CN104418292A - Mems器件 - Google Patents

Abstract

一种MEMS器件，包括第一芯片和MEMS芯片。第一芯片具有安装表面，并且包括至少一个集成电路。MEMS芯片具有主表面，在其上布置有用于接触MEMS器件的第一组接触焊盘和用于接触第一芯片的第二组接触焊盘。第一芯片经由面向主表面的安装表面被机械地附接且电连接到第二组接触焊盘。第一芯片的安装表面比MEMS芯片的主表面的小至少25％。

Description

MEMS器件

技术领域

本发明的实施例涉及MEMS器件，以及用于制造MEMS器件的不同方法。

背景技术

MEMS(微机电系统)是小型化的器件，通常通过使用半导体技术来制作并被构造成与周围的事物相互作用。这样的器件的应用是如压力传感器的传感器，或如喷墨打印机的压电器的致动器，或例如用于移动应用的麦克风。MEMS麦克风系统通常包括具有第一电极的振动膜(例如，形成为金属化膜)，以及面向第一电极的对电极。由于两个电极，产生膜的振动的声信号可以被电容地检测到。该膜通常具有小的厚度，例如，小于200nm或小于100nm，以便于具有良好的振动特性。该膜可通过使用蚀刻技术，即以衬底被局部地打开并减薄直到该膜的所需厚度的方式来制作。MEMS麦克风通常包括形成在膜的后面并声学耦合到膜的背体积。

对于普通的MEMS应用，如麦克风装置，MEMS芯片与进一步的芯片结合，例如控制器，像ASIC(专用集成电路)、FPGA、ADC或可包括的CPU的其它芯片。因而，常见的MEMS器件通常包括MEMS芯片和ASIC，两者均布置在共同的衬底并封入壳体内。这两个芯片通常使用键合导线被电连接。然而，该方案限制了小型化MEMS器件的机会，并导致高的制造精力。因此，需要改进的方法。

发明内容

本发明的实施例提供一种MEMS器件，包括第一芯片和MEMS芯片。第一芯片具有安装表面，并包括至少一个集成电路。MEMS芯片具有主表面，其中用于接触MEMS器件的第一组接触焊盘和用于接触第一芯片的第二组接触焊盘被布置在主表面上。第一芯片经由面向主表面的安装表面被机械地附接及电连接到第二组接触焊盘。第一芯片的安装表面比MEMS芯片的主表面小至少25％。

进一步的实施例提供一种包括ASIC和MEMS芯片的MEMS器件。该ASIC具有安装表面，其中MEMS芯片具有主表面。该MEMS芯片包括布置在主表面上的膜，其中用于将MEMS器件接触到外部器件的第一组接触焊盘(例如，PCB即印刷电路板)和用于经由安装表面将MEMS芯片接触到ASIC的第二组接触焊盘被布置在主表面上。这里，膜位于与第二组接触焊盘的区域相邻。该ASIC通过晶片键合面向主表面的安装表面而机械地附接且电连接到第二组接触焊盘。该ASIC的安装表面比MEMS芯片的主表面小至少50％。

进一步的实施例提供一种包括第一芯片和MEMS芯片的MEMS器件。第一芯片包括至少一个集成电路，并具有顶表面和至少一个侧壁。该MEMS芯片具有主表面以及至少一个侧壁。第一芯片和MEMS芯片经由第一芯片的侧壁和MEMS芯片的侧壁被机械地附接到彼此，使得顶表面和主表面形成共同的表面。第一芯片和MEMS芯片经由导线在共同的表面被电连接。

根据进一步的实施例，用于制造MEMS器件的方法，其中MEMS器件包括第一芯片和MEMS芯片，第一芯片具有安装表面并包括至少一个集成电路，MEMS芯片具有主表面，在该主表面上布置有用于接触MEMS器件的第一组接触焊盘和用于接触第一芯片的第二组接触焊盘。该方法包括将第一芯片机械地附接且电连接到第二组接触焊盘的步骤，其中第一芯片的安装面比MEMS芯片的主表面小至少25％。

