JP5923951B2 - タッチパネルセンサ基板およびその基板の製造方法 - Google Patents
タッチパネルセンサ基板およびその基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5923951B2 JP5923951B2 JP2011264409A JP2011264409A JP5923951B2 JP 5923951 B2 JP5923951 B2 JP 5923951B2 JP 2011264409 A JP2011264409 A JP 2011264409A JP 2011264409 A JP2011264409 A JP 2011264409A JP 5923951 B2 JP5923951 B2 JP 5923951B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- touch panel
- layer
- sensor
- panel sensor
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Description
本発明は、タッチパネルセンサ基板およびその基板の製造方法に係り、とりわけ、耐久性を有した基板およびこの製造方法に関する。
タッチパネル装置は、多くの場合、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ等の表示装置が組み込まれた種々の装置等（例えば、券売機、ＡＴＭ装置、携帯電話、ゲーム機）に対する入力手段として、表示装置と共に用いられている。このような装置において、タッチパネルセンサ層は表示装置の表示面上に配置され、これにより、タッチパネル装置は表示装置に対する直接的な入力を可能にする。
タッチパネル装置は、タッチパネルセンサ層上への接触位置（接近位置）を検出する原理に基づいて、種々の形式に区別される。昨今では、光学的に明るいこと、意匠性があること、構造が容易であること、機能的にも優れていること等の理由から、容量結合方式（「静電容量方式」や「静電容量結合方式」とも呼ばれる）のタッチパネル装置が注目されている。
容量結合方式のタッチパネル装置においては、位置を検知されるべき外部導体（典型的には、指）が誘電体を介してタッチパネルセンサ層に接触（接近）することにより、新たに奇生容量が発生し、この容量結合の変化を利用して、タッチパネルセンサ層上における対象物の位置を検出するようになっている。容量結合方式には表面型と投影型とがあるが、マルチタッチの認識（多点認識）への対応に適していることから、投影型が注目を浴びている（例えば、特許文献１）。
特許文献１に開示されたタッチパネルセンサ層では、基材の同一の側の面上に、第１透明電極と第２透明電極とが設けられている。タッチパネルセンサは、接近、接触感知面が表示装置の表示エリアを覆うように配置されており、操作者の指またはタッチペンの接近、接触の事象を検出し、これらの信号を制御装置へ送る。制御装置は、これらの信号を処理し、表示装置にて入力操作に対応した表示を行うように、表示装置側の制御装置へ所定の信号を出力するなど各種配線導体が非表示領域である周辺部に集中して配置される。
ところで、タッチパネルセンサ層を含むタッチパネルセンサ基板は、通常、表示装置とは別個に製造され、表示装置の表示面上に貼り付けられる（例えば、特許文献２）。この場合、観察者側の最表面（タッチパネルセンサの表面）だけでなく、タッチパネルセンサ基板と表示装置の表示面との界面においても、光が反射し得るようになる。
この結果、照明光のような環境光（外光）がより多く反射してコントラストが低下してしまうとともに、表示装置によって表示される映像光の透過率が低下してしまう。
この結果、照明光のような環境光（外光）がより多く反射してコントラストが低下してしまうとともに、表示装置によって表示される映像光の透過率が低下してしまう。
また、表示装置として薄型の表示パネルを有したフラットパネルディスプレイが広く普及している。したがって、別個のタッチパネルセンサ基板を表示パネルに貼り付けることにより、表示用のパネル全体としての厚みが厚くなり、かつ重量が重くなることも問題となる。
タッチパネル装置を別個の表示装置と組み合わせて使用する際における、以上のような不具合を解消し、表示基板の薄型化及び軽量化、工程数の減少による製造コストの低減及び生産性の向上を実現するため、液晶表示パネル（ＬＣＤパネル）やプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）等の表示パネルを構成するようになる表示装置用基板として、タッチパネルセンサ層を有したタッチパネルセンサ基板を適用することも検討されている。
一例として、基材と、基材の一方の側に形成されたタッチパネルセンサ層と、基材の他方の側に形成された表示装置用の構成、具体例として、ＰＤＰ用またはＬＣＤパネル用のカラーフィルタ層を有する基板が検討されている（以下、「タッチパネル一体型カラーフィルタ」という）。
一方、種々の形式のタッチパネル装置に用いられるタッチパネルセンサ層は、複雑な構成を有し、この複雑な構成に起因する損傷を受けやすいセンサ部６０ａを含んでいる。
また、投影型容量結合方式等のタッチパネルセンサ層は、透明な導電体をパターニングしてなるセンサ部６０ａを有していて、このセンサ部６０ａは表示面上に配置される。
したがって、センサ部６０ａをなす透明導電体パターンは、視認されにくくするため、非常に薄く形成される。すなわち、投影型容量結合方式のタッチパネルセンサ層のセンサ部６０ａは、非常に複雑で損傷しやすく、且つ、損傷したことを認識されにくくなっている。
通常、センサ電極を形成する透明電極は、典型的には、多結晶ＩＴＯが用いられている。
また、投影型容量結合方式等のタッチパネルセンサ層は、透明な導電体をパターニングしてなるセンサ部６０ａを有していて、このセンサ部６０ａは表示面上に配置される。
したがって、センサ部６０ａをなす透明導電体パターンは、視認されにくくするため、非常に薄く形成される。すなわち、投影型容量結合方式のタッチパネルセンサ層のセンサ部６０ａは、非常に複雑で損傷しやすく、且つ、損傷したことを認識されにくくなっている。
通常、センサ電極を形成する透明電極は、典型的には、多結晶ＩＴＯが用いられている。
従来、上記タッチパネルセンサ層の損傷を防ぐためセンサ部６０ａを保護層で被覆することが行われている。有機材料からなる誘電体材料を保護層に用いてセンサ電極表面を被覆することによりキズや汚れの防止、センサ部６０ａの損傷による断線を防止しようとしている。
しかしながら、タッチパネルセンサ基板を用いた表示基板を製造する過程において、タッチパネルセンサ層を形成する工程で、該基板に施される各種処理工程から受ける物理的あるいは化学的な影響を排除することはできない。
しかしながら、タッチパネルセンサ基板を用いた表示基板を製造する過程において、タッチパネルセンサ層を形成する工程で、該基板に施される各種処理工程から受ける物理的あるいは化学的な影響を排除することはできない。
例えば、従来、タッチパネルセンサ基板表面に形成される端子部は、外部の位置検出回路に対して電気信号を入出力するために取り出しライン部の配線端子接続部をそのまま外部に露出して端子部とする構造となっているか、該配線端子接続部をタッチパネルセンサ部６０ａのセンサ電極等を形成するＩＴＯ透明導電材料等からなる透明導電体層により被覆するように設けられた構造となっている。
特許文献１、２では、端子部がメタル７５ａ、メタル７５ａ＋ＩＴＯ被覆７５ｃの場合の問題として、端子部の取り出しライン及び配線端子接続部を形成する導電体層７５ａは、高導電率の金属材料からなるので、パターニング形成する際のエッチング処理によりエッチング液が浸透し、剥離を生じる問題がある（図１３の比較例１）。
また、透明導電体層７５ｃで配線端子接続部７５ａを被覆した積層構造の端子部であっても、配線端子接続部の端縁部において透明導電体層が薄肉化、あるいは十分な積層被覆構造を取り得ないためやはり同様の剥離を生じる問題がある（図１４の比較例２）。
また、透明導電体層７５ｃで配線端子接続部７５ａを被覆した積層構造の端子部であっても、配線端子接続部の端縁部において透明導電体層が薄肉化、あるいは十分な積層被覆構造を取り得ないためやはり同様の剥離を生じる問題がある（図１４の比較例２）。
また、タッチパネルセンサ一体型カラーフィルタのような表示基材では、カラーフィルタ層を形成する工程において、タッチパネルセンサ面を下にして搬送する必要がある。
その際、保護層が搬送手段の搬送コロや吸着パッドあるいは支持ピンなどと擦れ、キズや汚れが発生し、外観品質を低下させている。
その際、保護層が搬送手段の搬送コロや吸着パッドあるいは支持ピンなどと擦れ、キズや汚れが発生し、外観品質を低下させている。
さらに、カラーフィルタ層を形成する工程において、カラーフィルタ層は、通常、画素に対応して形成されたブラックマトリクス（遮光部）と、複数種類の着色部と、を有している。ブラックマトリクスや着色部は、通常、フォトリソグラフィ技術を用い、コーティングされた材料層を露光および現像することによって、形成される。
その工程において、ＩＴＯパターニングがある場合、通常、基板加熱しながら、アルゴンと酸素の混合ガスを用いたスパッタリング法により、多結晶ＩＴＯを成膜し、フォトリソグラフィ法で所望のパターンを形成後、王水で不要ＩＴＯをエッチングする方法が用いられる。ここで、ＩＴＯ結晶化のための上記の基板加熱の温度は、通常、２００℃〜２５０℃である（特許文献３）。
また、基板加熱をより低い温度で行うか、あるいは基板加熱しないで、スパッタリング法によりアモルファス状のＩＴＯを成膜し、次に、アニール処理することによりＩＴＯを結晶化させ、その後、王水で不要ＩＴＯをエッチングして、多結晶ＩＴＯパターンを得る方法もある（特許文献４、５）。
また、基板加熱をより低い温度で行うか、あるいは基板加熱しないで、スパッタリング法によりアモルファス状のＩＴＯを成膜し、次に、アニール処理することによりＩＴＯを結晶化させ、その後、王水で不要ＩＴＯをエッチングして、多結晶ＩＴＯパターンを得る方法もある（特許文献４、５）。
上記のようにタッチパネルセンサ一体型カラーフィルタにおける、カラーフィルタ層を形成する工程において、ＩＴＯパターニングがあると、必ず、ＩＴＯエッチング液が、露出しているタッチパネルセンサ側に形成された図１３及び１４に示した従来の端子部構造の金属ライン、ＩＴＯ層と接触することになり、金属ライン、ＩＴＯ層の積層界面、積層端部にエッチング液が浸透したり、該部分が腐食されたりして、ダメージを受け、界面からの剥離等が起きる。周縁配線の金属ラインの金属として、銀または銀合金を用いる場合は、特に酸に弱い。
しかも、タッチパネルセンサ層を形成したアクティブエリアＡ１は、保護層を形成しても問題ないが、アクティブエリアＡ１周辺部に形成される端子部は、外部との電気的な導通接続を採る必要があり、保護層を形成することができないため、特に、端子部がダメージを受け、剥がれや腐食、あるいは導通不良などが生じ、接続安定性が失われるやすい。
したがって、上記のような不都合のためＩＴＯパターニングが困難になるという問題を生じる。
したがって、上記のような不都合のためＩＴＯパターニングが困難になるという問題を生じる。
また、保護膜として有機材料ではなく、無機材料、例えば、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ）などは蒸着（スパッタリング、ＣＶＤ法など）により形成されるが、表面蒸着層の形成がネックとなり生産性が低下し、また製造コストがアップするなど問題があった。
そして、保護層を形成する場合、保護層はポジまたはネガ型の感光性材料を用い、塗布、プレベーク、マスク露光、現像、ポストベークの工程を経て形成される。塗布後の塗膜乾燥としてのプレベーク工程後、マスク形状に応じて部分的に露光が行われ、ポジ型では露光した部位が、ネガ型では露光されなかった部位が、現像にて除去され、ポストベークの熱処理にて樹脂が硬化して丈夫な膜となるものであり、多くの付随した工程が加わるなど、工程数の増加、処理の煩雑化など、生産性の低下及びコストアップにつながる。
また、表面保護の方法として、一般的に製造段階で保護フィルムを表面に貼り合わせて表面を保護することが行われている。
しかしながら、表面保護フィルムの貼着は、作業が繁雑であり、コストアップにつながり、さらに、生産性が低下する。
しかしながら、表面保護フィルムの貼着は、作業が繁雑であり、コストアップにつながり、さらに、生産性が低下する。
タッチパネルセンサ層付き表示基材の製造工程の最終段階では、タッチパネルセンサ層の表面に粘着剤層を介して偏光板等を積層することから、製造ラインで製造されたものに保護フィルムを貼着したまま製品として輸送に供することができない。
製造過程で、必ず、保護フィルムは除去されることとなり、保護フィルムで表面を保護する工程は、一時的な保護のための工程にすぎず、無駄な工程であり、コストアップに繋がるものである。
製造過程で、必ず、保護フィルムは除去されることとなり、保護フィルムで表面を保護する工程は、一時的な保護のための工程にすぎず、無駄な工程であり、コストアップに繋がるものである。
しかも、タッチパネルセンサ基板に形成された各導電体層は薄膜のため、端子部を保護する保護フィルムを剥離する際、損傷を受けやすく、あるいは導電体からなる積層端部構造は異種材料の積層構成をとるため層間剥離を起こす恐れがある。
上述した特許文献１の静電容量式タッチパッドは、従来と同じタッチパネル基材、カラーフィルタ基材などを、それぞれ用いるタイプのものであるが、各基材毎にタッチパネルセンサ層、カラーフィルタ層を形成する工程で、端子部は保護層を施せないため金属層で端子部を形成すると上述したような問題を生じることになる。さらに、それぞれ個別の透明基板に形成して重ね合わせる場合、タッチパネル装置全体の薄型化や軽量化に対し不利である。
それゆえ、共通する透明基板を挟んで、その一方の面にタッチパネルセンサ部、他方の面にカラーフィルタ部が形成されているタッチパネルセンサ一体型カラーフィルタが用いられるようになっている。
それゆえ、共通する透明基板を挟んで、その一方の面にタッチパネルセンサ部、他方の面にカラーフィルタ部が形成されているタッチパネルセンサ一体型カラーフィルタが用いられるようになっている。
しかしながら、タッチパネル一体型カラーフィルタにおいては、カラーフィルタ／セル／モジュール工程において、カラーフィルタ層の作製中に、ローラー等に接触するタッチパネルセンサ層、とりわけ、保護膜上にキズ、汚れが発生し、外観品質が悪く、歩留まりが低下するという問題がある
また、カラーフィルタ／セル／モジュール工程において、カラーフィルタ層の作製中に、導電体等のパターニング工程によりエッチング液が、センサ電極部や端子部の層間界面に浸透すること及び導電体層がエッチングされて、腐食され、剥がれるという問題を生じる。
すなわち、カラーフィルタ層を形成する工程において、タッチパネルセンサ層のセンサ電極及び端子部の積層された電極と、カラーフィルタ部の透明電極が、何れも同じ透明導電材料であり、具体的には、例えば、多結晶ＩＴＯから形成されているため、カラーフィルタ層を形成する際、ＩＴＯをエッチング加工すると、タッチパネルセンサ層を形成した面のＩＴＯ導電体層に損傷を与えてしまうという問題がある。
そのため、例えば、タッチパネルセンサ部の表面に、王水エッチングに耐える保護膜を設ける等の対策が必要となる。しかしながら、保護膜を設ける方法では、工程が複雑となり、コストアップを招くことになるため好ましくない。
しかも、端子部については、外部との電気的な導通接続をとる必要があり、保護層を形成することができないため、特に、端子部がダメージを受け、剥がれや腐食、あるいは導通不良などが生じ、接続安定性が失われる。
しかも、端子部については、外部との電気的な導通接続をとる必要があり、保護層を形成することができないため、特に、端子部がダメージを受け、剥がれや腐食、あるいは導通不良などが生じ、接続安定性が失われる。
本発明は、上記した従来技術の問題点等を考慮して、同じ導電材料を用いた電極及び端子部に、工程を複雑にする保護膜を形成することなく、あるいは保護フィルムを設けることもなく、カラーフィルタ層を形成する工程においてＩＴＯエッチング処理を必要とする場合であっても、端子部がダメージを受け、剥がれや腐食、あるいは導通不良などが生じ、接続安定性が失われることのない、耐久性が高く、損傷しにくい端子部構造を有するタ
ッチパネルセンサ基板を提供することを目的とする。
ッチパネルセンサ基板を提供することを目的とする。
本発明は、種々研究した結果、特に、タッチパネル一体型カラーフィルタを含むタッチパネルセンサ基板において、タッチパネルセンサ部の表面全体に、工程が複雑となり、コストアップを招く、保護層を設けることなく、端子部を保護した構造を備えるようにし、カラーフィルタ部の透明電極をアモルファス状のＩＴＯとして成膜し、シュウ酸を主成分とする弱酸を用いてエッチング加工し、その後、前記アモルファス状のＩＴＯをアニール処理して結晶化させることにより低抵抗な透明電極とすること、及びブリッジ部のみの必要最小限の小領域に誘電体層を施し、電気的に非接触状態を形成するとともに、タッチパネルセンサ基板の表面層の大部分の面積がタッチパネルセンサ部のセンサ電極主部が占めるタッチパネルセンサ基板とすることで、樹脂保護層よりも硬度の高い透明電極材料によりタッチパネルセンサ基板の表面がほぼ平坦に形成されることにより、上記課題等を解決できることを見出して本発明を完成したものである。
具体的には、本発明のタッチパネルセンサ層の周囲を囲むように設けられた周縁配線を備えるタッチパネルセンサ基板は、タッチパネルセンサ層が、第１方向へ延び及び第２方向に並列配置された複数の第１センサ電極と、前記第２方向へ延び及び前記第１方向に並列配置された第２センサ電極とを備え、
周縁配線は前記複数の第１センサ電極にそれぞれ対応して設けられた複数の第１取り出し配線と、前記複数の第２センサ電極にそれぞれ対応して設けられた複数の第２取り出し配線を備え、
各第１取り出し配線は、その一端において当該第１取り出し配線と対応する第１センサ電極と接続され、その他端において外部との接続端子として機能する端子部に接続する第１配線端子接続部が形成されており、
各第２取り出し配線は、その一端において、当該第２取り出し配線と対応する第２センサ電極と接続され、その他端において、外部との接続端子として機能する端子部に接続する第２配線端子接続部が形成され、
そして、端子部構造は、第１の実施の端子部の態様として、前記端子部が、透明基材上に直接形成されたＩＴＯ透明導電体層による端子部と、前記第１配線端子接続部または第２配線端子接続部を備え、
前記第１配線端子接続部および第２配線端子接続部は、透明基材上に形成され、該各配線端子接続部上に重ね合わされ各配線端子接続部の周縁を被覆している前記ＩＴＯ透明導電体層と、前記透明基材、配線端子接続部及び前記ＩＴＯ透明導電体層が積層された積層部分及び積層縁部を被覆する保護層とを有する端子部構造を備えることにより、あるいは、第２の実施の端子部の態様として、前記端子部が、透明基材上に直接形成されたＩＴＯ透明導電体層による端子部と、前記第１配線端子接続部または第２配線端子接続部を備え、前記第１配線端子接続部および第２配線端子接続部は、透明基材上に形成された前記ＩＴＯ透明導電体層と、前記ＩＴＯ透明導電体層上に重ね合わされた前記第１及び第２配線端子接続部と、前記透明基材、前記ＩＴＯ透明導電体層及び前記各配線端子接続部が積層された積層部分及び積層縁部を被覆する保護層とを有することにより、上記課題を解決するものである。
