WO2014125943A1 - 光学センサヘッド、および光学センサシステム - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の実施形態1に係る光学センサシステム及びその実施例について、図1~図4を参照して説明する。
本実施形態に係る光学センサシステム200は、図1に示すように、発光デバイス102と、反応体120と、2つの検出器103a、103bと、駆動回路108と、算出部151と、表示部152とから構成されている。発光デバイス102、反応体120、及び、検出器103a、103bが光学センサヘッド101を構成している。図示を省略しているが、光学センサヘッド101はパッケージ化されて一体となっている。発光デバイス102は、第1の反射面104、第1の反射面104と対向する第2の反射面105、および、第1の反射面104と第2の反射面105との間に設けられた導波路106を有している。反応体120は、第1の反射面104上に形成されている。2つの検出器103a、103bは、発光デバイス102及び反応体120を導波路106に沿った方向に挟む位置に配置されており、検出器103aの上面が第2の反射面105と対向し、検出器103bの下面が反応体120の上面と対向している。なお、後述するように、2つの検出器103a、103bのうちのどちらか一方だけが配置されていてもよい。駆動回路108は、算出部151と、発光デバイス102の図示しない2つの電極とに接続されており、当該2つの電極を介して発光デバイス102に注入電流を供給する。
算出部151は、集積回路(ICチップ)等に形成された論理回路(ハードウェア)によって実現してもよいし、CPU(Central Processing Unit)を用いてソフトウェアによって実現してもよい。後者の場合、算出部151は、各機能を実現するソフトウェアであるプログラムの命令を実行するCPUを有している。また、算出部151は、上記プログラムおよび各種データがコンピュータ(またはCPU)で読み取り可能に記録されたROM(Read Only Memory)または記憶装置(これらを「記録媒体」と称する)、上記プログラムを展開するRAM(Random Access Memory)などをさらに有している。そして、コンピュータ(またはCPU)が上記プログラムを上記記録媒体から読み取って実行することにより、算出部151の機能が実現される。
次に、図1に示す光学センサヘッド101の製造方法の一例を説明する。発光デバイス102として市販のレーザ素子を用い、その第1の反射面104に反応体120を形成する。次に、第2の反射面105及び第1の反射面104を通して外部に出射される光の光強度をそれぞれ検出できるように、市販のフォトディテクタを検出器103a、103bとしてそれぞれ上述した位置に設置する。なお、市販のレーザ素子に外部共振器を加え、その反射面を第1の反射面104としてもよい。
次に、算出部151で行なわれる、検出器103a及び/又は検出器103bで検出された光の光強度に基づいた解析、および環境パラメータの算出原理について説明する。なお、以下の説明においては、発光デバイス102が半導体レーザ素子であるとする。
上述のとおり、環境パラメータの変化により、反応体120の周辺または反応体120自体の光学的性質が変化し、第1の反射面104の反射率が変化する。まず、この第1の反射面104の反射率の変化が、発光デバイス102である半導体レーザ素子の発光強度に与える影響の計算について説明する。
η1:第1の反射面104から放射された光の微分効率
η2:第2の反射面105から放射された光の微分効率
Ith:閾値電流
R1:第1の反射面104の反射率
R2:第2の反射面105の反射率
T1:第1の反射面104の透過率
T2:第2の反射面105の透過率
ηstm:内部微分効率
ηi:内部量子効率
αint:内部損失
J0:透明化電流
Γ:活性層の光閉じ込め係数
h:プランク定数
ν:光の振動数
q:電子の電荷
L:共振器長
W:活性層の幅
d:活性層厚さ
P1=η1(I-Ith)
P2=η2(I-Ith) (4)
反射の場合には、d(P0R1)/dR1=P0と、
透過の場合には、d{P0(1-R1)}/dR1=-P0
と表される。
ηstm:内部微分効率
ηi:内部量子効率
αint:内部損失
J0:透明化電流
Γ:活性層の光閉じ込め係数
L:共振器長
W:活性層の幅
d:活性層厚さ
λ:発光デバイス102が出射する光の波長
続いて、本実施形態の光学センサシステム200における幾つかの実施例について説明する。
実施例1は、図2~図4で説明した具体例において、反応体120が反応する前(初期状態)の第1の反射面104の反射率R1を0.3としたものである。
実施例2は、図2~図4で説明した具体例において、反応体120が反応する前(初期状態)の第1の反射面104の反射率R1を0.7としたものである。
実施例3は、図2~図4で説明した具体例において、反応体120が反応する前(初期状態)の第1の反射面104の反射率R1を0.45としたものである。
