JP5912701B2 - 磁気検出装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、外部磁界の方向を検出するための磁気センサを備えた磁気検出装置の特に実装面の構造に関する。

外部磁界の方向を検出するための磁気センサとしては、例えば地磁気の方位を検出するための地磁気センサがある。

地磁気センサを有する磁気検出装置は、前記地磁気センサを基板上に備えてパッケージ化されたものである。前記基板の裏面は実装基板との実装面に該当し、図８（ａ）（従来の磁気検出装置の裏面図）に示すように実装面３０には基板の裏面に塗布されたレジスト層２２が設けられ、前記レジスト層２２には複数の開口部２３が形成されている。そして各開口部２３内に夫々、電極パッド３１が露出している。図８（ａ）に示すように複数の電極パッド３１を実装面３０に配列したことで、基板実装の高密度化を図ることができる。

図８（ａ）に示す磁気検出装置の側面２４は製造工程中の切断面に該当する。すなわち複数の磁気検出装置を同時に製造するために、各磁気検出装置を構成する基板よりも大きな基板（大基板）を用いて、大基板上に複数の磁気センサ等を搭載し、モールドした後、大基板を個々の磁気検出装置ごとに切断する。その際の切断面が各磁気検出装置の側面２４に該当する。

特開２００１−７２４６号公報 特開２００２−１００７１１号公報 特開２００８−２７７６６１号公報 特開２００６−２９５１５６号公報

しかしながら、大基板を各磁気検出装置ごとに切断する際、図８（ａ）に示すように切断位置Ｄが、所定の位置からずれてしまうと、図８（ｂ）（従来の磁気検出装置の部分拡大裏面図）に示すように、実装面３０の周囲部に位置する少なくとも一部の周囲開口部（図８（ａ）（ｂ）にて符号２３ａを付した）と、磁気検出装置の側面２４との間の間隔が狭くなり、あるいは、周囲開口部２３ａには側面２４にまで通じる連通部（欠陥部）２５が形成されてしまう。なお図８（ｂ）に示す側面２４は、図８（ａ）に示す切断位置Ｄにて切断した際の側面である。

図８（ｂ）に示すように切断位置Ｄにて側面２４が形成されてしまうと、周囲開口部２３ａの側面２４に最も近い位置と側面２４間の最小幅が非常に小さくなり、その結果、前記最小幅付近のレジスト層２２（図８（ｂ）では符号２２ａを付した）の面積が非常に小さくなるため、レジスト剥がれが生じやすい問題があった。

レジスト層２２が剥がれると、図８（ｃ）（磁気検出装置の正面図）に示すように、磁気検出装置２６の実装面３０と実装基板２７との間にレジスト層２２の剥離部が挟みこまれてしまい、磁気検出装置２６が実装基板２７に対して斜めに傾いた状態で実装されやすい。なお図８（ｃ）（ｄ）に示す符号２９は半田層である。

また、周囲開口部２３ａに側面２４にまで通じる連通部（欠陥部）２５が形成されていると、図８（ｄ）（磁気検出装置の正面図）に示すように、電極パッド３１と実装基板２７の導電接続部間を接合するための半田ペースト２８が、連通部２５から側面２４の外方に流出しやすくなる。このとき、図８（ａ）に示す図示右側に位置する周囲開口部２３ａでは、半田ペースト２８が連通部２５を介して側面２４の外方に流れやすいが、図８（ａ）に示す図示左側に位置する周囲開口部２３ａでは、連通部２５が形成されず半田ペースト２８が側面２４の外方に流れにくい。よって、半田ペースト２８が流れやすい周囲開口部２３ａ内の電極パッド３１と実装基板２７の導電接続部間、及び、半田ペースト２８が流れない周囲開口部２３ａ内の電極パッド３１と実装基板２７の導電接続部間では、高さ方向への間隔（スペーシング）が変化する。したがって図８（ｄ）に示すように、磁気検出装置２６が実装基板２７に対して斜めに傾いた状態で実装されやすい。なお図８（ｄ）では、外方に流出した半田ペースト２８と、磁気検出装置２６と実装基板２７間を接合する半田層２９とを区別して表示した。

図８（ｃ）（ｄ）に示したように、磁気検出装置２６が実装基板２７に対して斜めに傾いた状態で実装されると、磁気検出装置２６内に内蔵された地磁気センサにより地磁気の方位を精度良く検出することができなくなり、検出精度の低下や検出精度ばらつきが生じた。