进一步的实施例提供一种制造包括第一芯片和MEMS芯片的MEMS器件的方法。该方法包括在晶片的前侧形成多个MEMS芯片并将多个第一芯片附接到多个MEMS芯片的步骤。此外，该方法包括将另外的晶片附接到晶片的背侧的步骤，使得各自的孔(每个孔针对相应的MEMS芯片设置在晶片的背侧)被另外的晶片覆盖以便于形成针对每个MEMS芯片的各自的背体积。之后，该晶片和另外的晶片被切割，以便于分开多个MEMS器件。

附图说明

下面，本发明的实施例随后将参考所附的附图进行讨论，其中：

图1示出了根据本发明第一实施例的包括MEMS芯片和第一芯片的MEMS器件的示意图；

图2a至2c示出了根据增进实施例的包括MEMS芯片和附接到MEMS芯片的ASIC的MEMS器件的示意图；

图3a和3b示出了根据增进实施例的包括MEMS芯片和嵌入MEMS芯片的ASIC的MEMS器件的示意图；

图4示出了用于制造根据由图1至图3所示的实施例之一的MEMS芯片的方法的流程图；

图5a至5c示出了根据图1至图3的实施例的MEMS器件的应用的示意性横截面图；

图6示出了根据另一实施例的用于制造MEMS器件的方法的流程图；

图7a和7b示出了根据另一实施例的通过由图6所示的方法制造的MEMS器件的示意图；以及

图8示出了根据另一实施例的包括MEMS芯片和沿着MEMS芯片布置的第一芯片的MEMS器件的示意图。

本文所公开的教导的不同的实施方式随后将参照图1至图8在以下进行讨论。相同的附图标记被提供给具有相同或相似功能的对象，使得在不同的实施方式中由相同的附图标记所指的对象是可以互换的，并且其描述是相互适用的。

具体实施方式

图1示出了MEMS器件10的等距视图，包括MEMS芯片12，例如麦克风，以及第一芯片14，例如ASIC或包括逻辑或至少集成电路的另一芯片，其可用于控制或偏置MEMS芯片12。MEMS芯片12包括衬底并具有至少两个主表面，其中第一主表面标有附图标记12m。MEMS芯片12可以包括振动膜13，其可以形成在衬底内或优选地在主表面12m上。MEMS芯片12包括布置在主表面12m处的第一组接触焊盘16。第一组接触焊盘16目的在于将MEMS器件10连接到外部器件，例如连接到PCB。MEMS器件12还包括第二组接触焊盘18，其也布置在主表面12m处和并且其目的在于电连接ASIC14。接触焊盘16和18的每一组可以优选包括多个接触焊盘，例如两个或四个接触焊盘。

如图1所见，第一芯片14被直接附接到MEMS芯片12，例如，通过使用如晶片键合的倒装芯片技术。芯片14因此被布置在其中布置有第二组接触焊盘18的区域内。倒装芯片或微倒装芯片技术使得能够实现两个芯片之间的连接，使得它们被电连接和机械连接到彼此。因而，第二组接触焊盘18被用来实现两个芯片12和14之间的机械连接和电连接。因此，主表面12m包括第二组18的部分被芯片14(优选完全地)覆盖。

图1进一步示出，芯片14显著小于MEMS芯片12，使得芯片14可以被布置在主表面12m上。这里，例如具有0.5×0.7mm(0.6×0.6mm)的尺寸的芯片14比MEMS芯片12小至少25％或甚至50％，MEMS芯片12例如具有1.3×1.3mm的尺寸(1.0×1.0mm)。至少25％是指芯片14具有的最大尺寸是MEMS芯片12的75％。根据所示的实施例，为芯片14保留的主表面12m的部分位于与膜13相邻。为创建附加的空间，MEMS芯片12可以扩大芯片14的部分。在线以下，由于制造步骤的数量被减少的事实(例如，用于经由键合线将ASIC电气连接到MEMS芯片的键合步骤)，这样的结构10减少了制造成本。降低制造成本的另一个因素是成本密集型的ASIC芯片(参见芯片14)可以被设计得尽可能小。在一般情况下，应该指出的是，当相对于上述常规MEMS器件时，所示的MEMS器件具有减小的空间需求，即使当相对于常规的MEMS器件的一个时MEMS芯片12的衬底可以具有增加的基底面积。这使得MEMS器件能够进一步小型化。这种方法的另一个优点是，不需要对由盖件形成的附加壳体，使得所示的MEMS器件10可经由第一组连接焊盘16被直接连接到应用的PCB，例如连接到移动电话的PCB。

