JP5894780B2 - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
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Description
(1) 少なくとも非磁性基板の上に、軟磁性裏打ち層と、シード層と、中間層と、垂直磁性層とを順次積層した磁気記録媒体の製造方法であって、
前記シード層として、共晶組織を構成する2種類以上の元素を含み、且つ、柱状の結晶核がドット状に分散された共晶合金膜を形成した後に、この共晶合金膜の表面に対してエッチング処理を施すことで、前記結晶核が表面から突出した微結晶膜を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
(2) 前記共晶合金膜をスパッタ成膜した後に、フッ素、塩素、水素、酸素の中から選ばれる元素を少なくとも1つ以上含むエッチングガスを用いて、この共晶合金膜の表面に対してエッチング処理を施すことで、前記結晶核が表面から突出した微結晶膜を形成することを特徴とする前項(1)に記載の磁気記録媒体の製造方法。
(3) 前記シード層として、共晶組織を構成する少なくともAl、Si、Ge、Cの中から選ばれる一の元素と、この一の元素よりもエッチングレートの低いAl、Pd、Ag、Au、Sb、Ru、Cu、Pt、Coの中から選ばれる他の元素とを含み、且つ、柱状の結晶核がドット状に分散された共晶合金膜を形成した後に、この共晶合金膜の表面に対してエッチング処理を施すことで、前記他の元素を含む結晶核が表面から突出した微結晶膜を形成することを特徴とする前記(1)又は(2)に記載の磁気記録媒体の製造方法。
(4) 前記シード層として、AlRu、AlCuの何れかを含み、且つ、柱状の結晶核がドット状に分散された共晶合金膜を形成した後に、この共晶合金膜の表面に対してエッチング処理を施すことで、Ru、Cuの何れかを含む結晶核が表面から突出した微結晶膜を形成することを特徴とする前項(3)に記載の磁気記録媒体の製造方法。
(5) 前記シード層として、AlSi、PdSi、AgSi、AuSiの何れかを含み、且つ、柱状の結晶核がドット状に分散された共晶合金膜を形成した後に、この共晶合金膜の表面に対してエッチング処理を施すことで、Al、Pd、Ag、Auの何れかを含む結晶核が表面から突出した微結晶膜を形成することを特徴とする前項(3)に記載の磁気記録媒体の製造方法。
(6) 前記シード層として、AlGe、PdGe、AgGe、AuGe、SbGeの何れかを含み、且つ、柱状の結晶核がドット状に分散された共晶合金膜を形成した後に、この共晶合金膜の表面に対してエッチング処理を施すことで、Al、Pd、Ag、Au、Sbの何れかを含む結晶核が表面から突出した微結晶膜を形成することを特徴とする前項(3)に記載の磁気記録媒体の製造方法。
(7) 前記シード層として、RuC、PtC、CoCの何れかを含み、且つ、柱状の結晶核がドット状に分散された共晶合金膜を形成した後に、この共晶合金膜の表面に対してエッチング処理を施すことで、Ru、Pt、Coの何れかを含む結晶核が表面から突出した微結晶膜を形成することを特徴とする前項(3)に記載の磁気記録媒体の製造方法。
(8) 前記軟磁性裏打ち層として、アモルファス構造を有するCo合金膜を形成する前項(1)〜(7)の何れか一項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
(9) 前記中間層として、Ru又はRu合金膜を形成することを特徴とする前項(1)〜(8)の何れか一項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
(10) 前記垂直磁性層を構成する結晶粒子が前記中間層を構成する結晶粒子と共に厚み方向に連続した柱状晶を構成するように、前記シード層を起点にして各層を結晶成長させることを特徴とする前項(1)〜(9)の何れか一項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
(11) 少なくとも非磁性基板の上に、軟磁性裏打ち層と、シード層と、中間層と、垂直磁性層とが、この順で積層された磁気記録媒体であって、
前記シード層は、結晶核が表面から突出した微結晶膜からなり、
前記中間層及び前記垂直磁性層は、前記結晶核を起点にして、それぞれの結晶粒子が厚み方向に連続した柱状晶を構成していることを特徴とする磁気記録媒体。
