＤＦＢレーザ１１とは別に光検
出器３１を設ける場合には、ＤＦＢレーザ１１への電流
注入用導線２４および２５と、再生信号を出力する出力
端子とが電気的に絶縁されているので、さらに安定した
レーザ動作が得られるという利点もある。
【００３２】本発明は上述した実施例にのみ限定される
ものではなく、幾多の変更や変形が可能である。例え
ば、上述したＤＦＢレーザ１１は単なる一例であり、周
知の種々の構造を有するものとすることができる。ま
た、波状形状構造を有する第１の反射部材１５の周期構
造は、波状のものに限られるものではなく、例えば方形
波状の周期構造を有するものとすることができる。ただ
し、どのような周期構造でも、それを３角関数でフーリ
ェ級数展開した場合の、波状波形成分がＤＦＢとしての
意味を持つので、本明細書ではこのような周期構造を総
称して波状形状構造と称している。
ものではなく、幾多の変更や変形が可能である。例え
ば、上述したＤＦＢレーザ１１は単なる一例であり、周
知の種々の構造を有するものとすることができる。ま
た、波状形状構造を有する第１の反射部材１５の周期構
造は、波状のものに限られるものではなく、例えば方形
波状の周期構造を有するものとすることができる。ただ
し、どのような周期構造でも、それを３角関数でフーリ
ェ級数展開した場合の、波状波形成分がＤＦＢとしての
意味を持つので、本明細書ではこのような周期構造を総
称して波状形状構造と称している。
【００３３】
【発明の効果】上述したように、本発明による光ヘッド
においては、波状形状構造を有する第１の反射部材１５
と、微小開口の出射窓２２ａを有する第２の反射部材２
０と、これとは反対側の端面に設けられた第３の反射部
材２３を有する分布帰還型レーザ１１を用い、出射窓か
ら出射されるレーザ光を、出射窓の近接場に配置した光
記録媒体へ照射するようにしたので、戻り光があっても
レーザ動作を安定とすることができ、きわめて高密度の
記録を行うことができる。また、再生の場合には、光記
録媒体で反射されるレーザ光を出射窓を経てＤＦＢレー
ザへ入射させ、このような戻り光によって発振しきい値
電流が変化し、これによりレーザ内部の光子数が変化
し、電流注入電極１７および１９間の電圧が変化するの
で、これを電圧変化検出回路２８で検出したり、第３の
反射部材２３から出射されるレーザ光の強度が変化する
ので、これを光検出器３１で検出することにより高感度
で情報信号の再生が可能となる。
においては、波状形状構造を有する第１の反射部材１５
と、微小開口の出射窓２２ａを有する第２の反射部材２
０と、これとは反対側の端面に設けられた第３の反射部
材２３を有する分布帰還型レーザ１１を用い、出射窓か
ら出射されるレーザ光を、出射窓の近接場に配置した光
記録媒体へ照射するようにしたので、戻り光があっても
レーザ動作を安定とすることができ、きわめて高密度の
記録を行うことができる。また、再生の場合には、光記
録媒体で反射されるレーザ光を出射窓を経てＤＦＢレー
ザへ入射させ、このような戻り光によって発振しきい値
電流が変化し、これによりレーザ内部の光子数が変化
し、電流注入電極１７および１９間の電圧が変化するの
で、これを電圧変化検出回路２８で検出したり、第３の
反射部材２３から出射されるレーザ光の強度が変化する
ので、これを光検出器３１で検出することにより高感度
で情報信号の再生が可能となる。
【図１】 図１は、本発明による光ヘッドの第１の実施
例を示す線図的な断面図である。
例を示す線図的な断面図である。
【図２】 図２は、本発明による光ヘッドの第２の実施
例を示す線図的な断面図である。
例を示す線図的な断面図である。
【図３】 図３は、本発明による光ヘッドの第３の実施
例を示す線図的な断面図である。
例を示す線図的な断面図である。
【図４】 図４は、第２の実施例の検出感度特性を、フ
ァブリィペロー共振器と比較して示すグラフである。
ァブリィペロー共振器と比較して示すグラフである。
１１ ＤＦＢレーザ、 １２ 活性層、 １３、１４
クラッド層、 １５ 波状形状構造を有する第１の反射
部材、 １６ 電極接続層、 １７ 電極、 １８ 基
板、 １９ 電極、 ２０ 第２反射部材、 ２１ 誘
電体層、 ２２金属膜、 ２２ａ 出射窓、 ２３ 第
３の反射部材、２４、２５ 導線、 ２６ 注入電流
源、 ２７ 光記録媒体、 ２８ 電圧変化検出回路、
３１ 光検出器、 ３２ 基板、 ３３ 光吸収層、
３４ キャップ層、 ３５、３６電極
クラッド層、 １５ 波状形状構造を有する第１の反射
部材、 １６ 電極接続層、 １７ 電極、 １８ 基
板、 １９ 電極、 ２０ 第２反射部材、 ２１ 誘
電体層、 ２２金属膜、 ２２ａ 出射窓、 ２３ 第
３の反射部材、２４、２５ 導線、 ２６ 注入電流
源、 ２７ 光記録媒体、 ２８ 電圧変化検出回路、
３１ 光検出器、 ３２ 基板、 ３３ 光吸収層、
３４ キャップ層、 ３５、３６電極
【手続補正書】
【提出日】平成１３年３月２９日（２００１．３．２
９）
９）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明による近接場光を
用いる光ヘッドは、それぞれ電流注入電極に電気的に接
続されたクラッド層で活性層を挟み、一方のクラッド層
中の活性層ととの界面或いは活性層と近接して周期的な
波状形状構造を有する第１の反射部材を形成し、一方の