上記した各特許文献には、いずれにも実装面に電極パッドを露出させるための開口部を備えるレジスト層が設けられた構成において、切断位置が所定の位置からずれた際にレジスト剥がれや半田ペーストの流出を低減させるための実装面の構造について開示されていない。

そこで本発明は、上記従来の課題を解決するためのものであり、特に、磁気検出装置を実装基板に対し平行に安定して設置することができる磁気検出装置の製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、外部磁界の方向を検出するための磁気センサを備え、実装面に複数の電極パッドを有する磁気検出装置の製造方法において、
複数の前記磁気検出装置を構成する各実装面を一体化した裏面に形成された絶縁層に対し前記各実装面の位置に夫々、前記複数の電極パッドを形成するための複数の開口部を形成し、このとき、各実装面に形成された前記複数の開口部のうち、少なくとも各実装面の周囲部に位置する周囲開口部に、前記開口部から切断部の位置まで達する開放部を形成し、前記切断部を挟んで隣り合う前記各実装面に形成された各周囲開口部間を前記開放部により一体に繋げる工程、
前記複数の開口部に夫々、前記電極パッドを形成する工程、
各磁気検出装置ごとに前記裏面を切断する工程、
を有することを特徴とするものである。これにより、各磁気検出装置ごとに切断する際、切断位置が切断部から多少外れても、切断面である各磁気検出装置の側面と、各周囲開口部の側面に最も近い位置との間の最小幅寸法を従来よりも広げることができ、最小幅付近の絶縁層の面積を従来よりも大きくできる。よって絶縁層が実装面から剥がれたり欠ける等の不具合を従来より抑制できる。また磁気検出装置を実装基板上に実装する際、余剰の半田ペーストを各周囲開口部から略均一に開放部へ流出させることができる。以上により、磁気検出装置を実装基板上に平行に実装させることができ、磁気センサにより外部磁界の方向を高精度に検出でき、精度ばらつきを低減できる。

また本発明では従来に比べて切断位置の許容範囲を広げることができ、したがって製造工程を容易化できる。

さらに、簡単に開放部を形成でき、また切断位置が多少ずれても、隣り合う各実装面に形成された各周囲開口部の双方に適切に側面（切断位置の切断面に該当する）にまで通じる開放部を設けることができる。

また本発明では、基板と、前記基板の前記実装面とは逆側の面に配置された前記磁気センサおよび集積回路と、前記磁気センサおよび前記集積回路を覆うカバー部材と、を有し、
前記基板は、複数の前記磁気検出装置を一体化した大きさの大基板であり、前記大基板の各磁気検出装置の位置に前記磁気センサ及び前記集積回路を配置し、
前記大基板を各磁気検出装置ごとに切断することが好ましい。
上記により複数のパッケージ化された磁気検出装置を簡単に製造することができる。

本発明によれば、各周囲開口部の側面に最も近い位置と側面間の最小幅寸法を従来よりも広げることができ、最小幅付近の絶縁層の面積を従来よりも大きくできる。よって絶縁層が実装面から剥がれたり欠ける等の不具合を従来より抑制できる。また磁気検出装置を実装基板上に実装する際、余剰の半田ペーストを各周囲開口部から略均一に各開放部に向けて流出させることができる。以上により、磁気検出装置を実装基板上に平行に実装させることができ、磁気センサにより外部磁界の方向を高精度に検出でき、精度ばらつきを低減できる。

図１（ａ）は、本実施形態における磁気検出装置の正面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示す磁気検出装置の実装面を示す裏面図であり、図１（ｃ）は、図１（ｂ）に示す実装面の一部を拡大して示した部分拡大裏面図である。 図２（ａ）は、本実施形態の実装面の絶縁層に形成された周囲開口部と開放部とを拡大して示した部分拡大裏面図であり、特に、従来のように開放部のない形態と比較して本実施形態の効果を説明するための図であり、図２（ｂ）は、別の実施形態の周囲開口部の形状を示す部分裏面図である。 図３は、本実施形態における磁気検出装置及び磁気検出装置を実装基板上に実装した状態を示す部分拡大縦断面図である。 図４は、本実施形態における磁気検出装置のブロック図である。 図５は、本実施形態における磁気検出装置の製造工程を示す一工程図（実装面を示す図）である。 図６は、図５に示す工程の次の工程を示す一工程図（実装面を示す図）である。 図７は、別の実施形態を示す磁気検出装置の製造工程図（実装面を示す図）である。 図８（ａ）は、従来の磁気検出装置の実装面を示す裏面図であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）に示す実装面の一部を拡大して示した部分拡大裏面図であり、図８（ｃ）（ｄ）は、従来の磁気検出装置の問題点を説明するための正面図である。