実施例4は、図2~図4で説明した具体例において、反応体120が反応する前(初期状態)の第1の反射面104の反射率R1を0.1としたものである。
実施例5では、第1の反射面104の反射率R1を規定せず、第1の反射面104から放射された光の光強度P1が一定になるように動作させる。また、第1の反射面104から放射された光の光強度P1および第2の反射面105から放射された光の光強度P2の少なくともいずれかが、上述した従来の光学センサシステムより感度が高くなるようにする。本実施例では、検出器103a及び/又は検出器103bを用いて光強度P2及び/又は光強度P1を検出するとともに、第1の反射面104から放射された光の光強度P1がユーザまたはメーカーにより規定された値で一定となるよう、制御手段である駆動回路108が算出部151を介して受け取った光強度情報に基づいたフィードバック制御を行う。発光デバイス102が半導体レーザ素子であれば、駆動回路108が当該素子への注入電流を調整することになる。図3に示されているように、第1の反射面104から放射された光の光強度P1と第2の反射面105から放射された光の光強度P2とでは、第1の反射面104の反射率R1への依存性が異なるため、第1の検出器103aが第2の反射面105から放射された光の光強度P2のみが検出される場合、算出部151または駆動回路108に含まれる記憶部に記憶された光強度P1と光強度P2との関係に基づいて、光強度P1が一定となるように駆動回路108がフィードバック制御を行う。なお、変形例として、算出部151を介することなく光強度情報を受け取ることができるように、駆動回路108が2つの検出器103a、103bと直接接続されていてもよい。
実施例6では、第1の反射面104の反射率R1を規定せず、第1の反射面104から放射された光の光強度P1および第2の反射面105から放射された光の光強度P2のいずれも、上述した従来の光学センサシステムより感度が高くなるようにする。
次に、貫通孔8が設けられた遮光膜7が反応体120である、本発明の実施形態2に係る光学センサヘッド1について図5~図8を参照して説明する。
図5は、本実施形態の光学センサヘッド1の斜視図である。光学センサヘッド1は、発光デバイス2と遮光膜7と誘電体膜12と検出器3とから構成されている。図示を省略しているが、これらはパッケージ化されて一体となっている。発光デバイス2は、第1の反射面4、第1の反射面4と対向する第2の反射面5、および、第1の反射面4と第2の反射面5との間に設けられた導波路6を有している。第1の反射面4上には誘電体膜12を介して遮光膜7が形成されている。遮光膜7には、近接場光を発生させるための貫通孔8が設けられている。貫通孔8の孔軸は導波路6の延長線上にある。
貫通孔8,28内部の屈折率が変化すると、第1の反射面4(以下では誘電体膜12が設けられていないと仮定して説明するが、誘電体膜12が設けられている場合にも以下と同様の説明が成り立つ)の反射率が変化し、第1の反射面4および第2の反射面5間を往復する導波路6中の光の強度分布が変化する。そのため、第2の反射面5から出射される光の透過率が変化する。よって、第2の反射面5から出射される光の透過率を検出することで、貫通孔8,28内部の屈折率がわかる。例えば、貫通孔8,28内部に、特定の分子を吸着する吸着層を設けておけば、この特定の分子の濃度がわかる。
η1:第1の反射面4から放射された光の微分効率
η2:第2の反射面5から放射された光の微分効率
Ith:閾値電流
R1:第1の反射面4の反射率
R2:第2の反射面5の反射率
T1:第1の反射面4の透過率
T2:第2の反射面5の透過率
ηstm:内部微分効率
ηi:内部量子効率
αint:内部損失
J0:透明化電流
Γ:活性層の光閉じ込め係数
h:プランク定数
ν:光の振動数
q:電子の電荷
L:共振器長
W:活性層の幅
d:活性層厚さ
次に、図6(a)に示す光学センサヘッド1の製造方法を説明する。発光デバイス2は、市販のレーザ素子を用いればよく、この第1の反射面4に誘電体膜12を介して遮光膜7を製膜し、その後、遮光膜7に貫通孔8を形成すればよい。そして、第2の反射面5を通して外部に出射される光の光強度を検出できるよう、市販のフォトディテクタを検出器3として設置すればよい。
上述した実施形態の変形例について説明する。図10(a)に示す例では、第1の反射面4上に形成された誘電体膜22に、貫通孔8に接続された凹部41が形成されている。凹部41は、貫通孔8を画定する上述したテーパー面と同じ傾斜角度を有し且つこれに接続されて一つの傾斜面を形成するテーパー面によって画定されている。そして、貫通孔8と凹部41とが一緒になって一つの凹部を形成している。このとき、貫通孔8のx方向サイズは、凹部41の底面で最も小さくなるので、ここで光強度が最も強くなる。このように誘電体膜22に貫通孔8に接続された凹部41が形成されていれば、検出対象9が凹部41中にも存在できるため、さらに感度を上げることができる。