图2a、2b和2c示出了另外的MEMS器件10’，其中图2a以等距方式图示了在制造过程中的MEMS器件10’，图2b示出了在完成制造过程(等距视图)之后的MEMS装置10’以及其中图2c图示了完成的MEMS器件10’的横截面视图。MEMS器件10’包括MEMS芯片12’，MEMS芯片12’包括圆形膜13和两组接触焊盘18’和16’。如图2c所示，MEMS芯片12’形成了背体积20，背体积20被主表面12m’的侧上的膜13以及被背侧12b(与主表面12m’相对)的背侧盖22所限制。此外，对电极24可以布置在声学背体积20以内，使得它面对集成到膜30内的第一电极13a。为了完整起见，应当指出的是，背体积20优选从通过背侧蚀刻的MEMS器件12’的背侧12b设置(即，与在其中音频信号作用的侧相对)，例如通过使用各向异性蚀刻技术。经蚀刻的开口或沟槽延伸直到使得薄膜13被形成的深度。蚀刻深度可通过使用布置在膜13下面的蚀刻停止层来定义。总之这意味着，背体积20可以被布置在MEMS芯片12’的衬底内，并且可以由开口形成，其被设置用来减薄衬底，以便于形成膜13。背体积盖22可以覆盖MEMS 12’的整个背侧12b。如果盖22可以用作电磁屏蔽，该盖可包括金属或其它导电材料。

在本实施例中，连接焊盘16’由焊料球26形成，或者被耦合到焊料球26，使得连接焊盘16’本身或焊料球26从主表面12m’突出。可替代地，引脚可以被布置来代替焊料球26，使得引脚从主表面12m’突出。应当注意的是，连接焊盘16’从而焊料球26可沿着主表面12m’分布布置，例如在MEMS芯片12’的四角内。这具有以下优点，在将MEMS器件10’键合到外部器件的情况下，外部器件与主表面12m’之间的已知间隔被定义，使得声音信号可作用膜13，而不提供进一步的装置用于确定声音通道。

如图2a所示，连接焊盘18’被布置为与膜13相邻，如关于图1a所讨论。由第一组连接焊盘18’所定义的区域目的在于被连接到芯片14的安装表面14m。经由其安装表面14m将芯片14附接到MEMS芯片12’，或者更详细地附接到主表面12m’中布置有连接焊盘18’的部分的该步骤由图2a所图示(参见箭头)。对于该连接，芯片14包括所谓的设置在安装表面14m上的倒装芯片凸块。附接该芯片14的该步骤的结果由图2b和2c所示。这里，它示出了安装表面14m经由连接焊盘18’被连接到主表面12m’。图2c还示出了由芯片14的厚度和连接焊盘18’的厚度定义的整体面板厚度比由连接焊盘16’与焊料球26一起所定义的间距更小。这使得MEMS器件10’可被直接附接到外部器件而不需要在外部器件中(用于芯片14)的凹部。

图3a和3b示出了进一步的MEMS器件10”，其中图3a示出了它在制造过程期间的等距视图，而图3b示出了完全制造的MEMS器件10”。在该实施例中，MEMS芯片12”包括凹部12r，在其中应该嵌入芯片14。这里，凹部12r被布置在角落处，但也可以替代地被布置在主表面12m”的任何位置(除了膜13外)。凹部12r例如可通过使用蚀刻技术形成。凹部12r包括下表面，在下表面上布置有第二组接触焊盘18”，使得芯片14可以经由安装表面14m被(电和机械)连接。在这个特殊的情况下，凹部12a的尺寸基本上等于芯片14的尺寸。在将第一芯片14嵌入到凹部12r中之后，芯片14的背侧14b以及芯片12”的主表面12m”形成共同的表面。如由图3b所示，第一组导电焊盘16”被布置在共同的表面上，即在芯片12”的主表面12m”上和/或至少部分地在芯片14的背侧表面14b上。如图所示，接触焊盘18”的每一个包括焊料球26，这些焊料球26的提供可以在将芯片14嵌入到凹部12r中(此处图3a)之后的步骤期间完成。

