JP5921787B1 - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

本発明の液晶表示装置は、支持基板（１０）上に設けられた電極構成層（７Ａ）を有しており、当該電極構成層（７Ａ）は、交互に配置された複数の電極領域（ＲＥ）と複数の絶縁体領域（ＲＩ）とを有するストライプ領域（ＳＲＡ）を含むものであって、一の材料からなる層を部分的に還元または酸化処理して導電性を制御することにより、前記電極領域（ＲＥ）および前記絶縁体領域（ＲＩ）が作られている。さらに、前記電極領域（ＲＥ）は、液晶表示装置の画素電極および対向電極の少なくともいずれかに含まれるものである。

Description

本発明は、液晶表示装置およびその製造方法に関し、特に、液晶層を変調するための画素電極および対向電極を有する液晶表示装置およびその製造方法に関するものである。

インプレーンスイッチング（In-Plane Switching：ＩＰＳ）（登録商標）モードは、対向する基板間に挟持された液晶層に横電界を印加することで表示を行う方式である。ＩＰＳモードは、ＴＮ（Twisted Nematic）モードと比較して視野角特性に優れていることから、画質をより高め得る表示方式であると考えられている。一方でＩＰＳモードの液晶表示装置は、通常のＴＮモードのものと比べて画素開口率を大きくすることが困難であることから、光利用効率が低いという欠点を有する。これは、ＩＰＳモードの液晶表示装置の一般的な構成、すなわち、不透明の金属膜である画素電極および対向電極が同一の基板の同一階層に配置される構成に起因する。

上述した光利用効率の問題を改善し得るものとして、フリンジフィールドスイッチング（Fringe Field Switching：ＦＦＳ）モードが提案されている。ＦＦＳモードの液晶表示装置では、ＩＰＳモードの液晶表示装置と同様に画素電極と対向電極とが同一の基板に配置されているが、画素電極と対向電極とを透明導電膜により形成しているため、光利用効率が改善される。また透明導電膜間の高い容量の存在により保持容量形成部を省略し得る。この場合、光の透過率が高められるので、光利用効率がより改善される。

一般にＴＮモードに用いられる画素電極および対向電極は単純な層構造を有している。これに対して、ＩＰＳモードに用いられる画素電極および対向電極は、隙間を空けて互いに噛み合うように同一階層上に配置された１対の櫛歯電極である。またＦＦＳモードの液晶表示装置は、下部電極と、これに対向する多数のスリットが設けられた上部電極とを有する。これら櫛歯構造またはスリット構造の存在に起因して、液晶表示装置のアレイ基板の表面に凹凸が生じ得る。この凹凸に起因して、アレイ基板の表面上に設けられた配向膜のラビング処理が不均一となりやすい。この結果、液晶分子の配向が乱れることで、コントラストの低下または光漏れなど、液晶表示装置の表示不良が生じ得る。

このため表面の凹凸を抑制するための技術が提案されている。例えば特許文献１（特開２００３−１３１２４８号公報）によれば、電極指の間を埋め込む絶縁膜が化学的機械研磨を用いて形成される。また例えば特許文献２（特開２０１０−２５９４号公報）によれば、層間絶縁膜の凹部に櫛歯状の画素電極がリフトオフ法を用いて形成される。

特開２００３−１３１２４８号公報 特開２０１０−２５９４号公報

上記特許文献１の技術によると、製造工程上負担の大きい化学的機械研磨を行う必要がある。また化学的械研磨に起因して電極に傷または断線が生じることにより表示不良が生じ得る。

上記特許文献２の技術においては、層間絶縁膜の凹部の深さと画素電極の厚さとのずれを完全になくすのは困難であり、凹凸形状が残存し得る。またリフトオフ法の適用に起因して、画素電極の端部に突起（ばり）または凹みなどの形状異常が生じる可能性がある。この形状異常は、電界の局所集中または不均一化を生じることで、表示品質を低下させ得る。

本発明は以上のような課題を解決するためになされたものであり、その目的は、簡便な方法によって製造可能であり、かつ高い表示品質を有する液晶表示装置を提供することである。

本発明の液晶表示装置は、液晶層を変調するための画素電極および対向電極を有するものであって、支持基板および電極構成層を有する。電極構成層は、支持基板上に設けられており、金属酸化物から作られている。電極構成層は、交互に配置された複数の電極領域と複数の絶縁体領域とを有するストライプ領域を含む。電極領域は、金属酸化物が酸素欠陥を有することによって導電性を有し、絶縁体領域は、金属酸化物が電極領域の酸素欠陥濃度に比して低い酸素欠陥濃度を有することによって絶縁性を有する。電極領域は画素電極および対向電極の少なくともいずれかに含まれる。

本発明の液晶表示装置の製造方法は、液晶層を変調するための画素電極および対向電極を有する液晶表示装置の製造方法であって、次の工程を有する。支持基板上に一の酸化物材料を堆積することによって電極構成層が形成される。電極構成層上に、パターンを有するマスク層が形成される。マスク層が設けられた電極構成層に対して酸化および還元のいずれかの処理を行うことによって、電極構成層に、交互に配置された複数の電極領域と複数の絶縁体領域とを有するストライプ領域が形成される。電極領域は画素電極および対向電極の少なくともいずれかに含まれる。

本発明の液晶表示装置によれば、高い導電性を有する電極領域と、絶縁性を有する絶縁体領域とを有する電極構成層が設けられる。よってＦＦＳまたはＩＰＳのように表示品質を高め得る方式で必要とされる電極構造を設けることができる。また電極構成層は、異なる材料から作られた複数の膜が組み合わされたものではなく、一の材料から作られた層である。よって凹凸の少ない表面を有する電極構成層は、一の材料の堆積によって容易に得られる。このように凹凸の少ない表面が液晶層に対向することで、液晶分子の配向の乱れに起因した表示品質の低下が避けられる。以上から、簡便な方法によって製造可能であり、かつ高い表示品質を有する液晶表示装置が得られる。

本発明の液晶表示装置の製造方法によれば、マスク層を用いた選択的な酸化または還元によって、電極構成層に、高い導電性を有する電極領域と、絶縁性を有する絶縁体領域とを設けることができる。よって、ＦＦＳまたはＩＰＳのように表示品質を高め得る方式で必要とされる電極構造を設けることができる。また電極構成層は、異なる材料から作られた複数の膜が組み合わされたものではなく、一の酸化物材料が堆積されることによって形成された層である。よって電極構成層の表面は、特段の加工を要することなく、凹凸の少ないものとし得る。このように凹凸の少ない表面が液晶層に対向することで、液晶分子の配向の乱れに起因した表示品質の低下が避けられる。以上から、簡便な方法によって製造可能であり、かつ高い表示品質を有する液晶表示装置が得られる。

本発明の実施の形態１における液晶表示装置の構成を概略的に示す斜視図である。 図１のＴＦＴアレイ基板の構成を模式的に示す平面図である。 図１のＴＦＴアレイ基板の構成を示す概略的な部分平面図である。 図３の表面側の一部構造を省略して示す概略的な部分平面図である。 図３および図４の線ＶＡ−ＶＡ、線ＶＢ−ＶＢおよび線ＶＣ−ＶＣのそれぞれに沿った断面Ａ、ＢおよびＣを示す概略的な部分断面図である。 比較例の液晶表示装置における液晶層の変調の様子を模式的に示す部分平面図（Ａ）、およびその線ＶＩＢ−ＶＩＢに沿う部分断面図である。 本発明の実施の形態１における液晶層の変調の様子を模式的に示す部分平面図（Ａ）、およびその線ＶＩＩＢ−ＶＩＩＢに沿う部分断面図である。 本発明の実施の形態１における液晶表示の製造方法の第１工程を図５と同様の視野で概略的に示す部分断面図である。 本発明の実施の形態１における液晶表示の製造方法の第２工程を図５と同様の視野で概略的に示す部分断面図である。 本発明の実施の形態１における液晶表示の製造方法の第３工程を図５と同様の視野で概略的に示す部分断面図である。 本発明の実施の形態１における液晶表示の製造方法の第４工程を図５と同様の視野で概略的に示す部分断面図である。 本発明の実施の形態１における液晶表示の製造方法の第５工程を図５と同様の視野で概略的に示す部分断面図である。 図１２の変形例を示す部分断面図である。 本発明の実施の形態２における液晶表示装置が有するＴＦＴアレイ基板の構成を示す概略的な部分平面図である。 図１４の表面側の一部構造を省略して示す概略的な部分平面図である。 図１４および図１５の線ＸＶＩＡ−ＸＶＩＡ、ＸＶＩＢ−ＸＶＩＢおよびＸＶＩＣ−ＸＶＩＣのそれぞれに沿った断面Ａ、ＢおよびＣを示す概略的な部分断面図である。 比較例の液晶表示装置における液晶層の変調の様子を模式的に示す部分平面図（Ａ）、およびその線ＸＶＩＩＢ−ＸＶＩＩＢに沿う部分断面図である。 本発明の実施の形態２における液晶層の変調の様子を模式的に示す部分平面図（Ａ）、およびその線ＸＶＩＩＩＢ−ＸＶＩＩＩＢに沿う部分断面図である。 本発明の実施の形態２における液晶表示の製造方法の第１工程を図１６と同様の視野で概略的に示す部分断面図である。 本発明の実施の形態２における液晶表示の製造方法の第２工程を図１６と同様の視野で概略的に示す部分断面図である。 本発明の実施の形態２における液晶表示の製造方法の第３工程を図１６と同様の視野で概略的に示す部分断面図である。 本発明の実施の形態３における液晶表示装置が有するＴＦＴアレイ基板の構成を図５と同様の視野で示す概略的な部分断面図である。 本発明の実施の形態３における液晶表示の製造方法の第１工程を図２２と同様の視野で概略的に示す部分断面図である。 本発明の実施の形態３における液晶表示の製造方法の第２工程を図２２と同様の視野で概略的に示す部分断面図である。 本発明の実施の形態３における液晶表示の製造方法の第３工程を図２２と同様の視野で概略的に示す部分断面図である。 本発明の実施の形態４における液晶表示装置が有するＴＦＴアレイ基板の構成を図１６と同様の視野で示す概略的な部分断面図である。 本発明の実施の形態５における液晶表示装置が有するＴＦＴアレイ基板の構成を図２２と同様の視野で示す概略的な部分断面図である。 本発明の実施の形態６における液晶表示装置が有するＴＦＴアレイ基板の構成を図２７と同様の視野で示す概略的な部分断面図である。

