JPH09283842A - 半導体レーザ素子 - Google Patents
半導体レーザ素子Info
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- JPH09283842A JPH09283842A JP9417596A JP9417596A JPH09283842A JP H09283842 A JPH09283842 A JP H09283842A JP 9417596 A JP9417596 A JP 9417596A JP 9417596 A JP9417596 A JP 9417596A JP H09283842 A JPH09283842 A JP H09283842A
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- Japan
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- layer
- ridge
- semiconductor laser
- clad
- saturable absorption
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Abstract
(57)【要約】
【課題】光ピックアップ用半導体レーザ素子は、光ディ
スク面からの反射光により光パワーのゆらぎを生じ信号
読取りが困難になる。ゆらぎを除去するため外部から数
百ＭＨｚの高周波電流を負荷してパルス発振を行う方法
と、半導体レーザの内部に可飽和吸収領域を設けて自励
パルス発振させる方法が知られている。しかし、高周波
回路を用いる繁雑さと損失形導波路構造から生ずる駆動
電流の増大と、非点収差の増大という欠点がある。 【解決手段】上記の問題点を解決するため、本発明の半
導体レーザ素子は電流阻止用ヘテロ接合形成層と可飽和
吸収層、又は電流阻止機能を有する可飽和吸収層を第２
クラッド層の上部と第２クラッド層の一部に設けたリッ
ジの両側面上に配置し、可飽和吸収層の作用により光パ
ルスの自励発振を生ぜしめ、光ディスク面からの反射光
による光パワーのゆらぎを防止する。
スク面からの反射光により光パワーのゆらぎを生じ信号
読取りが困難になる。ゆらぎを除去するため外部から数
百ＭＨｚの高周波電流を負荷してパルス発振を行う方法
と、半導体レーザの内部に可飽和吸収領域を設けて自励
パルス発振させる方法が知られている。しかし、高周波
回路を用いる繁雑さと損失形導波路構造から生ずる駆動
電流の増大と、非点収差の増大という欠点がある。 【解決手段】上記の問題点を解決するため、本発明の半
導体レーザ素子は電流阻止用ヘテロ接合形成層と可飽和
吸収層、又は電流阻止機能を有する可飽和吸収層を第２
クラッド層の上部と第２クラッド層の一部に設けたリッ
ジの両側面上に配置し、可飽和吸収層の作用により光パ
ルスの自励発振を生ぜしめ、光ディスク面からの反射光
による光パワーのゆらぎを防止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光情報処理とくに光
ディスク上に記憶された情報の読み出しに用いる光ピッ
クアップ用光源に適した自励パルス発振型の半導体レー
ザ素子に関する。
ディスク上に記憶された情報の読み出しに用いる光ピッ
クアップ用光源に適した自励パルス発振型の半導体レー
ザ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ピックアップ用光源に用いる半導体レ
ーザには、より短い波長、より小さな非点収差、より小
さい駆動電流が求められる。これを満たすものとして、
より短い波長の発振に適した（Ｇａ1-x Ａｌx ）y Ｉｎ
1-y Ｐを基本的な材料とする実屈折率導波路形の構造
が、筆者らにより特願平７−９０４１６に記載されてい
る。
ーザには、より短い波長、より小さな非点収差、より小
さい駆動電流が求められる。これを満たすものとして、
より短い波長の発振に適した（Ｇａ1-x Ａｌx ）y Ｉｎ
1-y Ｐを基本的な材料とする実屈折率導波路形の構造