根据可替代方案，如果到芯片14的电连接应当通过使用导线来实现，用于接触芯片14的接触焊盘18’还可以被布置在主表面12m”上，即在凹部12r的边缘之一上。该导线可作为MEMS 12”与芯片14之间的互连器被沉积。

下面，用于制造这种MEMS器件的方法将参照图4进行讨论，其中讨论了强制的和可选的步骤之间的区别。

图4示出了流程图，图示了用于制造以上所讨论的MEMS器件10、10’或10”之一的方法。方法100的中心步骤是步骤110，其将第一芯片14机械地附接且电连接到第二组接触焊盘18、18’或18”。如以上所讨论的，该步骤110可通过使用如晶片键合的倒装芯片技术来完成。可替代地，ASIC14可以通过使用例如导电胶之类的胶合技术被附接到MEMS芯片12。

方法100可另外包括形成MEMS芯片12的步骤。该可选步骤通过附图标记120标出并且按时间顺序布置在中心步骤110之前。步骤120可以包括数个子步骤，例如，光刻、蚀刻和/或沉积。应当注意的是，通常数个MEMS芯片平行地形成在其后被切割的晶片上。

因而，方法100可以包括切割的附加步骤140，以便于分开多个MEMS芯片。步骤140可以被布置在流程图中的某处，例如被布置在将芯片附接到MEMS芯片之前，但优选被布置在该方法的结束。

设置焊料球130或引脚到第一组连接焊盘的另一个可选的制造步骤可以在中心步骤110之后。在所讨论的包括步骤110和120的方法100中，步骤130可以在步骤120之后执行，但在切割晶片140之前。要注意的是，步骤130可替换地在步骤140之后完成。

图5a示出了相对于图2a至2c所讨论的MEMS器件10’的应用。这里，MEMS器件10’被布置在外部器件30上，例如在外部衬底或PCB上。外部衬底包括其自己的连接件焊盘32a和32b，例如导线和/或通过接触，MEMS器件10’经由焊料球26被电连接且机械连接到连接件焊盘32a和32b。如图所见，互连器和焊料球26分别足够大，使得被附接到MEMS芯片12’的ASIC芯片14可以被放置在MEMS器件10’与外部器件30’之间的空隙内。在该应用中，外部器件30具有延伸通过它的开口34。开口34形成用于膜13的声音通道(用于声音的入口)，因而被布置为与膜13对准。

图5b示出了图5a的另一应用，包括附接到外部器件30的MEMS器件。这里，ASIC芯片14还通过使用环绕接触焊盘18的底部填料36被连接到MEMS芯片12’。此外，膜13被预施加结构38环绕，预施加结构38可以包括光阻剂并且可以具有环形的形式。该预施加结构38目的在于在组装过程器件保护膜13，例如，因为在焊接过程期间的助焊剂污染。此外，相对于底部填料36，预施加结构38停止底部填料36覆盖膜13。所示的应用可以具有另一可选特征，即被接地的导电盖22’，例如，经由连接焊盘16’之一。接地的导电盖22’目的可以在于屏蔽MEMS器件10’免受环境EMC错误。

图5c示出了图5b的MEMS器件10’的另一应用，其中在MEMS器件10’与外部器件30之间的连接被不同地实施。这里，MEMS器件10’与外部器件30之间的空间至少在没有布置膜13的区域中被填充有附加的底部填料42。因此，附加的底部填料42被布置为使得它环绕ASIC14。其中设置有底部填料42的区域与没有底部填料42的区域的分离通过使用结构38来完成。应当指出的是，底部填料42可以在MEMS器件10’的覆盖区上延伸。在本实施例中示出了另一个方面，即腔44保护膜13。腔44可以包括光阻剂。为了使声音信号从前侧作用膜13，至少在声音通道34的区域腔44可包括可以为穿孔的一个或多个孔。