以下、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。

＜実施の形態１＞
図１を参照して、本実施の形態における液晶表示装置２００は液晶パネル１００およびバックライトユニット９０を有する。液晶パネル１００は対向基板６０と液晶層７０とＴＦＴアレイ基板１０１とを有する。

対向基板６０はＴＦＴアレイ基板１０１と対向している。対向基板６０は、典型的にはカラーフィルタ基板であり、視認側（図１における手前側）に配置されている。カラーフィルタ基板にはカラーフィルタおよびブラックマトリクス（ＢＭ）が設けられている。

液晶層７０はＴＦＴアレイ基板１０１と対向基板６０との間に挟持されている。すなわちＴＦＴアレイ基板１０１と対向基板６０との間には液晶が導入されている。なおＴＦＴアレイ基板１０１および対向基板６０の各々の、液晶層７０に面する面には、配向膜（図示せず）が設けられている。またなおＴＦＴアレイ基板１０１および対向基板６０の各々の、液晶層７０に面する面と反対の面には、偏光板および位相差板など（図示せず）が設けられている。

ＴＦＴアレイ基板１０１は、液晶層７０を変調するための電界を発生するものであり、具体的には、ＦＦＳモードのものである。すなわち、ＴＦＴアレイ基板１０１は、表示電圧に応じた強度を有するフリンジ電界を発生することによって、液晶分子の配向方向を変化させる。これに伴い、液晶層７０を通過する光の偏光状態が変化する。すなわち、液晶層７０を通過する光の偏光状態が表示電圧に応じて変化させられる。

バックライトユニット９０は液晶パネル１００の反視認側（図１における奥側）に配設されている。バックライトユニット９０からの光は、ＴＦＴアレイ基板１０１側の偏光板を通過すると直線偏光になる。この光がさらに液晶層７０を通過すると上述したように偏光状態が変化する。液晶層７０を通過した光のうち、さらに対向基板６０側の偏光板を通過する光量は、液晶層７０おける偏光状態の変化に依存する。すなわち、バックライトユニット９０から液晶パネル１００を透過する透過光のうち、視認側（対向基板６０側）の偏光板を通過する光の光量が表示電圧に基づいて制御される。よって画素ごとに表示電圧を変えることにより、所望の画像を表示することができる。

図２を参照して、ＴＦＴアレイ基板１０１は、表示領域４１と、表示領域４１を囲む額縁領域４２とを有する。対応して、ＴＦＴ基板１０１が有する透明基板１０（支持基板）も、表示領域４１と、表示領域４１を囲む額縁領域４２とを有する。

表示領域４１には、複数のゲート配線４３（走査信号線）と複数のソース配線４４（表示信号線）とが透明基板１０上に設けられている。ゲート配線４３は互いに平行に配設されている。またソース配線４４は互いに平行に配設されている。ゲート配線４３とソース配線４４とは平面視（図２の視野）において互いに交差している。ただし後述するように、それらは断面視においてゲート絶縁膜により隔てられている。隣接する２つのゲート配線４３と隣接する２つのソース配線４４とで囲まれた領域の各々が画素４７を構成している。従ってＴＦＴアレイ基板１０１では画素４７がマトリクス状に配列されている。

額縁領域４２には走査信号駆動回路４５（電気回路）および表示信号駆動回路４６（電気回路）が透明基板１０上に設けられている。ゲート配線４３は、表示領域４１から額縁領域４２まで延設されており、ＴＦＴアレイ基板１０１の端部で走査信号駆動回路４５と接続されている。ソース配線４４も同様に、表示領域４１から額縁領域４２まで延設されており、ＴＦＴアレイ基板１０１の端部で表示信号駆動回路４６と接続されている。ＴＦＴアレイ基板１０１には、走査信号駆動回路４５の近傍領域に、走査信号駆動回路４５と電気的に接続された外部配線４８が設けられている。またＴＦＴアレイ基板１０１には、表示信号駆動回路４６の近傍領域に、表示信号駆動回路４６と電気的に接続された外部配線４９が設けられている。外部配線４８および４９のそれぞれは、走査信号駆動回路４５および表示信号駆動回路４６へ外部から信号を入力するための配線であり、支持基板１０の前記額縁領域４２上から支持基板１０外へ延びている。外部配線４８および４９には、例えば、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）などの配線基板が用いられる。外部配線４８および走査信号駆動回路４５は、額縁領域４２内の接続領域（図２における外部配線４８および走査信号駆動回路４５の間の領域）で互いに接続されている。また外部配線４９および表示信号駆動回路４６は、額縁領域４２内の接続領域（図２における外部配線４９および表示信号駆動回路４６の間の領域）で互いに接続されている。

外部配線４８および４９のそれぞれを介して走査信号駆動回路４５および表示信号駆動回路４６に外部からの各種信号が供給される。走査信号駆動回路４５は、外部からの制御信号に基づいてゲート配線４３を順次選択し、当該選択したゲート配線４３にゲート信号（走査信号）を供給する。表示信号駆動回路４６は外部からの制御信号または表示データに基づいて表示信号をソース配線４４に供給する。これにより、表示データに応じた表示電圧が各画素４７に順次供給される。

画素４７の各々にはスイッチング素子として、少なくとも１つの薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）５０が設けられている。ＴＦＴ５０はアレイ状に設けられている。具体的には、ＴＦＴ５０はソース配線４４およびゲート配線４３の交差点近傍に配置されている。ＴＦＴ５０は、ゲート配線４３からのゲート信号に応じてＴＦＴ５０をオンまたはオフする。ＴＦＴ５０は、オンされている状態でソース配線４４から表示電圧が供給されると、ドレイン電極に接続された対向電極に表示電圧を印加する。

次にＴＦＴアレイ基板１０１がフリンジ電界を発生させるために有する電極構造について説明する。図３は、ＴＦＴアレイ基板１０１（図１）の構成を示す概略的な部分平面図である。図中、線ＶＡ−ＶＡは、表示領域４１（図２）内に位置しており、アレイ状に配列された多数の画素４７のうちの１つを横断している。また線ＶＢ−ＶＢおよび線ＶＣ−ＶＣは額縁領域４２に位置している。なお図３は平面図であるが、図を見やすくするためにハッチングが付されている。図４は図３の表面側の一部構造を省略して示す。図５は、線ＶＡ−ＶＡ、線ＶＢ−ＶＢおよび線ＶＣ−ＶＣ（図３および図４）のそれぞれに沿った断面Ａ、ＢおよびＣを示す。

ＴＦＴアレイ基板１０１にはフリンジ電界を発生するために、図５に示すように、ＴＦＴ５０を介してソース配線４４に接続された下部電極６ｄ（本実施の形態における画素電極）と、共通配線９に接続された上部電極部７ｕ（本実施の形態における対向電極）とが設けられている。フリンジ電界の大きさは、画素電極としての下部電極６ｄに印加された表示電圧の大きさに対応する。上部電極部７ｕは電極構成層７Ａによって構成されている。つまり本実施の形態においては対向電極は電極構成層７Ａに含まれる。電極構成層７Ａはさらに、ストライプ状に配置された複数の絶縁体部７ｉも構成している。電極構成層７Ａは、下部電極６ｄおよび電極間絶縁膜１２を介して透明基板１０（支持基板）上に設けられている。よって電極構成層７Ａは電極間絶縁膜１２を介して下部電極６ｄ上に設けられている。言い換えると、透明基板１０と電極構成層７Ａとの間に画素電極が下部電極６ｄとして設けられている。

電極構成層７Ａはストライプ領域ＳＲＡを有する。ストライプ領域ＳＲＡは複数の電極領域ＲＥと複数の絶縁体領域ＲＩとを有する。ストライプ領域ＳＲＡにおいて複数の電極領域ＲＥと複数の絶縁体領域ＲＩとは交互に配置されている。電極領域ＲＥは上部電極部７ｕに含まれ、絶縁体領域ＲＩは絶縁体部７ｉに含まれる。下部電極６ｄは電極構成層７Ａの絶縁体領域ＲＩに対向する部分を含む。これにより、電極領域ＲＥと絶縁体領域ＲＩとの境界からフリンジ電界を発生させることができる。よって、ＦＦＳモードのような、フリンジ電界を用いた液晶層７０（図１）の変調が可能となる。なお本実施の形態においては上部電極部７ｕが画素電極ではなく対向電極であることから、電極領域ＲＥは画素電極ではなく対向電極に含まれる。

電極構成層７Ａは、金属酸化物（一の材料）から作られた金属酸化物膜７に含まれる。よって電極構成層７Ａも上記金属酸化物（一の材料）から作られている。絶縁体部７ｉは上部電極部７ｕの酸素欠陥濃度に比して、低い酸素欠陥濃度を有する。これにより、絶縁体部７ｉおよび上部電極部７ｕが同じ材料によって作られつつも、絶縁体部７ｉが絶縁性を有しかつ上部電極部７ｕが導電性を有することが可能となる。つまり電極領域ＲＥと絶縁体領域ＲＩとの導電性を、同じ金属酸化物を用いつつその酸素欠陥濃度の相違によって異ならしめることができる。金属酸化物はインジウム原子およびガリウム原子を含むことが好ましい。これにより金属酸化物を、酸素欠陥濃度によって導電性を調整するのに適した材料とすることができる。