周縁配線は前記複数の第１センサ電極にそれぞれ対応して設けられた複数の第１取り出し配線と、前記複数の第２センサ電極にそれぞれ対応して設けられた複数の第２取り出し配線を備え、
各第１取り出し配線は、その一端において当該第１取り出し配線と対応する第１センサ電極と接続され、その他端において外部との接続端子として機能する端子部に接続する第１配線端子接続部が形成されており、
各第２取り出し配線は、その一端において、当該第２取り出し配線と対応する第２センサ電極と接続され、その他端において、外部との接続端子として機能する端子部に接続する第２配線端子接続部が形成され、
そして、端子部構造は、第１の実施の端子部の態様として、前記端子部が、透明基材上に直接形成されたＩＴＯ透明導電体層による端子部と、前記第１配線端子接続部または第２配線端子接続部を備え、
前記第１配線端子接続部および第２配線端子接続部は、透明基材上に形成され、該各配線端子接続部上に重ね合わされ各配線端子接続部の周縁を被覆している前記ＩＴＯ透明導電体層と、前記透明基材、配線端子接続部及び前記ＩＴＯ透明導電体層が積層された積層部分及び積層縁部を被覆する保護層とを有する端子部構造を備えることにより、あるいは、第２の実施の端子部の態様として、前記端子部が、透明基材上に直接形成されたＩＴＯ透明導電体層による端子部と、前記第１配線端子接続部または第２配線端子接続部を備え、前記第１配線端子接続部および第２配線端子接続部は、透明基材上に形成された前記ＩＴＯ透明導電体層と、前記ＩＴＯ透明導電体層上に重ね合わされた前記第１及び第２配線端子接続部と、前記透明基材、前記ＩＴＯ透明導電体層及び前記各配線端子接続部が積層された積層部分及び積層縁部を被覆する保護層とを有することにより、上記課題を解決するものである。
そして、さらに、上記構造のタッチパネルセンサ部は、タッチパネルセンサ層の一つの実施の形態として、基板上に直接第１及び第２センサ電極並びにブリッジ部を形成するものであって、第１方向へ延び及び第２方向に並列配置された複数の透明導電膜からなる第１センサ電極と、各々が第１方向に延び、第１センサ電極の間に前記複数の第１センサ電極から離間して配置された透明導電膜からなる、複数の第２センサ電極と基材上に形成した導電体からなる複数のブリッジ部と該ブリッジ部上に配置した誘電体によって、第２センサ電極の各々が第１センサ電極とは非接触状態であって、前記第２方向へ延びる並列配置された複数の第２センサ電極が構成されることで、表層の大部分が第１及び第２センサ電極で構成することにより、損傷防止、汚れ防止などの課題にも対応し得るようにしたものである。
また、別のタッチパネルセンサ層の実施の態様として、基板上に直接第１及び第２センサ電極を形成するのではなく、第１方向へ延び及び第２方向に並列配置された複数の透明導電膜からなる第１センサ電極と、各々が第１方向に延び、第１センサ電極の間に前記複数の第１センサ電極から離間して配置された透明導電膜からなる、複数の第２センサ電極と、第２センサ電極の各々が基材上に形成した導電体からなるブリッジ部とその上の誘電体層により第１センサ電極とは非接触状態で前記第２方向へ延びる並列配置された複数の第２センサ電極が構成されることで、誘電体層上に第１及び第２センサ電極が形成され、そのセンサ電極が表層の大部分を構成することにより、損傷防止、汚れ防止などの課題にも対応し得るようにしたものである。
さらに、別のタッチパネルセンサ層の実施の態様として、基板上に直接第１及び第２センサ電極並びにブリッジ部を形成するものであって、第１方向へ延び及び第２方向に並列配置された複数の透明導電膜からなる第１センサ電極と、各々が第１方向に延び、第１センサ電極の間に前記複数の第１センサ電極から離間して配置された透明導電膜からなる、複数の第2センサ電極と、第１電極上に配置した誘電体と該誘電体上に形成した導電体からなる複数のブリッジ部によって、第２センサ電極の各々が第１センサ電極とは非接触状態であって、前記第２方向へ延びる並列配置された複数の第２センサ電極が構成されることで、表層の大部分が第１及び第２センサ電極並びにブリッジ部により構成することにより、損傷防止、汚れ防止などの課題にも対応し得るようにしたものである。
本発明のタッチパネルセンサ基板によれば、表示基板の基板を共有化し、基材の数を低減でき、薄型化や軽量化に有利となる１つの基材の一方の面にタッチパネルセンサ層、他方の面にカラーフィルタ層を形成するタッチパネルセンサ一体型カラーフィルタを含むタッチパネルセンサ基板において、耐久性が高く、損傷しにくい端子部構造を有するタッチパネルセンサ基板を得ることができる。
本発明では、端子部の導電体層をＩＴＯのみとしたことにより、従来の金属ライン層とＩＴＯ導電体層との積層端子部構造では、メタル上のＩＴＯが結晶化しにくく、エッチングされて剥がれ易かったのが、基材上のＩＴＯ導電体層が容易に結晶化されるようになり、端子部の硬度が向上する。その結果、端子部を形成する電極材料が硬くなることで圧着条件安定化され、端子間での電気接続不良が低減し、フレキシブル・パターン・サーキットの圧着不良を低減できる。
また、端子部の硬度が向上したことで、端子部の電気検査でのキズも低減するとともに、搬送キズ、損傷及び汚れを低減できる。
しかも、金属ライン上に金属ラインの幅方向に金属ライン幅より広く形成した結晶化ＩＴＯ導電体層を被覆し、かつ端子部にも連続してＩＴＯ導電体層を形成し、ＩＴＯ導電体層からなる端子部とすることにより、金属ラインの縁部テーパー部のＩＴＯ層が薄膜化することがなく、確実に金属ラインの縁部テーパーを被覆、保護することができ、エッチング液の浸透を確実に防ぎ、金属ラインが剥がれることがない。
しかも、金属ライン上に金属ラインの幅方向に金属ライン幅より広く形成した結晶化ＩＴＯ導電体層を被覆し、かつ端子部にも連続してＩＴＯ導電体層を形成し、ＩＴＯ導電体層からなる端子部とすることにより、金属ラインの縁部テーパー部のＩＴＯ層が薄膜化することがなく、確実に金属ラインの縁部テーパーを被覆、保護することができ、エッチング液の浸透を確実に防ぎ、金属ラインが剥がれることがない。
また、本発明の端子部において、基材面上にＩＴＯ導電体層が配置され、その上面に金属ラインの配線導電体層を形成し、さらに、保護層を形成する構造としたことにより、端子部とアクティブエリアＡ１との境界領域における金属ライン端部が保護層内に位置し、金属ライン部が確実に保護される構造となる。
金属ラインとＩＴＯが面接触した積層構造となることから、配線が途中で断線していることによるオープン不良が少なくなる。
金属ラインとＩＴＯが面接触した積層構造となることから、配線が途中で断線していることによるオープン不良が少なくなる。
本発明では、カラーフィルタの形成工程において透明電極に切開パターンを形成する必要が有る場合でも、タッチパネルセンサ電極を多結晶ＩＴＯで形成し、カラーフィルタの透明電極をアモルファスＩＴＯで形成し、エッチング加工することで、工程を複雑にする保護膜をタッチパネルセンサ部の表面に設けることなく、エッチング加工でき、切開パターンを製造することが可能となる。
すなわち、本発明によれば、カラーフィルタ部の透明電極はシュウ酸を主成分とする弱酸を用いてエッチング加工されるため、タッチパネルセンサ部の表面に露出している結晶化したＩＴＯ（例えば、ブリッジ電極、金属ライン）に浸食を生じることはなく、それゆえ保護膜を設ける工程を省くことができる。
本発明のタッチパネルセンサ基板は、センサ電極の製造工程において、表面に有機材料の保護膜を有せず、有機材料の保護膜より表面硬度の大きい透明導電材料（鉛筆硬度：６Ｈ以上）から形成されているので、擦れによるキズなどの損傷や汚れの付着を防止できる。
従って、有機材料の保護膜を形成したものに比べて、キズ、汚れが十分に低減されるので、製造工程における歩留まりが向上する。しかも、保護膜を形成することなく、タッチパネルセンサ基板を形成することができることから、タッチパネルセンサ一体型カラーフィルタを含むタッチパネルセンサ基板の製造工程の工程数が削減でき、そのことにより生産性が向上し、かつコストダウンに繋がる。
従って、有機材料の保護膜を形成したものに比べて、キズ、汚れが十分に低減されるので、製造工程における歩留まりが向上する。しかも、保護膜を形成することなく、タッチパネルセンサ基板を形成することができることから、タッチパネルセンサ一体型カラーフィルタを含むタッチパネルセンサ基板の製造工程の工程数が削減でき、そのことにより生産性が向上し、かつコストダウンに繋がる。
保護膜層を形成しないことにより、及び誘電体材料を第１及び第２センサ電極の絶縁のために使用する際、ブリッジ部に対応する箇所のみにオーバーコート層を施すだけなので、異物の混入による不良品の低減ができ、歩留まりが向上する。
また、保護層を形成する場合でも、第１及び第２センサ電極のライン部とブリッジ部の交差する領域を保護するだけで済むことから、保護膜（オーバーコート層）の面積を小さくできるので、タッチパネルセンサ層の透過率が向上する。さらに、従来の保護膜を形成する工程によるカラーフィルタを製造する工程よりも、保護膜を形成し、焼成するという繰り返しがなくなり、工程数も少ないので、タッチパネルセンサ層が黄変することがなくなる。
以下、図面を参照してタッチパネルセンサ一体型カラーフィルタを例に挙げながら、本発明の実施の形態について説明する。なお、本件明細書に添付する図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。
［第１の実施の形態］
まず、図１〜図７ａを参照して、本発明による第１の実施の形態について説明する。
まず、図１〜図７ａを参照して、本発明による第１の実施の形態について説明する。
図１および図２に示された表示装置１０は、文字や図等の情報を映像として出力する出力装置として機能するだけでなく、表示面１２へ接触（接近）することにより情報を入力する入力装置としても機能するものであり、表示装置１０が、投影型の容量結合方式のタッチパネル機能を有する液晶表示パネル（ＬＣＤパネル、液晶パネル）として構成された表示パネル３０を有している液晶表示装置（液晶ディスプレイ）に適用した例について説明する。
図１に示すように、表示装置１０は、表示パネル３０と、表示パネル３０に接続され表示パネル３０の駆動を制御する制御部２０と、液晶パネルとしての表示パネル３０を背面側（非観察者側）から照明する面光源装置（バックライト）２５と、を有している。面光源装置２５としては、例えば、エッジライト型や直下型等の面光源装置を適宜用いることができる。また、表示パネル３０の表示面１２が、タッチパネル装置の入力面（タッチ面、接触面）として機能するようになる。つまり、表示面１２に導体、例えば人間の指を接触させることにより又は接近させることにより、表示装置１０に対して外部から情報を入力することができるようになっている。
制御部２０は、表示されるべき映像に関する情報を処理する映像情報処理部２２と、表示面１２を介して入力される情報を処理する入力情報処理部２４と、を有している。映像情報処理部２２は、表示パネル３０に接続され、映像情報に基づいて各画素の表示状態を制御するように構成された回路（駆動回路）により表示パネル３０を駆動する。
一方、入力情報処理部２４は、表示パネル３０に接続され、表示面１２を介して入力された情報を処理する。具体的には、入力情報処理部２４は、表示面１２へ導体（典型的には、人間の指）が接触または接近している際に、表示面１２への導体の接触位置または接近位置を特定し得るように構成された回路（検出回路）を含んでいる。また、入力情報処理部２４は、映像情報処理部２２と接続され、処理した入力情報を映像情報処理部２２へ送信することもできる。この際、映像情報処理部２２は、入力情報に基づいた映像情報を作成し、入力情報に対応した映像を表示面１２に表示させるようにすることもできる。
次に、図２に示すように、液晶パネルとしての表示パネルは、第１の基板（タッチパネル基板、カラーフィルタ基板、対向基板とも呼ぶ）４０と、第１基板４０に対面して第１基板４０の背面側（面光源装置側）に配置された第２基板（以下において、素子基板、アレイ基板とも呼ぶ）３５と、第１基板４０および第２基板３５の間に封入された液晶層３２とを有するものである。なお、表示パネルの第１基板４０の観察者側に保護誘電体膜３３を形成することも形成しないこともある。また、液晶パネルの両側には、それぞれ、図示しない偏向板が設けられている。
第１基板４０は、透明な板状の第１の基材４５と、基材４５の一側（本実施の形態においては、観察者側であって、図２の紙面おける上側）に設けられたタッチパネルセンサ層６０と、基材４５の一側とは反対側の他側（本実施の形態においては、光源側であって、図２の紙面おける下側）に設けられたカラーフィルタ層５０と、を有している。このタッチパネルセンサ層６０が、上述の制御部の入力情報処理部２４と接続され、入力情報処理部２４とともにタッチパネル機能を構築する。
［表示パネル］
このように、表示パネル３０は、表示装置１０が映像を表示することを可能とするための構成と、表示装置１０がタッチパネルとして機能することを可能にするための構成と、を含んでいる。そして、このような表示パネル３０のうち、主に映像表示装置として機能するための構成、具体的には、第１基板４０のカラーフィルタ層５０および第２基板３５について、まず、説明する。
このように、表示パネル３０は、表示装置１０が映像を表示することを可能とするための構成と、表示装置１０がタッチパネルとして機能することを可能にするための構成と、を含んでいる。そして、このような表示パネル３０のうち、主に映像表示装置として機能するための構成、具体的には、第１基板４０のカラーフィルタ層５０および第２基板３５について、まず、説明する。
［カラーフィルタ層］
本発明において、カラーフィルタ層５０は、第１の基材４５上に形成される。本発明における、該第１の基材４５は、例えば、樹脂製の板材や無アルカリガラスから構成される。
本発明において、カラーフィルタ層５０は、第１の基材４５上に形成される。本発明における、該第１の基材４５は、例えば、樹脂製の板材や無アルカリガラスから構成される。
図２に示すように、カラーフィルタ層５０は、遮光作用を有し非画素領域（光が透過し得ない領域）を形成する遮光部５１を有している。遮光部５１は、各々がサブ画素を構成するようになる貫通開口を形成されている。この遮光部５１は、いわゆるブラックマトリクスとして機能し、コントラストの向上に寄与し得る。
また、本発明において、各サブ画素を構成する貫通開口には、当該サブ画素の表示色に着色された第１〜第３の着色部５２が形成されている。具体例として、第１着色部５２Ｇは緑色に着色され、第２着色部５２Ｒは赤色に着色され、第３着色部５２Ｂは青色に着色されている。
また、本発明において、各サブ画素を構成する貫通開口には、当該サブ画素の表示色に着色された第１〜第３の着色部５２が形成されている。具体例として、第１着色部５２Ｇは緑色に着色され、第２着色部５２Ｒは赤色に着色され、第３着色部５２Ｂは青色に着色されている。
さらに、第１基板４０には、液晶パネルの観察者側の基板（カラーフィルタ基板）として有効に機能するため、その他の構成要素が適宜設けられている。例えば、着色部５２の光源側には、保護膜５３、透明電極層５４および配向膜（図示せず）等が設けられる。
一方、図２に示すように、第２基板３５は、透明な第２の基材３６と、カラーフィルタ層５０の各着色部５２に対面するようにして基材３６上にそれぞれ配置された画素電極３７と、を有している。また、画素電極３７に対する印加を制御するスイッチング素子３８が、画素電極３７毎に別個に設けられている。
スイッチング素子３８は、上述した制御部２０の映像情報処理部２２に電気的に接続され、映像情報処理部２２の各画素の表示を制御するための駆動回路からの信号に基づいて動作する。第２基材３６上には、スイッチング素子３８の駆動に必要となる、走査線や信号線（データ線）等の種々の回路配線（図示せず）、さらに、第２基板（ＴＦＴ基板）３５には、液晶パネルの面光源装置側の基板（素子基板、アレイ基板）として有効に機能するため、その他の構成要素が適宜設けられている。例えば、画素電極３７の観察者側には、配向膜（図示せず）等が設けられる。
［タッチパネルセンサ層］
次に、表示パネル３０に含まれる主にタッチパネルとして機能するための構成、すなわち、タッチパネルセンサ層６０の構成について説明する。
次に、表示パネル３０に含まれる主にタッチパネルとして機能するための構成、すなわち、タッチパネルセンサ層６０の構成について説明する。
図３に示すように、タッチパネルセンサ層６０は、接触位置（接近位置）を検出され得る領域に対応するアクティブエリアＡ１（図１および図３参照）に配置されたセンサ部６０ａと、アクティブエリアＡ１に隣接する非アクティブエリアＡ２に配置されセンサ部６０ａと接続される取り出し部６０ｂと、を有している。なお、アクティブエリアＡ１は、表示パネル３０の映像を表示することができる領域（表示エリア）である。非アクティブエリアＡ２は、表示領域を取り囲むようにして表示領域の外側に配置された領域であって、映像が表示されない領域（非表示領域）である。
図３に示すように、投影型の容量結合方式として構成された本実施の形態におけるタッチパネルセンサ層６０において、センサ部６０ａは、第１及び第２センサ電極を含むものからなっている。
第１センサ電極は、並列配置された複数の第１センサ電極６１を構成し、第２センサ電極は、並列配置された複数の第２センサ電極６６を構成している。各第１センサ電極６１は、基材４５の一側の面４５ａと平行な第１方向に延び、各第２センサ電極６６は、ブリッジ部６８により第１方向と交差する方向であって基材４５の一側の面４５ａと平行な第２方向に延びている。
第１センサ電極は、並列配置された複数の第１センサ電極６１を構成し、第２センサ電極は、並列配置された複数の第２センサ電極６６を構成している。各第１センサ電極６１は、基材４５の一側の面４５ａと平行な第１方向に延び、各第２センサ電極６６は、ブリッジ部６８により第１方向と交差する方向であって基材４５の一側の面４５ａと平行な第２方向に延びている。
図３に示すように、本実施の形態では、複数の第１センサ電極６１は、第２センサ電極６６の長手方向である第２方向に、等間隔で並べられている。また、複数の第２センサ電極６６は、第１センサ電極６１の長手方向である第１方向に、第１センサ電極６１と交差する部位で分断されており、かつ、ブリッジ部６８により第２方向に延びかつ第１方向に等間隔で配列されている。
そして、第１センサ電極６１の長手方向および第２センサ電極６６の長手方向は、基材４５の一側の面４５ａ上において、直交している。
そして、第１センサ電極６１の長手方向および第２センサ電極６６の長手方向は、基材４５の一側の面４５ａ上において、直交している。
図３に示すように、アクティブエリアＡ１内において、第１センサ電極６１および第２センサ電極６６は互いに交わっている。図３および図４に示すように、第１センサ電極６１および第２センサ電極６６は、交差する領域において、基材４５の一側の面４５ａからの離間距離が誘電体層の厚さの分だけ異なる位置、すなわち、基材４５の表面から異なる高さ方向位置を通過している。
この結果、第１センサ電極６１および第２センサ電極６６は、互いから非接触状態で、交差することになる。なお、図４ａ、４ｂにおいては、図示および理解のしやすさから便宜上、カラーフィルタ層５０を省略している。
この結果、第１センサ電極６１および第２センサ電極６６は、互いから非接触状態で、交差することになる。なお、図４ａ、４ｂにおいては、図示および理解のしやすさから便宜上、カラーフィルタ層５０を省略している。