図１（ａ）は、本実施形態における磁気検出装置の正面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示す磁気検出装置の実装面を示す裏面図であり、図１（ｃ）は、図１（ｂ）に示す実装面の一部を拡大して示した部分拡大裏面図である。また、図２（ａ）は、本実施形態の実装面の絶縁層に形成された周囲開口部と開放部とを拡大して示した部分拡大裏面図であり、特に、従来のように開放部のない形態と比較して本実施形態の効果を説明するための図である。また図２（ｂ）は、別の実施形態の周囲開口部の形状を示す部分裏面図である。また、図３は、本実施形態における磁気検出装置及び磁気検出装置を実装基板上に実装した状態を示す部分拡大縦断面図である。また、図４は、本実施形態における磁気検出装置のブロック図である。

本実施形態における磁気センサを備えた磁気検出装置１は、例えば携帯電話等の携帯機器に搭載される地磁気検出装置（地磁気センサ）として構成される。

各図に示すＸ軸方向、及びＹ軸方向は水平面内にて直交する２方向を示し、Ｚ軸方向は前記水平面に対して直交する方向を示している。

磁気検出装置１は、図１、図３に示すように、基板２と、基板２の表面（上面）２ａに搭載された磁気センサ３、及び集積回路４（ＡＳＩＣ）と、磁気センサ３及び集積回路４の表面を覆うカバー部材５と、基板２の裏面（下面）２ｂに設けられた配線層６と、裏面２ｂに形成された絶縁層７と、絶縁層７に形成された開口部８と、前記開口部８から露出し、前記配線層６に電気的に接続された電極パッド９と、を有して構成される。

図３の実線に示すように、磁気センサ３は、基板２表面に設けられてもよいし、あるいは図３の点線で示すように、集積回路４と重ねて設けられてもよい。

基板２の表面２ａには配線層１０が形成され、各配線層１０の先端の接続端部１０ａと集積回路４の電極部４ａとが導電接着剤を介して電気的に接続されている。

図４に示すように磁気センサ３と集積回路４間は電気的に接続されており、磁気センサ３にて得られた検出信号が集積回路４にて制御される。

磁気センサ３は、上記したように例えば地磁気センサであり、地磁気センサは図４に示すようにＸ軸センサ３ａ、Ｙ軸センサ３ｂ及びＺ軸センサ３ｃを備える。このように３軸検出が可能な磁気センサ３を用いることで地磁気の方位を検出することが可能である。

本実施形態では、磁気センサ３の構成は限定されない。例えば磁気センサ３には磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子、ＴＭＲ素子等）やホール素子を用いることができる。

図３に示すように、基板２には表面２ａから裏面２ｂにまで通じる内部配線層１１が設けられ、内部配線層１１を介して集積回路４と電極パッド９とが電気的に接続されている（図４も参照）。

図３に示すように基板２の裏面２ａには絶縁層７が形成されている。絶縁層７は例えばレジスト層である。図１（ｂ）、図３に示すように絶縁層７には複数の開口部８が形成されている。そして複数の電極パッド９が一つずつ各開口部８内に設けられる。

図１（ｂ）に示すように、各開口部８及び各電極パッド９は略円形状で形成される。なお開口部８のうち、周囲開口部８ａについては後述するように開放部が連続して繋がっているため、周囲開口部８ａの輪郭は、厳密に言えば、円形状でなく円弧状である。略円形状としたのは、円形以外に製造誤差等によって円形からやや変形した形であってもよく、また周囲開口部８ａの外周のように円弧状の形態も含むこととしたためである。

各電極パッド９は、実装基板との実装面１２に露出する平面電極パッド（ＬＧＡ；Land grid array）であり、平面視（Ｚ方向視）にて略円形状とされている。各電極パッド９の外周部は、各開口部８の外周より内側に位置して、各電極パッド９の面積は、各開口部８よりも小さく形成される。