(12) 前記シード層は、Al、Pd、Ag、Au、Sb、Ru、Pt、Coの中から選ばれる元素を含む結晶核が表面から突出した微結晶膜からなることを特徴とする前項(11)に記載の磁気記録媒体。
(13) 前記軟磁性裏打ち層は、アモルファス構造を有するCo合金膜からなることを特徴とする前項(11)又は(12)に記載の磁気記録媒体。
(14) 前記中間層は、Ru又はRu合金膜からなることを特徴とする前項(12)〜(13)の何れか一項に記載の磁気記録媒体。
(15) 前項(1)〜(10)の何れか一項に記載の製造方法により製造された磁気記録媒体、又は、前項(11)〜(14)の何れか一項に記載の磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体に対する情報の記録再生を行う磁気ヘッドとを備えることを特徴とする磁気記録再生装置。
不均質な大きさの結晶膜を形成するために、その上に形成した中間層の柱状晶の均質化に限界があるとの結論に至った。すなわち、上記NiWを用いたシード層では、中間層において大きな柱状晶や小さな柱状晶が生じてしまい、その柱状晶の密度分布にばらつきが生じることがわかった。
本発明では、図2において模式的に示すように、非磁性基板30の上に、軟磁性裏打ち層31として、例えばアモルファス構造を有するCo合金膜を形成する。
この磁気記録媒体は、図3に示すように、非磁性基板1の上に、軟磁性裏打ち層2と、シード層9と、中間層3と、垂直磁性層4と、保護層5と、潤滑層6とを順次積層した構造を有している。
図5は、本発明を適用した磁気記録再生装置の一例を示すものである。
この磁気記録再生装置は、上記図3に示す構成を有する垂直磁気記録媒体50と、垂直磁気記録媒体50を回転駆動させる媒体駆動部51と、垂直磁気記録媒体50に情報を記録再生する磁気ヘッド52と、この磁気ヘッド52を垂直磁気記録媒体50に対して相対運動させるヘッド駆動部53と、記録再生信号処理系54とを備えている。また、記録再生信号処理系54は、外部から入力されたデータを処理して記録信号を磁気ヘッド52に送り、磁気ヘッド52からの再生信号を処理してデータを外部に送ることが可能となっている。
実施例1では、先ず、洗浄済みのガラス基板(コニカミノルタ社製、外形2.5インチ)を、DCマグネトロンスパッタ装置(アネルバ社製C−3040)の成膜チャンバ内に収容して、到達真空度1×10−5Paとなるまで成膜チャンバ内を減圧排気した後、このガラス基板の上に、Crターゲットを用いて、層厚10nmの密着層を成膜した。また、この密着層の上に、基板温度を100℃以下とし、Co−20Fe−5Zr−5Ta{Fe含有量20原子%、Zr含有量5原子%、Ta含有量5原子%、残部Co}のターゲットを用いて、層厚25nmの軟磁性層を成膜し、この上に層厚0.7nmのRu層を成膜した後、再びCo−20Fe−5Zr−5Taのターゲットを用いて、層厚25nmの軟磁性層を成膜して、これを軟磁性裏打ち層とした。
そして、SNRについては、線記録密度750kFCIでの出力をS、線記録密度1500kFCIでのrms(root mean square)値)をNとして、出力対ノイズ比を算出した。
一方、OWについては、線記録密度750kFCIの信号を記録した後、線記録密度100kFCIの信号を上書きした前後の750kFCIの信号の再生出力比(減衰率)として算出した。
一方、BERについては、同様に線記録密度1500kFCIで信号を記録したときの「−log(エラービット数/総ビット数)」で算出した。
実施例2〜16では、共晶ターゲットを用いたシード層の組成を上記表1に示す材料とし、同様にエッチングガスを上記表1とした以外は、実施例1と同様にグラニュラー磁性層までを成膜した。
比較例1では、実施例1と同様に、洗浄済みのガラス基板(コニカミノルタ社製、外形2.5インチ)を、DCマグネトロンスパッタ装置(アネルバ社製C−3040)の成膜チャンバ内に収容して、到達真空度1×10−5Paとなるまで成膜チャンバ内を減圧排気した後、このガラス基板の上に、Crターゲットを用いて、層厚10nmの密着層を成膜した。また、この密着層の上に、基板温度を100℃以下とし、Co−20Fe−5Zr−5Ta{Fe含有量20原子%、Zr含有量5原子%、Ta含有量5原子%、残部Co}のターゲットを用いて、層厚25nmの軟磁性層を成膜し、この上に層厚0.7nmのRu層を成膜した後、再びCo−20Fe−5Zr−5Taのターゲットを用いて、層厚25nmの軟磁性層を成膜して、これを軟磁性裏打ち層とした。