［センサ電極］
以下、センサ部６０ａを構成するセンサ電極の構成についてさらに詳述する。
センサ部６０ａは、第１センサ電極６１、第２センサ電極６６、ブリッジ部６８からなり、各電極及びブリッジ部は、通常、同じ材料により形成される。第１センサ電極６１と第２センサ電極６６は、同一平面に同時に形成されるため同じ材料であることが好ましく、また、均一な透明性や導電性を得るために、ブリッジ部６８は、第１センサ電極６１、第２センサ電極６６と同じ材料であることが好ましいが、導電材料である金属であっても狭幅で、誘電体層あるいはセンサ電極により被覆される限りにおいて本発明では採用できる。
以下、センサ部６０ａを構成するセンサ電極の構成についてさらに詳述する。
センサ部６０ａは、第１センサ電極６１、第２センサ電極６６、ブリッジ部６８からなり、各電極及びブリッジ部は、通常、同じ材料により形成される。第１センサ電極６１と第２センサ電極６６は、同一平面に同時に形成されるため同じ材料であることが好ましく、また、均一な透明性や導電性を得るために、ブリッジ部６８は、第１センサ電極６１、第２センサ電極６６と同じ材料であることが好ましいが、導電材料である金属であっても狭幅で、誘電体層あるいはセンサ電極により被覆される限りにおいて本発明では採用できる。
上記の材料としては、透明性を有するとともに、所要の導電性を有する材料が用いられる。例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛、酸化インジウム、アンチモン添加酸化錫、フッ素添加酸化錫、アルミニウム添加酸化亜鉛、カリウム添加酸化亜鉛、シリコン添加酸化亜鉛や、酸化亜鉛−酸化錫系、酸化インジウム−酸化錫系、酸化亜鉛−酸化インジウム−酸化マグネシウム系などの金属酸化物や、これらの金属酸化物が２種以上複合された材料が挙げられる。
［第１センサ電極］
まず、第１センサ電極６１について説明する。複数の第１センサ電極６１は、透明な導電性材料、例えば、ＩＴＯから形成されている。図３に示すように、複数の第１センサ電極６１は、前記第１方向および前記第２方向の両方向に並べて配置された多数の第１センサ電極主部６２と、多数の第１センサ電極主部６２のうちの第１方向に並べられた複数の第１センサ電極主部６２を、互いに接続するライン部６３と、を有している。
すなわち、第１方向に隣り合う二つの第１センサ電極主部６２の間に、それぞれ、ライン部６３が、これらの二つの第１センサ電極主部６２と一体として設けられ、これらの二つの第１センサ電極主部６２を連結している。このようにして、第１方向に並べられた複数の第１センサ電極主部６２と、それらの間を接続するライン部６３と、によって、各第１センサ電極６１が構成されている。
まず、第１センサ電極６１について説明する。複数の第１センサ電極６１は、透明な導電性材料、例えば、ＩＴＯから形成されている。図３に示すように、複数の第１センサ電極６１は、前記第１方向および前記第２方向の両方向に並べて配置された多数の第１センサ電極主部６２と、多数の第１センサ電極主部６２のうちの第１方向に並べられた複数の第１センサ電極主部６２を、互いに接続するライン部６３と、を有している。
すなわち、第１方向に隣り合う二つの第１センサ電極主部６２の間に、それぞれ、ライン部６３が、これらの二つの第１センサ電極主部６２と一体として設けられ、これらの二つの第１センサ電極主部６２を連結している。このようにして、第１方向に並べられた複数の第１センサ電極主部６２と、それらの間を接続するライン部６３と、によって、各第１センサ電極６１が構成されている。
図３に示すように、第１センサ電極主部６２は、基材４５の一側の面４５ａ上において、略正方形状の形状を有している。この正方形は、該正方形をなす各辺が第１方向に対して略４５°傾斜するようにして、基材４５の一側の面４５ａ上に配置されている。
一方、ライン部６３は、基材４５の一側の面４５ａ上に形成した第１方向及び第１方向と直交する第２方向に並べられて、導電体からなる複数のブリッジ部６８を被覆する誘電体層上を横切り、第１方向に延びる細長い長方形状の形状を有している。そして、第１方向に直交する方向における第１センサ電極６１の幅は、ライン部６３において最も細くなっている。
一方、ライン部６３は、基材４５の一側の面４５ａ上に形成した第１方向及び第１方向と直交する第２方向に並べられて、導電体からなる複数のブリッジ部６８を被覆する誘電体層上を横切り、第１方向に延びる細長い長方形状の形状を有している。そして、第１方向に直交する方向における第１センサ電極６１の幅は、ライン部６３において最も細くなっている。
［第２センサ電極］
次に、第２センサ電極６６について説明する。複数の第２センサ電極６６は、第１センサ電極６１と同様に、透明な導電性材料、例えばＩＴＯから形成されている。図３に示すように、複数の第２センサ電極６６は、前記第１方向および前記第２方向の両方向に並べられて、複数の第１センサ電極６１の間に当該複数の第１センサ電極６１から離間して、配置された多数の第２センサ電極主部６７と、多数の第２センサ電極主部６７のうちの第２方向に並べられた複数の第２センサ電極主部６７を、互いに連結するブリッジ部６８と、を有している。
次に、第２センサ電極６６について説明する。複数の第２センサ電極６６は、第１センサ電極６１と同様に、透明な導電性材料、例えばＩＴＯから形成されている。図３に示すように、複数の第２センサ電極６６は、前記第１方向および前記第２方向の両方向に並べられて、複数の第１センサ電極６１の間に当該複数の第１センサ電極６１から離間して、配置された多数の第２センサ電極主部６７と、多数の第２センサ電極主部６７のうちの第２方向に並べられた複数の第２センサ電極主部６７を、互いに連結するブリッジ部６８と、を有している。
すなわち、第２方向に隣り合う二つの第２センサ電極主部６７の間に、それぞれ、これらの二つの第２センサ電極主部６７と別体としてライン部６８が設けられている。このようにして、第２方向に並べられた複数の第２センサ電極主部６７と、それらの間を接続するブリッジ部６８と、によって、各第２センサ電極６６が構成されている。
［ブリッジ部］
図２および図４ａに示されているように、各ブリッジ部６８は、金属ライン又は透明導電体などの導電体からなり、基材４５の一側の面４５ａ上に、第１方向及び第１方向に交差する第２方向に並べられて設けられている。この複数のブリッジ部６８が第２方向に隣り合う各二つの第２センサ電極６６の間を接続している。
図２および図４ａに示されているように、各ブリッジ部６８は、金属ライン又は透明導電体などの導電体からなり、基材４５の一側の面４５ａ上に、第１方向及び第１方向に交差する第２方向に並べられて設けられている。この複数のブリッジ部６８が第２方向に隣り合う各二つの第２センサ電極６６の間を接続している。
そして、基材４５と接触する複数のブリッジ部６８の表面に、誘電体層７０が該ブリッジ部を被覆するように形成されている。該誘電体層７０上に第１方向に延びている第１センサ電極６１のライン部６３が、第１方向に並べられた各ブリッジ部６８を横切るようにして、非接触状態で交差して延びている。
具体的には、図２および図４ａに示すように、第２センサ電極主部６７及びセンサ電極を接続するブリッジ部６８は、第１センサ電極主部６２と同一平面（図示する例では、基材４５の一側の面４５ａ）上に設けられている。そして、第２センサ電極主部６７および第１センサ電極６１の観察者側には、透明な絶縁性材料（例えば、アクリル系ポリマーやＳｉＯ2）からなり、容量結合方式タッチパネルにおける誘電体としても機能する誘電体層（絶縁層）７０が複数のブリッジ部６８に対応して複数設けられている。
この結果、第１センサ電極６１は、誘電体層７０を介して非接触状態で複数のブリッジ部６８を横切り、第２方向に並べて等間隔で配置されている。
この結果、第１センサ電極６１は、誘電体層７０を介して非接触状態で複数のブリッジ部６８を横切り、第２方向に並べて等間隔で配置されている。
なお、図３に示すように、第２センサ電極主部６７は、基材４５の一側の表面４５ａ上において、略正方形状の形状を有している。この正方形は、該正方形をなす各辺が第２方向に対して略４５°傾斜するようにして、基材４５の一側の面４５ａ上に配置されている。
一方、ブリッジ部６８は概ね第２方向に長方形状に延びており、第２方向に直交する方向におけるブリッジ部６８の幅は、第２センサ電極主部６７と接続される両端部分以外において概ね一定となっている。そして、第２方向に直交する方向における第２センサ電極６６の幅は、ブリッジ部６８のうちの隣り合う第２センサ電極主部６７間上に位置する領域にて最も細くなっている。
一方、ブリッジ部６８は概ね第２方向に長方形状に延びており、第２方向に直交する方向におけるブリッジ部６８の幅は、第２センサ電極主部６７と接続される両端部分以外において概ね一定となっている。そして、第２方向に直交する方向における第２センサ電極６６の幅は、ブリッジ部６８のうちの隣り合う第２センサ電極主部６７間上に位置する領域にて最も細くなっている。
また、図３に示すように、タッチパネルセンサ層６０の上面視において（タッチパネルセンサ層６０をその法線方向から観察した場合）、第２センサ電極６６の幅狭のブリッジ部６８は、第１センサ電極６１の幅狭のライン部６３と、交差するようになっている。
この結果、上面視において、第１センサ電極６１と第２センサ電極６６とが重なり合っている部分が非常に小さくなる。
このため、第１センサ電極主部とライン部、第２センサ電極主部は同一平面上にあり、第２センサ電極６６は、外部導体の接触面として機能する表示面１２の側からみて、そのブリッジ部のみが第１センサ電極６１のライン部と立体交差し、裏側に位置するようになるが、第２センサ電極６６での検出感度が、第１センサ電極６１での検出感度と比較して、大幅に低下してしまうことはない。
この結果、上面視において、第１センサ電極６１と第２センサ電極６６とが重なり合っている部分が非常に小さくなる。
このため、第１センサ電極主部とライン部、第２センサ電極主部は同一平面上にあり、第２センサ電極６６は、外部導体の接触面として機能する表示面１２の側からみて、そのブリッジ部のみが第１センサ電極６１のライン部と立体交差し、裏側に位置するようになるが、第２センサ電極６６での検出感度が、第１センサ電極６１での検出感度と比較して、大幅に低下してしまうことはない。
［取り出し配線の形成］
次に、取り出し部６０ｂの周縁配線について説明する。図３に示すように、取り出し部６０ｂに設けられる周縁配線は、基板上の周辺端部の領域に形成される複数の第１センサ電極６１にそれぞれ対応して設けられた複数の第１取り出しライン７３と、複数の第２センサ電極６６にそれぞれ対応して設けられた複数の第２取り出しライン７４と、を含んでいる。そして、周縁配線は、端子部領域において外部に露出する端子部７３ｔ、７４ｔと接続される。
次に、取り出し部６０ｂの周縁配線について説明する。図３に示すように、取り出し部６０ｂに設けられる周縁配線は、基板上の周辺端部の領域に形成される複数の第１センサ電極６１にそれぞれ対応して設けられた複数の第１取り出しライン７３と、複数の第２センサ電極６６にそれぞれ対応して設けられた複数の第２取り出しライン７４と、を含んでいる。そして、周縁配線は、端子部領域において外部に露出する端子部７３ｔ、７４ｔと接続される。
各第１取り出しライン７３は、その一端において、当該第１取り出しライン７３と対応する第１センサ電極６１と接続され、その他端に、外部（すなわち、入力情報処理部２４へ通ずる配線）との接続端子として機能する端子部７３ｔに接続する第１配線端子接続部を含んでいる。
同様に、各第２取り出しライン７４は、その一端において、当該第２取り出しライン７４と対応する第２センサ電極６６と接続され、その他端に、外部との接続端子として機能する端子部７４ｔに接続する第２配線端子接続部を含んでいる。
同様に、各第２取り出しライン７４は、その一端において、当該第２取り出しライン７４と対応する第２センサ電極６６と接続され、その他端に、外部との接続端子として機能する端子部７４ｔに接続する第２配線端子接続部を含んでいる。
図２及び図４ａ、４ｂに示されているように、本実施の一つの形態において、各第１取り出しライン７３および各第２取り出しライン７４は、後に説明する製造方法に起因して、三つの層によって構成されている。
具体的には、周縁配線を構成する各取り出しライン７３、７４は、基材４５の側から順に配置された、銅、アルミニウム、銀またはそれらを含む合金等の高導電率金属からなる金属ライン部７５ａと、上述したブリッジ部６８と同一の金属層又は導電体層からなる第１導電体層７５ｂまたは／および、上述した第１センサ電極６１および第２センサ電極６６と同一の透明導電体からなる第２導電体層７５ｃとを有している。ただし、ブリッジ部が金属ラインの場合は、その導電体層７５ｂは金属ライン部７５ａと区別できない。透明導電体材料の場合は、導電体層７５ｂを積層形成しても形成しなくてもよい。その導電体層７５ｂがセンサ電極と同じ透明導電体からなる場合、導電体層７５ｂを形成し、第２透明導電体層７５ｃを形成しなくてもよい、あるいは導電体層７５ｂを形成し、さらに、第２透明導電体層７５ｃを形成する場合もある。また、導電体層７５ｂを形成しないで、第２透明導電体層７５ｃを形成する場合もある。
［端子部構造］
本発明の端子部は、従来の金属ライン又は金属ラインと金属ラインを被覆する導電体層の構造ではなく、上記のような周縁配線部の取り出しラインの導電積層構造に対応して、導電積層端子部構造を取るものである。
本発明の端子部領域の具体的な端子部構造は、以下のタッチパネルセンサ基板の形成において詳しく説明する。
［端子部構造１］
本発明において、周縁配線の各取り出しライン７３、７４は、端子部７３ｔ、７４ｔに接続する第１及び第２配線端子接続部７３ｅ、７４ｅが、端子部領域において、図５に拡大図として示した端子部構造となるように端子部と接続、配置されている。
すなわち、端子部構造は、透明基材上に直接形成されたＩＴＯ透明導電体層から構成される接続端子部７３ｔ、７４ｔと、各取り出しライン７３、７４の端子部領域側に形成された第１配線端子接続部７３ｅ及び第２配線端子接続部７４ｅとを備える。
本発明の端子部は、従来の金属ライン又は金属ラインと金属ラインを被覆する導電体層の構造ではなく、上記のような周縁配線部の取り出しラインの導電積層構造に対応して、導電積層端子部構造を取るものである。
本発明の端子部領域の具体的な端子部構造は、以下のタッチパネルセンサ基板の形成において詳しく説明する。
［端子部構造１］
本発明において、周縁配線の各取り出しライン７３、７４は、端子部７３ｔ、７４ｔに接続する第１及び第２配線端子接続部７３ｅ、７４ｅが、端子部領域において、図５に拡大図として示した端子部構造となるように端子部と接続、配置されている。
すなわち、端子部構造は、透明基材上に直接形成されたＩＴＯ透明導電体層から構成される接続端子部７３ｔ、７４ｔと、各取り出しライン７３、７４の端子部領域側に形成された第１配線端子接続部７３ｅ及び第２配線端子接続部７４ｅとを備える。
本発明の第１配線端子接続部および第２配線端子接続部は、透明基材上に形成されており、そして、各配線端子接続部は、各配線端子接続部の表面に重ね合わされ、各配線端子接続部の周縁を前記ＩＴＯ透明導電体層により被覆することにより、端子部と電気的に接続し、接続部を保護されている。
本発明の接続端子部７３ｔ、７４ｔと各配線端子接続部７３ｅ、７４ｅとの接続部は、さらに、図５に示したように、前記透明基材、配線端子接続部７３ｅ、７４ｅ及び前記ＩＴＯ透明導電体層が積層された積層部分（配線部）及び配線端子接続部縁部をＩＴＯ透明導電体層で被覆した積層縁部を、タッチパネルセンサ部を保護するために形成する、あるいは周縁配線を保護するために形成する保護層４２により被覆され、接続部を確実に保護されている。
本発明は、このように、端子部７３ｔ、７４ｔは、従来の端子部とは異なり、ＩＴＯ透明導電体層のみからなる端子部が形成され、高導電率金属材料からなる金属ラインの配線端子接続部７３ｅ、７４ｅの端縁はＩＴＯ透明導電体層で被覆され、さらに保護層４２により被覆された構造となる。
このことにより、配線端子接続部７３ｅ、７４ｅは、端子部に形成されず、端子部を構成せず、直接、外部に露出することがない。しかも、その配線端子接続部の縁部は、ＩＴＯ透明導電体層７５ｂ、７５ｃ及び保護層４２の２重に被覆、保護される。
そして、配線端子接続部の縁部が、端子部に入り込むことなく、むしろ、ＩＴＯ透明導電体層及び保護層の層厚分だけ端子部境界より僅かに基板周端部から離れた側に位置する構造となる。
このことにより、配線端子接続部７３ｅ、７４ｅは、端子部に形成されず、端子部を構成せず、直接、外部に露出することがない。しかも、その配線端子接続部の縁部は、ＩＴＯ透明導電体層７５ｂ、７５ｃ及び保護層４２の２重に被覆、保護される。
そして、配線端子接続部の縁部が、端子部に入り込むことなく、むしろ、ＩＴＯ透明導電体層及び保護層の層厚分だけ端子部境界より僅かに基板周端部から離れた側に位置する構造となる。
本発明の端子部７３ｔ、７４ｔは、配線端子接続部７３ｅ、７４ｅを含まず、端子部領域における配線端子接続部７３ｅ、７４ｅは、ＩＴＯ透明導電体層及び保護層により被覆され、外部へ露出することがなく、確実に保護される。
したがって、従来の金属層の配線端子接続部７３ｅ、７４ｅで形成された端子部あるいは、従来の金属層の配線端子接続部７３ｅ、７４ｅを透明導電体層で被覆した積層構造で形成された端子部のように、エッチング処理によるエッチング液が、配線端子接続部７３ｅ、７４ｅ及びその縁部に浸透し又は腐食することにより、金属ライン部７５ａの基材４５からの剥離の起点となりやすい配線端子接続部７３ｅ、７４ｅが、基材４５から剥離することを効果的に抑制することができる。
したがって、従来の金属層の配線端子接続部７３ｅ、７４ｅで形成された端子部あるいは、従来の金属層の配線端子接続部７３ｅ、７４ｅを透明導電体層で被覆した積層構造で形成された端子部のように、エッチング処理によるエッチング液が、配線端子接続部７３ｅ、７４ｅ及びその縁部に浸透し又は腐食することにより、金属ライン部７５ａの基材４５からの剥離の起点となりやすい配線端子接続部７３ｅ、７４ｅが、基材４５から剥離することを効果的に抑制することができる。
この透明導電体層の端子部を介して電気信号を入出力することになるので、取り出しライン及びその配線端子接続部をそのまま外部に露出させる従来の端子部より腐食に強い、ＦＰＣとの接続安定性に優れた端子部が実現できる。
［タッチパネルセンサ基板を製造する方法］
次に、以上のような構成からなるタッチパネル基板４０を製造する方法の一例について説明する。
次に、以上のような構成からなるタッチパネル基板４０を製造する方法の一例について説明する。
まず、第１基材４５を構成する透明な基材を準備する。透明な基材として、代表的には、無アルカリガラスが用いられるが、これに限られず、十分な厚さを有した透明な樹脂板が第１基材４５を構成するための透明基材として用いてもよい。
ここで、基材は、基材それ自体だけを意味するものではなく、基板の表面を表面処理した基板も含め、単に、基板と表現する。
例えば、タッチパネルセンサ、カラーフィルタを形成し、光が透過するため透明導電体層とガラス基板の間には、薄膜干渉効果にて、透明導電体層の有る部分と無い部分の透過率、反射率を同程度にして、センサ電極のパターンが容易に視認できなくする不可視化のための層を設ける場合、基材に屈折率調整層を成膜処理し、インデックスマッチング層などを形成する場合があり、そのような基板の表面を表面処理した基板も含むものである。