上記金属酸化物としては、例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）に酸化インジウム（Ｉｎ₂Ｏ₃）および酸化すず（ＳｎＯ₂）を添加したＩｎ―Ｚｎ−Ｓｎ−Ｏ系の材料、または、酸化亜鉛（ＺｎＯ）に酸化ガリウム（Ｇａ₂Ｏ₃）および酸化インジウム（Ｉｎ₂Ｏ₃）を添加したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の材料を用い得る。

電極構成層７Ａのストライプ領域ＳＲＡの電極領域ＲＥおよび絶縁体領域ＲＩは、図５に示すように、一の平坦な面をなしている。これによりストライプ領域ＳＲＡの凹凸をなくすことができる。上述したように電極領域ＲＥおよび絶縁体領域ＲＩは、異なる酸素欠陥濃度を有するものの、同じ金属酸化物から作られている。よって平坦な表面を有するストライプ領域ＳＲＡは、平坦な表面を有する金属酸化物膜を形成することによって容易に得られる。なお詳しくは後述するが、金属酸化物膜７の酸素欠陥濃度は酸化または還元により調整し得る。

次にＴＦＴアレイ基板１０１の構成の詳細について説明する。ＴＦＴアレイ基板１０１は、透明基板１０と、ゲート配線４３と、共通配線９と、ゲート絶縁膜１１と、半導体層２と、オーミックコンタクト膜３ｓおよび３ｄと、ソース配線４４と、下部電極６ｄと、電極間絶縁膜１２と、金属酸化物膜７とを有する。

ガラスなどから作られた絶縁性の透明基板１０上に、その一部がゲート電極１を構成するゲート配線４３と、共通配線９とが形成されている。ゲート配線４３は、透明基板１０上において一方向に直線的に延在するように配設されている。ゲート電極１、ゲート配線４３、および共通配線９は、例えばＣｒ，Ａｌ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇの金属元素のいずれかから作られた金属膜、上記金属元素の１つまたはそれ以上の元素を主成分とする合金膜、またはこれらの膜を含む積層膜によって形成されている。

ゲート電極１、ゲート配線４３、および共通配線９を覆うように、ゲート絶縁膜１１が設けられている。ゲート絶縁膜１１は、窒化シリコン、酸化シリコンなどの絶縁体により形成されている。

そして、ＴＦＴ５０の形成領域では、ゲート絶縁膜１１を介してゲート配線４３上に半導体層２が設けられている。ここでは、半導体層２は、平面視においてゲート配線４３と重なるようゲート絶縁膜１１の上に形成され、この半導体層２とほぼ重なる領域のゲート配線４３がゲート電極１となる。半導体層２は、例えば非晶質シリコンにより形成されている。

また、半導体層２は、半導体層２の両端のそれぞれの上部に、導電性不純物がドーピングされたオーミックコンタクト膜３ｓおよび３ｄを含む。オーミックコンタクト膜３ｓおよび３ｄのそれぞれに対応する半導体層２の領域は、ソース領域およびドレイン領域となる。このように、半導体層２の両端にはソース・ドレイン領域が形成されている。そして、平面視において半導体層２のソース・ドレイン領域に挟まれた領域がチャネル領域となる。半導体層２のチャネル領域上には、オーミックコンタクト膜３ｓおよび３ｄは形成されていない。オーミックコンタクト膜３ｓおよび３ｄは、例えば、リン（Ｐ）などの不純物が高濃度にドーピングされた、ｎ型の非晶質または多結晶シリコンにより形成されている。

オーミックコンタクト膜３ｓ上には、ソース電極４の一部が配置されている。具体的には、オーミックコンタクト膜３ｓ上から、チャネル領域と逆側に延在するソース電極４が形成されている。同様に、オーミックコンタクト膜３ｄ上には、ドレイン電極５の一部が配置されている。具体的には、オーミックコンタクト膜３ｄ上から、チャネル領域と逆側に延在するドレイン電極５が形成されている。すなわち、ソース電極４およびドレイン電極５のそれぞれは、オーミックコンタクト膜３ｓおよび３ｄと同様、半導体層２のチャネル領域上には形成されない。

以上のように、本実施の形態１に係るＴＦＴアレイ基板１０１においては、チャネルエッチ型のＴＦＴ５０が、透明基板１０上に形成されることになる。

ソース電極４のうち、半導体層２のチャネル領域と逆側に延在した部分は、ソース配線４４とつながっている。断面視においてソース配線４４はゲート絶縁膜１１上に形成されている。平面視においては、ソース配線４４は、ゲート配線４３と交差する方向に直線的に延在する本体部分と、当該交差近傍において本体部分から分岐してゲート配線４３の延在方向と同じ方向に延在する分岐部分とを有する。この分岐部分がソース電極４に対応している。

ドレイン電極５は、半導体層２のチャネル領域と逆側に延在した延在部分を有している。このドレイン電極５の延在部分は、下部電極６ｄと電気的に接続されている。

ソース電極４、ソース配線４４、およびドレイン電極５は、例えばＣｒ，Ａｌ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇの金属元素のいずれかから作られた金属膜、上記金属元素の１つまたはそれ以上の元素を主成分とする合金膜、またはこれらの膜を含む積層膜によって形成されている。

下部電極６ｄはドレイン電極５と電気的に接続されている。これにより、下部電極６ｄに印加される表示電圧がＴＦＴ５０によって制御可能となっている。下部電極６ｄは、例えばＩＴＯ（インジウム・すず酸化物）またはＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）などの金属酸化物から作られた透明導電膜により形成されている。下部電極６ｄの材料は、電極構成層７Ａの材料と同じであっても異なっていてもよい。

ソース電極４、ソース配線４４、ドレイン電極５、半導体層２、下部電極６ｄ、およびゲート絶縁膜１１を覆うように、電極間絶縁膜１２が設けられている。電極間絶縁膜１２は、例えば窒化シリコン，酸化シリコンなどの絶縁膜により形成されている。

電極間絶縁膜１２には、ソース配線４４を部分的に露出するコンタクトホールＣＨｓが設けられている。またゲート絶縁膜１１および電極間絶縁膜１２には、共通配線９を部分的に露出するコンタクトホールＣＨｃと、ゲート配線４３を部分的に露出するコンタクトホールＣＨｇとが設けられている。

金属酸化物膜７は、電極構成層７Ａをなす金属酸化物から作られており、電極構成層７Ａに加えてゲート端子パッド７ｇおよびソース端子パッド７ｓを含む。ゲート端子パッド７ｇは、ゲート配線４３を走査信号駆動回路４５に接続するためのものである。ソース端子パッド７ｓは、ソース配線４４を表示信号駆動回路４６に接続するためのものである。ゲート端子パッド７ｇおよびソース端子パッド７ｓは、上部電極部７ｕと同様、絶縁体部７ｉの酸素欠陥濃度よりも高い酸素欠陥濃度を有することにより導電性を有する。ソース端子パッド７ｓはコンタクトホールＣＨｓにおいてソース配線４４に接続されている。ゲート端子パッド７ｇはコンタクトホールＣＨｇにおいてゲート配線４３に接続されている。上部電極部７ｕはコンタクトホールＣＨｃにおいて共通配線９に接続されている。上部電極部７ｕは、表示領域４１（図２）の外側まで延伸しているが、走査信号駆動回路４５および表示信号駆動回路４６を配置する領域までは延伸していない。よって電極構成層７Ａは透明基板１０上において、表示領域４１から額縁領域４２内へ延伸しているが、走査信号駆動回路４５および表示信号駆動回路４６を配置する領域までは延伸していない。よって電極構成層７Ａは、前述した接続領域（外部配線４８および走査信号駆動回路４５の間の領域、および外部配線４９および表示信号駆動回路４６の間の領域）からは離れている。

図６（Ａ）および（Ｂ）は、比較例の液晶表示装置における液晶層７０（図１）の変調の様子を模式的に示す。本比較例においては、電極間絶縁膜１２上に上部電極７ｕＺが設けられており、それによって表面に凹凸が形成されている。図中、「ＯＦＦ」は下部電極６ｄおよび上部電極７ｕＺ間にフリンジ電界ＥＦが生じていない状態を示しており、「ＯＮ」は下部電極６ｄおよび上部電極７uＺ間にフリンジ電界ＥＦが生じている状態を示している。液晶分子ＬＭは棒形状を有しており、ＯＮ状態の場合にはその長手方向がフリンジ電界ＥＦに沿うように配向する。ＯＦＦ状態の場合には液晶分子ＬＭはその長手方向が面内の方向３５ａに沿うように配向する。方向３５ａは配向膜のラビング処理によって決定される。

ＯＦＦ状態においては、より多くの液晶分子ＬＭが、より精確に方向３５ａに沿う配向を有することが好ましい。しかしながら本比較例においては、図６（Ａ）の破線部に示すように、液晶分子ＬＭの配向の不規則性が上部電極７ｕＺの縁において大きくなってしまう。これは、上部電極７ｕＺの膜厚に対応した段差に起因して、配向膜においてラビング処理が不十分な箇所が生じるためである。この配向の不規則性、すなわち偏向軸の乱れ、は、ＯＦＦ状態（黒表示状態）における透過率の増加につながる。その結果、表示のコントラストが低下したり、光の局所的な漏れが生じたりしてしまう。つまり液晶表示装置の表示品位が低くなる。この現象は垂直方向に電圧を印可する、ＴＮモード、ＶＡ(Vertical Alignment)モードおよび強誘電液晶では生じず、ＩＰＳおよびＦＦＳモードに特有な課題である。