が、筆者らにより特願平７−９０４１６に記載されてい
る。
【０００３】前記実屈折率導波路型の構造を図２に示
す。図２において１はｎ−ＧａＡｓ基板、３はｎ−Ｇａ
Ａｓバッファ層、５はｎ−（Ｇａ0.4 Ａｌ0.6 ）0.5 Ｉ
ｎ0.5 Ｐ第１クラッド層、７はアンドープＧａ0.5Ｉｎ
0.5 Ｐ活性層、９はｐ−（Ｇａ0.4 Ａｌ0.6 ）0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐ第２クラッド層、１１は前記第２クラッド層９の
一部を前記活性層の反対側に突出させたリッジ、１３は
ｐ−ＧａＡｓヘテロ障壁形成層、１７はｐ−（Ｇａ0.1
Ａｌ0.9 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐキャップ層、１９はｐ−Ｇａ
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ通電容易層、２１はｐ−ＧａＡｓ電極層
である。
す。図２において１はｎ−ＧａＡｓ基板、３はｎ−Ｇａ
Ａｓバッファ層、５はｎ−（Ｇａ0.4 Ａｌ0.6 ）0.5 Ｉ
ｎ0.5 Ｐ第１クラッド層、７はアンドープＧａ0.5Ｉｎ
0.5 Ｐ活性層、９はｐ−（Ｇａ0.4 Ａｌ0.6 ）0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐ第２クラッド層、１１は前記第２クラッド層９の
一部を前記活性層の反対側に突出させたリッジ、１３は
ｐ−ＧａＡｓヘテロ障壁形成層、１７はｐ−（Ｇａ0.1
Ａｌ0.9 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐキャップ層、１９はｐ−Ｇａ
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ通電容易層、２１はｐ−ＧａＡｓ電極層
である。
【０００４】活性層７に発生したレーザ光は、活性層７
と第１クラッド層５と第２クラッド層９とが構成するダ
ブルヘテロ構造により活性層７を中心にして導波され、
更にリッジ１１とキャップ層１７との間の屈折率差に起
因して前記リッジの直下に閉じこめられる。すなわちリ
ッジの直下に実屈折率型の導波路が構成され、その結
果、小非点収差でかつ低駆動電流の素子が得られる。
と第１クラッド層５と第２クラッド層９とが構成するダ
ブルヘテロ構造により活性層７を中心にして導波され、
更にリッジ１１とキャップ層１７との間の屈折率差に起
因して前記リッジの直下に閉じこめられる。すなわちリ
ッジの直下に実屈折率型の導波路が構成され、その結
果、小非点収差でかつ低駆動電流の素子が得られる。
【０００５】また、第２のクラッド層９のリッジ１１を
除く上面部分とキャップ層１７との間、及び第２のクラ
ッド層の一部であるリッジ１１の側面とキャップ層との
間に挿入されたヘテロ障壁形成層１３が、第２のクラッ
ド層９のリッジ１１を除く部分の上面との境界面、及び
前記リッジの側面との境界面にヘテロ障壁を形成してい
る。前記ヘテロ障壁により、図２の上部から注入される
レーザの駆動電流が阻止されるので、駆動電流はリッジ
直下にのみ効率的に注入され、駆動電流の低減に寄与し
ている。
除く上面部分とキャップ層１７との間、及び第２のクラ
ッド層の一部であるリッジ１１の側面とキャップ層との
間に挿入されたヘテロ障壁形成層１３が、第２のクラッ
ド層９のリッジ１１を除く部分の上面との境界面、及び
前記リッジの側面との境界面にヘテロ障壁を形成してい
る。前記ヘテロ障壁により、図２の上部から注入される
レーザの駆動電流が阻止されるので、駆動電流はリッジ
直下にのみ効率的に注入され、駆動電流の低減に寄与し
ている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】実屈折率導波路構造を
具備する半導体レーザ素子は、光ディスク面からの反射
光による光パワーのゆらぎを生じ易く、光ピックアップ
による信号読取りが困難になる。従来例として図２示し
た半導体レーザ素子もこの弊害を免れない。この弊害を
除去するためには、外部から数百ＭＨｚの高周波電流を