ここで、基材は、基材それ自体だけを意味するものではなく、基板の表面を表面処理した基板も含め、単に、基板と表現する。
例えば、タッチパネルセンサ、カラーフィルタを形成し、光が透過するため透明導電体層とガラス基板の間には、薄膜干渉効果にて、透明導電体層の有る部分と無い部分の透過率、反射率を同程度にして、センサ電極のパターンが容易に視認できなくする不可視化のための層を設ける場合、基材に屈折率調整層を成膜処理し、インデックスマッチング層などを形成する場合があり、そのような基板の表面を表面処理した基板も含むものである。
次に、準備した基材４５の一側の表面４５ａ上に、タッチパネルセンサ層６０周縁配線及び端子部を作製する工程について、ここでは、図７ａのフローチャートに従って、タッチパネルセンサ層６０を基材４５の一側の表面上に形成する方法に沿って説明する。
［取り出しラインの形成］
まず、基材４５上の第１取り出しライン７３および第２取り出しライン７４を形成する（図７ａの工程Ｓａ１）。
第１取り出しライン７３および第２取り出しライン７４のうちの、金属ライン部７５ａが形成される。第１取り出しライン７３および第２取り出しライン７４は、上述したように、アクティブエリアＡ１に形成されたセンサ部６０ａと、制御部２０とを接続するために、非アクティブエリアＡ２に形成され、端子部領域へと延びるように形成される。
したがって、金属ライン部７５ａは、表示面１２の表示領域外に形成されるものであり、銅、アルミニウム、銀若しくはそれらを含む合金等の透明でない高導電率金属から形成され得る。
まず、基材４５上の第１取り出しライン７３および第２取り出しライン７４を形成する（図７ａの工程Ｓａ１）。
第１取り出しライン７３および第２取り出しライン７４のうちの、金属ライン部７５ａが形成される。第１取り出しライン７３および第２取り出しライン７４は、上述したように、アクティブエリアＡ１に形成されたセンサ部６０ａと、制御部２０とを接続するために、非アクティブエリアＡ２に形成され、端子部領域へと延びるように形成される。
したがって、金属ライン部７５ａは、表示面１２の表示領域外に形成されるものであり、銅、アルミニウム、銀若しくはそれらを含む合金等の透明でない高導電率金属から形成され得る。
例えば、基材４５の一側の表面４５ａの全面を覆うようにして、高導電率金属からなる金属層を蒸着、スパッタ等の真空薄膜形成方法で形成し、フォトリソグラフィ技術を用いてこの高導電率金属からなる金属層をパターニングすることによって、第１取り出しライン７３および第２取り出しライン７４のうちの金属ライン部７５ａが形成される。
他の例としては、スクリーン印刷により、所望のパターンで、第１取り出しライン７３および第２取り出しライン７４のうちの金属ライン部７５ａを基材４５上に成膜することもできる。
他の例としては、スクリーン印刷により、所望のパターンで、第１取り出しライン７３および第２取り出しライン７４のうちの金属ライン部７５ａを基材４５上に成膜することもできる。
［第１導電体層の形成］
次に、第１導電体層（ブリッジ部）を形成する（図７ａの工程Ｓａ２）。
本発明の第１のタッチパネルセンサ層の実施態様において、ブリッジ部６８が、導電体である金属ラインで形成される場合は、上述した取り出しライン部の配線を形成する工程において、取り出しラインを形成する金属ライン部のパターニングと同時に、ブリッジ部もパターニング形成することができる。この場合は、第１導電体層の形成は省略され、誘電体層の形成に進むことになる。
次に、第１導電体層（ブリッジ部）を形成する（図７ａの工程Ｓａ２）。
本発明の第１のタッチパネルセンサ層の実施態様において、ブリッジ部６８が、導電体である金属ラインで形成される場合は、上述した取り出しライン部の配線を形成する工程において、取り出しラインを形成する金属ライン部のパターニングと同時に、ブリッジ部もパターニング形成することができる。この場合は、第１導電体層の形成は省略され、誘電体層の形成に進むことになる。
ブリッジ部６８がＩＴＯ以外の透明導電材料から形成される場合、基材４５の一側の表面４５ａのアクティブエリアＡ１を覆うようにして透明導電材料の第１導電体層を、蒸着、スパッタ等の真空薄膜形成方法で成膜し、この第１導電体層からブリッジ部をパターニング形成する。
また、第１導電体層をＩＴＯ導電材料から形成する場合、アクティブエリアＡ１及び非アクティブエリアＡ２全面又は配線端子接続部をＩＴＯ導電材料で覆い、ブリッジ部６８と、端子部領域の取り出しライン７３、７４及び又は第１配線端子接続部７３ｅ及び第２配線端子接続部７４ｅを広く被覆する第１導電体層７５ｂ、及び端子部７３ｔ、７４ｔを構成する第１導電体層７５ｂを形成する（図７ａの工程Ｓａ２）。
この第１導電体層は、２００℃〜２５０℃の基板加熱を伴う蒸着又はスパッタリング成膜により形成された多結晶ＩＴＯ薄膜から形成する場合の他に、基板加熱を伴わない蒸着又はスパッタリング成膜により形成されたアモルファス状のＩＴＯ薄膜をアニール処理することにより結晶化したＩＴＯ薄膜から形成する場合もある。
ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）を蒸着又はスパッタリングにより第１基材４５に一側から付着させ、ＩＴＯをからなる第１導電体層を一定の厚みで成膜することができる。
この第１導電体層は、２００℃〜２５０℃の基板加熱を伴う蒸着又はスパッタリング成膜により形成された多結晶ＩＴＯ薄膜から形成する場合の他に、基板加熱を伴わない蒸着又はスパッタリング成膜により形成されたアモルファス状のＩＴＯ薄膜をアニール処理することにより結晶化したＩＴＯ薄膜から形成する場合もある。
ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）を蒸着又はスパッタリングにより第１基材４５に一側から付着させ、ＩＴＯをからなる第１導電体層を一定の厚みで成膜することができる。
続いて、形成した第１導電体層をパターニングする。
このパターニングは、主に、形成した第１導電体層から本発明の第１方向及び第２方向に配置された複数の第２センサ電極の内、隣り合う第２センサ電極を接続するために複数のブリッジ部を第１方向及び第１方向と直交する第２方向に配置した複数のブリッジ部をパターンニング形成するものである。
このパターニングは、主に、形成した第１導電体層から本発明の第１方向及び第２方向に配置された複数の第２センサ電極の内、隣り合う第２センサ電極を接続するために複数のブリッジ部を第１方向及び第１方向と直交する第２方向に配置した複数のブリッジ部をパターンニング形成するものである。
ここで、第１導電体層がＩＴＯ導電材料を用いて形成される場合、ブリッジ部がＩＴＯ導電体層により形成されることから、ブリッジ部をパターニングすると同時に、基材の表面４５ａ上に外部の位置検出回路等に対して電気信号を入出力するため、取り出しラインの配線端子接続部７３ｅ、７４ｅ上に積層したＩＴＯ導電体層７５ｂ、及び電気的に接続する端子部７３ｔ、７４ｔに形成したＩＴＯ導電体層７５ｂから、取り出しラインの配線端子接続部７３ｅ、７４ｅ及び端子部７３ｔ、７４ｔを構成するＩＴＯ導電体層７５ｂをパターニングにより形成することができる（図４ａ、図７ａの工程Ｓａ２）。
上述の多結晶ＩＴＯや、アニール処理することにより結晶化したＩＴＯは、シュウ酸水溶液等のシュウ酸を主成分とする弱酸ではエッチングされない。それゆえ、後述するカラーフィルタ部の透明電極をシュウ酸水溶液等でエッチングする工程において、タッチパネルセンサ部の端子部はエッチングされず、表面に保護膜を設ける等の工程を省くことができる。
このパターニングでは、フォトリソグラフィ技術を用いて、次のようにして、第１導電体層をパターニングする。
まず、感光性材料を第１導電体層上にコーティングして、感光性材料層を成膜する。次に、この感光性材料層を所望のパターンで露光し、さらに現像する。これにより、感光性材料層から、第１導電体層上に所望のパターンを有したレジストマスクが、形成される。
そして、このレジストマスク越しに、第１導電体層上をエッチングすることにより、レジストマスクのパターンに対応するパターン、すなわち第２方向に長方形の複数のブリッジ部６８の配列パターン、取り出しライン７３、７４及び配線端子接続部７３ｅ、７４ｅの配列パターン及び端子部７３ｔ、７４ｔの配列パターンに、第１導電体層をパターニングすることができる。
まず、感光性材料を第１導電体層上にコーティングして、感光性材料層を成膜する。次に、この感光性材料層を所望のパターンで露光し、さらに現像する。これにより、感光性材料層から、第１導電体層上に所望のパターンを有したレジストマスクが、形成される。
そして、このレジストマスク越しに、第１導電体層上をエッチングすることにより、レジストマスクのパターンに対応するパターン、すなわち第２方向に長方形の複数のブリッジ部６８の配列パターン、取り出しライン７３、７４及び配線端子接続部７３ｅ、７４ｅの配列パターン及び端子部７３ｔ、７４ｔの配列パターンに、第１導電体層をパターニングすることができる。
具体的には、前者の高温成膜を用いる方法では、透明基板の一方の主面上に、２００℃〜２５０℃に基板加熱しながら、アルゴンと酸素の混合ガスを用いたスパッタリング法を用いて多結晶ＩＴＯを成膜し、フォトリソグラフィ工程で所望のパターンを形成後、ハロゲン化水素酸を主成分とする強酸で不要ＩＴＯをエッチングする方法により、少なくともブリッジ部６８、取り出しライン７３、７４、配線端子接続部７３ｅ、７４ｅ及び端子部７３ｔ、７４ｔのＩＴＯ導電体層７５ｂが形成される。
なお、上述のハロゲン化水素酸とは、例えば、塩化水素（ＨＣｌ）の水溶液である塩酸や、臭化水素（ＨＢｒ）の水溶液である臭化水素酸、ヨウ化水素（ＨＩ）の水溶液であるヨウ化水素酸などを挙げることができ、ハロゲン化水素酸を主成分とする強酸とは、前述の水溶液の他に、例えば、王水（ＨＣｌ：ＨＮＯ3：Ｈ2Ｏ＝１：０.０８：１、体積比）や、塩酸にヨウ素（Ｉ2）または塩化第２鉄（ＦｅＣｌ3）を加えた水溶液を挙げることができる。一般的には、王水や、塩酸に塩化第２鉄（ＦｅＣｌ3）を加えた水溶液を用いることが多い。
一方、後者の低温成膜を用いる方法では、透明基板の一方の主面上に、基板加熱を伴わない蒸着又はスパッタリング成膜によりアモルファス状のＩＴＯを成膜し、フォトリソグラフィ工程で所望のパターンを形成後、シュウ酸水溶液等のシュウ酸を主成分とする弱酸で不要ＩＴＯをエッチング加工した後に、１４０〜２５０℃でアニール処理してＩＴＯを結晶化させる方法により、少なくともブリッジ部６８、取り出しライン７３、７４、配線端子接続部７３ｅ、７４ｅ及び端子部７３ｔ、７４ｔのＩＴＯ導電体層７５ｂが形成される。
アモルファス状のＩＴＯは、例えば、ＳｎＯ2比率が１〜１０重量％のＩＴＯターゲットを用い、基板加熱を行わずに、アルゴンと酸素の混合ガスを用いたスパッタリング法により成膜することができる。ここで、ＩＴＯターゲットのＳｎＯ2比率が過度に低いとターゲットの密度を高めることができないため、ＳｎＯ2比率は１重量％以上であることが好ましい。また、ＩＴＯターゲットのＳｎＯ2比率が１０重量％を超えるものであると、低温短時間のアニールで結晶化可能なアモルファスＩＴＯ薄膜を成膜することはできないため、ＳｎＯ2比率は１０重量％以下であることが好ましい。
上述のような、基板加熱を行わずに成膜したＩＴＯ薄膜はアモルファスの状態であり、シュウ酸水溶液等のシュウ酸を主成分とする弱酸でエッチング加工が可能である。ただし、アモルファス状のＩＴＯ薄膜は高抵抗であるため、このままでは、ブリッジ部、端子部として好ましくない。そこで、エッチング加工後にアニール処理してＩＴＯを結晶化させ、低抵抗なセンサ電極を得る。上述の方法で成膜したアモルファスＩＴＯは、アニール処理として、例えば、１４０〜２５０℃で５〜４０分で結晶化させる。
このようにして、第１取り出しライン７３および第２取り出しライン７４のうちの金属ライン部７５ａ上の第１導電体層を除去することなく残し、金属ライン部７５ａ上に第１透明導電部７５ｂを形成し、少なくともブリッジ部と端子部が第１導電体層から形成される（図４ａ参照）。
［誘電体層の形成］
その後、基材４５の一側の表面４５ａ上に形成したブリッジ部表面領域を第２センサ電極と接続する部位を残してブリッジ部６８を被覆するように第２方向に長方形の誘電体層７０を形成する（図７ａの工程Ｓａ３）。
この工程において、誘電体層７０は、アクティブエリアＡ１周辺部の非アクティブエリアＡ２を被覆するように成膜することで、取り出しライン７３、７４、金属ライン部７５ａなどを被覆するコーティングが実行される。
誘電体層７０は、透明な絶縁性材料、例えばアクリル系ポリマーやＳｉＯ2を、基材４５上にコーティングすることにより形成される。とりわけ、本実施の形態においては、誘電体層７０が、感光性材料、より詳細には、露光されると硬化するネガ型の感光性材料から、成膜される。
その後、基材４５の一側の表面４５ａ上に形成したブリッジ部表面領域を第２センサ電極と接続する部位を残してブリッジ部６８を被覆するように第２方向に長方形の誘電体層７０を形成する（図７ａの工程Ｓａ３）。
この工程において、誘電体層７０は、アクティブエリアＡ１周辺部の非アクティブエリアＡ２を被覆するように成膜することで、取り出しライン７３、７４、金属ライン部７５ａなどを被覆するコーティングが実行される。
誘電体層７０は、透明な絶縁性材料、例えばアクリル系ポリマーやＳｉＯ2を、基材４５上にコーティングすることにより形成される。とりわけ、本実施の形態においては、誘電体層７０が、感光性材料、より詳細には、露光されると硬化するネガ型の感光性材料から、成膜される。
誘電体層７０をコーティングにより形成することにより、基材４５上における第１導電体層のパターンにかかわらず、形成された誘電体層７０の表面７０ａは、平坦となる。とりわけ、基材４５が水平方向と平行に保持された状態で誘電体層７０となる材料のコーティングが行われると、誘電体層７０の表面７０ａは、基材４５の一側の表面４５ａと同様に、水平方向と平行となる。
コーティングした誘電体層７０のパターニングでは、フォトリソグラフィ技術を用いて、誘電体層７０をパターニングする。上述したように、本発明の実施の形態において、誘電体層７０は、ネガ型の感光性材料から形成されている。そして、誘電体層７０上にマスクを配置した状態で、マスクの側から誘電体層７０を露光する。この結果、マスクに形成された所望のパターンで誘電体層７０が硬化する。その後、誘電体層７０の未硬化領域を現像液で除去することにより、誘電体層７０がパターニング（現像）される。
［第２導電体層の形成］
誘電体層をパターニングした後、第２導電体層を形成する（図７ａの工程Ｓａ４）。
本発明のタッチパネルセンサ部を形成する第２導電体層は、第１センサ電極６１および第２センサ電極６６の主部６７を形成するための層である。この工程では、フォトリソグラフィ技術を用いて、次のようにして、第２導電体層をパターニングする。
誘電体層をパターニングした後、第２導電体層を形成する（図７ａの工程Ｓａ４）。
本発明のタッチパネルセンサ部を形成する第２導電体層は、第１センサ電極６１および第２センサ電極６６の主部６７を形成するための層である。この工程では、フォトリソグラフィ技術を用いて、次のようにして、第２導電体層をパターニングする。
具体的に説明すると、本発明に係るタッチパネルセンサ部のセンサ電極は、従来のように、２００℃〜２５０℃の基板加熱を伴う蒸着又はスパッタリング成膜により形成された多結晶ＩＴＯ薄膜からなるセンサ電極である場合のほか、基板加熱を伴わない蒸着又はスパッタリング成膜により形成されたアモルファス状のＩＴＯ薄膜を、アニール処理することにより結晶化したＩＴＯ薄膜からなるセンサ電極である場合もある。
ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）を蒸着又はスパッタリングにより第１基材４５に一側から付着させ、ＩＴＯをからなる第２導電体層を一定の厚みで成膜することができる。
ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）を蒸着又はスパッタリングにより第１基材４５に一側から付着させ、ＩＴＯをからなる第２導電体層を一定の厚みで成膜することができる。
上述の多結晶ＩＴＯや、アニール処理することにより結晶化したＩＴＯは、シュウ酸水溶液等のシュウ酸を主成分とする弱酸ではエッチングされない。それゆえ、後述するカラーフィルタ部の透明電極をシュウ酸水溶液等でエッチングする工程においても、タッチパネルセンサ部のセンサ電極はエッチングされず、タッチパネルセンサ部の表面に保護膜を設ける等の工程を省くことができる。
すなわち、誘電体層７０上には、複数の第１センサ電極６１のライン部６３が第２方向に配列され、設けられている。各第１センサ電極６１は、第１方向に並べられた複数のブリッジ部６８を横切るようにして、第１方向に延びている。各第１センサ電極６１は、各ブリッジ部６８に対応して設けられた矩形の誘電体層の両端部から表面に露出しているブリッジ部の両端域の間を通過して、誘電体層７０上を延びている。
第１センサ電極６１は、誘電体層７０を介し、非接触状態で各ブリッジ部６８を横切っている。図示する例では、複数の第１センサ電極６１は、第２方向に並べて等間隔で配置されている。
第１センサ電極６１は、誘電体層７０を介し、非接触状態で各ブリッジ部６８を横切っている。図示する例では、複数の第１センサ電極６１は、第２方向に並べて等間隔で配置されている。
また、矩形の誘電体層７０の両端からはみ出て、表面に露出しているブリッジ部両端域の一端部上に、第２センサ電極主部６７の一端部が、同時に、該第２センサ電極主部の別の一端部が誘電体層７０の両端部からはみ出て、表面に露出している第２方向に隣り合う別のブリッジ部両端域の一端部と重なり、接続されるように蒸着又はスパッタリングによって、ＩＴＯを成膜する。
これにより、ＩＴＯからなる第２センサ電極主部６７となる第２導電体層が形成されることになる。蒸着またはスパッタリングによれば、成膜対象物の表面が凹凸形状として形成されていたとしても、当該凹凸形状に沿って延びる、厚みが薄く且つ一定である膜（層）を形成することができる。
したがって、矩形の誘電体層７０の両端部からはみ出て、表面に露出しているブリッジ部両端域の表面に重なり電気的に接続し、所望の厚みの第２導電体層を形成することができる。
これにより、ＩＴＯからなる第２センサ電極主部６７となる第２導電体層が形成されることになる。蒸着またはスパッタリングによれば、成膜対象物の表面が凹凸形状として形成されていたとしても、当該凹凸形状に沿って延びる、厚みが薄く且つ一定である膜（層）を形成することができる。
したがって、矩形の誘電体層７０の両端部からはみ出て、表面に露出しているブリッジ部両端域の表面に重なり電気的に接続し、所望の厚みの第２導電体層を形成することができる。
次に、第２導電体層をパターニングする。
このパターニングは、フォトリソグラフィ技術を用いて、第２導電体層をパターニングする。その結果、図２および図３に示すように、第１方向及び第２方向の両方向に並べて配置される第１センサ電極６１及び複数の第２センサ電極主部６７が、第２導電体層から形成される。
図２及び図４ａに示すように、第２センサ電極主部６７は、第２方向の誘電体により覆われていないブリッジ部６８の両端域においてブリッジ部６８と重なり、電気的に接続するように位置する。その結果、第２センサ電極６６を形成するようになる。
このパターニングは、フォトリソグラフィ技術を用いて、第２導電体層をパターニングする。その結果、図２および図３に示すように、第１方向及び第２方向の両方向に並べて配置される第１センサ電極６１及び複数の第２センサ電極主部６７が、第２導電体層から形成される。