図３では、各電極パッド９の厚さは、絶縁層７の厚さと同等とされているが、実装基板との間で適切に実装が可能であれば、特に厚さ寸法を限定するものでない。

図１（ｂ）に示すように絶縁層７に形成された複数の開口部８のうち、実装面１２の周囲部１２ａには複数の周囲開口部８ａが位置している。ここで周囲部１２ａとは、実装面１２のうち、磁気検出装置１のＸ１側面１ａ付近、Ｘ２側面１ｂ付近、Ｙ１側面１ｃ付近及びＹ２側面１ｄ付近を示す。なお、実装面１２の形状が矩形状でなく、他の多角形状である場合には、各辺付近を指し、また実装面が曲面を有している場合には、曲面に沿った側面付近を指す。あるいは、図１（ｂ）に示すように、実装面１２の中央付近に開口部（内側開口部８ｂと称する）が設けられてるが、内側開口部８ｂよりも外側に位置する開口部８を周囲開口部８ａと定義することもできる。

図１（ｂ）に示すように、周囲開口部８ａは、実装面１２のＸ１側面１ａ付近、Ｘ２側面１ｂ付近、Ｙ１側面１ｃ付近及びＹ２側面１ｄ付近を囲むように形成されているが、周囲開口部８ａや内側開口部８ｂの配置や数は、実装基板１５の表面に形成される導電接続部１６の配置に応じて変更される。

図１（ｂ）に示すように、複数の周囲開口部８ａには、夫々、いずれかの側面１ａ〜１ｄにまで通じる開放部１３が形成されている。ここで各開放部１３は、各周囲開口部８ａから近い側面に向けて形成される。図１（ｃ）に示す周囲開口部８ａは、実装面１２内にてＸ２−Ｙ２側の隅に設けられており、周囲開口部８ａにはＸ２側面１ｂにまで通じる開放部１３と、Ｙ２側面１ｄにまで通じる開放部１３とが設けられている。なお開放部１３の数は、各周囲開口部８ａに対して１以上設けられる。

各開放部１３は、孔状の各周囲開口部８ａと一体化した溝形状で形成される。各開放部１３の深さ寸法と各周囲開口部８ａの深さ寸法は同じである。各開口部８及び各開放部１３は、絶縁層６を膜厚方向に貫いており、各開口部８からは配線層６の一部が露出している。

図１（ｃ）に示すように、各開放部１３の幅寸法ｔ１は、各周囲開口部８ａの最大幅寸法（直径）ｔ２よりも小さく形成される。また、各開放部１３は、図１（ｂ）（ｃ）では、一定幅となっているが、幅が変化するように形成してもよい。

各開放部１３は、絶縁層７がレジストであれば、フォトリソグラフィ技術を用いて各周囲開口部８ａとともに形成でき、また絶縁層７がレジストでない場合には、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて各周囲開口部８ａとともに形成できる。

なお、内側開口部８ｂには側面に通じる開放部が形成されていないが、図１（ｂ）の点線で示すように開放部１４を形成可能なスペースがあり、且つ開放部１４に半田ペーストが流れても、流れ出した半田ペーストを介して実装基板１５との間で短絡を起こして使用不能の状態とならなければ、内側開口部８ｂに側面にまで通じる開放部１４を設けることができる。

図３に示すように、実装基板１５の表面には、配線層１７が形成され、配線層１７の端部に導電接続部１６が設けられる。また導電接続部１６以外の配線層１７上はレジスト等の絶縁層１８によって覆われている。

そして図３に示すように、磁気検出装置１の各電極パッド９と、実装基板１５の各導電接続部１６とが、半田層１９を介して電気的に接続されている。

図１（ａ）、図３に示すように、磁気センサ３及び集積回路４の表面はカバー部材５によって覆われており、磁気検出装置１はパッケージ化されている。例えば、カバー部材５はパッケージ用モールド樹脂である。

本実施形態において磁気検出装置１の側面１ａ〜１ｄは、基板２及びカバー部材５の各側面にて構成される。

本実施形態の磁気検出装置１では、実装面１２に設けられた絶縁層７には複数の開口部８が設けられており、各開口部８内には電極パッド９が露出している。複数の開口部８のうち、実装面１２の周囲部１２ａに位置する複数の周囲開口部８には、距離的に近い側面１ａ〜１ｄにまで通じる開放部１３が連通している。