図７（Ａ）および（Ｂ）を参照して、これに対して本実施の形態によれば、上部電極部７ｕは、絶縁体部７ｉと共に、平坦な表面を有するストライプ領域ＳＲＡ（図５）をなしている。これにより、上部電極部７ｕの縁、特にストライプ領域ＳＲＡ（図５）における電極領域ＲＥおよび絶縁体領域ＲＩの境界近傍部分、に段差が形成されない。よってこの部分においてもラビング処理を十分に行うことができる。よってＯＦＦ状態における液晶分子ＬＭの配向の不規則性が抑制される。その結果、表示のコントラストを高めたり、光の局所的な漏れの発生を抑えたりすることができる。つまり液晶表示装置２００（図１）の表示品位を高めることができる。

以上のように本実施の形態の液晶表示装置２００が有するＴＦＴアレイ基板１０１によれば、電極構成層７Ａは、異なる材料から作られた複数の膜が組み合わされたものではなく、一の材料から作られた層である。よって凹凸の少ない表面を有する電極構成層７Ａは、一の材料の堆積によって容易に得られる。このように凹凸の少ない表面が液晶層７０に対向することで、液晶分子ＬＭの配向の乱れに起因した表示品質の低下が避けられる。よって液晶表示装置２００は、高い表示品質を有しつつ、簡便な製造方法によって製造可能である。

以下、液晶表示装置２００のＴＦＴアレイ基板１０１の製造方法について図８〜図１２を用いて説明する。

図８を参照して、まず、透明基板１０の上面全体に、Ｃｒ，Ａｌ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇの金属元素のいずれかから作られた金属膜、上記金属元素の１つまたはそれ以上の元素を主成分とする合金膜、またはこれらの膜を含む積層膜が成膜される。成膜方法としては、例えば、スパッタ法または蒸着法を用い得る。

その後、レジストの塗布と、フォトマスクを用いた露光と、現像とが行われる。これによりフォトレジストパターンが形成される。以後、これら一連の工程を写真製版と呼ぶ。その後、このフォトレジストパターンをマスクとして上述の膜（ここでは金属膜）がエッチングされ、そしてフォトレジストパターンが除去される。以後、このような工程を微細加工技術と呼ぶ。これにより、ゲート電極１、ゲート配線４３および共通配線９がパターニングされる。

次に、ゲート電極１、ゲート配線４３、および共通配線９などが設けられた透明基板１０の上面全体を覆うように、例えば、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）、常圧ＣＶＤ、または減圧ＣＶＤなどを用いて、ゲート絶縁膜１１となる絶縁体膜、半導体層２となる半導体膜、およびオーミックコンタクト膜３ｓ，３ｄとなる半導体膜が、この順に成膜される。ゲート絶縁膜１１となる材料には、窒化シリコンまたは酸化シリコンなどを用いることができる。なお、ゲート絶縁膜１１に、ピンホールなど、短絡の原因となる膜欠陥が形成されることを防止するため、上記絶縁体は複数回に分けて成膜されることが好ましい。その後、写真製版および微細加工技術により、半導体層２およびオーミックコンタクト膜３ｓ，３ｄとなる上述の半導体膜に対する第１のパターニングが行われる。例えば、半導体層２およびオーミックコンタクト膜３ｓ，３ｄとなる上述の半導体膜が、ゲート電極１上に島状にパターニングされる。

次に、上記半導体膜を覆うように、Ｃｒ，Ａｌ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇの金属元素のいずれかから作られた金属膜、上記金属元素の１つまたはそれ以上の元素を主成分とする合金膜、またはこれらの膜を含む積層膜が成膜される。成膜方法としては、例えば、スパッタ法または蒸着法を用い得る。その後、写真製版および微細加工技術により、ソース電極４、ソース配線４４、およびドレイン電極５が形成される。

続いて、ソース電極４およびドレイン電極５をマスクとして、オーミックコンタクト膜３ｓおよび３ｄとなる膜がエッチングされる。すなわち、島状にパターニングされた、オーミックコンタクト膜３ｓおよび３ｄとなる膜のうち、ソース電極４またはドレイン電極５に覆われずに露出した部分がエッチングにより除去される。これにより、ソース電極４とドレイン電極５との間にチャネル領域が設けられた半導体層２と、オーミックコンタクト膜３ｓおよび３ｄとが形成される。以上により、透明基板１０上にＴＦＴ５０が形成される。

なお、上記説明では、ソース電極４およびドレイン電極５をマスクとしたエッチングが行われるが、ソース電極４およびドレイン電極５をパターニングする際に用いたレジストパターンをマスクとして、オーミックコンタクト膜３ｓおよび３ｄとなる半導体膜のエッチングを行ってもよい。その場合は、ソース電極４およびドレイン電極５上のレジストパターンを除去する前に、オーミックコンタクト膜３ｓおよび３ｄとなる半導体膜のエッチングが行われる。

上述の工程によりＴＦＴ５０を形成した後、ソース電極４、ドレイン電極５、ソース配線４４、およびゲート絶縁膜１１などが設けられた透明基板１０の上面全体を覆うように、例えばスパッタ法などにより、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明導電膜が成膜される。そして、写真製版および微細加工技術によりこの透明導電膜をパターニングすることで、下部電極６ｄが形成される。

図９を参照して、次に、図８に示された構造（下部電極６ｄ、ソース電極４、ドレイン電極５ソース配線４４、およびゲート絶縁膜１１など）が設けられた透明基板１０の上面全体を覆うように、電極間絶縁膜１２が成膜される。例えば、ＣＶＤ法などを用いて、窒化シリコンまたは酸化シリコンなどの無機絶縁膜が透明基板１０の上面全体に成膜される。これにより、半導体層２のチャネル領域および下部電極６ｄなどが電極間絶縁膜１２に覆われる。そして、写真製版および微細加工技術により、この電極間絶縁膜１２およびゲート絶縁膜１１をパターニングすることで、コンタクトホールＣＨｇ、ＣＨｓおよびＣＨｃが形成される。

図１０を参照して、次に、図９に示された構造（コンタクトホールＣＨｇ、ＣＨｓおよびＣＨｃが形成された電極間絶縁膜１２など）が設けられた透明基板１０上に、金属酸化物材料（一の酸化物材料）が堆積されることによって、電極構成層７Ａとなる部分を含む金属酸化物膜７が形成される。金属酸化物材料としては、例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）に酸化インジウム（Ｉｎ₂Ｏ₃）および酸化すず（ＳｎＯ₂）を添加したＩｎ―Ｚｎ−Ｓｎ−Ｏ系の金属酸化物、または、酸化亜鉛（ＺｎＯ）に酸化ガリウム（Ｇａ₂Ｏ₃）および酸化インジウム（Ｉｎ₂Ｏ₃）を添加したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の金属酸化物が挙げられる。次に、写真製版および微細加工技術により、金属酸化物膜７がパターニングされる。

図１１を参照して、上記パターニングにより、金属酸化物膜７（図１０）から、電極構成層７Ａと、ソース端子パッド７ｓと、ゲート端子パッド７ｇとが形成される。

図１２を参照して、写真製版技術を用いて、電極構成層７Ａ上に、ストライプ状のパターンを有するレジストパターン５９ａ（マスク層）が形成される。次に、レジストパターン５９ａが設けられた電極構成層７Ａと、ゲート端子パッド７ｇと、ソース端子パッド７ｓとに対して還元処理が行われる。これにより、電極構成層７Ａのうちレジストパターン５９ａで被覆されていない部分が還元される。具体的には、電極構成層７Ａのうち上部電極部７ｕとなる部分と、ゲート端子パッド７ｇと、ソース端子パッド７ｓとが還元される。還元された部分は、シート抵抗が減少し、電極として十分な導電性を有する。なお還元処理が過剰となると金属酸化物膜７の透過率が低下（黒化）するため、最終的なシート抵抗を勘案して処理条件が設定される必要がある。

還元処理は、例えば水素プラズマ処理によって行われ得る。なお、水素プラズマ処理は、金属酸化物膜７へのダメージを抑えるために、水素とヘリウムの混合ガスを用い、比較的低パワーで行われることが望ましい。

次にレジストパターン５９ａが除去される。そしてアニール処理が行われる。アニール処理は、酸素を含有する雰囲気下で行われることが好ましい。

以上により、ＴＦＴアレイ基板１０１（図５）が得られる。ＴＦＴアレイ基板１０１の電極構成層７Ａ（図３）において、還元処理が行われた上部電極部７ｕがその導電性によって電極として機能し、絶縁体部７ｉがなす絶縁体領域ＲＩは、上部電極部７ｕに設けられたスリットとして機能する。

再び図１を参照して、次にセル工程が行われる。具体的には、ＴＦＴアレイ基板１０１と、別途作製された対向基板６０とのそれぞれの上に配向膜が形成される。そして配向膜の表面に一方向にミクロな傷をつける配向処理（ラビング処理）が施される。次にＴＦＴアレイ基板１０１と対向基板６０との貼り合せが行われる。貼り合わせは、液晶注入口を除き、閉じた空間がそれら基板の間に形成されるように行われる。具体的には、ＴＦＴアレイ基板１０１と対向基板６０との間にシール材が塗布され、両者がシール材により互いに固定される。この貼り合わせの後、真空注入法などを用いて液晶注入口から液晶が上記空間に注入される。そして液晶注入口が封止される。これにより液晶パネル１００が得られる。次に液晶パネル１００の両面に偏光板が貼り付けられる。次に液晶パネル１００に駆動回路が接続される。次にバックライトユニット９０が取り付けられる。以上により、液晶表示装置２００が完成する。