別の変形例として、図11に示す光学センサヘッド101においては、貫通孔38を境界として、互いに絶縁された二領域37a、37bに分割された遮光膜37を用いられている。この変形例では、貫通孔38が遮光膜37を2つに分断するスリットとして形成されているが、必ずしもこのような形態とは限らず、貫通孔と絶縁層とによって、遮光膜が互いに絶縁された二領域に分割されていてもよい。
[光学センサシステム構成]
本発明の実施形態3に係る光学センサシステムについて、図12を参照して説明する。図12に示す光学センサシステムは、図5に詳細を示した光学センサヘッド1と、光学センサヘッド1の検出器3で検出した結果を解析し、貫通孔8内の屈折率を算出する算出部51と、算出部51での算出結果を表示する表示部52と、駆動回路53とを含んでいる。
算出部51で行う検出結果の解析、および屈折率の算出について、発光デバイス2が半導体レーザ素子であり、検出結果が第2の反射面5から放射された光の光強度である場合について説明する。
(数6)
P=η2(I-Ith) (6)
のように線形な関係式で表されることが知られている。よって、測定する電流値は少なくとも2点でよい。なお、測定点数を増やしてフィッティングすれば、測定誤差の影響を小さくすることができる。
半導体レーザ素子の発振波長は、環境温度によって変化することが知られている。この原理により、検出器3として分光器などを利用し、強度だけでなく、スペクトル測定を行えば、環境温度の変化による、閾値電流と微分効率の変化を補正することができる。また、検出対象と遮光膜の温度によって屈折率も補正することができる。具体的には、あらかじめ温度と発振波長の関係を測定した結果を算出部51が保持してもよいし、半導体レーザ素子の構成から計算してもよい。
本発明の光学センサシステムにおいて、光学センサヘッド1は、複数個用いてもよい。例えば、貫通孔8の形状、遮光膜7の材料、発光デバイス2の波長などが互いに異なれば、それぞれの光学センサヘッド1から得られる情報が異なる。これらの情報を総合することで、検出対象9をより正確に検出する、検出対象9を検出する濃度レンジを広くする、検出対象9の種類を増やす、などの効果を得ることができる。この場合、光学センサヘッド1は、互いに離隔して配置されていてもよいし、近接して配列されていてもよく、目的によって選択すればよい。
前記遮光膜の前記二領域間に電圧をかけるための電圧印加手段をさらに備えている。前記構成によると、遮光膜の前記二領域間に電圧をかけることで、貫通孔内部に検出対象を捕集することができる。そのため、検出感度がさらに向上する。
2 発光デバイス
3 検出器
4 第1の反射面
5 第2の反射面
6 導波路
7 遮光膜
7a 対向面
7b 出射面
8 貫通孔
9 検出対象
10 流路
11 窓
12 誘電体膜
101 光学センサヘッド
102 発光デバイス
103a 第1の検出器
103b 第2の検出器
104 第1の反射面
105 第2の反射面
106 導波路
108 駆動回路
109 温度センサ
120 反応体
151 算出部
152 表示部
200 光学センサシステム
Claims (8)
- 前記第1の検出器によって検出される光強度が一定となるよう、前記第1の検出器によって検出された光強度に基づいてフィードバック制御を行う制御手段をさらに備えていることを特徴とする請求項1に記載の光学センサシステム。
- 前記第1の反射面及び前記第2の反射面の他方から出射される光の光強度を検出する第2の検出器をさらに備えていることを特徴とする請求項1又は2に記載の光学センサシステム。
- 第1の反射面、前記第1の反射面と対向する第2の反射面、および、前記第1の反射面と前記第2の反射面との間に設けられた導波路が形成された発光デバイスと、
近接場光を発生させるための貫通孔が設けられた、前記第1の反射面上に形成された遮光膜と、
前記第1または第2の反射面を通して前記発光デバイスから出射される光の光強度を検出する検出器とを備えた光学センサヘッドであって、
前記遮光膜の光の出射面上での前記貫通孔の開口面積が、前記第1の反射面に対向した前記遮光膜の対向面上での前記貫通孔の開口面積よりも大きいことを特徴とする光学センサヘッド。 - 前記遮光膜が、表面プラズモンを励起する材料からなることを特徴とする請求項4に記載の光学センサヘッド。
- 前記発光デバイスから出射される光が直線偏光であり、
前記直線偏光の方向に関して、前記遮光膜の前記出射面上での前記貫通孔の開口長さが、前記遮光膜の前記対向面上での前記貫通孔の開口長さよりも大きいことを特徴とする請求項5に記載の光学センサヘッド。 - 前記発光デバイスから出射される光が直線偏光であり、
前記遮光膜の前記対向面上での前記直線偏光の方向に関する前記貫通孔の開口長さが、前記発光デバイスから出射される光の波長より小さいことを特徴とする請求項4又は5に記載の光学センサヘッド。 - 請求項4~7のいずれか1項に記載の光学センサヘッドと、
前記発光デバイスを発光させたときにおける前記検出器の検出値を元に、前記貫通孔内の屈折率を算出する算出部と、
前記算出部で算出された屈折率を表示する表示部とを備える光学センサシステム。
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