図２（ａ）に示すＸ２側面１ｂの位置は、後述する製造方法に示す切断部Ａの位置とほぼ一致しており、周囲開口部８ａは側面１ｂから最小距離Ｌ１だけ内側（Ｘ１側）に離れている。

しかしながら切断位置Ｂが、そのぶれ幅の範囲内で切断部ＡよりもＸ１側にずれていると、切断位置Ｂにより形成された側面１ｅは、本来の側面１ｂよりも周囲開口部８ａに近づく。ここで図３に示す側面１ｅは、周囲開口部８ａに連通する開放部１３が形成されていない形態（図８（ａ）（ｂ）に示す従来例）における周囲開口部８ａの円周と接する位置（点線で示した円周と側面１ｅとが接している）に設けられる。

図２（ａ）の斜線で示した領域Ｃは、従来例のように周囲開口部８ａにまで連通する開放部１３が形成されていない構成と、実施形態のように周囲開口部８ａにまで連通する開放部１３を形成した構成とを対比したときに、本実施形態には存在しないが従来例の構成には存在する絶縁層７の領域を指す。

斜線で示した絶縁層７の領域Ｃでは、周囲開口部８ａの側面１ｅに最も近い位置と側面１ｅとの間の最小幅寸法が非常に狭く、図２（ａ）ではゼロとなっており、領域Ｃは先細る形状となって非常に面積が小さくなっている。このため領域Ｃでは、絶縁層７が剥がれたり、あるいは欠けたりする不具合が生じやすくなっている。

これに対して本実施形態では、周囲開口部８ａから側面１ｂ，１ｅにまで連通する開放部１３を形成したことで、切断位置ＢがＸ１側にずれて側面１ｅとされても、開放部１３の側壁部１３ａ，１３ｂが設けられたことで、周囲開口部８ａと側面１ｅとの間の最小幅寸法はＬ２となり、従来例よりも最小幅寸法Ｌ２を大きくできる。したがって本実施形態では従来例よりも最小幅付近の絶縁層７の面積を大きく形成できる。したがって、多少、切断位置Ｂが周囲開口部８ａに近づく方向に（最大限、図２（ａ）に示すように、周囲開口部８ａの点線で示した円周に接する位置まで）ずれたとしても、本実施形態では開放部１３の側壁部１３ａ，１３ｂが残り、絶縁層７が剥がれたり欠けたりする不具合を低減することができる。

また本実施形態では図１（ｂ）に示すように全ての周囲開口部８ａに、いずれかの側面１ａ〜１ｄにまで通じる開放部１３を設けたことで、実装基板１５の導電接続部１６との接合に用いられる半田ペースト２０の余剰分２０ａが、図１（ｃ）に示すように、周囲開口部８ａ内から開放部１３内に誘導される。例えば本実施形態ではリフロー式により半田付けを行うが、その際、溶解した半田ペースト２０の余剰分２０ａを、各周囲開口部８ａから開放部１３に流出させることができる。また開放部１３は側面にまで通じているので、半田ペーストの塗布量が多い場所では、余剰分２０ａを開放部１３を介して側面の外方にまで適切に導くことができる。よって各電極パッド９と各導電接続部１６との間の接合部分における半田ペーストの量を、どの接合部分においてもほぼ同等となるように調整できる。

以上により図１（ａ）に示すように、磁気検出装置１を実装基板１５の表面１５ａに平行に実装することができ、磁気センサ３により地磁気の方位を高精度に検出でき、従来に比べて精度ばらつきを低減できる。

本実施形態では絶縁層７はレジスト層であることが好ましい。絶縁層７を所望の厚みで形成でき、また絶縁層７に所定の形状及び大きさからなる複数の開口部８及び複数の開放部１３を簡単且つ適切に形成できる。そして本実施形態では絶縁層７をレジスト層としても、図２（ａ）で説明したように、本来の切断部Ａの位置から切断位置Ｂがずれても、周囲開口部８ａと側面１ｅとの間の最小幅寸法Ｌ２を従来よりも大きくでき、したがって本実施形態では従来例よりも最小幅付近の絶縁層７（レジスト層）の面積を大きく形成できる。したがって、レジスト剥がれを効果的に抑制できる。