本発明者らは、金属酸化物膜７の形成およびその導電性の制御について実験を行った。この結果の一例について、以下に説明する。

金属酸化物の組成としてはＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ（組成比率１：１：１：４）を用いた。成膜装置としては、基板を加熱することができるＤＣマグネトロンスパッタ装置を用いた。透明基板１０を１５０℃に加熱しつつ、酸素２０％が混合されたＡｒガスをプロセスガスとして用いて、厚さ４０ｎｍの金属酸化物膜７を成膜した。成膜直後の金属酸化物膜７のシート抵抗は、１×１０¹⁰Ω／ｓｑであった。

次に金属酸化物膜７上にレジストパターン５９ａ（図１２）が形成された。次に還元処理が行われた。具体的には、ヘリウムおよび水素を１対１で混合したガスを用い、４０Ｗで１２０秒間、水素プラズマ処理が行われた。次にレジストパターン５９ａが除去された。次に酸素２０％、窒素８０％の雰囲気、２４０℃６０ｍｉｎで、アニール処理が行われた。以上により、上部電極部７ｕ、ゲート端子パッド７ｇ、ソース端子パッド７ｓ、および絶縁体部７ｉを得た。上部電極部７ｕ、ゲート端子パッド７ｇ、およびソース端子パッド７ｓのシート抵抗は０．０１Ω／ｓｑであり、絶縁体部７ｉのシート抵抗は１×１０¹²Ω／ｓｑであった。

ここで、絶縁体部７ｉのシート抵抗について説明する。絶縁体部７ｉは、各上部電極部７ｕを電気的に絶縁し、表示電圧を保持する必要がある。画素サイズおよび保持容量などの設計にもよるが、ＴＦＴを用いたアクティブマトリックス型のＬＣＤにおいて、概ね表示電圧保持率９５％以上、画素電極および対向電極間の間隔５μｍの場合、絶縁体部７ｉのシート抵抗は、１×１０⁸Ω／ｓｑ以上が望ましく、５×１０⁸Ω／ｓｑ以上がより望ましい。上記実施例では、上部電極部７ｕのシート抵抗を０．０１Ω／ｓｑに抑えつつ、絶縁体部７ｉのシート抵抗を１×１０¹²Ω／ｓｑと高くすることできる。そのため、表示電圧保持率が高く、隣接画素のクロストークのない、良好な表示特性を得ることができる。

以上のように、金属酸化物膜７に必要な導電性の制御が還元処理によって可能であることが検証された。この導電性の制御は、還元処理に代わって酸化処理によっても可能である。まず、スパッタ法による金属酸化物膜７の成膜が、より低い酸素濃度を有するプロセスガスを用いて行われる。これにより金属酸化物膜７は、成膜直後から導体として機能する。図１３を参照して、次にレジストパターン５９ｂ（マスク層）が形成される。レジストパターン５９ｂのパターンは、レジストパターン５９ａのパターンを反転したものに相当する。次に、レジストパターン５９ｂが設けられた、電極構成層７Ａとなる部分を含む金属酸化物膜７に対して、酸化処理が行われる。これにより、電極構成層７Ａに、交互に配置された複数の電極領域ＲＥと複数の絶縁体領域ＲＩとを有するストライプ領域ＳＲＡが形成される。酸化処理としては、例えば、酸素プラズマ処理、Ｎ₂Ｏプラズマ処理、水蒸気雰囲気中アニール、酸化溶液中処理、紫外線−オゾン処理、または酸素雰囲気中のレーザーアニールなどが挙げられる。

本実施の形態の製造方法によれば、レジストパターン５９ａ（図１２）またはレジストパターン５９ｂ（図１３）を用いた選択的な酸化または還元処理によって、電極構成層７Ａに、高い導電性を有する電極領域ＲＥと、絶縁性を有する絶縁体領域ＲＩとを設けることができる。よって、ＦＦＳのように表示品質を高め得る方式で必要とされる電極構造を設けることができる。また電極構成層７Ａは、異なる材料から作られた複数の膜が組み合わされたものではなく、一の酸化物材料が堆積されることによって形成された層である。よって電極構成層７Ａの表面は、特段の加工を要することなく、凹凸の少ないものとし得る。このように凹凸の少ない表面が液晶層７０に対向することで、液晶分子の配向の乱れに起因した表示品質の低下が避けられる。以上から、簡便な方法によって製造可能であり、かつ高い表示品質を有する液晶表示装置２００が得られる。

還元処理が用いられる場合、電極領域ＲＥと絶縁体領域ＲＩとの境界では、還元ガス（水素）の拡散によってシート抵抗が導体と絶縁体との間で変化している。つまり、導体部と絶縁体部の境界が正確に分離できない状態になっている。これにより、フリンジ電界の電界集中が緩和されるので、焼きつき現象が低減される。なお酸化処理が用いられる場合も、上記と同様、導体部と絶縁体部の境界が正確に分離できない状態となることで、フリンジ電界の電界集中が緩和されるので、焼きつき現象が低減される。

また本実施の形態における電極構成層７Ａの絶縁体領域ＲＩに相当する領域として、従来の製造方法では、エッチングによって電極層にスリット領域を形成するのが通常であった。この場合、エッチング残渣（インジウム残渣）に起因して、スリット領域での電気的短絡などに起因した表示不良が生じることがあった。この問題は、エッチング方法としてウェット法が用いられる場合、特に深刻であった。本実施の形態によれば、スリット領域に相当する絶縁体領域ＲＩをエッチングなしに形成することができるので、この問題を避けることができる。

＜実施の形態２＞
本実施の形態の液晶表示装置は、実施の形態１の液晶表示装置２００（図１）において、ＦＦＳモード用のＴＦＴアレイ基板１０１の代わりに、ＩＰＳモード用のＴＦＴアレイ基板１０２（図１４〜図１６）を有する。図１４は、本実施の形態のＴＦＴアレイ基板１０２の構成を示す概略的な部分平面図である。図中、線ＸＶＩＡ−ＸＶＩＡは、表示領域４１（図２）内に位置しており、アレイ状に配列された多数の画素４７のうちの１つを横断している。また線ＸＶＩＢ−ＸＶＩＢおよび線ＸＶＩＣ−ＸＶＩＣは、額縁領域４２に位置している。なお図１４は平面図であるが、図を見やすくするためにハッチングが付されている。図１５は、図１４の表面側の一部構造を省略して示す。図１６は、線ＶＡ−ＶＡ、線ＶＢ−ＶＢおよび線ＶＣ−ＶＣ（図３および図４）のそれぞれに沿った断面Ａ、ＢおよびＣを示す。

ＴＦＴアレイ基板１０２（図１６）は、ＴＦＴアレイ基板１０１（図５）と同様に、透明基板１０上にＴＦＴ５０が設けられた構造を有する。ＴＦＴアレイ基板１０２においては、この構造を覆うように層間絶縁膜１３が設けられている。層間絶縁膜１３は、例えば窒化シリコン、酸化シリコンなどの絶縁体により作られている。層間絶縁膜１３には、ドレイン電極５を部分的に露出するコンタクトホールＣＨｐと、ソース配線４４を部分的に露出するコンタクトホールＣＨｓとが設けられている。またゲート絶縁膜１１および層間絶縁膜１３には、共通配線９を部分的に露出するコンタクトホールＣＨｃと、ゲート配線４３を部分的に露出するコンタクトホールＣＨｇとが設けられている。

層間絶縁膜１３が設けられた透明基板１０に金属酸化物膜７が設けられている。金属酸化物膜７の材料は実施の形態１の場合と同様である。金属酸化物膜７は、本実施の形態においては、電極構成層７Ｂを含む。

電極構成層７Ｂは、画素電極７ｐと、対向電極７ｃと、絶縁体部７ｊとを有する。絶縁体部７ｊは、画素電極７ｐおよび対向電極７ｃの酸素欠陥濃度に比して、低い酸素欠陥濃度を有する。これにより、同じ材料を用いつつも、絶縁体部７ｊが絶縁性を有し、かつ画素電極７ｐおよび対向電極７ｃが導電性を有することが可能となる。絶縁体部７ｊのシート抵抗は、絶縁体部７ｉ（実施の形態１）のシート抵抗に関してとほぼ同様の理由により、１×１０⁸Ω／ｓｑ以上が望ましく、５×１０⁸Ω／ｓｑ以上がより望ましい。

画素電極７ｐおよび対向電極７ｃは、共に電極構成層７Ｂによって構成されているので、同一層上に配置されている。画素電極７ｐおよび対向電極７ｃ（図１４）は、絶縁体部７ｊを介して互いに噛み合わされた櫛歯電極である。画素電極７ｐはコンタクトホールＣＨｐにおいてドレイン電極５に接続されている。これにより、画素電極７ｐに印加される表示電圧がＴＦＴ５０によって制御可能となっている。対向電極７ｃはコンタクトホールＣＨｃにおいて共通配線９に接続されている。これにより、透明基板１０の面内方向電界を発生させることができる。よって、ＩＰＳモードのような、面内方向電界を用いた液晶層７０（図１）の変調が可能となる。

電極構成層７Ｂはストライプ領域ＳＲＢ（図１４）を含む。ストライプ領域ＳＲＢは、複数の絶縁体領域ＲＩと、画素電極７ｐに含まれる複数の画素電極領域ＲＥｐと、対向電極７ｃに含まれる複数の対向電極領域ＲＥｃとを有する。画素電極領域ＲＥｐおよび対向電極領域ＲＥｃを総称して電極領域ＲＥともいう。ストライプ領域ＳＲＢは、交互に配置された複数の電極領域ＲＥと複数の絶縁体領域ＲＩとを有する。電極領域ＲＥは、画素電極７ｐに含まれる部分と、対向電極７ｃに含まれる部分とを有する。電極領域ＲＥには画素電極７ｐおよび対向電極７ｃが交互に配置されている。言い換えれば、電極領域ＲＥには画素電極領域ＲＥｐおよび対向電極領域ＲＥｃが交互に配置されている。