比較例2では、シード層としてNiWを用いた以外は、実施例1と同様に磁気記録媒体を作製した。具体的には、Ni−6W{W含有量6原子%、残部Ni}ターゲットを用いて、スパッタ圧力0.6Paで層厚を5nmとした。なお、シード層を形成した後のドライエッチングは行わなかった。
2…軟磁性裏打ち層
3…中間層
4…垂直磁性層
4a…下層の磁性層
4b…中層の磁性層
4c…上層の磁性層
5…保護層
6…潤滑層
7…非磁性層
7a…下層の非磁性層
7b…上層の非磁性層
8…非磁性下地層
9…シード層
11…配向制御層
11a…凹凸面
12〜14…磁性層又は非磁性層
S,S1〜S3…柱状晶
30…非磁性基板
31…軟磁性裏打ち層
32…シード層
32a…結晶核
33…中間層
34…垂直磁性層
50…磁気記録媒体
51…媒体駆動部
52…磁気ヘッド
53…ヘッド駆動部
54…記録再生信号処理系
Claims (7)
- 少なくとも非磁性基板の上に、軟磁性裏打ち層と、シード層と、中間層と、垂直磁性層とを順次積層した磁気記録媒体の製造方法であって、
前記シード層として、AlRu、AlCuの何れかを含み、且つ、柱状の結晶核がドット状に分散された共晶合金膜をスパッタ成膜した後に、フッ素、塩素、水素、酸素の中から選ばれる元素を少なくとも1つ以上含むエッチングガスを用いて、この共晶合金膜の表面に対してエッチング処理を施すことで、Ru、Cuの何れかを含む結晶核が表面から突出した微結晶膜を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 少なくとも非磁性基板の上に、軟磁性裏打ち層と、シード層と、中間層と、垂直磁性層とを順次積層した磁気記録媒体の製造方法であって、
前記シード層として、AlSi、PdSi、AgSi、AuSiの何れかを含み、且つ、柱状の結晶核がドット状に分散された共晶合金膜をスパッタ成膜した後に、フッ素、塩素、水素、酸素の中から選ばれる元素を少なくとも1つ以上含むエッチングガスを用いて、この共晶合金膜の表面に対してエッチング処理を施すことで、Al、Pd、Ag、Auの何れかを含む結晶核が表面から突出した微結晶膜を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 少なくとも非磁性基板の上に、軟磁性裏打ち層と、シード層と、中間層と、垂直磁性層とを順次積層した磁気記録媒体の製造方法であって、
前記シード層として、AlGe、PdGe、AgGe、AuGe、SbGeの何れかを含み、且つ、柱状の結晶核がドット状に分散された共晶合金膜をスパッタ成膜した後に、フッ素、塩素、水素、酸素の中から選ばれる元素を少なくとも1つ以上含むエッチングガスを用いて、この共晶合金膜の表面に対してエッチング処理を施すことで、Al、Pd、Ag、Au、Sbの何れかを含む結晶核が表面から突出した微結晶膜を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 少なくとも非磁性基板の上に、軟磁性裏打ち層と、シード層と、中間層と、垂直磁性層とを順次積層した磁気記録媒体の製造方法であって、
前記シード層として、RuC、PtC、CoCの何れかを含み、且つ、柱状の結晶核がドット状に分散された共晶合金膜をスパッタ成膜した後に、フッ素、塩素、水素、酸素の中から選ばれる元素を少なくとも1つ以上含むエッチングガスを用いて、この共晶合金膜の表面に対してエッチング処理を施すことで、Ru、Pt、Coの何れかを含む結晶核が表面から突出した微結晶膜を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 前記軟磁性裏打ち層として、アモルファス構造を有するCo合金膜を形成する請求項1〜4の何れか一項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 前記中間層として、Ru又はRu合金膜を形成することを特徴とする請求項1〜5の何れか一項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 前記垂直磁性層を構成する結晶粒子が前記中間層を構成する結晶粒子と共に厚み方向に連続した柱状晶を構成するように、前記シード層を起点にして各層を結晶成長させることを特徴とする請求項1〜6の何れか一項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
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