また本実施形態では、各開口部８及び各電極パッド９が略円形状で形成されることが好適である。図２（ａ）に示すように周囲開口部８ａの外周を略円形状（円弧状）とすることで、周囲開口部８ａと側面１ｅとの間の最小幅寸法Ｌ２を従来よりも効果的に大きくできる。例えば、各周囲開口部８ａは、略円形状（円弧状）でなくても、図２（ｂ）に示すように、各周囲開口部８ａの外周壁面８ａ１のうち、少なくとも磁気検出装置の側面１ａ〜１ｄに近い外周壁面８ａ１が、磁気検出装置の側面１ａ〜１ｄに対して直線状あるいは曲面状の傾斜面で形成された構成とすることもできる。図２（ｂ）に示す周囲開口部８ａは菱形であり、菱形の周囲開口部８ａの外周壁面のうち、側面１ｂ，１ｄに近い外周壁面８ａ１，８ａ１は、側面１ｂ，１ｄに対し傾斜している。そして、周囲開口部８ａから側面１ｂ，１ｄにかけて開放部１３が形成されている（図２（ｂ）に示す点線は、周囲開口部８ａに開放部１３が形成されない従来例の形態を示す）。ただし、周囲開口部８ａを図２（ｂ）に示す形状とするよりも図１（ｂ）（ｃ）、図２（ａ）に示す円形状としたほうが簡単に周囲開口部８ａを形成でき好適である。

次に本実施形態の磁気検出装置１の製造方法について説明する。
まず本実施形態では、複数の磁気検出装置１を構成する各基板２を一体化した大きさの大基板の表面に複数の磁気センサ３及び複数の集積回路４を実装する。各磁気センサ３及び各集積回路４は、各磁気検出装置１の位置に夫々実装する。

さらに図３で示したカバー部材５を各磁気センサ３及び各集積回路４の表面に形成する。カバー部材５は、各磁気検出装置１間にわたって一体化して形成される。カバー部材５はモールド樹脂であり、複数の磁気センサ３及び複数の集積回路４の表面にモールド樹脂によるカバー部材５を成形できる。

図５に示すように大基板２１の裏面２１ｂには、例えばレジスト層からなる絶縁層７が形成されており、前記絶縁層７にフォトリソグラフィ技術を用いて、複数の開口部８を形成する。図５に示す点線は、切断部Ａを示しており、切断部Ａによって区分けされた各領域が、各磁気検出装置１の各実装面１２を構成している。

図５に示すように、各実装面１２に形成された複数の開口部８のうち、各実装面１２の周囲部に位置する複数の周囲開口部８ａに切断部Ａの位置まで達する開放部１３を、各周囲開口部８ａと同時に形成する。各周囲開口部８ａ及び開放部１３は絶縁層７に形成された孔（穴）である。各周囲開口部８ａからは図３に示す配線層６が露出している。

図５に示すように、切断部Ａを挟んで隣り合う各実装面１２に形成された各周囲開口部８ａ間を開放部１３により一体的に繋げる。例えば、図７に示すように、切断部Ａは、ある程度の幅を持っており、各周囲開口部８ａに連続する各開放部１３の端部１３ｃを切断部Ａの幅内に入り込むように形成すれば、必ずしも図５のように、切断部Ａを介して隣り合う周囲開口部８ａ間を開放部１３により一体的に繋げなくてもよい。図７に示す切断部Ａから大基板２１を切断すれば、各実装面１２に形成された各周囲開口部８ａには各磁気検出装置１の側面にまで通じる開放部１３を形成することができる。ただし切断位置が、切断部Ａからわずかにずれる程度であれば問題ないが、図７に示すように切断部Ａからの切断位置Ｂのずれが大きくなると、図７の図示右側に配列された各周囲開口部８ａには、磁気検出装置１の側面にまで通じない、途中で行き止まりとなる開放部１３が形成されてしまう。よって、図５のように切断部Ａを介して隣り合う各実装面１２に形成された各周囲開放部８ａ間を開放部１３により一体的に繋げることが切断位置ずれの許容範囲を広げることができ好適である。