図２及び図４ａに示すように、第２センサ電極主部６７は、第２方向の誘電体により覆われていないブリッジ部６８の両端域においてブリッジ部６８と重なり、電気的に接続するように位置する。その結果、第２センサ電極６６を形成するようになる。
具体的には、前者の高温成膜を用いる方法では、透明基板の一方の主面上に、２００℃〜２５０℃に基板加熱しながら、アルゴンと酸素の混合ガスを用いたスパッタリング法を用いて多結晶ＩＴＯを成膜し、フォトリソグラフィ工程で所望のパターンを形成後、ハロゲン化水素酸を主成分とする強酸で不要ＩＴＯをエッチングする方法により、少なくとも第１センサ電極６１、第２センサ電極６６が形成される。
なお、上述のハロゲン化水素酸とは、例えば、塩化水素（ＨＣｌ）の水溶液である塩酸や、臭化水素（ＨＢｒ）の水溶液である臭化水素酸、ヨウ化水素（ＨＩ）の水溶液であるヨウ化水素酸などを挙げることができ、ハロゲン化水素酸を主成分とする強酸とは、前述の水溶液の他に、例えば、王水（ＨＣｌ：ＨＮＯ3：Ｈ2Ｏ＝１：０.０８：１、体積比）や、塩酸にヨウ素（Ｉ2）または塩化第２鉄（ＦｅＣｌ3）を加えた水溶液を挙げることができる。一般的には、王水や、塩酸に塩化第２鉄（ＦｅＣｌ3）を加えた水溶液を用いることが多い。
一方、後者の低温成膜を用いる方法では、透明基板の一方の主面上に、基板加熱を伴わない蒸着又はスパッタリング成膜によりアモルファス状のＩＴＯを成膜し、フォトリソグラフィ工程で所望のパターンを形成後、シュウ酸水溶液等のシュウ酸を主成分とする弱酸で不要ＩＴＯをエッチング加工した後に、１４０〜２５０℃でアニール処理してＩＴＯを結晶化させる方法により、少なくとも第１センサ電極、第２センサ電極６６が形成される。
アモルファス状のＩＴＯは、例えば、ＳｎＯ2比率が１〜１０重量％のＩＴＯターゲットを用い、基板加熱を行わずに、アルゴンと酸素の混合ガスを用いたスパッタリング法により成膜することができる。ここで、ＩＴＯターゲットのＳｎＯ2比率が過度に低いとターゲットの密度を高めることができないため、ＳｎＯ2比率は１重量％以上であることが好ましい。また、ＩＴＯターゲットのＳｎＯ2比率が１０重量％を超えるものであると、低温短時間のアニールで結晶化可能なアモルファスＩＴＯ薄膜を成膜することはできないため、ＳｎＯ2比率は１０重量％以下であることが好ましい。
上述のような、基板加熱を行わずに成膜したＩＴＯ薄膜はアモルファスの状態であり、シュウ酸水溶液等のシュウ酸を主成分とする弱酸でエッチング加工が可能である。ただし、アモルファス状のＩＴＯ薄膜は高抵抗であるため、このままでは、センサ電極として好ましくない。そこで、エッチング加工後にアニール処理してＩＴＯを結晶化させ、低抵抗なセンサ電極を得る。上述の方法で成膜したアモルファスＩＴＯは、アニール処理として、例えば、１４０〜２５０℃で５〜４０分で結晶化させる。
なお、上述した誘電体層７０のパターニングにおいて、非アクティブエリアＡ２の一部領域から誘電体層７０が除去されている。
この結果、第１取り出しライン７３および第２取り出しライン７４上の第１導電部７５ｂが露出している。また、第２導電体層を形成する工程では、露出した非アクティブエリアＡ２にも第２導電体層が形成されている。そして、第２導電体層をパターニングする工程においては、露出した第１導電部７５ｂ上に形成された第２導電体層を除去することなく残し、第１導電部７５ｂ上に第２透明導電部７５ｃを積層した構造に形成してもよい（図４ｂ参照）。
この結果、第１取り出しライン７３および第２取り出しライン７４上の第１導電部７５ｂが露出している。また、第２導電体層を形成する工程では、露出した非アクティブエリアＡ２にも第２導電体層が形成されている。そして、第２導電体層をパターニングする工程においては、露出した第１導電部７５ｂ上に形成された第２導電体層を除去することなく残し、第１導電部７５ｂ上に第２透明導電部７５ｃを積層した構造に形成してもよい（図４ｂ参照）。
本発明の実施の態様では、第１センサ電極６１の非常に幅狭なライン部６３が、誘電体層７０上を跨ぐようにブリッジ部６８と非接触状態で交差するものであり、誘電体層の僅かな厚みだけ第１及び第２センサ電極の主部６２、６７により形成された表面より突出するものである。
基材４５表面は、実質的に第１及び第２センサ電極６１、６６で覆われている。しかも、該センサ電極を構成する材料は、硬度が鉛筆硬度で６Ｈ以上と高く、キズ汚れを防ぐことができる透明導電材料であり、また、タッチパネルセンサ層の表面全体が、硬度の高い平面状のセンサ電極主部とセンサ電極の幅狭のライン部とが整列して配置され、該ライン部が誘電体層の厚みだけ突出した小領域として所定間隔で配置されている表面構造となる。
基材４５表面は、実質的に第１及び第２センサ電極６１、６６で覆われている。しかも、該センサ電極を構成する材料は、硬度が鉛筆硬度で６Ｈ以上と高く、キズ汚れを防ぐことができる透明導電材料であり、また、タッチパネルセンサ層の表面全体が、硬度の高い平面状のセンサ電極主部とセンサ電極の幅狭のライン部とが整列して配置され、該ライン部が誘電体層の厚みだけ突出した小領域として所定間隔で配置されている表面構造となる。
この場合、基材４５の一側にタッチパネルセンサ層６０を形成した後に、基材４５の一側を下に向けた状態で、搬送手段によって、作製中の基板４０を繰り返し移動および停止させながら、基材４５の他側にカラーフィルタ層５０を形成したとしても、上記センサ電極により形成された基材表面は、硬度が高く、キズ汚れを防ぐことができる材料であることから、タッチパネルセンサ自身でタッチパネルセンサ層６０が損傷したり、タッチパネルセンサ層６０に汚れが付着したりすることを防止することができる。
したがって、タッチパネルセンサ層６０の表面は、表面硬度の高いセンサ電極主部６２、６７により実質的に保護される。
この結果、期待した機能を発揮し得るタッチパネルセンサ層６０を有した表示装置用基板４０が安定して得られるようになる。
したがって、タッチパネルセンサ層６０の表面は、表面硬度の高いセンサ電極主部６２、６７により実質的に保護される。
この結果、期待した機能を発揮し得るタッチパネルセンサ層６０を有した表示装置用基板４０が安定して得られるようになる。
［保護層の形成］
また、本発明では、ブリッジ部６８と交差した、第１センサ電極のライン部６３がセンサ電極主部６２より突出した場合、さらに、確実に表面を保護するために、図８又は図１１に示すように、タッチパネルセンサ表面の当該ライン部とブリッジ部との交差する領域又は少なくともブリッジ部とスルーホールに、保護層４２を成膜するように配置することによりタッチパネルセンサ表面をより確実に保護することができる。
本発明では、少なくとも、本発明の端子部領域をエッチング液から保護するために上記端子部７３ｔ、７４ｔの一部分を除き、取り出しライン部６０ｂの取り出しライン７３、７４及び該配線端子接続部７３ｅ、７４ｅを保護層４２により被覆するものである（図４ａ、４ｂ、図５及び図６、図７ａの工程Ｓａ５）。
保護層４２を前記突出した領域に施し、保護領域を小さくすることで、異物による歩留まりの低下を抑制することもできる。また、保護領域を小さくすることによりタッチパネルセンサの透過率を向上することができる。
なお、保護層４２は、タッチパネルセンサ層６０を形成する工程の後であってカラーフィルタ層６０を形成する工程の前に、形成することが好ましい。
また、本発明では、ブリッジ部６８と交差した、第１センサ電極のライン部６３がセンサ電極主部６２より突出した場合、さらに、確実に表面を保護するために、図８又は図１１に示すように、タッチパネルセンサ表面の当該ライン部とブリッジ部との交差する領域又は少なくともブリッジ部とスルーホールに、保護層４２を成膜するように配置することによりタッチパネルセンサ表面をより確実に保護することができる。
本発明では、少なくとも、本発明の端子部領域をエッチング液から保護するために上記端子部７３ｔ、７４ｔの一部分を除き、取り出しライン部６０ｂの取り出しライン７３、７４及び該配線端子接続部７３ｅ、７４ｅを保護層４２により被覆するものである（図４ａ、４ｂ、図５及び図６、図７ａの工程Ｓａ５）。
保護層４２を前記突出した領域に施し、保護領域を小さくすることで、異物による歩留まりの低下を抑制することもできる。また、保護領域を小さくすることによりタッチパネルセンサの透過率を向上することができる。
なお、保護層４２は、タッチパネルセンサ層６０を形成する工程の後であってカラーフィルタ層６０を形成する工程の前に、形成することが好ましい。
上記した保護層４２は、例えばアクリル系ポリマー等の有機材料をタッチパネルセンサ層６０上にコーティングして有機材料層を形成し、さらに、フォトリソグラフィ技術を用いてこの有機材料層をパターニングすることによって、形成することができる。
このような方法によれば、タッチパネルセンサ層６０の所望の領域のみを覆う保護層４２を成膜することができる。あるいは、保護層４２は、蒸着またはスパッタリングによって、例えばＳｉＯ2、ＳｉＯＮ等の無機材料をタッチパネルセンサ層６０上に付着させることによっても、成膜することができる。
このような方法によれば、タッチパネルセンサ層６０の所望の領域のみを覆う保護層４２を成膜することができる。あるいは、保護層４２は、蒸着またはスパッタリングによって、例えばＳｉＯ2、ＳｉＯＮ等の無機材料をタッチパネルセンサ層６０上に付着させることによっても、成膜することができる。
この態様によれば、タッチパネルセンサ層６０をメタルマスクでマスキングした状態で、蒸着またはスパッタリングを行うことにより、または、蒸着またはスパッタリングで形成した無機材料層をフォトリソグラフィ技術でパターニングすることにより、無機材料からなる保護層が、タッチパネルセンサ層６０の所望の領域を覆うようにすることができる。
本発明では、上記したように、タッチパネルセンサ表面の当該ライン部６３とブリッジ部６８との交差する領域を保護する場合として、部分的に被覆するように保護層４２を設ける場合について説明した。
このような態様によれば、取り出し部６０ｂは、外部との接続に必要となる取り出し端子として機能する端子部７３ｔ、７４ｔを除き、保護層４２によって覆われる。
このような態様によれば、取り出し部６０ｂは、外部との接続に必要となる取り出し端子として機能する端子部７３ｔ、７４ｔを除き、保護層４２によって覆われる。
［カラーフィルタ層］
次に、基材４５の他側の面４５ｂ上に、カラーフィルタ層５０を作製する工程について説明する。
図９は、カラーフィルタ層５０の製造方法を説明するためのフローチャートとともに、作成されつつあるカラーフィルタ層の状態を示す模式図を示している。
次に、基材４５の他側の面４５ｂ上に、カラーフィルタ層５０を作製する工程について説明する。
図９は、カラーフィルタ層５０の製造方法を説明するためのフローチャートとともに、作成されつつあるカラーフィルタ層の状態を示す模式図を示している。
図９に示すように、カラーフィルタ層５０を作製する工程は、遮光部５１の形成工程Ｓｂ１、第１着色部５２Ｇの形成工程Ｓｂ２、第２着色部５２Ｒの形成工程Ｓｂ３、第３着色部５２Ｂの形成工程Ｓｂ４、保護膜５３の形成工程Ｓｂ５、透明電極層５４の形成工程Ｓｂ６、さらに、配向膜の形成等の他の工程を含んでいる。
これらの各工程Ｓｂ１〜Ｓｂ６において、それぞれ、コーティング、蒸着又はスパッタリング等による材料層の形成工程、材料層を露光する工程、材料層を現像する工程が実施される。
これらの各工程Ｓｂ１〜Ｓｂ６において、それぞれ、コーティング、蒸着又はスパッタリング等による材料層の形成工程、材料層を露光する工程、材料層を現像する工程が実施される。
これらの各工程は、一般的に専用の装置で実施されるため、タッチパネルセンサ層６０が設けられた基材４５は、カラーフィルタ層５０を形成する工程中、搬送および停止を数十回にわたって繰り返しながら、長い製造ラインを搬送されている。このカラーフィルタ層５０を形成する工程においては、上述したタッチパネルセンサ層６０を形成する工程とは異なり、基材４５が一側から搬送手段のローラー等に接触した状態で、基材４５（作製中の基板４０）が搬送されるようになる。
そのため、本実施の形態によれば、誘電体層７０の基材４５とは反対側の表面７０ａは、第１センサ電極６１が配置されるとともに、その他の領域は第２センサ電極が配置され、両センサ電極によりタッチパネルセンサ層の表面全体をほぼ覆うように設けられている。
したがって、損傷を受けやすい表面領域は、殆どがセンサ電極で覆われ、センサ電極のうち第１センサ電極のライン部が誘電体層７０の厚み分だけ他のセンサ電極層より突出するものの、センサ電極はほぼ平面状であり、しかも、センサ電極を形成している透明導電材料は、従来の樹脂保護層よりも硬度が高いことから、透明であるため損傷したことを発見しにくいセンサ部６０ａが、損傷してしまうことを、極めて効果的に防止することができる。
したがって、損傷を受けやすい表面領域は、殆どがセンサ電極で覆われ、センサ電極のうち第１センサ電極のライン部が誘電体層７０の厚み分だけ他のセンサ電極層より突出するものの、センサ電極はほぼ平面状であり、しかも、センサ電極を形成している透明導電材料は、従来の樹脂保護層よりも硬度が高いことから、透明であるため損傷したことを発見しにくいセンサ部６０ａが、損傷してしまうことを、極めて効果的に防止することができる。
カラーフィルタの透明電極を形成する工程は、従来の製造方法では、透明電極は、通常、基板加熱しながら、アルゴンと酸素の混合ガスを用いたスパッタリング法により、多結晶ＩＴＯを成膜し、フォトリソグラフィ工程でＩＴＯパターンを形成後、王水で不要ＩＴＯをエッチングする方法が用いられていた。なお、上記の基板加熱の温度は、ＩＴＯ結晶
化のために、通常、２００℃〜２５０℃である。
化のために、通常、２００℃〜２５０℃である。
しかしながら、共通する透明基板４０を挟んで、その一方の面にタッチパネルセンサ部６０が形成され、他方の面にカラーフィルタ部５０が形成されるタッチパネルセンサ一体型カラーフィルタにおいては、上述の方法では、カラーフィルタ部５０の透明電極に切開パターンを形成するため王水でエッチング加工を行うと、タッチパネルセンサ部６０が露出しているあるいは保護機能が不十分な箇所の金属層、導電体層などの端子部及び周縁配線やセンサ電極までもが王水でエッチングされてしまうことになる。
そこで、本発明では、アモルファス状のＩＴＯはシュウ酸水溶液等のシュウ酸を主成分とする弱酸でエッチングできるが、多結晶ＩＴＯや、アニール処理して結晶化したＩＴＯはシュウ酸を主成分とする弱酸ではエッチングされないという特性を透明電極をパターニングするために利用するものである。
すなわち、カラーフィルタ部５０の透明電極を、まず、アモルファス状のＩＴＯ薄膜として成膜し、シュウ酸水溶液等のシュウ酸を主成分とする弱酸を用いてエッチング加工し、その後、前記アモルファス状のＩＴＯ薄膜をアニール処理して結晶化させることにより低抵抗な透明電極を形成することにより、タッチパネルセンサ層６０側に形成した端子部７３ｔ、７４ｔ、センサ電極６１、６６などがエッチングにより腐食されることを防止するようにしたものである。
すなわち、カラーフィルタ部５０の透明電極を、まず、アモルファス状のＩＴＯ薄膜として成膜し、シュウ酸水溶液等のシュウ酸を主成分とする弱酸を用いてエッチング加工し、その後、前記アモルファス状のＩＴＯ薄膜をアニール処理して結晶化させることにより低抵抗な透明電極を形成することにより、タッチパネルセンサ層６０側に形成した端子部７３ｔ、７４ｔ、センサ電極６１、６６などがエッチングにより腐食されることを防止するようにしたものである。
アモルファス状のＩＴＯは、例えば、ＳｎＯ2比率が１〜１０重量％のＩＴＯターゲットを用い、基板加熱を行わずに、アルゴンと酸素の混合ガスを用いた蒸着又はスパッタリング法により成膜することができる。ここで、ＩＴＯターゲットのＳｎＯ2比率が過度に低いとターゲットの密度を高めることができないため、ＳｎＯ2比率は１重量％以上であることが好ましい。また、ＩＴＯターゲットのＳｎＯ2比率が１０重量％を超えるものであると、低温短時間のアニールで結晶化可能なアモルファスＩＴＯ薄膜を成膜することはできないため、ＳｎＯ2比率は１０重量％以下であることが好ましい。
上述のような、基板加熱を行わずに成膜したＩＴＯ薄膜はアモルファスの状態であり、シュウ酸水溶液等のシュウ酸を主成分とする弱酸でエッチング加工が可能である。ただし、アモルファス状のＩＴＯ薄膜は高抵抗であるため、このままでは、センサ電極として好ましくない。そこで、エッチング加工後にアニール処理してＩＴＯを結晶化させ、低抵抗なセンサ電極を得る。上述の方法で成膜したアモルファスＩＴＯは、アニール処理として、例えば、１４０〜２５０℃で５〜４０分で容易に結晶化させることができる。
以上のようにして、タッチパネルセンサ層６０およびカラーフィルタ層５０を有する第１基板４０が、製造される。
このようにして得られた第１基板４０は、タッチパネルセンサ層６０を有したカラーフィルタ基板として、液晶表示装置１０に組み込まれる。
しかも、タッチパネルセンサ部６０に形成されたセンサ電極６１、６６及び端子部７３ｔ、７４ｔをエッチング液により腐食されることなく、タッチパネルセンサ機能の不良、端子部の電気不良、圧着条件の安定化といったＦＰＣ圧着不良の低減ができ、かつ断線不良も低減できる。
したがって、この表示装置１０は、高感度のタッチパネル装置として機能するとともに、映像を表示する装置としても機能する。
このようにして得られた第１基板４０は、タッチパネルセンサ層６０を有したカラーフィルタ基板として、液晶表示装置１０に組み込まれる。
しかも、タッチパネルセンサ部６０に形成されたセンサ電極６１、６６及び端子部７３ｔ、７４ｔをエッチング液により腐食されることなく、タッチパネルセンサ機能の不良、端子部の電気不良、圧着条件の安定化といったＦＰＣ圧着不良の低減ができ、かつ断線不良も低減できる。
したがって、この表示装置１０は、高感度のタッチパネル装置として機能するとともに、映像を表示する装置としても機能する。
そして、この表示装置１０がタッチパネル装置として機能する場合には、以下の作用効果を期待することができる。
上述したように、損傷や汚れの付着を防止しながら、タッチパネルセンサ層６０が安定して作製され得るため、表示装置１０も安定した感度で接触位置または接近位置の検出を行うことができるようになる。
上述したように、損傷や汚れの付着を防止しながら、タッチパネルセンサ層６０が安定して作製され得るため、表示装置１０も安定した感度で接触位置または接近位置の検出を行うことができるようになる。
一方、この表示装置１０が映像を表示する装置として機能する場合、以下の作用効果を期待することができる。
この表示装置１０は、表示装置とは別個に形成されたタッチパネル装置が表示装置に貼り付けられている装置と比較して、照明等の環境光（外光）や映像光等を反射し得る界面の数を減じることができる。これにより、映像光の透過率が上昇してエネルギ効率が向上するとともに、環境光の反射を抑制して表示装置１０に表示される映像のコントラストを向上させることができる。
以上のことから、本実施の形態による表示装置１０によれば、タッチパネル機能を付与されているものの、優れた画質の映像を表示することができる。
この表示装置１０は、表示装置とは別個に形成されたタッチパネル装置が表示装置に貼り付けられている装置と比較して、照明等の環境光（外光）や映像光等を反射し得る界面の数を減じることができる。これにより、映像光の透過率が上昇してエネルギ効率が向上するとともに、環境光の反射を抑制して表示装置１０に表示される映像のコントラストを向上させることができる。