電極構成層７Ｂのストライプ領域ＳＲＢの電極領域ＲＥおよび絶縁体領域ＲＩは、図１６に示すように、一の平坦な面をなしている。これによりストライプ領域ＳＲＢの凹凸をなくすことができる。実施の形態１で説明したように、電極領域ＲＥおよび絶縁体領域ＲＩは、異なる酸素欠陥濃度を有するものの、同じ金属酸化物から作られている。よって平坦な表面を有するストライプ領域ＳＲＢは、平坦な表面を有する金属酸化物膜を形成することによって容易に得られる。

電極構成層７Ｂの絶縁体部７ｊは、表示領域４１（図２）の外側まで延伸しているが、走査信号駆動回路４５および表示信号駆動回路４６を配置する領域までは延伸していない。よって電極構成層７Ｂは透明基板１０上において、表示領域４１から額縁領域４２内へ延伸しているが、走査信号駆動回路４５および表示信号駆動回路４６を配置する領域までは延伸していない。よって電極構成層７Ｂは、前述した接続領域（外部配線４８および走査信号駆動回路４５の間の領域、および外部配線４９および表示信号駆動回路４６の間の領域）からは離れている。

なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態１の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。

図１７（Ａ）および（Ｂ）は、比較例の液晶表示装置における液晶層７０（図１）の変調の様子を模式的に示す。本比較例においては、層間絶縁膜１３上に画素電極７ｐおよび対向電極７ｃが設けられており、それによって表面に凹凸が形成されている。図中、「ＯＦＦ」は画素電極７ｐおよび対向電極７ｃの間に横方向電界ＥＬが生じていない状態を示しており、「ＯＮ」は画素電極７ｐおよび対向電極７ｃの間に横方向電界ＥＬが生じている状態を示している。液晶分子ＬＭは棒形状を有しており、ＯＮ状態の場合にはその長手方向が横方向電界ＥＬに沿うように配向する。ＯＦＦ状態の場合には液晶分子ＬＭはその長手方向が面内の方向３５ａに沿うように配向する。方向３５ａは配向膜のラビング処理によって決定される。

ＯＦＦ状態においては、より多くの液晶分子ＬＭが、より精確に方向３５ａに沿う配向を有することが好ましい。しかしながら本比較例においては、図１７（Ａ）の破線部に示すように、液晶分子ＬＭの配向の不規則性が画素電極７ｐおよび対向電極７ｃの各々の縁において大きくなってしまう。これは、画素電極７ｐおよび対向電極７ｃの膜厚に対応した段差に起因して、配向膜においてラビング処理が不十分な箇所が生じるためである。この配向の不規則性、すなわち偏向軸の乱れ、は、ＯＦＦ状態（黒表示状態）における透過率の増加につながる。その結果、表示のコントラストが低下したり、光の局所的な漏れが生じたりしてしまう。つまり液晶表示装置の表示品位が低くなる。

図１８（Ａ）および（Ｂ）を参照して、これに対して本実施の形態によれば、画素電極７ｐおよび対向電極７ｃは、絶縁体部７ｊと共に、平坦な表面を有するストライプ領域ＳＲＢ（図１６）をなしている。これにより、画素電極７ｐおよび対向電極７ｃの各々の縁、特にストライプ領域ＳＲＢ（図１６）における電極領域ＲＥおよび絶縁体領域ＲＩの境界近傍部分、に段差が形成されない。よってこの部分においてもラビング処理を十分に行うことができる。よってＯＦＦ状態における液晶分子ＬＭの配向の不規則性が抑制される。その結果、表示のコントラストを高めたり、光の局所的な漏れの発生を抑えたりすることができる。つまり液晶表示装置の表示品位を高めることができる。

以上のように本実施の形態の液晶表示装置が有するＴＦＴアレイ基板１０２によれば、電極構成層７Ｂは、異なる材料から作られた複数の膜が組み合わされたものではなく、一の材料から作られた層である。よって凹凸の少ない表面を有する電極構成層７Ｂは、一の材料の堆積によって容易に得られる。このように凹凸の少ない表面が液晶層７０に対向することで、液晶分子ＬＭの配向の乱れに起因した表示品質の低下が避けられる。よって液晶表示装置は、高い表示品質を有しつつ、簡便な製造方法によって製造可能である。

以下、液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板１０２の製造方法について、図１９〜図２１を用いて説明する。なおＴＦＴ５０の形成までの工程は実施の形態１と同様であるためその説明を省略する。

図１９を参照して、ソース電極４、ドレイン電極５、ソース配線４４、およびゲート絶縁膜１１などが設けられた透明基板１０の上面全体を覆うように、層間絶縁膜１３が成膜される。例えば、ＣＶＤ法を用いて、窒化シリコンまたは酸化シリコンなどの無機絶縁体が透明基板１０の上面全体に堆積される。これにより、半導体層２のチャネル領域などが層間絶縁膜１３に覆われる。

図２０を参照して、写真製版と微細加工技術とを用いて、ゲート絶縁膜１１と層間絶縁膜１３とをパターニングすることにより、コンタクトホールＣＨｇ、ＣＨｓおよびＣＨｃが形成される。

図２１を参照して、次に、図２０に示された構造（コンタクトホールＣＨｇ、ＣＨｓおよびＣＨｃが形成された層間絶縁膜１３など）が設けられた透明基板１０上に、金属酸化物材料（一の酸化物材料）が堆積されることによって、電極構成層７Ｂとなる部分を含む金属酸化物膜７が形成される。金属酸化物膜７の成膜条件としては実施の形態１と同様のものを用い得る。

それから、写真製版および微細加工技術により、金属酸化物膜７がパターニングされる。これにより、電極構成層７Ｂと、ソース端子パッド７ｓと、ゲート端子パッド７ｇとが形成される。

次に、金属酸化物膜７に対して、レジストパターン（図１２：レジストパターン５９ａ参照）を用いた還元処理が行われる。還元処理の方法自体は実施の形態１とほぼ同様であるが、レジストパターンは、絶縁体部７ｊを覆い、画素電極７ｐ、対向電極７ｃ、ゲート端子パッド７ｇ、およびソース端子パッド７ｓを露出するパターン形状を有するものとされる。

以上により、ＴＦＴアレイ基板１０２（図１６）が得られる。ＴＦＴアレイ基板１０２の電極構成層７Ｂ（図１４）において、還元処理が行われた画素電極７ｐおよび対向電極７ｃがその導電性によって電極として機能し、絶縁体部７ｊがなす絶縁体領域ＲＩは、画素電極７ｐおよび対向電極７ｃの間を絶縁する空間として機能する。

なおＴＦＴアレイ基板１０２を用いて液晶表示装置を得る方法は実施の形態１におけるものと同様である。

本実施の形態の製造方法によっても、実施の形態１におけるものと同様に、簡便な方法によって製造可能であり、かつ高い表示品質を有する液晶表示装置が得られる。

また本実施の形態における電極構成層７Ｂの絶縁体領域ＲＩに相当する領域として、従来の製造方法では、エッチングによって電極層にスリット領域を形成するのが通常であった。この場合、エッチング残渣（インジウム残渣）に起因して、スリット領域での電気的短絡などに起因した表示不良が生じることがあった。この問題は、エッチング方法としてウェット法が用いられる場合、特に深刻であった。本実施の形態によれば、スリット領域に相当する絶縁体領域ＲＩをエッチングなしに形成することができるので、この問題を避けることができる。

＜実施の形態３＞
図２２は、本実施の形態における液晶表示装置が有するＴＦＴアレイ基板１０３の構成を、ＴＦＴアレイ基板１０１を示す図５と同様の視野で示す。本実施の形態の液晶表示装置は、実施の形態１の液晶表示装置２００（図１）においてＴＦＴアレイ基板１０１（図５）の代わりにＴＦＴアレイ基板１０３（図２２）を有する。

ＴＦＴアレイ基板１０３は、ＴＦＴ５０が設けられた透明基板１０を覆う、層間絶縁膜１３（第１の層間絶縁膜）および層間絶縁膜１４（第２の層間絶縁膜）を有する。透明基板１０上において層間絶縁膜１３および１４はこの順に積層されている。層間絶縁膜１４は、詳しくは後述するが、塗布型の絶縁膜である。層間絶縁膜１４に覆われることで、ＴＦＴ５０の存在に起因した透明基板１０上の隆起がＴＦＴアレイ基板１０３の表面（図中、上面）の形状へおよぼす影響が緩和されている。すなわちＴＦＴアレイ基板１０３の表面が平坦化されている。

層間絶縁膜１３，１４には、実施の形態１と同様の目的のコンタクトホールＣＨｃ、ＣＨｓ、およびＣＨｇに加えて、コンタクトホールＣＨｐが設けられている。コンタクトホールＣＨｐはドレイン電極５を部分的に露出している。コンタクトホールＣＨｐにおいて下部電極６ｄはドレイン電極５に接続されている。また下部電極６ｄのうち電極構成層７Ａのストライプ領域ＳＲＡに対向する部分は、下部電極６ｄ上に配置されている。

またＴＦＴアレイ基板１０３は、ゲート端子中間部６ｇ、ソース端子中間部６ｓ、および共通端子中間部６ｃを有する。ゲート端子中間部６ｇはコンタクトホールＣＨｇにおいてゲート配線４３に接続されている。ソース端子中間部６ｓはコンタクトホールＣＨｓにおいてソース配線４４に接続されている。共通端子中間部６ｃはコンタクトホールＣＨｃにおいて共通配線９に接続されている。本実施の形態においては、ゲート端子パッド７ｇ、ソース端子パッド７ｓ、および上部電極部７ｕのそれぞれは、ゲート端子中間部６ｇ、ソース端子中間部６ｓ、および共通端子中間部６ｃ上に接続されている。