続いて図６に示すように各周囲開口部８ａ内に電極パッド９を形成する。また図１（ｂ）に示す内側開口部８ｂがあれば、内側開口部８ｂにも電極パッド９を形成する。上記したように各開口部８内には配線層６の一部が露出しているので電極パッド９は配線層６に重ねて形成する。また、電極パッド９の材質は特に問わないが、例えば、ＡｇペーストやＣｕペーストを塗布、及び熱硬化させた導電層により形成することができる。

また図５，図６では、各開口部８及び各電極パッド９を略円形状に形成しているが形状を限定するものでない。ただし略円形状とすることが好適である。

次に切断部Ａに沿って大基板２１及びカバー部材を各磁気検出装置１ごとに切断（ダイシング）する。このとき図６に示すように切断位置Ｂが本来の切断部Ａからずれてしまっても、本実施形態の磁気検出装置の製造方法によれば、各磁気検出装置１の実装面１２に形成された各周囲開口部８ａに夫々、磁気検出装置１の側面にまで通じる開放部１３を形成することができる。したがって各磁気検出装置１を実装基板１５上にリフロー半田により実装する際、余剰の半田ペーストを各周囲開口部８ａから開放部１３に流出させることができる。

また図２（ａ）にて説明したように、切断位置ＢがＸ１側にずれて本来の側面１ｂから側面１ｅとされても、開放部１３の側壁部１３ａ，１３ｂが形成されたことで、周囲開口部８ａと側面１ｅとの間の最小幅寸法をＬ２にでき、従来例よりも最小幅寸法を大きくできる。したがって本実施形態では従来例よりも最小幅付近の絶縁層７の面積を大きく形成できる。したがって、多少、切断位置Ｂが周囲開口部８ａに近づく方向にずれたとしても、絶縁層７が剥がれたり欠けたりする不具合を低減することができる。

以上により本実施形態の磁気検出装置１を実装基板１５の表面に平行に実装させることができる。また本実施形態では、従来よりも切断位置の許容範囲を広げることができ、従って製造工程を容易化することができる。

なお本実施形態では、周囲開口部８ａは複数であったが、一つであっても従来に比べて効果がある。

本実施形態における磁気検出装置１は地磁気センサ以外にも起用できる。ただし、３軸加速度センサやスピードセンサ等、外部磁界の方向を正確に知る必要のある磁気検出装置に適用される。

Ａ 切断部
Ｂ 切断位置
１ 磁気検出装置
１ａ〜１ｅ （磁気検出装置の）側面
２ 基板
２ａ （基板の）表面
２ｂ （基板の）裏面
３ 磁気センサ
４ 集積回路
５ カバー部材
６、７ 絶縁層
８ 開口部
８ａ 周囲開口部
８ｂ 内側開口部
９ 電極パッド
１０、１１ 配線層
１２ 実装面
１２ａ 周囲部
１３、１４ 開放部
１５ 実装基板
１６ 導電接続部
１９ 半田層
２０ 半田ペースト
２０ａ （半田ペーストの）余剰分
２１ 大基板

Claims (2)

1. 外部磁界の方向を検出するための磁気センサを備え、実装面に複数の電極パッドを有する磁気検出装置の製造方法において、
   複数の前記磁気検出装置を構成する各実装面を一体化した裏面に形成された絶縁層に対し前記各実装面の位置に夫々、前記複数の電極パッドを形成するための複数の開口部を形成し、このとき、各実装面に形成された前記複数の開口部のうち、少なくとも各実装面の周囲部に位置する周囲開口部に、前記開口部から切断部の位置まで達する開放部を形成し、前記切断部を挟んで隣り合う前記各実装面に形成された各周囲開口部間を前記開放部により一体に繋げる工程、
   前記複数の開口部に夫々、前記電極パッドを形成する工程、
   各磁気検出装置ごとに前記裏面を切断する工程、
   を有することを特徴とする磁気検出装置の製造方法。
2. 基板と、前記基板の前記実装面とは逆側の面に配置された前記磁気センサおよび集積回路と、前記磁気センサおよび前記集積回路を覆うカバー部材と、を有し、
   前記基板は、複数の前記磁気検出装置を一体化した大きさの大基板であり、前記大基板の各磁気検出装置の位置に前記磁気センサ及び前記集積回路を配置し、
   前記大基板を各磁気検出装置ごとに切断する請求項１記載の磁気検出装置の製造方法。

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