以上のことから、本実施の形態による表示装置１０によれば、タッチパネル機能を付与されているものの、優れた画質の映像を表示することができる。
本実施の形態によれば、タッチパネルセンサ基板は、誘電体層７０の基材４５とは反対側の表面７０ａに、第１センサ電極６１のライン部６３が配置されるとともに、基材４５の他の表面領域には、第１及び第２センサ電極主部６２、６７が配置され、両センサ電極主部によりタッチパネルセンサ層６０の表面全体がほぼ覆われるように設けられている。
したがって、厚さが薄いことから損傷しやすく、また、透明であることから損傷したことを発見されにくいセンサ部６０ａが、樹脂保護層を設けることなく、タッチパネルセンサ一体型カラーフィルタ基板等のように両面にセンサ又はフィルタなどの機能層を連続的に形成しても、基板表面の損傷及び基板表面への汚れの付着を、極めて効果的に防止することができる。
すなわち、タッチパネルセンサ層６０は、取り扱い中における外部との接触に対し、例えばカラーフィルタ層６０の形成中における搬送手段のローラーとの接触に対し、優れた耐久性を示す。
すなわち、タッチパネルセンサ層６０は、取り扱い中における外部との接触に対し、例えばカラーフィルタ層６０の形成中における搬送手段のローラーとの接触に対し、優れた耐久性を示す。
［端子部構造の第２の実施の形態］
次に、図６を主に参照して、本発明における端子部構造の第２の実施の形態について説明する。ここで、図６は、タッチパネルセンサ基板の端子部の拡大した断面図である。なお、図１〜図５と同じ部分については同じ符号を付して、その詳しい説明を省略する。
次に、図６を主に参照して、本発明における端子部構造の第２の実施の形態について説明する。ここで、図６は、タッチパネルセンサ基板の端子部の拡大した断面図である。なお、図１〜図５と同じ部分については同じ符号を付して、その詳しい説明を省略する。
本発明のタッチパネルセンサ基板に形成される端子部の他の構造の実施の形態としては、図６に拡大図として示した積層端子部の領域となるように端子部が形成、配置される。
上述した第１の端子部構造の実施の形態では、基材４５の一側の表面上４５ａに形成された高導電率導電材料層の金属ラインからなる取り出しライン７３、７４及びその配線端子接続部７３ｅ、７４ｅをＩＴＯ透明導電体層７５ｂ及び又は７５ｃで被覆し、さらに保護層４２により被覆された積層構造で電気的に接続され、かつ保護され、しかも、ＩＴＯ透明導電体層のみにより端子部７３ｔ、７４ｔが形成された構造のものである。
上述した第１の端子部構造の実施の形態では、基材４５の一側の表面上４５ａに形成された高導電率導電材料層の金属ラインからなる取り出しライン７３、７４及びその配線端子接続部７３ｅ、７４ｅをＩＴＯ透明導電体層７５ｂ及び又は７５ｃで被覆し、さらに保護層４２により被覆された積層構造で電気的に接続され、かつ保護され、しかも、ＩＴＯ透明導電体層のみにより端子部７３ｔ、７４ｔが形成された構造のものである。
本発明の第２の端子部構造の実施の形態は、図６に示されているように端子部７３ｔ、７４ｔは同じであるが、端子部を形成するＩＴＯ透明導電体層と取り出しライン部の配線端子接続部７３ｅ、７４ｅとの積層構造が異なる。
すなわち、端子部７３ｔ、７４ｔは、透明基材上に直接形成されたＩＴＯ透明導電体層から構成される接続端子部７５ｂと、端子部を形成するＩＴＯ透明導電体層が取り出しライン部へと伸びており、そのＩＴＯ透明導電体層上に各取り出しライン７３、７４の端子部領域側に形成される第１配線端子接続部７３ｅ及び第２配線端子接続部７４ｅとを備え、さらに取り出しラインを保護層４２で被覆した積層構造を形成する。
すなわち、端子部７３ｔ、７４ｔは、透明基材上に直接形成されたＩＴＯ透明導電体層から構成される接続端子部７５ｂと、端子部を形成するＩＴＯ透明導電体層が取り出しライン部へと伸びており、そのＩＴＯ透明導電体層上に各取り出しライン７３、７４の端子部領域側に形成される第１配線端子接続部７３ｅ及び第２配線端子接続部７４ｅとを備え、さらに取り出しラインを保護層４２で被覆した積層構造を形成する。
図６から分かるように、基材４５の一側の表面上４５ａにＩＴＯ透明導電体層７５ｂを直接成膜し、そのＩＴＯ透明導電体層上に取り出しライン７３、７４及びその配線端子接続部７３ｅ、７４ｅを積層形成し、その配線端子接続部を、保護層４２を成膜して被覆し、配線端子接続部７３ｅ、７４ｅをＩＴＯ透明導電体層７５ｂと保護層４２により包囲するように被覆保護した構造である。
本発明の第１配線端子接続部７３ｅおよび第２配線端子接続部７４ｅは、ＩＴＯ透明導電体層の表面に金属材料を積層し、重ね合わされ、端子部と面接触して電気的に接続する。
本発明の端子部７３ｔ、７４ｔと各配線端子接続部７３ｅ、７４ｅとの接続部は、図６に示したように、前記透明基材、前記ＩＴＯ透明導電体層及び配線端子接続部が積層された積層部分（配線部）及びＩＴＯ透明導電体層上に積層形成した配線端子接続部７３ｅ、７４ｅを保護層４２により被覆されている。
本発明の端子部７３ｔ、７４ｔと各配線端子接続部７３ｅ、７４ｅとの接続部は、図６に示したように、前記透明基材、前記ＩＴＯ透明導電体層及び配線端子接続部が積層された積層部分（配線部）及びＩＴＯ透明導電体層上に積層形成した配線端子接続部７３ｅ、７４ｅを保護層４２により被覆されている。
本発明は、このように、端子部７３ｔ、７４ｔは、従来の端子部とは異なり、ＩＴＯ透明導電体層のみからなる端子部が形成され、高導電率金属材料からなる金属ラインの配線端子接続部７３ｅ、７４ｅ及びその端縁は保護層４２により包囲、被覆された構造となる。
そのことにより、配線端子接続部７３ｅ、７４ｅは、端子部に入り込むことなく、直接、外部に露出することがなく、しかも、その端縁は、ＩＴＯ透明導電体層７５ｂ及び保護層４２により包囲されるように被覆、保護される。
本発明の端子部と取り出しラインとの接続は、配線端子接続部７３ｅ、７４ｅがＩＴＯ透明導電体層７５ｂ上で保護層４２により包囲されるように被覆されていることから、保護層の厚さを調整することで配線端子接続部の端縁を保護層でしっかりと確実に保護される。
そのことにより、配線端子接続部７３ｅ、７４ｅは、端子部に入り込むことなく、直接、外部に露出することがなく、しかも、その端縁は、ＩＴＯ透明導電体層７５ｂ及び保護層４２により包囲されるように被覆、保護される。
本発明の端子部と取り出しラインとの接続は、配線端子接続部７３ｅ、７４ｅがＩＴＯ透明導電体層７５ｂ上で保護層４２により包囲されるように被覆されていることから、保護層の厚さを調整することで配線端子接続部の端縁を保護層でしっかりと確実に保護される。
以上のような構成の端子部構造を有するタッチパネル基板（第１基板）４０は、図７ｂに示すフローチャートのように、第１の実施の形態と同様の方法により、各工程の順序を変更して製造することができる。
本発明の第２の端子部構造の実施の形態では、第１導電体層の形成工程（図７ｂの工程Ｓａ１）において、先ず、取り出しライン７３、７４及びその配線端子接続部７３ｅ、７４ｅ及び端子部を第１導電体層７５ｂのＩＴＯ透明導電体層で形成するため、基材４５の一側の表面４５ａのアクティブエリアＡ１及び非アクティブエリアＡ２全体にＩＴＯ透明導電材料を用いてＩＴＯ透明導電体層を成膜する。
該透明導電体層を形成するＩＴＯ導電体材料は、アモルファス状ＩＴＯでも多結晶ＩＴＯでもよい。
第１導電体層を成膜した後、第１導電体層をパターニングする工程が実行される。上述したようにフォトリソグラフ法でパターンを形成した後、シュウ酸を主成分とする弱酸あるいは王水等のハロゲン化水素酸でエッチングする方法により所望の形状にエッチング加工され、最終的に低抵抗な多結晶ＩＴＯにしてセンサ電極を形成する。
該透明導電体層を形成するＩＴＯ導電体材料は、アモルファス状ＩＴＯでも多結晶ＩＴＯでもよい。
第１導電体層を成膜した後、第１導電体層をパターニングする工程が実行される。上述したようにフォトリソグラフ法でパターンを形成した後、シュウ酸を主成分とする弱酸あるいは王水等のハロゲン化水素酸でエッチングする方法により所望の形状にエッチング加工され、最終的に低抵抗な多結晶ＩＴＯにしてセンサ電極を形成する。
本実施の形態の第２センサ電極６６の主部６７を第２方向に接続するブリッジ部６８を基材上に形成する工程において、ブリッジ部６８にＩＴＯ透明導電体を用いる場合と、該ブリッジ部６８に高導電率金属又は導電体を用いる場合が可能である。
ブリッジ部６８にＩＴＯ透明導電体を用いる場合は、第１導電体層のＩＴＯ透明導電体層が基材４５の一側の表面全面に均一に成膜され、その後、該ブリッジ部６８のパターニング並びに周辺部の周縁配線が配置される非アクティブエリアＡ２及び端子部のパターニングが、この第１導電体層の形成工程（図７ｂの工程Ｓａ１）において、同時に実行される。
上記第１導電体層をパターニングした後に、高導電率導電材料の金属を用いて取り出しライン７３、７４及びその配線端子接続部７３ｅ、７４ｅを形成するため、金属層を非アクティブエリアＡ２の第１導電体層７５ｂの取り出しライン部６０ｂの上に成膜し、取り出しライン７３、７４及びその配線端子接続部７３ｅ、７４ｅをパターニングし、形成する（図７ｂの工程Ｓａ２）。
ブリッジ部６８にＩＴＯ透明導電体を用いる場合は、第１導電体層のＩＴＯ透明導電体層が基材４５の一側の表面全面に均一に成膜され、その後、該ブリッジ部６８のパターニング並びに周辺部の周縁配線が配置される非アクティブエリアＡ２及び端子部のパターニングが、この第１導電体層の形成工程（図７ｂの工程Ｓａ１）において、同時に実行される。
上記第１導電体層をパターニングした後に、高導電率導電材料の金属を用いて取り出しライン７３、７４及びその配線端子接続部７３ｅ、７４ｅを形成するため、金属層を非アクティブエリアＡ２の第１導電体層７５ｂの取り出しライン部６０ｂの上に成膜し、取り出しライン７３、７４及びその配線端子接続部７３ｅ、７４ｅをパターニングし、形成する（図７ｂの工程Ｓａ２）。
また、該ブリッジ部６８に高導電率金属又は導電体を用いる場合、第１導電体層の形成工程で非アクティブエリアＡ２のみにＩＴＯ透明導電体層を成膜後、取り出しラインの形成工程（図７ｂの工程Ｓａ２）において、非アクティブエリアＡ２の取り出しライン部６０ｂの該第１導電体層のＩＴＯ透明導電体層上、及びブリッジ部を形成するセンサ部６０ａのアクティブエリア領域Ａ１に金属層又は導電体層を成膜し、金属層等を第１導電体層７５ｂの前記ＩＴＯ透明導電体層上に積層形成し、取り出しライン７３、７４及びその配線端子接続部７３ｅ、７４ｅの金属ライン部７５ａ並びにブリッジ部６８を一緒にパターニングし、形成することもできる。
本第２の実施の形態においても、誘電体層７０の形成工程（図７ｂの工程Ｓａ３）において、上記第１の実施の形態と同様にブリッジ部６８の表面領域を、第２センサ電極６６の主部６７と電気的に接続する連結部位を残してブリッジ部６８を被覆するように第２方向に誘電体層７０を形成する。
次に、第２導電体層の形成工程（図７ｂの工程Ｓａ４）において、誘電体層７０をパターニングした後、本発明のタッチパネルセンサ部を構成する第１センサ電極６１および第２センサ電極６６の主部６７を形成するため、ＩＴＯ透明導電材料を用いてセンサ部６０のアクティブエリア領域Ａ１に第２導電体層を成膜する。
次いで、タッチパネルセンサ部を形成する該成膜した第２導電体層は、上記第１の実施の形態の同様に、フォトリソグラフィ技術を用いて、第１センサ電極６１および第２センサ電極６６の主部６７をパターニングし、形成する。
この第２導電体層の形成工程において、非アクティブエリアＡ２にもＩＴＯ透明導電材料を用いて第２導電体層を成膜し、取り出しライン部６０ｂの取り出しライン７３、７４及びその配線端子接続部７３ｅ、７４ｅに第２導電体層７５ｃを形成してもよい。
その後、保護層４２の形成工程（図７ｂの工程Ｓａ５）において、形成した取り出しライン７３、７４及び配線端子接続部７３ｅ、７４ｅの積層構造からなる端子部領域並びにタッチパネルセンサ部に保護層７０を成膜し、被覆する。
次いで、タッチパネルセンサ部を形成する該成膜した第２導電体層は、上記第１の実施の形態の同様に、フォトリソグラフィ技術を用いて、第１センサ電極６１および第２センサ電極６６の主部６７をパターニングし、形成する。
この第２導電体層の形成工程において、非アクティブエリアＡ２にもＩＴＯ透明導電材料を用いて第２導電体層を成膜し、取り出しライン部６０ｂの取り出しライン７３、７４及びその配線端子接続部７３ｅ、７４ｅに第２導電体層７５ｃを形成してもよい。
その後、保護層４２の形成工程（図７ｂの工程Ｓａ５）において、形成した取り出しライン７３、７４及び配線端子接続部７３ｅ、７４ｅの積層構造からなる端子部領域並びにタッチパネルセンサ部に保護層７０を成膜し、被覆する。
以上のとおり、図７ａ、７ｂのタッチパネルセンサ層を形成するフローチャートは、飽くまでも、タッチパネルセンサ層６０を形成するための基本となる工程例を示したものであり、これに限定されない。各工程の順序は適宜変更することができ、それにより、要求される端子部構造のタッチパネルセンサ層等を形成することができる。
［タッチパネルセンサ層の他の実施形態１］
上述した端子部構造の第１及び第２の実施の形態では、タッチパネルセンサ層は、基材４５の一側の表面上に、第１センサ電極６１および第２センサ電極６６の主部６７が配置されている。
そして、第１センサ電極６１および第２センサ電極６６の主部６７並びに複数の第２センサ電極主部６７の第２方向に隣り合う第２センサ電極主部６７を連結し、電気的に接続するブリッジ部６８の基材４５とは反対側（主部６７の一側）に、誘電体層７０を介して、第１センサ電極６１のライン部６３が配置される。
上述した端子部構造の第１及び第２の実施の形態では、タッチパネルセンサ層は、基材４５の一側の表面上に、第１センサ電極６１および第２センサ電極６６の主部６７が配置されている。
そして、第１センサ電極６１および第２センサ電極６６の主部６７並びに複数の第２センサ電極主部６７の第２方向に隣り合う第２センサ電極主部６７を連結し、電気的に接続するブリッジ部６８の基材４５とは反対側（主部６７の一側）に、誘電体層７０を介して、第１センサ電極６１のライン部６３が配置される。
本発明の他の実施形態１のタッチパネルセンサ層は、図１０ａ及び１０ｂに示すように上記した本発明の第１及び第２の端子部構造の実施の形態と、タッチパネルセンサ層６０のセンサ部６０ａの構成が下記の点で異なるものであって、その他は同様に構成することができる。
すなわち、タッチパネルセンサ層の他の実施の形態（図１０ａ及び１０ｂ）では、基材４５の一側の表面上に、第２センサ電極６６のブリッジ部６８が配置されているだけで、第２センサ電極６６のブリッジ部６８の基材４５とは反対側（ブリッジ部６８の一側）表面４５ａ上を含む基材４５の表面全体を、誘電体層７０で被覆するように配置されている。
そして、その誘電体層７０の表面全体を、第１センサ電極６１および第２センサ電極６６の主部６７が覆うように配置されている。
以下、図面を参照しながら、さらに詳しく説明する。
すなわち、タッチパネルセンサ層の他の実施の形態（図１０ａ及び１０ｂ）では、基材４５の一側の表面上に、第２センサ電極６６のブリッジ部６８が配置されているだけで、第２センサ電極６６のブリッジ部６８の基材４５とは反対側（ブリッジ部６８の一側）表面４５ａ上を含む基材４５の表面全体を、誘電体層７０で被覆するように配置されている。
そして、その誘電体層７０の表面全体を、第１センサ電極６１および第２センサ電極６６の主部６７が覆うように配置されている。
以下、図面を参照しながら、さらに詳しく説明する。
図１０ａ及び１０ｂに示すように、この実施の形態では、基材の一側の表面４５ａ上に、第１方向および第１方向と交差する第２方向に並べられて、導電体からなる複数のブリッジ部６８が設けられている。そして、この複数のブリッジ部６８を含み基材の一側の表面全体に、誘電体層７０が形成されている。
誘電体層７０には、複数の各ブリッジ部６８にそれぞれ対応して、スルーホール７１が形成されている。スルーホール７１は、対応するブリッジ部６８に通じている。図１０ａから理解できるように、各ブリッジ部６８に対して、それぞれ、二つのスルーホール７１が形成されている。一つのブリッジ部６８に対応して設けられた二つのスルーホール７１は、第２方向に互いから離間している。
誘電体層７０には、複数の各ブリッジ部６８にそれぞれ対応して、スルーホール７１が形成されている。スルーホール７１は、対応するブリッジ部６８に通じている。図１０ａから理解できるように、各ブリッジ部６８に対して、それぞれ、二つのスルーホール７１が形成されている。一つのブリッジ部６８に対応して設けられた二つのスルーホール７１は、第２方向に互いから離間している。
誘電体層７０には、複数の第１センサ電極６１が設けられている。各第１センサ電極６１は、第１方向に並べられた複数のブリッジ部６８を横切るようにして、第１方向に延びている。各第１センサ電極６１は、各ブリッジ部６８に対応して設けられた二つのスルーホール７１の間を通過して、誘電体層７０の表面７０ａ上を延びている。
すなわち、第１センサ電極６１は、誘電体層７０を介し、非接触状態で第１センサ電極の幅狭のライン部６３が、各ブリッジ部６８を横切っている。図示する例では、複数の第１センサ電極６１は、第２方向に並べて等間隔で配置されている。
すなわち、第１センサ電極６１は、誘電体層７０を介し、非接触状態で第１センサ電極の幅狭のライン部６３が、各ブリッジ部６８を横切っている。図示する例では、複数の第１センサ電極６１は、第２方向に並べて等間隔で配置されている。
さらに、誘電体層７０上には、第２センサ電極６６の主部６７が設けられている。その第２センサ電極６６の主部６７は、基板上に形成された複数のブリッジ部６８のうちの、第２方向に隣り合う二つのブリッジ部６８に対応して形成されている各スルーホール７１のそれぞれに対応する位置に設けられている。各第２センサ電極６６の主部６７は、誘電体層７０上を延びてスルーホール７１を通過し、第１センサ電極６１と非接触状態で対応する二つのブリッジ部６８に連結している。第２方向に隣り合う各二つの第２センサ電極６６の主部６７は、ブリッジ部６８によって連結し、第２センサ電極主部６７を電気的に接続している。
本実施の形態では、上記第１及び第２の実施の形態と同様に、第１方向に沿った断面である図１０ａに示すように、タッチパネルセンサ基板の表面全体、すなわち誘電体層７０の基材４５とは反対側の表面７０ａは、第１センサ電極６１と第２センサ電極６６により覆われている。
誘電体層７０の表面７０ａの領域には、第１センサ電極６１及び複数の第２センサ電極主部６７が配置されている。第１センサ電極６１の幅狭のライン部６３は、第１センサ電極の幅太の主部６２よりも、基材４５の一側の表面４５ａに位置するブリッジ部と交差するように、二つのスルーホールの間の領域の誘電体層７０の表面７０ａに配置されている。
誘電体層７０の表面７０ａの領域には、第１センサ電極６１及び複数の第２センサ電極主部６７が配置されている。第１センサ電極６１の幅狭のライン部６３は、第１センサ電極の幅太の主部６２よりも、基材４５の一側の表面４５ａに位置するブリッジ部と交差するように、二つのスルーホールの間の領域の誘電体層７０の表面７０ａに配置されている。
また、第２方向に沿った断面である図１０ｂに示すように、誘電体層７０の基材４５とは反対側の表面７０ａは、第２センサ電極６６の各ブリッジ部６８に対面する領域において、第２センサ電極６６の主部６７が設けられている。すなわち、誘電体層７０の厚みはタッチパネルセンサ部全体で均一な厚みを有し、その表面に第１センサ電極６１及び第２センサ電極６６が誘電体層の表面全体をほぼ覆うように設けられ、基材４５の表面４５ａ上に形成されたブリッジ部６８に対応する箇所に形成されたスルーホール７１を介して第２センサ電極６６の主部６７とブリッジ部６８とが接続されている。