電極間絶縁膜１２には、コンタクトホールＣＨｇ、ＣＨｓ、およびＣＨｃの各々に対応する位置に、コンタクトホールＣＳ（第２のコンタクトホール）が設けられている。本実施の形態においては、ゲート端子パッド７ｇ、ソース端子パッド７ｓ、および上部電極部７ｕのそれぞれは、コンタクトホールＣＨｇ、ＣＨｓ、およびＣＨｃ中へ、コンタクトホールＣＳを介して入り込んでいる。

以下、液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板１０３の製造方法について、図２３〜図２５を用いて説明する。なおＴＦＴ５０の形成までの工程は実施の形態１と同様であるためその説明を省略する。

図２３を参照して、ソース電極４、ドレイン電極５、ソース配線４４、およびゲート絶縁膜１１などが設けられた透明基板１０の上面全体を覆うように、層間絶縁膜１３が成膜される。例えば、ＣＶＤ法を用いて、窒化シリコンまたは酸化シリコンなどの無機絶縁体が透明基板１０の上面全体に堆積される。これにより、半導体層２のチャネル領域などが層間絶縁膜１３に覆われる。

次に、層間絶縁膜１３を覆うように、層間絶縁膜１４となる樹脂層が形成される。例えば、スピンコート法またはスリットコート法などを用いて、アクリル、エポキシ、ポリイミドまたはポリオレフィンなどの樹脂が、透明基板１０の上面全体に塗布される。例えば、層間絶縁膜１４の膜厚が最も薄くなる部分（すなわち、ＴＦＴ５０上の部分）で厚さが２．０μｍ以上になるように、塗布条件が設定される。本実施の形態においては、塗布される樹脂は、感光性のものとされ、例えばポジ型の感光性樹脂が用いられる。

その後、上記感光性樹脂層の露光および現像（すなわち写真製版技術）により、コンタクトホールＣＨｐ、ＣＨｃ、ＣＨｓ、およびＣＨｇを有する層間絶縁膜１４が形成される。露光量は、コンタクトホールＣＨｐ、ＣＨｃ、ＣＨｓ、およびＣＨｇが層間絶縁膜１４を貫通することができる程度に十分なものとされる。

その後、層間絶縁膜１４の全面に紫外線が照射される。次に層間絶縁膜１４の熱処理が行われる。熱処理は、例えば、相対的に低温の熱処理と、その後の相対的に高温の熱処理（焼成）との組み合わせによって行われることが好ましい。例えば、前者が１００℃程度であり、後者が２３０℃程度である。

次に、層間絶縁膜１４をマスクとして用いた微細加工技術により層間絶縁膜１４のパターンが層間絶縁膜１３に転写されることで、層間絶縁膜１３がパターニングされる。これにより、コンタクトホールＣＨｐ、ＣＨｃ、ＣＨｓ、およびＣＨｇの各々が、層間絶縁膜１４に加えて層間絶縁膜１３も貫通する。以上により、図２３に示される構造が形成される。

図２４を参照して、層間絶縁膜１３，１４が設けられた透明基板１０の上面全体の上に、例えばスパッタ法などにより、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明導電膜が成膜される。透明電極膜は、層間絶縁膜１４上、および、コンタクトホールＣＨｐ、ＣＨｃ、ＣＨｓ、およびＣＨｇ内に形成される。

それから、写真製版および微細加工技術により、この透明導電膜がパターニングされる。これによりこの透明導電膜から、下部電極６ｄ、ゲート端子中間部６ｇ、ソース端子中間部６ｓ、および共通端子中間部６ｃが形成される。

図２５を参照して、下部電極６ｄ、ゲート端子中間部６ｇ、ソース端子中間部６ｓ、および共通端子中間部６ｃなどが設けられた透明基板１０の上面全体の上に、電極間絶縁膜１２が成膜される。電極間絶縁膜１２の成膜方法は、実施の形態１と同様のものを用い得る。

なお電極間絶縁膜１２の成膜温度が層間絶縁膜１４の焼成温度を超える場合には、層間絶縁膜１４からより多くのガスが離脱しやすく、このガスが電極間絶縁膜１２の膜中に取り込まれる結果、電極間絶縁膜１２の絶縁性または被覆性が低下し得る。そのため、電極間絶縁膜１２の成膜温度は層間絶縁膜１４の焼成温度以下であることが好ましい。例えば、層間絶縁膜１４が上述したように２３０℃で焼成され、その後、電極間絶縁膜１２として厚さ３００ｎｍの窒化シリコン膜が成膜温度２２０℃で形成される。

次に、写真製版および微細加工技術により、電極間絶縁膜１２にコンタクトホールＣＳが形成される。これにより、コンタクトホールＣＳを有し、かつ、下部電極６ｄの凹凸に対応した凹凸を有する電極間絶縁膜１２が形成される。

以上により、図２５に示される構造が得られる。この後の工程は実施の形態１とほぼ同様であるため（図１０〜図１２参照）、その説明を省略する。

本実施の形態によれば、上述したように、ＴＦＴ５０の存在に起因した透明基板１０上の隆起がＴＦＴアレイ基板１０３の表面（図２２中、上面）の形状へおよぼす影響が、層間絶縁膜１４が設けられることで緩和されている。すなわちＴＦＴアレイ基板１０３の表面が平坦化されている。これにより、各画素４７（図２）内においてＴＦＴ５０の存在に起因して生じる表面段差が軽減される。よって、この表面上に設けられた配向膜に対してラビング処理が行われる際に、表面段差に起因してラビング処理が不十分となる箇所をより少なくすることができる。よって液晶表示装置の表示品位をより高めることができる。

また層間絶縁膜１４が感光性樹脂から作られることにより、写真製版技術を用いることで層間絶縁膜１４のパターニングが短時間で容易に行われる。なお層間絶縁膜１４の材料は必ずしも感光性を有する必要はない。一般に感光性樹脂に比べて非感光性樹脂の方が透過率が高く、色づきが少なく、平坦性に優れている。よって非感光性樹脂を用いることで、液晶表示装置の表示時品位をより高めることができる。また、平坦化性が高い材料であれば、塗布材料は、液状である必要はなく、例えばポリシラザンなどでもよい。

＜実施の形態４＞
図２６は、本実施の形態における液晶表示装置が有するＴＦＴアレイ基板１０４の構成を、ＴＦＴアレイ基板１０２を示す図１６と同様の視野で示す。本実施の形態の液晶表示装置は、実施の形態１の液晶表示装置２００（図１）においてＴＦＴアレイ基板１０１（図５）の代わりにＴＦＴアレイ基板１０４（図２６）を有する。

ＴＦＴアレイ基板１０４は、層間絶縁膜１３（第１の層間絶縁膜）上に設けられた層間絶縁膜１４（第２の層間絶縁膜）を有する。層間絶縁膜１３，１４には、実施の形態２と同様の目的のコンタクトホールＣＨｃ、ＣＨｓ、ＣＨｇ、およびＣＨｐが設けられている。本実施の形態においては、金属酸化物膜７は層間絶縁膜１４上に設けられている。

層間絶縁膜１４は、実施の形態３で説明したような、塗布型の絶縁膜である。層間絶縁膜１４に覆われることで、ＴＦＴ５０の存在に起因した透明基板１０上の隆起がＴＦＴアレイ基板１０４の表面（図中、上面）の形状へおよぼす影響が緩和されている。すなわちＴＦＴアレイ基板１０４の表面が平坦化されている。

なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態２の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。

ＴＦＴアレイ基板１０４の製造方法において、図２３に示す工程まで実施の形態３と同様の工程を用い得る。その後、電極構成層７Ｂを有する金属酸化物膜７を、実施の形態２と同様の工程により形成し得る。

本実施の形態によれば、液晶層７０（図１）の変調に横方向電界を用いる液晶表示装置の表示品位を、実施の形態２および３と同様の理由で高めることができる。

＜実施の形態５＞
図２７は、本実施の形態における液晶表示装置が有するＴＦＴアレイ基板１０５の構成を、ＴＦＴアレイ基板１０１を示す図５と同様の視野で示す。本実施の形態の液晶表示装置は、実施の形態１の液晶表示装置２００（図１）においてＴＦＴアレイ基板１０１（図５）の代わりにＴＦＴアレイ基板１０５（図２７）を有する。

ＴＦＴアレイ基板１０５は、一の金属酸化物材料から作られた金属酸化物膜６を有する。この材料としては、実施の形態１において例示した、金属酸化物膜７のための材料と同様のものを用い得る。ただしＴＦＴアレイ基板１０５において、金属酸化物膜６と金属酸化物膜７とで異なる材料が用いられてもよい。

金属酸化物膜６は、前述した下部電極６ｄ、ゲート端子中間部６ｇ、ソース端子中間部６ｓ、および共通端子中間部６ｃに加えて、これらを一体の層とする絶縁体部６ｉを有する。金属酸化物膜６の表面（図中、上面）において、下部電極６ｄ、ゲート端子中間部６ｇ、ソース端子中間部６ｓ、および共通端子中間部６ｃの各々と、絶縁体部６ｉとは、段差なしにつながっている。

金属酸化物膜６において、下部電極６ｄ、ゲート端子中間部６ｇ、ソース端子中間部６ｓ、および共通端子中間部６ｃは電気的経路として用いられるのに十分な導電性を有し、絶縁体部６ｉは絶縁性を有する。金属酸化物膜６におけるこのような導電性の制御は、実施の形態１において説明した、金属酸化物膜７に対する導電性の制御と同様の方法により行うことができる。

なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態３の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。

ＴＦＴアレイ基板１０５の製造方法としては、ＴＦＴアレイ基板１０３（実施の形態３）の製造方法における下部電極６ｄの形成工程において、微細加工の代わりに、上述した導電性の制御が行われればよい。

本実施の形態５によれば、下部電極６ｄ、ゲート端子中間部６ｇ、ソース端子中間部６ｓ、および共通端子中間部６ｃの各々と、絶縁体部６ｉとが段差なしにつながっている。これにより、表面段差に起因してラビング処理が不十分となる箇所をより少なくすることができる。よって液晶表示装置の表示品位をより高めることができる。

＜実施の形態６＞
図２８は、本実施の形態における液晶表示装置が有するＴＦＴアレイ基板１０６の構成を、ＴＦＴアレイ基板１０１を示す図５と同様の視野で示す。本実施の形態の液晶表示装置は、実施の形態１の液晶表示装置２００（図１）においてＴＦＴアレイ基板１０１（図５）の代わりにＴＦＴアレイ基板１０６（図２８）を有する。

本実施の形態においては、ゲート端子パッド７ｇと、ソース端子パッド７ｓと、電極構成層７Ａとが、絶縁体部７ｉによって、一体の金属酸化物膜７を構成している。これにより、ゲート端子パッド７ｇ、ソース端子パッド７ｓ、および電極構成層７Ａの各々の端部で、表面形状に影響を及ぼす段差が構成されなくなる。これにより、表面段差に起因してラビング処理が不十分となる箇所をより少なくすることができる。よって液晶表示装置の表示品位をより高めることができる。

なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態５の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。

ＴＦＴアレイ基板１０６の製造方法としては、ＴＦＴアレイ基板１０３（実施の形態３）の製造方法における電極構成層７Ａの形成工程において、微細加工の代わりに、導電性の制御が行われればよい。すなわち、ゲート端子パッド７ｇ、ソース端子パッド７ｓ、および電極構成層７Ａの電気的な分離が、微細加工によってではなく、絶縁体部７ｉを設けることによって行われればよい。

＜実施の形態１〜６の変形例＞
電極構成層７Ａまたは７Ｂを含む金属酸化物膜７の導電性の制御が還元処理によって行われる場合、その具体的な方法は、上述した水素プラズマ処理に限定されるものではない。例えば、水素雰囲気または他の還元ガス雰囲気中の熱処理が行われてもよい。あるいは、水素含有量の多い窒化シリコン膜が酸化物半導体のうち還元されることになる領域上に選択的に形成され、その後にアニール処理が行われてもよい。あるいは還元溶液中の浸漬がおこなわれてもよい。

また電極構成層７Ａまたは７Ｂのうちその導電性が相対的に高くされる部分のシート抵抗について０．０１Ω／ｓｑを例示したが、このシート抵抗は、電極に用いられるのに十分低く、かつ、透過率の低下が問題とならない程度に高いものであればよい。また電極構成層７Ａまたは７Ｂを含む金属酸化物膜７の材料についてＩｎ−Ｇａ-Ｚｎ−Ｏ（１：１：１：４）を例示したが、この材料はこれに限定されるものではなく、例えば、Ｉｎ―Ｚｎ−Ｓｎ−ＯまたはＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｈｆ−Ｏなどであってもよい。

また下部電極６ｄがＴＦＴ５０を介してソース配線４４に接続された画素電極であり上部電極部７ｕが共通配線に接続された対向電極であるが、電気的接続を逆にすることによって、上部電極部７ｕを画素電極とし、かつ下部電極６ｄを対向電極としてもよい。この場合、対向電極は、透明基板１０と電極構成層７Ａとの間に下部電極６ｄとして設けられたものとなる。またこの場合、電極領域ＲＥは、対向電極には含まれずに画素電極に含まれる。言い換えると、本実施の形態においては電極構成層７Ａは画素電極および対向電極のうち対向電極を含むものであるが、逆に画素電極を含むものであってもよい。

またゲート端子パッド７ｇおよびソース端子パッド７ｓは、必ずしも金属酸化物膜７によって構成されている必要はなく、例えば金属膜から構成されていてもよい。

またＴＦＴアレイ基板１０３〜１０６（図２２、および図２６〜図２８）において、層間絶縁膜１４（第２の層間絶縁膜）は必ずしも層間絶縁膜１３（第１の層間絶縁膜）上に設けられる必要はなく、層間絶縁膜１３が省略されてもよい。

またＴＦＴ５０の半導体層２の材料として非晶質シリコンを例示したが、多結晶シリコンまたは金属酸化物が用いられもよい。また各画素のスイッチング素子としてのＴＦＴとしてチャネルエッチ型のＴＦＴ５０を例示したが、トップゲート型など他のＴＦＴが形成されてもよい。

またストライプ領域ＳＲＡまたはＳＲＢについて絶縁体領域ＲＩの延在方向がソース配線４４の延在方向と垂直の場合について図示したが、両方向の関係はこれに限定されるものではない。例えば絶縁体領域ＲＩの延在方向がソース配線４４の延在方向に対して平行または斜めであってもよい。また絶縁体領域ＲＩの延在方向とソース配線４４の延在方向との角度が異なる構成が組み合わされてもよい。

またストライプ領域ＳＲＡまたはＳＲＢにおいてストライプ形状のピッチが一定である場合について例示したが、ストライプ領域ＳＲＡまたはＳＲＢ内においてストライプ形状のピッチが異なっていてもよい。

また透明基板１０（支持基板）を有するＴＦＴアレイ基板１０１（アレイ基板）が液晶層７０の反視認側（図１における奥側）に配置される場合について図示したが、アレイ基板は液晶層の視認側に配置されてもよい。その際にはアレイ基板に、ブラックマトリックおよびＲＧＢなどの色材（いわゆるカラーフィルタ）の構造を併設することが望ましい。

なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略したりすることが可能である。本発明は詳細に説明されたが、上記した説明は、すべての局面において、例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。

７Ａ，７Ｂ 電極構成層、ＲＥ 電極領域、ＲＩ 絶縁体領域、ＳＲＡ，ＳＲＢ ストライプ領域、ＲＥｃ 対向電極領域、ＲＥｐ 画素電極領域、４ ソース電極、５ ドレイン電極、６，７ 金属酸化物膜、６ｃ 共通端子中間部、６ｄ 下部電極、６ｇ ゲート端子中間部、６ｉ，７ｉ，７ｊ 絶縁体部、６ｓ ソース端子中間部、７ｃ 対向電極、７ｇ ゲート端子パッド、７ｐ 画素電極、７ｓ ソース端子パッド、７ｕ 上部電極部、９ 共通配線、１０ 透明基板（支持基板）、１２ 電極間絶縁膜、１３，１４ 層間絶縁膜、４３ ゲート配線、４４ ソース配線、５０ ＴＦＴ、５９ａ，５９ｂ レジストパターン、１０１〜１０６ ＴＦＴアレイ基板、２００ 液晶表示装置。

Claims (7)

1. 液晶層を変調するための画素電極および対向電極を有する液晶表示装置であって、
   支持基板と、
   前記支持基板上に設けられ金属酸化物から作られた電極構成層とを備え、前記電極構成層は、交互に配置された複数の電極領域と複数の絶縁体領域とを有するストライプ領域を含み、前記電極領域は、前記金属酸化物が酸素欠陥を有することによって導電性を有し、前記絶縁体領域は、前記金属酸化物が前記電極領域の酸素欠陥濃度に比して低い酸素欠陥濃度を有することによって絶縁性を有し、前記電極領域は前記画素電極および前記対向電極の少なくともいずれかに含まれる、
   液晶表示装置。
2. 前記支持基板は、表示領域と、前記表示領域を囲む額縁領域とを有し、
   前記液晶表示装置は、前記支持基板上の前記額縁領域に設けられた電気回路と、前記支持基板の前記額縁領域上から前記支持基板外へ延びる外部配線とをさらに備え、前記電気回路と前記外部配線とは、前記支持基板上の前記額縁領域内において前記電気回路と前記外部配線との間に位置する接続領域で互いに接続されており、
   前記電極構成層の前記ストライプ領域の前記電極領域および前記絶縁体領域は一の平坦な面をなしており、
   前記電極構成層は前記支持基板上において、前記表示領域から前記額縁領域内へ延伸しており、かつ前記接続領域には設けられていない、請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記電極構成層の前記絶縁体領域は１×１０⁸Ω／ｓｑ以上のシート抵抗を有する、請求項１または２に記載の液晶表示装置。
   
   
4. 前記金属酸化物はインジウム原子とガリウム原子とを含む、請求項３に記載の液晶表示装置。
5. 前記電極構成層は前記画素電極および前記対向電極の一方のみを含み、
   前記支持基板と前記電極構成層との間に、前記画素電極および前記対向電極の他方である下部電極をさらに備え、前記下部電極は前記電極構成層の前記絶縁体領域に対向する部分を含む、請求項１から４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
6. 前記電極構成層の前記ストライプ領域の前記電極領域は、前記画素電極に含まれる部分と、前記対向電極に含まれる部分とを有し、前記電極領域には前記画素電極および前記対向電極が交互に配置されている、請求項１から４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
7. 液晶層を変調するための画素電極および対向電極を有する液晶表示装置の製造方法であって、
   支持基板上に一の酸化物材料を堆積することによって電極構成層を形成する工程と、
   前記電極構成層上に、パターンを有するマスク層を形成する工程と、
   前記マスク層が設けられた前記電極構成層に対して酸化および還元のいずれかの処理を行うことによって、前記電極構成層に、交互に配置された複数の電極領域と複数の絶縁体領域とを有するストライプ領域を形成する工程とを備え、前記電極領域は前記画素電極および前記対向電極の少なくともいずれかに含まれる、
   液晶表示装置の製造方法。

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