下面，相对于图6，用于制造的进一步的方法200将会被讨论，其是上面所示的方法100的进一步发展。方法200包括在晶片的前侧形成多个MEMS芯片的中心步骤(见标有附图标记210的步骤)和将多个切割的第一芯片或ASIC附接到多个MEMS芯片的步骤(见标有220的步骤)。在步骤210期间，晶片被处理以使得多个MEMS器件在晶片上并联地被制作，即步骤210的中间产物是包括多个MEMS芯片的晶片。步骤220如以上所讨论地被执行，即使得实现两个芯片之间的机械和电连接。这里，多个ASIC芯片14可以被(同时，例如通过使用定位装置)串联地或并联地布置在晶片上。

在该步骤220之后跟随另一个强制的步骤230，即将另外的晶片附接到晶片的背侧以便于提供用于多个MEMS芯片的盖(参见图2c中的部件22)。应当指出的是，在步骤220和230之间可以布置可选的步骤，这将在下面进行讨论。步骤230目的在于关闭先前已经设置到MEMS芯片的背侧的孔(以便于形成背体积20，参见图2c)。这里，第一晶片的整个背侧由该一个另外的晶片所覆盖，使得各自的MEMS芯片被设置到晶片的所有孔在该步骤230期间被关闭。步骤230的中间产物是包括两个晶片的晶片堆叠，即一个包括多个MEMS芯片，其中多个ASIC芯片被键合到它，一个被布置在第一晶片的背侧处用于形成MEMS芯片的各自的背体积。当与包括MEMS芯片的晶片比较时，布置在背侧上的晶片通常可以更薄。

最后的强制性的步骤是切割晶片堆叠的步骤235。切割可以通过使用隐形切割或锯切割或其他切割技术进行。

如以上所讨论的，在步骤230之前设置多个孔。这可以在步骤230之前或甚至在步骤210之前直接完成。流程图220基于以下假设完成，即提供洞用于形成背体积的步骤(参见步骤240)在处理晶片(参见步骤210)之后并且在将多个ASIC附接到晶片(参见步骤220)之后被完成。即，可选的步骤240按时间顺序被布置在步骤220与230之间。如以上所讨论的，步骤240可以基于蚀刻技术，并因而包括像光刻和/或蚀刻(背侧蚀刻、各向异性蚀刻)的子步骤。蚀刻可以通过使用设置在膜13以下的所谓的蚀刻停止层而完成。该蚀刻停止层的设置可以在方法步骤210的期间被完成。

根据进一步的实施例，进一步的可选步骤可以被布置在步骤230之前或甚至在步骤240之前，该可选步骤即步骤250，其旋转第一晶片以便于允许晶片针对后续步骤240、230的更简单的处理。

参照图6，应当指出的是，步骤230可以可替代地在切割235之后执行，如关于方法100所讨论的。

方法200可以包括用于将焊料球(图2，部件26)设置到第一组接触焊盘的另一步骤260。该步骤260可以通过步骤220或优选地在步骤220之后(即旋转的步骤250之前)被同时完成。

通过使用说明的方法200，MEMS器件10、10’和10’的以上所讨论的实施例以及其他的MEMS器件可以被制造。这样的MEMS器件由图7a和7b所图示。图7a示出了等距视图，而图7b示出了MEMS器件60的横截面图，其包括具有在其上布置有焊料球26(参见图2)的第一组接触焊盘16’以及用于接触ASIC14’的第二组接触焊盘18”的MEMS芯片62。与图2的实施例相反，ASIC 14’是放大的。该ASIC比膜13大，并利用其安装表面14m’被布置在主表面12m’上，使得ASIC 14’覆盖离它有一定距离的膜13。放大的ASIC 14’目的在于保护膜13。因此，用于接触ASIC 14’的第二组接触焊盘18”被布置为邻近或邻接该膜。如由图7b所示，第二组接触焊盘18”的一个被直接连接到第一组接触焊盘16’的一个。这例如可以是表面接触。关于如电极13a、背体积20或盖22的其他方面，MEMS器件60是基本上与图2的MEMS器件10’相同。