端面に微小開口の出射窓を有する第２の反射部材を形成
し、他方の端面に第３の反射部材を形成した分布帰還型
レーザを具え、この分布帰還型レーザの前記出射窓から
射出されるレーザ光を近接場に配置した光記録媒体に照
射するようにしたことを特徴とするものである。
用いる光ヘッドは、それぞれ電流注入電極に電気的に接
続されたクラッド層で活性層を挟み、一方のクラッド層
中の活性層ととの界面或いは活性層と近接して周期的な
波状形状構造を有する第１の反射部材を形成し、一方の
端面に微小開口の出射窓を有する第２の反射部材を形成
し、他方の端面に第３の反射部材を形成した分布帰還型
レーザを具え、この分布帰還型レーザの前記出射窓から
射出されるレーザ光を近接場に配置した光記録媒体に照
射するようにしたことを特徴とするものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２６】図４の曲線Ｂは、通常のファブリィペロー
型共振器を用いた場合、つまり本発明のように波状形状
構造が存在せず、前端面および後端面に設けた反射鏡を
用いて発振させた場合の特性を示すものである。この場
合は、Ｒｂ＝０．５、Ｒｆ＝０．９５である。曲線Ａお
よびＢにおいてもレーザ発振のしきい値はほぼ同じであ
る。
型共振器を用いた場合、つまり本発明のように波状形状
構造が存在せず、前端面および後端面に設けた反射鏡を
用いて発振させた場合の特性を示すものである。この場
合は、Ｒｂ＝０．５、Ｒｆ＝０．９５である。曲線Ａお
よびＢにおいてもレーザ発振のしきい値はほぼ同じであ
る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３１】図２に示した本発明の光ヘッドの第２の実
施例のように、光記録媒体２７から反射されるレーザ光
を出射窓２２ａを経てＤＦＢレーザ１１へ戻し、ＤＦＢ
レーザで増幅されて第３の反射部材２３を経て後方に出
射されるレーザ光をＤＦＢレーザとは別個の光検出器３
１で受光して再生信号を取り出すようにした光ヘッドに
おいても、上述したところと同様の作用効果が得られ
る。さらに、このようにＤＦＢレーザ１１とは別に光検
出器３１を設ける場合には、ＤＦＢレーザ１１への電流
注入用導線２４および２５と、再生信号を出力する出力
端子とが電気的に絶縁されているので、さらに安定した
レーザ動作が得られるという利点もある。
施例のように、光記録媒体２７から反射されるレーザ光
を出射窓２２ａを経てＤＦＢレーザ１１へ戻し、ＤＦＢ
レーザで増幅されて第３の反射部材２３を経て後方に出
射されるレーザ光をＤＦＢレーザとは別個の光検出器３
１で受光して再生信号を取り出すようにした光ヘッドに
おいても、上述したところと同様の作用効果が得られ
る。さらに、このようにＤＦＢレーザ１１とは別に光検
出器３１を設ける場合には、ＤＦＢレーザ１１への電流
注入用導線２４および２５と、再生信号を出力する出力
端子とが電気的に絶縁されているので、さらに安定した
レーザ動作が得られるという利点もある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｓ 5/12 Ｈ０１Ｓ 5/12
Claims (6)
- 【請求項１】 それぞれ電流注入電極に電気的に接続さ
れたクラッド層で活性層を挟み、一方のクラッド層中の
活性層との界面或いは活性層に近接して周期的な波状形
状構造を有する第１の反射部材を形成し、一方の端面に
微小開口の出射窓を有する第２の反射部材を形成し、他
方の端面に第３の反射部材を形成した分布帰還型レーザ
を具え、この分布帰還型レーザの出射窓から射出される
レーザ光を近接場に配置した光記録媒体に照射するよう
にしたことを特徴とする近接場光を用いる光ヘッド。 - 【請求項２】 前記電流注入電極を介して分布帰還型レ
ーザへ注入される電流の大きさを光記録媒体に記録すべ
き情報に応じて変化させて、強度変調されたレーザ光を
光記録媒体へ照射して情報を記録するように構成した請
求項１に記載の近接場光を用いる光ヘッド。 - 【請求項３】 前記分布帰還型レーザへの注入電流を一
定に維持して一定強度のレーザ光を光記録媒体へ照射
し、光記録媒体から反射されるレーザ光を前記出射窓を
経て分布帰還型レーザへ戻し、前記電流注入電極間に生
じる電圧変化を検出して光記録媒体に記録されている情
報を再生するように構成した請求項１または２に記載の
近接場光を用いる光ヘッド。 - 【請求項４】 前記分布帰還型レーザへの注入電流を一
定に維持して一定強度のレーザ光を光記録媒体へ照射
し、光記録媒体から反射されるレーザ光を前記出射窓を
経て分布帰還型レーザへ戻し、この分布帰還型レーザで
増幅され、前記第３の反射部材から出射されるレーザ光
を受光して光記録媒体に記録されていた情報の再生信号
を出力する光検出器を設けたことを特徴とする請求項１
または２に記載の近接場光を用いる光ヘッド。 - 【請求項５】 前記分布帰還型レーザの第２の反射部材
の内側に誘電体膜を設けたことを特徴とする請求項１〜
４の何れかに記載の近接場光を用いる光ヘッド。 - 【請求項６】 前記分布帰還型レーザの第３の反射部材
を多層誘電体膜で構成したことを特徴とする請求項１〜
５の何れかに記載の近接場光を用いる光ヘッド。
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