負荷してパルス発振を行う方法、あるいは半導体レーザ
の内部に可飽和吸収領域を設けることにより、自励パル
ス発振させる方法が従来から行われている。しかし、前
者には高周波回路を用いる繁雑さとコスト増加の欠点が
あり、後者は損失形導波路構造の半導体レーザ素子を基
本構造としているため、駆動電流と非点収差の増大とい
う欠点がある。本発明はこれらの問題点を解決するため
になされたのであり、屈折率導波路構造を具備しつつ自
励パルス発振をする半導体レーザ素子を提供することを
目的とする。
具備する半導体レーザ素子は、光ディスク面からの反射
光による光パワーのゆらぎを生じ易く、光ピックアップ
による信号読取りが困難になる。従来例として図２示し
た半導体レーザ素子もこの弊害を免れない。この弊害を
除去するためには、外部から数百ＭＨｚの高周波電流を
負荷してパルス発振を行う方法、あるいは半導体レーザ
の内部に可飽和吸収領域を設けることにより、自励パル
ス発振させる方法が従来から行われている。しかし、前
者には高周波回路を用いる繁雑さとコスト増加の欠点が
あり、後者は損失形導波路構造の半導体レーザ素子を基
本構造としているため、駆動電流と非点収差の増大とい
う欠点がある。本発明はこれらの問題点を解決するため
になされたのであり、屈折率導波路構造を具備しつつ自
励パルス発振をする半導体レーザ素子を提供することを
目的とする。
【０００７】
【課題を解決する手段】上記の問題点を解決するために
本発明の半導体レーザ素子は、第１導電形の第１クラッ
ド層と、第２導電形の第２クラッド層と、第１及び第２
クラッド層の間に介在する活性層からなる構造を有し、
第２クラッド層は活性層の反対側に突出したリッジと、
第２クラッド層の上面及びリッジの両側面及びリッジの
上面に、第２クラッド層と屈折率の異なる第２導電形の
キャップ層を有し、かつリッジとキャップ層を活性層上
に形成することにより、リッジの直下に光導波路を構成
し、さらに前記第２クラッド層の前記リッジを除く部分
の上面及びリッジの両側面と、キャップ層との間に前記
半導体レーザ光に対する可飽和吸収層を挿入することに
より屈折率導波路構造を具備しつつ自励パルス発振する
ことを可能にする。
本発明の半導体レーザ素子は、第１導電形の第１クラッ
ド層と、第２導電形の第２クラッド層と、第１及び第２
クラッド層の間に介在する活性層からなる構造を有し、
第２クラッド層は活性層の反対側に突出したリッジと、
第２クラッド層の上面及びリッジの両側面及びリッジの
上面に、第２クラッド層と屈折率の異なる第２導電形の
キャップ層を有し、かつリッジとキャップ層を活性層上
に形成することにより、リッジの直下に光導波路を構成
し、さらに前記第２クラッド層の前記リッジを除く部分
の上面及びリッジの両側面と、キャップ層との間に前記
半導体レーザ光に対する可飽和吸収層を挿入することに
より屈折率導波路構造を具備しつつ自励パルス発振する
ことを可能にする。
【０００８】また可飽和吸収層は、第２クラッド層のリ
ッジを除く部分の上面との境界面、及びリッジの両側面
との境界面に、電流阻止機能を有するヘテロ接合又はＰ
Ｎ接合を形成することを特徴とする。このほか第２クラ
ッド層と可飽和吸収層との間に、電流阻止機能を有する
第２導電型のヘテロ障壁形成層を設けても良い。前記ヘ
テロ障壁形成層は、第２のクラッド層のリッジを除く部
分の上面との境界面、及びリッジの側面との境界面にヘ
テロ障壁を形成することを特徴とする。前記可飽和吸収
層は量子井戸から構成されるものであっても良い。
ッジを除く部分の上面との境界面、及びリッジの両側面
との境界面に、電流阻止機能を有するヘテロ接合又はＰ
Ｎ接合を形成することを特徴とする。このほか第２クラ
ッド層と可飽和吸収層との間に、電流阻止機能を有する
第２導電型のヘテロ障壁形成層を設けても良い。前記ヘ
テロ障壁形成層は、第２のクラッド層のリッジを除く部
分の上面との境界面、及びリッジの側面との境界面にヘ
テロ障壁を形成することを特徴とする。前記可飽和吸収
層は量子井戸から構成されるものであっても良い。
【０００９】本発明の半導体レーザ素子は、半導体レー
ザ素子が発生する光の強度に対して吸収係数が飽和する
可飽和吸収層の作用により、光パルスの自励発振を生
じ、光ディスク面からの反射光による光パワーのゆらぎ
を防止することができる。また駆動電流が小さい実屈折
率導波路構造を基本構造としているため、可飽和吸収層
が付加されても駆動電流を過度に増大することなく実用
的な半導体レーザ素子を得ることができる。
ザ素子が発生する光の強度に対して吸収係数が飽和する
可飽和吸収層の作用により、光パルスの自励発振を生
じ、光ディスク面からの反射光による光パワーのゆらぎ
を防止することができる。また駆動電流が小さい実屈折
率導波路構造を基本構造としているため、可飽和吸収層
が付加されても駆動電流を過度に増大することなく実用
的な半導体レーザ素子を得ることができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明の実施
の形態を詳細に説明する。図１は本発明の第１の実施の
形態の半導体レーザ素子の構造を示す斜視図である。図
２に示す従来の構造に加えて、ｐ−Ａｌ0.33Ｇａ0.67Ａ
ｓ可飽和吸収層１５が、ヘテロ障壁形成層１３の上に重
ねた状態で、ヘテロ障壁形成層１３とキャップ層１７と
の間に形成されている。可飽和吸収層１５の材料は、禁
制帯幅が活性層７とほぼ等しいかこれより小さい値を有
し、かつ本実施の形態では第２の導電形を有するものを
用いている。
の形態を詳細に説明する。図１は本発明の第１の実施の
形態の半導体レーザ素子の構造を示す斜視図である。図
２に示す従来の構造に加えて、ｐ−Ａｌ0.33Ｇａ0.67Ａ
ｓ可飽和吸収層１５が、ヘテロ障壁形成層１３の上に重
ねた状態で、ヘテロ障壁形成層１３とキャップ層１７と
の間に形成されている。可飽和吸収層１５の材料は、禁
制帯幅が活性層７とほぼ等しいかこれより小さい値を有
し、かつ本実施の形態では第２の導電形を有するものを
用いている。
【００１１】このとき前記ヘテロ障壁形成層１３は、そ
の下面に隣接するクラッド層９及びリッジ１１の側面と
の間に、上部から注入されるレーザの駆動電流を阻止す
る主要なヘテロ障壁を形成するので、１３の上面に前記
可飽和吸収層１５を重ねることにより、前記ヘテロ障壁
形成層の駆動電流阻止機能が低下することはない。
の下面に隣接するクラッド層９及びリッジ１１の側面と
の間に、上部から注入されるレーザの駆動電流を阻止す
る主要なヘテロ障壁を形成するので、１３の上面に前記
可飽和吸収層１５を重ねることにより、前記ヘテロ障壁
形成層の駆動電流阻止機能が低下することはない。
【００１２】可飽和吸収層１５は厚すぎると吸収飽和が
生ぜず、単純な吸収体として作用し、薄過ぎると所望の
レーザ出力以下で飽和するので、いずれの場合も自励パ
ルス発振は望めない。最適厚さは前記第２のクラッド層
９、又は前記活性層７の厚さ等にも依存するため一該に
は決定できないが、上記のように活性層と禁制帯幅がほ
ぼ同じ半導体材料を用いた場合には１００ｎｍ前後の値
であった。活性層と禁制帯幅がほぼ同じ半導体材料を用
いることが困難な場合には、量子井戸層により実効的な
禁制帯幅を最適値に調整しても良い。
生ぜず、単純な吸収体として作用し、薄過ぎると所望の
レーザ出力以下で飽和するので、いずれの場合も自励パ
ルス発振は望めない。最適厚さは前記第２のクラッド層
９、又は前記活性層７の厚さ等にも依存するため一該に
は決定できないが、上記のように活性層と禁制帯幅がほ
ぼ同じ半導体材料を用いた場合には１００ｎｍ前後の値
であった。活性層と禁制帯幅がほぼ同じ半導体材料を用
いることが困難な場合には、量子井戸層により実効的な
禁制帯幅を最適値に調整しても良い。
【００１３】量子井戸層による実効的な禁制帯幅の調整
も困難で、活性層よりも禁制帯幅が著しく小さい材料し
か用いることができない場合には、前記材料の大きな光
吸収係数の効果を低減するため、前記可飽和吸収層１５
の最適厚さは数十ナノメータ以下になる。
も困難で、活性層よりも禁制帯幅が著しく小さい材料し
か用いることができない場合には、前記材料の大きな光
吸収係数の効果を低減するため、前記可飽和吸収層１５
の最適厚さは数十ナノメータ以下になる。
【００１４】次に本発明の第２の実施の形態にについて
説明する。第２の実施の形態における半導体レーザ素子
は、図２に示す実屈折率導波路構造とヘテロ障壁形成層
を具備する従来の半導体レーザ素子において、ヘテロ障
壁形成層１３の代りに、第１又は第２導電形の可飽和吸
収層１５を設けた構造を有するものである。すなわち図
２において、ヘテロ障壁形成層１３自身が可飽和吸収層
１５の役割を兼ねるように構成されたものである。この
とき可飽和吸収層は、半導体レーザ光に対して吸収係数
が飽和特性を示すものであれば、第１又は第２のいずれ
の導電形であっても良い。また、前記可飽和吸収層１５
の材料は、禁制帯幅が活性層７とほぼ等しいかこれより
小さい値を有するものを用いる。
説明する。第２の実施の形態における半導体レーザ素子
は、図２に示す実屈折率導波路構造とヘテロ障壁形成層
を具備する従来の半導体レーザ素子において、ヘテロ障
壁形成層１３の代りに、第１又は第２導電形の可飽和吸
収層１５を設けた構造を有するものである。すなわち図
２において、ヘテロ障壁形成層１３自身が可飽和吸収層
１５の役割を兼ねるように構成されたものである。この
とき可飽和吸収層は、半導体レーザ光に対して吸収係数
が飽和特性を示すものであれば、第１又は第２のいずれ
の導電形であっても良い。また、前記可飽和吸収層１５
の材料は、禁制帯幅が活性層７とほぼ等しいかこれより
小さい値を有するものを用いる。
【００１５】第１導電形の材料を可飽和吸収層として用
いる場合には、リッジ部を除く第２クラッド層９の上面
とリッジ１１の側面及びキャップ層１７との間にＰＮ接
合が形成され、かつ前記キャップ層との界面を除いて、
動作電流に対してＰＮ接合の逆方向となるので、第１導
電形の可飽和吸収層は電流阻止機能を生ずることができ
る。第１導電形の可飽和吸収層としてはｎ−ＧａX Ａｌ
1-x Ａｓ、ｎ−ＩｎXGa1-X Ｐ３元系化合物半導体にお
いて、層の厚さとｘの値をレーザ光の波長にに対して最
適化したものを用いる。
いる場合には、リッジ部を除く第２クラッド層９の上面
とリッジ１１の側面及びキャップ層１７との間にＰＮ接
合が形成され、かつ前記キャップ層との界面を除いて、
動作電流に対してＰＮ接合の逆方向となるので、第１導
電形の可飽和吸収層は電流阻止機能を生ずることができ
る。第１導電形の可飽和吸収層としてはｎ−ＧａX Ａｌ
1-x Ａｓ、ｎ−ＩｎXGa1-X Ｐ３元系化合物半導体にお
いて、層の厚さとｘの値をレーザ光の波長にに対して最
適化したものを用いる。
【００１６】第２導電形の材料を可飽和吸収層として用
いる場合には、第２のクラッド層及びこれと同一材料か
らなるリッジは、活性層に比べて大きな禁制帯幅を有す
るので、可飽和吸収体として、前記第２のクラッド層及
びリッジに比べて十分小さい禁制帯幅を有する材料を用
いることにより、前記可飽和吸収体と前記第２のクラッ
ド層及びリッジとの間に、電流阻止機能を有するヘテロ
障壁を形成し、可飽和吸収層自身が前記ヘテロ障壁形成
層を兼ねるようにする。
いる場合には、第２のクラッド層及びこれと同一材料か
らなるリッジは、活性層に比べて大きな禁制帯幅を有す
るので、可飽和吸収体として、前記第２のクラッド層及
びリッジに比べて十分小さい禁制帯幅を有する材料を用
いることにより、前記可飽和吸収体と前記第２のクラッ
ド層及びリッジとの間に、電流阻止機能を有するヘテロ
障壁を形成し、可飽和吸収層自身が前記ヘテロ障壁形成
層を兼ねるようにする。
【００１７】このような材料としてｐ−ＩｎＧａＡｓ系
の３元化合物半導体、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ系又はｐ−Ｉ
ｎＧａＡｌＡｓＰ系の４元化合物半導体を用いることが
できる。これらの材料をｎ形としてＰＮヘテロ接合と
し、電流阻止機能を高めることも可能である。
の３元化合物半導体、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ系又はｐ−Ｉ
ｎＧａＡｌＡｓＰ系の４元化合物半導体を用いることが
できる。これらの材料をｎ形としてＰＮヘテロ接合と
し、電流阻止機能を高めることも可能である。
【００１８】なお本発明の半導体レーザ素子は、上記の
実施の形態に限定されるものではなく、その他のＩＩＩ
−Ｖ族及びその混晶多元化合物半導体材料を用いて構成
することができる。また、これらの材料から成る超格子
構造の半導体材料を組み合わせることも可能である。そ
のた本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々に変形して
実施することができる。
実施の形態に限定されるものではなく、その他のＩＩＩ
−Ｖ族及びその混晶多元化合物半導体材料を用いて構成
することができる。また、これらの材料から成る超格子
構造の半導体材料を組み合わせることも可能である。そ
のた本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々に変形して
実施することができる。
【００１９】
【発明の効果】上述したように本発明の可飽和吸収層の
作用によれば、低電流駆動でかつ非点収差の小さい自励
パルス発振形の半導体レーザ素子を提供することが可能
になる。
作用によれば、低電流駆動でかつ非点収差の小さい自励
パルス発振形の半導体レーザ素子を提供することが可能
になる。
【図１】本発明の第１の実施の形態である半導体レーザ
の斜視図。
の斜視図。
【図２】従来の半導体レーザの斜視図。
１ ｎ−ＧａＡｓ基板 ３ ｎ−ＧａＡｓバッファ層 ５ ｎ−（Ｇａ0.4 Ａｌ0.6 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ第１クラ
ッド層 ７ アンドープＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層 ９ ｐ−（Ｇａ0.4 Ａｌ0.6 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ第２クラ
ッド層 １１ ｐ−（Ｇａ0.4 Ａｌ0.6 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐから成
るリッジ １３ ｐ−ＧａＡｓヘテロ障壁形成層 １５ ｐ−Ａｌ0.33Ｇａ0.67Ａｓ可飽和吸収層 １７ ｐ−（Ｇａ0.1 Ａｌ0.9 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐキャッ
プ層 １９ ｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ通電容易層 ２１ ｐ−ＧａＡｓ電極層
ッド層 ７ アンドープＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層 ９ ｐ−（Ｇａ0.4 Ａｌ0.6 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ第２クラ
ッド層 １１ ｐ−（Ｇａ0.4 Ａｌ0.6 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐから成
るリッジ １３ ｐ−ＧａＡｓヘテロ障壁形成層 １５ ｐ−Ａｌ0.33Ｇａ0.67Ａｓ可飽和吸収層 １７ ｐ−（Ｇａ0.1 Ａｌ0.9 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐキャッ
プ層 １９ ｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ通電容易層 ２１ ｐ−ＧａＡｓ電極層
Claims (6)
- 【請求項１】 第１導電形の第１クラッド層と、第２導
電形の第２クラッド層と、前記第１及び第２クラッド層
の間に介在する活性層からなる構造を有し、 前記第２クラッド層は前記活性層の反対側に突出したリ
ッジと、前記第２クラッド層の上面及び前記リッジの両
側面及び前記リッジの上面に、前記第２クラッド層と屈
折率の異なる第２導電形のキャップ層を有し、 前記リッジと前記キャップ層を前記活性層上に形成する
ことにより、前記リッジの直下に光導波路が構成される
半導体レーザ素子において、 前記第２クラッド層の前記リッジを除く部分の上面及び
前記リッジの両側面と、前記キャップ層との間に前記半
導体レーザ光に対する可飽和吸収層を挿入することを特
徴とする半導体レーザ素子。 - 【請求項２】 前記可飽和吸収層は、少なくとも前記第
２クラッド層の前記リッジを除く部分の上面との境界
面、及び前記リッジの両側面との境界面にヘテロ接合を
形成するものであることを特徴とする請求項１記載の半
導体レーザ素子。 - 【請求項３】 前記可飽和吸収層は、前記第２クラッド
層の前記リッジを除く部分の上面との境界面、及び前記
リッジの両側面との境界面にＰＮ接合を形成するもので
あることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ素
子。 - 【請求項４】 前記第２クラッド層と前記可飽和吸収層
との間に、第２導電型のヘテロ障壁形成層を有すること
を特徴とする請求項１記載の半導体レーザ素子。 - 【請求項５】 前記ヘテロ障壁形成層は、少なくとも前
記第２のクラッド層の前記リッジを除く部分の上面との
境界面、及び前記リッジの両側面との境界面にヘテロ障
壁を形成することを特徴とする請求項４記載の半導体レ
ーザ素子。 - 【請求項６】 前記可飽和吸収層が量子井戸から構成さ
れることを特徴とする請求項１乃至請求項５記載の半導
体レーザ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9417596A JPH09283842A (ja) | 1996-04-16 | 1996-04-16 | 半導体レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9417596A JPH09283842A (ja) | 1996-04-16 | 1996-04-16 | 半導体レーザ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09283842A true JPH09283842A (ja) | 1997-10-31 |
Family
ID=14103014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9417596A Pending JPH09283842A (ja) | 1996-04-16 | 1996-04-16 | 半導体レーザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09283842A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007250971A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Nec Corp | 窒化物系発光素子 |
| WO2009063720A1 (ja) * | 2007-11-16 | 2009-05-22 | Rohm Co., Ltd. | 半導体レーザ |
-
1996
- 1996-04-16 JP JP9417596A patent/JPH09283842A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007250971A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Nec Corp | 窒化物系発光素子 |
| WO2009063720A1 (ja) * | 2007-11-16 | 2009-05-22 | Rohm Co., Ltd. | 半導体レーザ |
| JP2009124045A (ja) * | 2007-11-16 | 2009-06-04 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ |
| US9099841B2 (en) | 2007-11-16 | 2015-08-04 | Rohm Co., Ltd | Semiconductor laser |
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