图8示出了进一步的MEMS器件64，其包括MEMS芯片66和ASIC 68。芯片66和68两者被并排布置，并经由各自的侧壁66s和68s被机械地连接到彼此。因而，这两个芯片66和68形成共同的主表面64m(也称为顶表面64m)。膜13以及第一组接触焊盘16”(参见图3b)可被布置在该主表面64m上(即，MEMS芯片66和/或ASIC芯片68可以包括接触焊盘16”)。接触焊盘16’可以由焊料球26形成。两个芯片66和68之间的电连接是由布置在主表面64m处的导线70实现的。导线70将布置在MEMS芯片66的边缘处的连接焊盘18”’与ASIC芯片68的连接焊盘72相连接。连接焊盘18”’和72两者被布置在主表面64m处。

该MEMS器件64具有与图1的上下文中讨论的相同的优点，即，该芯片的空间特别是ASIC 68的成本密集型的芯片空间被减小，并且MEMS器件64可以直接被用于进一步的应用而不需要提供附加的壳体。

根据可替代实施例，膜13可以被布置在与主表面64m相对的MEMS器件64的背侧。根据进一步的实施例，接触焊盘16’从而焊料球26也可以被布置在背侧。因此，接触焊盘16”可以被实现为延伸通过MEMS芯片66和/或通过ASIC芯片68的通过接触。

相对于图1和图2，应该注意的是，MEMS结构(例如，膜13)可替代地被布置在MEMS芯片12的背侧(与主表面12m相对)。

参照图1，应该注意的是，安装表面14m与两个芯片12和14的主表面12m之间的尺寸差可以被概括使得ASIC 14的芯片空间需求是比MEMS芯片的芯片空间需求小至少25％或甚至50％。因此，当相比于MEMS器件12的水平和垂直页尺寸时ASIC芯片14的水平和垂直页尺寸可以被减小所讨论的因子。

相对于图1和图2的实施例，应注意的是，ASIC 14必须不是矩形的，所以它可以具有三角形或更适合MEMS裸片的表面12m的另一种形状。

参照图2，应当指出的是，芯片14还包括优选形成在安装表面14m下方与倒装芯片凸块相邻的集成电路。

尽管一些方面已在装置的上下文中进行了描述，但显然这些方面也表示对应方法的描述，其中设备对应于方法步骤或方法步骤的特征。类似地，在方法步骤的上下文中本文描述的方面也表示了相应的装置中的相应的项或特征的描述。

上述实施例仅用于说明本发明的原理。可以理解，本文中所描述的修改和布置的变化和细节将对本领域其他技术人员而言是显而易见的。它的意图，因此，仅由所附的专利权利要求的范围所限制，而不是通过本文实施例的描述和解释的方式给出的特定细节所限制。

Claims (27)