以上のような構成のタッチパネルセンサ層６０を有したタッチパネル基板（第１基板）４０は、上記実施の形態と同様に、図７ｃに示すフローチャートにしたがって、製造することができる。
取り出しラインの形成工程（図７ｃの工程Ｓａ１）を実行する際、ブリッジ部６８を金属ラインで形成する場合、第１導電体層の形成工程（図７の工程Ｓａ２）を取り出しラインの形成工程と同時に形成することができる（図７ｃの工程Ｓａ１）。
基材４５上のアクティブエリアＡ１及び非アクティブエリアＡ２に高導電率材料の金属層を成膜し、取り出しライン部６０ｂの取り出しライン７３、７４及びその配線端子接続部７３ｅ、７４ｅと、ブリッジ部６８を同時にパターニングし、金属ライン部７５ａを形成する（図７ｃの工程Ｓａ１、図１０ａ）。
基材４５上のアクティブエリアＡ１及び非アクティブエリアＡ２に高導電率材料の金属層を成膜し、取り出しライン部６０ｂの取り出しライン７３、７４及びその配線端子接続部７３ｅ、７４ｅと、ブリッジ部６８を同時にパターニングし、金属ライン部７５ａを形成する（図７ｃの工程Ｓａ１、図１０ａ）。
ブリッジ部を導電体で形成する場合、取り出しラインの形成工程とブリッジ部の形成工程を別々に行うようにし、非アクティブエリアＡ２に金属層を成膜し、取り出しライン部６０ｂの取り出しライン７３、７４及びその配線端子接続部７３ｅ、７４ｅをパターニングし、形成した後、アクティブエリアＡ１に導電材料を用いて第１導電体層を成膜し、ブリッジ部をパターニングし、形成する（図７ｃの工程Ｓａ１）。その際、取り出しライン部６０ｂの金属ライン部７５ａ上に導電体層７５ｂを積層成膜し、積層端子部構造とすることもできる。
ブリッジ部をＩＴＯ透明導電体で形成する場合、取り出しライン部６０ｂをパターニングし、形成した後、第１導電体層を成膜し、ブリッジ部６８をパターニングし、形成する。
当該ブリッジ部６８を形成する際に、取り出しライン部６０ｂの金属層７５ａ上にＩＴＯ透明導電体層７５ｂを成膜するか及び又は第２導電体層を形成する際に、ＩＴＯ透明導電体層７５ｃを成膜し、取り出しライン７３、７４の金属層上にＩＴＯ透明導電体層が積層した取り出しラインをパターニングし、形成する（図７ｃの工程Ｓａ３、図１０ａ）。
当該ブリッジ部６８を形成する際に、取り出しライン部６０ｂの金属層７５ａ上にＩＴＯ透明導電体層７５ｂを成膜するか及び又は第２導電体層を形成する際に、ＩＴＯ透明導電体層７５ｃを成膜し、取り出しライン７３、７４の金属層上にＩＴＯ透明導電体層が積層した取り出しラインをパターニングし、形成する（図７ｃの工程Ｓａ３、図１０ａ）。
本実施の態様のタッチパネルセンサ層６０では、取り出しライン部６０ｂ及びブリッジ部６８を形成した後、誘電体層の形成工程（図７ｃの工程Ｓａ２）において、複数のブリッジ部６８を含み基材の一側のアクティブエリアＡ１全体にブリッジ部の接続部、すなわち、スルーホール７１を除いて誘電体層７０を被覆するか、誘電体層７０を形成した後、パターニングにより誘電体層のスルーホール７１を形成することもできる。
次いで、第２導電体層の形成工程（図７ｃの工程Ｓａ３）で、誘電体層７０上にブリッジ部６８と電気的な接触を形成するように第２センサ電極６６の主部６７及び第１センサ電極６１を形成するため、ＩＴＯ透明導電材料を用いてＩＴＯ透明導電体層を成膜し、第１センサ電極６６及び第２センサ電極主部６７をパターニングすることによって、第１センサ電極６１、第２センサ電極６６の主部６７及びスルーホール７１を介してブリッジ部６８と第２センサ電極の主部６７との間を連結し、電気的に接続した第２センサ電極６６を形成する（図７ｃの工程Ｓａ３）。
この第１センサ電極６１及び第２センサ電極６６の主部６７を形成する際、ブリッジ部６８を形成する際、端子部７３ｔ、７４ｔ及び配線端子接続部７３ｅ、７４ｅに形成した第１導電体層７５ｂ上に、さらに第２導電体層７５ｃを積層形成することができる（図７ｃの工程Ｓａ３、図１０ａ）。
この第１センサ電極６１及び第２センサ電極６６の主部６７を形成する際、ブリッジ部６８を形成する際、端子部７３ｔ、７４ｔ及び配線端子接続部７３ｅ、７４ｅに形成した第１導電体層７５ｂ上に、さらに第２導電体層７５ｃを積層形成することができる（図７ｃの工程Ｓａ３、図１０ａ）。
最後に、保護層４２の形成工程（図７ｃの工程Ｓａ４）で、端子部７３ｔ、７４ｔを除く、端子部領域の取り出しライン７３、７４、第１導電体層７５ｂ又は及び第２導電体層７５ｃの積層構造の配線端子接続部７３ｅ、７４ｅ並びにアクティブエリアＡ１を保護層４２により被覆、保護する。なお、アクティブエリアＡ１全面を保護層４２で保護しているが、必ずしも該保護層４２は設なくてもよい。
本タッチパネルセンサ層６０の実施の形態によれば、第２センサ電極６６のブリッジ部６８は、誘電体層７０及びＩＴＯ透明導電体層によって覆われ、露出していない。また、誘電体７０の表面全体が第１及び第２センサ電極６１、６６により被覆され、表面透明導電材料からなる硬度の高い無機材料で覆われていることから、取り扱い中における外部との接触によって、例えばカラーフィルタ層６０の形成中における搬送手段のローラーとの接触によって、タッチパネルセンサ基板のタッチパネルセンサ層表面及び第２センサ電極６６のブリッジ部６８が損傷するのを防止することができる。
また、第１センサ電極６１のライン部６３は、幅狭であることから損傷されやすいが、第１センサ電極６１のライン部６３や第２センサ電極６６のブリッジ部６８と比較し、幅が太いセンサ電極主部６２、６７によって周囲から取り囲まれることになり、ライン部６３を効果的に保護することができるとともに、優れた耐久性を有する。
［タッチパネルセンサ層の他の実施形態２］
第１センサ電極６１の主部６２および第２センサ電極６６の主部６７は、第１センサ電極６１のライン部６３と第２センサ電極６６のブリッジ部６８の交差する領域において、誘電体層７０の表面７０ａに第１センサ電極の幅狭のライン部６３が位置しており、タッチパネルセンサ層６０の取り扱い中に、センサ部６０ａと外部とが局所的に接触して、センサ部６０ａに大きな力が加わった場合にライン部を確実に保護するため、図１１に示すように、必要最小限の小領域、少なくともブリッジ部とスルーホールを保護層４２により被覆するために、保護層を形成することもできる。
本実施の形態によるタッチパネルセンサ層６０も、従来のものより透過率が向上し、かつ端子部を含め十分な耐久性を有している。
第１センサ電極６１の主部６２および第２センサ電極６６の主部６７は、第１センサ電極６１のライン部６３と第２センサ電極６６のブリッジ部６８の交差する領域において、誘電体層７０の表面７０ａに第１センサ電極の幅狭のライン部６３が位置しており、タッチパネルセンサ層６０の取り扱い中に、センサ部６０ａと外部とが局所的に接触して、センサ部６０ａに大きな力が加わった場合にライン部を確実に保護するため、図１１に示すように、必要最小限の小領域、少なくともブリッジ部とスルーホールを保護層４２により被覆するために、保護層を形成することもできる。
本実施の形態によるタッチパネルセンサ層６０も、従来のものより透過率が向上し、かつ端子部を含め十分な耐久性を有している。
［タッチパネルセンサ層の他の実施形態３］
上述した第１及び第２のタッチパネルセンサ層の実施の形態に対して、さらに、変更を加えることが可能である。以下、別のタッチパネルセンサ層の実施の態様について図７ｄ、図１２を用いて説明する。
第１及び第２の実施の形態のタッチパネルセンサ層において、第１導電体層をパターニングすることでブリッジ部６８を形成したが、本実施の形態では、第１導電体層をパターニングすることによって、第１センサ電極６１及び第２センサ電極６６の主部６７を、基材４５の一側の表面４５ａに直接形成する点で異なる。
上述した第１及び第２のタッチパネルセンサ層の実施の形態に対して、さらに、変更を加えることが可能である。以下、別のタッチパネルセンサ層の実施の態様について図７ｄ、図１２を用いて説明する。
第１及び第２の実施の形態のタッチパネルセンサ層において、第１導電体層をパターニングすることでブリッジ部６８を形成したが、本実施の形態では、第１導電体層をパターニングすることによって、第１センサ電極６１及び第２センサ電極６６の主部６７を、基材４５の一側の表面４５ａに直接形成する点で異なる。
また、本発明の実施の形態では、第１導電体層の形成工程又は及び第２導電体層の形成工程において、取り出しライン部６０ｂと端子部７３ｔ、７４ｔを、ＩＴＯ透明導電材料を用いて第１導電体層７５ｂ又は及び第２導電体層７５ｃとして形成し、そのＩＴＯ導電体層上に金属ライン層７５ａを形成することができる。
基材４５の表面に第１及び第２センサ電極の主部６２及び６７が形成されることから、タッチパネルセンサ層に積層した部位が少なく、積層部位からの剥離の発生原因が少ない、基材と確実に密接したセンサ電極層が形成され、耐久性がよいものである。
基材４５の表面に第１及び第２センサ電極の主部６２及び６７が形成されることから、タッチパネルセンサ層に積層した部位が少なく、積層部位からの剥離の発生原因が少ない、基材と確実に密接したセンサ電極層が形成され、耐久性がよいものである。
以上のような構成のタッチパネルセンサ層６０を有するタッチパネルセンサ表示基板（第１基板）４０は、上記実施の形態と同様に、図７ｄに示すフローチャートにしたがって、製造することができる。
タッチパネルセンサ層６０の本実施の形態では、取り出しラインの形成を行わず、第１導電体層の形成工程（図７ｄの工程Ｓａ１）において、ＩＴＯ透明導電材料を用いて第１センサ電極６１及び第２センサ電極主部６７並びに端子部領域にＩＴＯ透明導電体層を成膜し、パターニング形成し、その後、取り出しラインの形成工程において、取り出しライン７３、７４の金属層をＩＴＯ透明導電体層上に成膜し、端子部構造を積層形成する。
次いで、誘電体層７０の形成工程（図７ｄの工程Ｓａ３）において、ライン部６３とブリッジ部６８が交差する領域のライン部６３の基材４５とは反対側の表面４５ａに、誘電体層７０を成膜し、パターニング形成する。
次いで、誘電体層７０の形成工程（図７ｄの工程Ｓａ３）において、ライン部６３とブリッジ部６８が交差する領域のライン部６３の基材４５とは反対側の表面４５ａに、誘電体層７０を成膜し、パターニング形成する。
その後、本実施の形態では、第２導電体層の形成工程（図７ｄの工程Ｓａ４）で、ブリッジ部６８を、ライン部６３とブリッジ部６８が交差する領域を覆っている誘電体層７０の表面７０ａ上に第１センサ電極のライン部６３を跨ぐように配置し、第１センサ電極６１と非接触状態で交差し、かつ第２方向に隣り合う二つの第２センサ電極主部６７を連結し、電気的に接続して第２方向へ延びる並列配置された第２センサ電極６６を形成する。
ブリッジ部６８をＩＴＯ透明導電体で形成する場合、第２センサ電極６６のブリッジ部６８を形成する際に、端子部７３ｔ、７４ｔ並びに取り出しライン７３、７４及び配線端子接続部７３ｅ、７４ｅの取り出しライン部６０ｂにＩＴＯ透明導電体層を成膜し、パターニングし、第２導電体層７５ｃを積層形成することもできる。
次いで、保護層の形成工程（図７ｄの工程Ｓａ５）において、上記形成されたタッチパネルセンサ部６０ａ及び周辺配線を保護するため端子部を除くアクティブエリアＡ１及び非アクティブエリアＡ２全面に保護層４２を形成する。この場合、タッチパネルセンサ層は、ＩＴＯ透明導電体層で覆われているので、保護層４２を必ずしも形成しなくてもよい。
次いで、保護層の形成工程（図７ｄの工程Ｓａ５）において、上記形成されたタッチパネルセンサ部６０ａ及び周辺配線を保護するため端子部を除くアクティブエリアＡ１及び非アクティブエリアＡ２全面に保護層４２を形成する。この場合、タッチパネルセンサ層は、ＩＴＯ透明導電体層で覆われているので、保護層４２を必ずしも形成しなくてもよい。
また、ブリッジ部６８を金属ラインで形成する場合、上記取り出しラインの形成工程を省略して、第２導電体層の形成工程において、第１導電体層上に金属層の第２導電体層７５ａを積層成膜し、取り出しライン７３、７４及び配線端子接続部７３ｅ、７４ｅの取り出しライン部６０ｂに金属ライン部７５ａを形成することもできる。
第２導電体層の形成工程において金属層を形成する場合は、特に、タッチパネルセンサ層６０全面に均一に保護層４２を形成することで、金属層から形成されるブリッジ部６８及び取り出しライン部６０ｂを保護することが必要である（図７ｄの工程Ｓａ５）。
第２導電体層の形成工程において金属層を形成する場合は、特に、タッチパネルセンサ層６０全面に均一に保護層４２を形成することで、金属層から形成されるブリッジ部６８及び取り出しライン部６０ｂを保護することが必要である（図７ｄの工程Ｓａ５）。
本実施の形態において、第２センサ電極６６のブリッジ部６８がＩＴＯ透明導電体の場合には、誘電体層７０上に露出し、センサ電極主部６２、６７から誘電体層７０の厚みの分だけ僅かに突出するが、タッチパネルセンサ層６０の表面全体が第１及び第２センサ電極６１、６６により被覆され、しかも、無機材料の透明導電材料であって、タッチパネルセンサ層の表面全体が、硬度の高い突起部が所定間隔で配置されていることから、表面硬度の高いセンサ電極層により実質的に保護される。
その結果、タッチパネルセンサ基板の取り扱い中における外部との接触によって、例えば、カラーフィルタ層６０の形成中における搬送手段のローラーとの接触によって、タッチパネルセンサ基板のタッチパネルセンサ層６０表面及び第２センサ電極６６のブリッジ部６８が損傷するのを防止することができる。
また、ブリッジ部６８が突出するので、既に述べたように、幅狭であることから損傷されやすい第２センサ電極６６のブリッジ部６８を保護層４２で被覆することにより、ブリッジ部６８を効果的に保護することができ、耐久性を向上することもできる。
その結果、タッチパネルセンサ基板の取り扱い中における外部との接触によって、例えば、カラーフィルタ層６０の形成中における搬送手段のローラーとの接触によって、タッチパネルセンサ基板のタッチパネルセンサ層６０表面及び第２センサ電極６６のブリッジ部６８が損傷するのを防止することができる。
また、ブリッジ部６８が突出するので、既に述べたように、幅狭であることから損傷されやすい第２センサ電極６６のブリッジ部６８を保護層４２で被覆することにより、ブリッジ部６８を効果的に保護することができ、耐久性を向上することもできる。
上記した保護層４２は、例えばアクリル系ポリマー等の有機材料をタッチパネルセンサ層６０上にコーティングして有機材料層を形成し、さらに、フォトリソグラフィ技術を用いてこの有機材料層をパターニングすることによって、形成され得る。このような方法によれば、タッチパネルセンサ層６０の所望の領域のみを覆う保護層を作製することができる。あるいは、保護層４２は、蒸着またはスパッタリングによって、例えばＳｉＯ2、ＳｉＯＮ等の無機材料をタッチパネルセンサ層６０上に付着させることによっても、作製され得る。
この態様によれば、タッチパネルセンサ層６０をメタルマスクでマスキングした状態で、蒸着またはスパッタリングを行うことにより、または、蒸着またはスパッタリングで形成した無機材料層をフォトリソグラフィ技術でパターニングすることにより、無機材料からなる保護層が、タッチパネルセンサ層６０の所望の領域のみを覆うようにすることができる。
なお、保護層４２は、タッチパネルセンサ層６０を形成する工程の後であってカラーフィルタ層５０を形成する工程の前に、端子部を除いた基材表面の全面に形成されることが好ましい。保護層は端子部を除く非アクティブエリアの配線端子接続部及び取り出しラインを被覆するようにしてよい。
なお、保護層４２は、タッチパネルセンサ層６０を形成する工程の後であってカラーフィルタ層５０を形成する工程の前に、端子部を除いた基材表面の全面に形成されることが好ましい。保護層は端子部を除く非アクティブエリアの配線端子接続部及び取り出しラインを被覆するようにしてよい。
この場合、基材４５の一側にタッチパネルセンサ層６０を形成した後に、基材４５の一側を下に向けた状態で、搬送手段によって、作製中の基板４０を繰り返し移動および停止させながら、基材４５の他側にカラーフィルタ層５０を形成したとしても、保護層４２によってタッチパネルセンサ層６０のブリッジ部６８を保護することができる。
それにより、タッチパネルセンサ層６０が損傷したり、タッチパネルセンサ層６０に汚れが付着したりすることを防止することができる。この結果、期待した機能を発揮し得るタッチパネルセンサ層６０を有した表示装置用基板４０が安定して得られるようになる。
それにより、タッチパネルセンサ層６０が損傷したり、タッチパネルセンサ層６０に汚れが付着したりすることを防止することができる。この結果、期待した機能を発揮し得るタッチパネルセンサ層６０を有した表示装置用基板４０が安定して得られるようになる。
基材４５のタッチパネルセンサ層側の表面には、第１センサ電極６１の主部６２と第２センサ電極６６の主部６７とが露出している。これらの第１センサ電極６１の主部６２および第２センサ電極６６の主部６７は、第１センサ電極６１のライン部６３や第２センサ電極６６のブリッジ部６８と比較し、幅が太いことから基材と密接着し、優れた耐久性を有している。
第１センサ電極６１の主部６２と第２センサ電極６６の主部６７は、アクティブエリアＡ１内において、基材４５上の大部分を占めていることから、タッチパネルセンサ層６０の取り扱い中に、センサ部６０ａと外部とが局所的に接触して、センサ部６０ａに大きな力が加わってしまうことが、効果的に抑制される。この結果、本実施の形態によるタッチパネルセンサ層６０も、損傷や汚れの付着を防止しながら、安定して作製することができる。
第１センサ電極６１の主部６２と第２センサ電極６６の主部６７は、アクティブエリアＡ１内において、基材４５上の大部分を占めていることから、タッチパネルセンサ層６０の取り扱い中に、センサ部６０ａと外部とが局所的に接触して、センサ部６０ａに大きな力が加わってしまうことが、効果的に抑制される。この結果、本実施の形態によるタッチパネルセンサ層６０も、損傷や汚れの付着を防止しながら、安定して作製することができる。
本発明の各実施の態様に示したタッチパネルセンサ層６０の表面に、保護層を設けることなく、センサ電極層が表面に位置するタッチパネルセンサ基板とすることにより、すなわち、タッチパネルセンサ層６０のほぼ表面全体がセンサ電極で占めるように形成したままの状態の第１基板４０とすること、及び、当該センサ電極を形成するＩＴＯ透明導電体層を端子部７３ｔ、７４ｔの導電体層として形成し、かつＩＴＯ透明導電体層により取り出しライン部６０ｂの配線端子接続部７３ｅ、７４ｅを被覆するあるいはＩＴＯ透明導電体層上に取り出しライン部の配線端子接続部を積層形成し、さらに保護層４２で被覆した構造とすることにより、センサ電極材料が鉛筆硬度が６Ｈ〜７Ｈであることから、搬送手段による搬送中に、保護層４２が損傷してしまうことや、保護層４２に汚れが除去不能に付着してしまうこと等を効果的に防止することができ、しかも、端子部における腐食、剥がれがなく、導通が確実でＦＰＣとの圧着不良を低減できるタッチパネルセンサ基板が実現できる。