1.一种MEMS器件，包括：

第一芯片，具有安装表面并且包括至少一个集成电路；以及

MEMS芯片，具有主表面，其中用于接触所述MEMS器件的第一组接触焊盘和用于接触所述第一芯片的第二组接触焊盘被布置在所述主表面上；

其中所述第一芯片经由面向所述主表面的所述安装表面被机械地附接且电连接到所述第二组接触焊盘；以及

其中所述第一芯片的所述安装表面比所述MEMS芯片的所述主表面小至少25％。

2.根据权利要求1所述的MEMS器件，其中所述第一芯片的所述安装表面比所述MEMS芯片的所述主表面小超过50％。

3.根据权利要求1所述的MEMS器件，其中所述第一芯片的厚度比所述MEMS芯片的厚度小至少50％。

4.根据权利要求1所述的MEMS器件，其中所述MEMS芯片包括布置在所述主表面处的膜。

5.根据权利要求4所述的MEMS器件，其中所述膜与所述第二组的区域相邻。

6.根据权利要求4所述的MEMS器件，其中所述MEMS芯片包括布置在与所述主表面相对的背侧表面处的背体积盖。

7.根据权利要求6所述的MEMS器件，其中背体积通过从所述背侧表面延伸的沟槽被形成在所述膜与所述背体积之间。

8.根据权利要求1所述的MEMS器件，其中所述第一芯片包括ASIC。

9.根据权利要求1所述的MEMS器件，其中所述第一芯片和所述MEMS芯片通过晶片键合被连接到彼此。

10.根据权利要求1所述的MEMS器件，其中底部填料被布置在所述第一芯片与所述MEMS芯片之间。

11.根据权利要求1所述的MEMS器件，其中所述第一芯片包括用于所述第一芯片的开孔，其中所述开孔的侧向延伸大于或等于所述MEMS芯片的所述安装表面。

12.根据权利要求1所述的MEMS器件，包括布置在所述第一组接触焊盘处的多个焊料球。

13.根据权利要求12所述的MEMS器件，其中所述第一芯片的厚度小于所述焊料球的尺寸。

14.一种MEMS器件，包括：

ASIC，具有安装表面；以及

MEMS芯片，具有主表面并且包括布置在所述主表面处的膜，其中用于将所述MEMS器件接触到外部器件的第一组接触焊盘和用于经由所述安装表面将所述MEMS芯片接触到所述ASIC的第二组接触焊盘被布置在所述主表面上，其中所述膜与所述第二组接触焊盘的区域相邻；

其中所述ASIC通过晶片键合面向所述主表面的所述安装表面而被机械地附接且电连接到所述第二组接触焊盘；以及

其中所述ASIC的所述安装表面比所述MEMS芯片的所述主表面小至少50％。

15.一种MEMS器件，包括：

第一芯片，包括至少一个集成电路并且具有顶表面和至少一个侧壁；以及

MEMS芯片，具有主表面和至少一个侧壁；

其中所述第一芯片和所述MEMS芯片经由所述第一芯片的所述侧壁和所述MEMS芯片的所述侧壁被机械地附接到彼此，使得所述顶表面和所述主表面形成共同表面；以及

其中所述第一芯片和所述MEMS芯片经由导线在所述共同表面被电连接。

16.根据权利要求15所述的MEMS器件，其中所述顶表面小于所述主表面。

17.根据权利要求15所述的MEMS器件，其中所述第一芯片的所述集成电路被形成在所述顶表面处。

18.一种用于制造MEMS器件的方法，所述MEMS器件包括第一芯片和MEMS芯片，所述第一芯片具有安装表面并且包括至少一个集成电路，所述MEMS芯片具有主表面，在所述主表面上布置有用于接触所述MEMS器件的第一组接触焊盘和用于接触所述第一芯片的第二组接触焊盘，所述方法包括：

将所述第一芯片机械地附接且电连接到所述第二组接触焊盘；

其中所述第一芯片的所述安装表面比所述MEMS芯片的所述主表面小至少25％。

19.根据权利要求18所述的方法，包括设置所述第一组接触焊盘和/或所述第二组接触焊盘的步骤。

20.根据权利要求18所述的方法，其中机械地附接且电连接的所述步骤通过晶片键合执行。

21.根据权利要求18所述的方法，在机械地附接且电连接之前包括在所述主表面处设置保护结构以用于保护所述MEMS芯片的膜的步骤。

22.根据权利要求18所述的方法，包括在与所述主表面相对的背侧表面设置盖的步骤。

23.一种用于制造MEMS器件的方法，所述MEMS器件包括第一芯片和MEMS芯片，所述方法包括：

在晶片的前侧形成多个所述MEMS芯片；

将多个所述第一芯片附接到所述多个MEMS芯片；

将另外的晶片附接到所述晶片的背侧，使得相应的孔被所述另外的晶片所覆盖以便于形成针对每个MEMS芯片的相应的背体积，每个孔针对相应的MEMS芯片被设置在所述晶片的所述背侧；并且

将所述晶片和所述另外的晶片切割以便于分开所述多个MEMS器件。

24.根据权利要求23所述的方法，在将所述另外的晶片附接之前包括在所述晶片的所述背侧处设置多个所述孔的步骤。

25.根据权利要求24所述的方法，其中设置所述多个所述孔的所述步骤通过背侧蚀刻而被执行。

26.根据权利要求25所述的方法，其中背侧蚀刻的所述步骤通过使用从所述晶片的所述前侧设置的蚀刻停止层而被执行。

27.根据权利要求23所述的方法，包括在用于接触所述MEMS器件的共同表面处设置焊料球到接触焊盘的步骤。