以上のとおり、本発明は、センサ電極をほぼ表面全体に配置されたタッチパネルセンサ層を、フォトリソグラフィを用いてパターニングして製造し、併せて、基板上に形成された端子部の導電体層としてセンサ電極の形成に併せてＩＴＯ透明導電体層で形成し、パターニングして製造し、取り出しラインとその配線端子接続部を、ＩＴＯ透明導電体層で被覆するか、ＩＴＯ透明導電体層上に積層形成しかつ保護層により積層部分及び積層縁部を被覆保護した構造により導通を確実にでき、損傷及び汚れ防止ができるので、ＶＡ−モード、ＳＴＮ−モードあるいはプラズマディスプレイなどの表示装置に用いるタッチパネルセンサ層一体型カラーフィルタなどのタッチパネルセンサ基板に有用である。
１０ 表示装置
１２ 表示面
２０ 制御部
３０ 表示パネル
３５ 第２基板（ＴＦＴ基板）
４０ 第１基板（表示装置用基板、タッチパネル基板、カラーフィルタ基板）
４２ 保護層
４５ 基材
４５ａ 一側の面
４５ｂ 他側の面
５０ カラーフィルタ層
６０ タッチパネルセンサ層
６１ 第１センサ電極
６２ 第１センサ電極の主部（主部）
６３ 第１センサ電極ライン部（ライン部）
６６ 第２センサ電極
６７ 第２センサ電極の主部（主部）
６８ 第２センサ電極のブリッジ部（ブリッジ部）
７０ 誘電体層（絶縁層）
７０ａ 表面
７１ スルーホール
７２ 凹部
７３ 第１取り出しライン
７４ 第２取り出しライン
７３ｅ、７４ｅ 配線端子接続部
７３ｔ、７４ｔ 端子部
７５ａ 金属ライン部
７５ｂ 第１導電体層
７５ｃ 第２導電体層
１２ 表示面
２０ 制御部
３０ 表示パネル
３５ 第２基板（ＴＦＴ基板）
４０ 第１基板（表示装置用基板、タッチパネル基板、カラーフィルタ基板）
４２ 保護層
４５ 基材
４５ａ 一側の面
４５ｂ 他側の面
５０ カラーフィルタ層
６０ タッチパネルセンサ層
６１ 第１センサ電極
６２ 第１センサ電極の主部（主部）
６３ 第１センサ電極ライン部（ライン部）
６６ 第２センサ電極
６７ 第２センサ電極の主部（主部）
６８ 第２センサ電極のブリッジ部（ブリッジ部）
７０ 誘電体層（絶縁層）
７０ａ 表面
７１ スルーホール
７２ 凹部
７３ 第１取り出しライン
７４ 第２取り出しライン
７３ｅ、７４ｅ 配線端子接続部
７３ｔ、７４ｔ 端子部
７５ａ 金属ライン部
７５ｂ 第１導電体層
７５ｃ 第２導電体層
Claims (8)
- 透明基材と、
前記透明基材の一側の面上に設けられたタッチパネルセンサ層と、
前記透明基材にタッチパネルセンサ層の周辺に設けられた周縁配線を備えるタッチパネルセンサ基板であって、
前記タッチパネルセンサ層は、第１方向へ延び及び第２方向に並列配置された複数の第１センサ電極と、前記第２方向へ延び及び前記第１方向に並列配置された第２センサ電極とを備え、
周縁配線は前記複数の第１センサ電極にそれぞれ対応して設けられた複数の第１取り出し配線と、前記複数の第２センサ電極にそれぞれ対応して設けられた複数の第２取り出し配線を備え、
各第１取り出し配線は、その一端において当該第１取り出し配線と対応する第１センサ電極と接続され、その他端において外部との接続端子として機能する端子部に接続する第１配線端子接続部が形成されており、
各第２取り出し配線は、その一端において、当該第２取り出し配線と対応する第２センサ電極と接続され、その他端において、外部との接続端子として機能する端子部に接続する第２配線端子接続部が形成され、
前記端子部は、透明基材上に直接形成されたＩＴＯ透明導電体層による端子部と、前記第１配線端子接続部または第２配線端子接続部を備え、
前記第１配線端子接続部および第２配線端子接続部は、透明基材上に直接形成されており、該各配線端子接続部上に重ね合わされ各配線端子接続部の周縁を被覆している前記ＩＴＯ透明導電体層が形成され、前記透明基材、配線端子接続部及び前記ＩＴＯ透明導電体層が順次積層された積層部分を構成しており、該積層部分及び積層縁部が保護層で被覆されていることを特徴とするタッチパネルセンサ基板。 - 透明基材と、
前記透明基材の一側の面上に設けられたタッチパネルセンサ層と、
前記透明基材にタッチパネルセンサ層の周囲を囲むように設けられた周縁配線を備えるタッチパネルセンサ基板であって、
前記タッチパネルセンサ層は、第１方向へ延び及び第２方向に並列配置された複数の第１センサ電極と、前記第２方向へ延び及び前記第１方向に並列配置された第２センサ電極とを備え、
周縁配線は前記複数の第１センサ電極にそれぞれ対応して設けられた複数の第１取り出し配線と、前記複数の第２センサ電極にそれぞれ対応して設けられた複数の第２取り出し配線を備え、
各第１取り出し配線は、その一端において当該第１取り出し配線と対応する第１センサ電極と接続され、その他端において外部との接続端子として機能する端子部に接続する第
１配線端子接続部が形成されており、
各第２取り出し配線は、その一端において、当該第２取り出し配線と対応する第２センサ電極と接続され、その他端において、外部との接続端子として機能する端子部に接続する第２配線端子接続部が形成されており、
前記端子部は、透明基材上に直接形成されたＩＴＯ透明導電体層による端子部と、前記第１配線端子接続部または第２配線端子接続部を備え、
前記第１配線端子接続部および第２配線端子接続部は、透明基材上に形成されたＩＴＯ透明導電体層上に重ね合わされ形成されており、前記透明基材、前記ＩＴＯ透明導電体層及び前記各配線端子接続部が順次積層された積層部分を構成しており、該積層部分及び積層縁部が保護層で被覆されていることを特徴とするタッチパネルセンサ基板。 - 前記タッチパネルセンサ層が形成された前記透明基材の他側の面上に、カラーフィルタ層を有することを特徴とする請求項１又は２に記載のタッチパネルセンサ基板。
- 前記タッチパネルセンサ層上に接着層を介して透明基材を更に積層したことを特徴とする請求項３に記載のタッチパネルセンサ基板。
- 前記透明基材が偏光板であることを特徴とする請求項３に記載のタッチパネルセンサ基板。
- 請求項３記載のカラーフィルタ層を有するタッチパネルセンサ基板を製造する方法において、
前記タッチパネルセンサのセンサ電極と、取り出し配線と、配線端子接続部と、端子部と保護層と、を形成した後に、前記透明基材の他方の主面上に、アモルファス状のＩＴＯ薄膜層を形成し、シュウ酸を主成分とする弱酸でエッチング加工し、その後、アニール処理することにより、前記アモルファス状のＩＴＯを結晶化させてカラーフィルタ部に透明電極を形成する工程、
を備えたことを特徴とするタッチパネルセンサ基板の製造方法。 - 請求項１記載のタッチパネルセンサ基板又は請求項１を引用した請求項３を引用する請求項６記載のタッチパネルセンサ基板の製造方法において、
タッチパネルセンサを形成する工程が、前記透明基材にタッチパネルセンサ層の周囲を囲むように周縁配線を形成する工程と、その後、透明基材の一側の面上に設けられたタッチパネルセンサ層の第１及び第２センサ電極を形成すると同時に、透明基材上に直接ＩＴＯ透明導電体層を成膜し、端子部を形成し、かつ、前記端子部と前記配線との接続側が透明基材上に形成された前記各配線端子接続部上にＩＴＯ透明導電体層を積層し、各配線端子接続部の周縁部を被覆する工程、及び
前記透明基材、各配線端子接続部及びＩＴＯ透明導電体層の積層構造部及び積層端縁部分を保護層により被覆する工程、
を備えたことを特徴とするタッチパネルセンサ基板の製造方法。 - 請求項２記載のタッチパネルセンサ基板又は請求項２を引用した請求項３を引用する請求項６記載のタッチパネルセンサ基板の製造方法において、
タッチパネルセンサを形成する工程が、透明基材の一側の面上に設けられたタッチパネルセンサ層の第１及び第２センサ電極を形成すると同時に、透明基材上に直接ＩＴＯ透明導電体層を成膜し、端子部を形成し、かつ、前記端子部と周縁配線との接続側が、周縁配線が前記ＩＴＯ透明導電体層上に形成されるようにＩＴＯ透明導電体層を形成する工程と、
前記透明導電体層上にタッチパネルセンサ層の周囲を囲むように周縁配線を形成する工程と、
前記各配線上にＩＴＯ透明導電体層を積層し、各配線端子接続部の周縁部を被覆する工程、その後
前記透明基材、ＩＴＯ透明導電体層及び各配線の積層構造部及び積層端縁部分を保護層により被覆する工程、
を備えたことを特徴とするタッチパネルセンサ基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011264409A JP5923951B2 (ja) | 2011-12-02 | 2011-12-02 | タッチパネルセンサ基板およびその基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011264409A JP5923951B2 (ja) | 2011-12-02 | 2011-12-02 | タッチパネルセンサ基板およびその基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013117816A JP2013117816A (ja) | 2013-06-13 |
| JP5923951B2 true JP5923951B2 (ja) | 2016-05-25 |
Family
ID=48712357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011264409A Active JP5923951B2 (ja) | 2011-12-02 | 2011-12-02 | タッチパネルセンサ基板およびその基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5923951B2 (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103399664B (zh) * | 2013-07-22 | 2017-06-06 | 南昌欧菲光显示技术有限公司 | 触摸输入薄片及其制作方法 |
| JP2015069267A (ja) * | 2013-09-27 | 2015-04-13 | デクセリアルズ株式会社 | 静電容量型曲面形状タッチパネル及びその製造方法 |
| CN103970392B (zh) * | 2014-04-18 | 2019-10-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种触摸屏及显示装置 |
| WO2015174133A1 (ja) * | 2014-05-16 | 2015-11-19 | 富士フイルム株式会社 | タッチパネル及びその製造方法 |
| JP6267056B2 (ja) * | 2014-05-21 | 2018-01-24 | Ｎｉｓｓｈａ株式会社 | タッチセンサ |
| JP6325342B2 (ja) | 2014-05-26 | 2018-05-16 | 日本航空電子工業株式会社 | タッチパネルおよびその製造方法 |
| JP6361026B2 (ja) * | 2014-10-15 | 2018-07-25 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | タッチパネル |
| KR102270037B1 (ko) | 2015-02-02 | 2021-06-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 스크린 패널 |
| KR102320639B1 (ko) | 2015-02-04 | 2021-11-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 스크린 패널 및 이의 제조 방법 |
| JP2016162305A (ja) * | 2015-03-03 | 2016-09-05 | 日本航空電子工業株式会社 | タッチパネルおよびその製造方法 |
| JP6556483B2 (ja) * | 2015-04-16 | 2019-08-07 | 株式会社カネカ | 電極付き基板およびその製造方法 |
| KR102316212B1 (ko) | 2015-04-30 | 2021-10-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 센서 및 이의 제조 방법 |
| JP6430341B2 (ja) * | 2015-08-06 | 2018-11-28 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及びその製造方法 |
| KR102330862B1 (ko) | 2017-04-27 | 2021-11-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| WO2019064595A1 (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-04 | コニカミノルタ株式会社 | タッチパネルセンサー及びタッチパネルセンサーの製造方法 |
| TWI653643B (zh) * | 2017-12-04 | 2019-03-11 | 富元精密科技股份有限公司 | 透明導電體結構及其製造方法 |
| WO2021005695A1 (ja) * | 2019-07-08 | 2021-01-14 | 株式会社Ａｎｏｖａ | タッチパネル構造及びタッチパネル構造の製造方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007144993A1 (ja) * | 2006-06-12 | 2007-12-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | タッチパネル、表示装置及びタッチパネルの製造方法 |
| JP4888589B2 (ja) * | 2008-03-25 | 2012-02-29 | ソニー株式会社 | 静電容量型入力装置、入力機能付き表示装置および電子機器 |
| JP2010181747A (ja) * | 2009-02-06 | 2010-08-19 | Seiko Instruments Inc | タッチセンサ機能付液晶表示装置 |
| JP5413228B2 (ja) * | 2010-02-09 | 2014-02-12 | 大日本印刷株式会社 | タッチパネルセンサ製造方法およびタッチパネルセンサ |
| AT11941U1 (de) * | 2010-02-12 | 2011-07-15 | Plansee Metall Gmbh | Berührungssensoranordnung |
| JP5424209B2 (ja) * | 2010-04-22 | 2014-02-26 | 株式会社ジャパンディスプレイ | タッチパネル、および表示装置 |
-
2011
- 2011-12-02 JP JP2011264409A patent/JP5923951B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2013117816A (ja) | 2013-06-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5923951B2 (ja) | タッチパネルセンサ基板およびその基板の製造方法 | |
| US9971210B2 (en) | Liquid crystal display device | |
| US8717333B2 (en) | Electrostatic capacity type touch panel, display device and process for producing electrostatic capacity type touch panel | |
| TWI421581B (zh) | Input device and manufacturing method thereof | |
| US8823653B2 (en) | Capacitive input device | |
| JP5538567B2 (ja) | タッチパネル及びそれを備えた表示装置並びにタッチパネルの製造方法 | |
| JP5538566B2 (ja) | タッチパネル及びそれを備えた表示装置並びにタッチパネルの製造方法 | |
| US8970504B2 (en) | Reliability metal traces | |
| JP5927915B2 (ja) | タッチパネルセンサ基板及びその基板の製造方法 | |
| JP5942454B2 (ja) | タッチパネルセンサ、タッチパネル付表示装置およびタッチパネルセンサの製造方法 | |
| JP2008009921A (ja) | 入力装置、及びその製造方法 | |
| JP2008233976A (ja) | タッチパネル、表示装置、及びタッチパネルの製造方法 | |
| JP5333934B2 (ja) | 基板および基板の製造方法 | |
| US20130076996A1 (en) | Integrated touch panel with display device and method of manufacturing the same | |
| JP5827972B2 (ja) | タッチセンサ一体型表示装置 | |
| KR20140003728A (ko) | 투명 전극 구조물을 가지는 윈도우 일체형 터치스크린 패널 및 그 제조 방법 | |
| CN107229360A (zh) | 触控面板、其制造方法及触控显示装置 | |
| JP2011204037A (ja) | タッチパネルセンサ一体型カラーフィルタの製造方法 | |
| TWI498948B (zh) | Input device and manufacturing method thereof | |
| JP5444967B2 (ja) | 表示装置用基板および表示装置用基板の製造方法 | |
| KR102007662B1 (ko) | 베젤이 최소화된 표시소자 | |
| US20140362049A1 (en) | Input device | |
| KR20100102950A (ko) | 터치 스크린 패널의 제조 방법 및 그에 의해 제조된 터치 스크린 패널 | |
| JP2008009920A (ja) | 入力装置、及びその製造方法 | |
| JP5659684B2 (ja) | タッチパネル基板及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141024 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150918 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151027 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151218 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160112 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160304 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160322 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160404 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5923951 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |