JP5887226B2 - 制御装置および制御方法 - Google Patents

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Description

本発明は、温調計のような市販のコントローラを利用した制御系に係り、特に半導体製造装置のプラズマプロセスに好適な制御装置および制御方法に関するものである。
半導体製造装置などの熱処理プロセスでは、市販の温調計が広く実用されている。温調計の基本的なフィードバック制御演算はPID制御演算であり、設定値SPの変更指示に対して制御量PV(温度計測値)を追従させる機能に加え、一定の設定値SPに制御量PV(温度計測値)を維持させる機能(レギュレーション機能)を提供する。
図5はプラズマ処理装置等の半導体製造装置の構成を示すブロック図である。図5において、100は処理容器、101は処理容器100内に形成される空間である処理室、102は処理室101内に原料ガスを供給するシャワーヘッド、103はウエハ(不図示)を載置する載置台、104は下部電極、105はヒータ、106はウエハの温度を計測する温度センサ、107は下部電極104に高周波電力を供給する高周波電源、108は操作量MVを算出する温調計、109はSSR(Solidstate Relay)、SCR(Silicon Controlled Rectifier)などの電力調整器である。このような半導体製造装置は、例えば特許文献1に開示されている。
温調計108は、温度センサ106が計測した制御量PV(温度計測値)が設定値SPと一致するように、PID制御演算により操作量MVを算出する。電力調整器109は、操作量MVに応じてヒータ105に供給する電力を調整する。こうして、温調計108は、ウエハの温度を制御する。
上記のレギュレーション機能においてPID制御が必要になる主な理由として、外乱が印加されて制御量PVが設定値SPから離れたときに、即座にリカバリー(設定値SPへの復帰)をしたいという要求がある。そして、そのための特殊技術として、オーバーシュート抑制機能などが実用されている(特許文献2参照)。この技術によれば、例えば降温外乱に対してPIDフィードバック制御が利き過ぎて、昇温側にオーバーシュートするのを抑制することができる。
特開平11−111697号公報 特許第3437807号公報
温度制御の外乱には、印加し続けて急停止するタイプの昇温外乱がある。例えば、半導体製造装置のプラズマプロセス(特許文献1参照)において、プラズマ放電時(図6(A)、図6(B)のプラズマON)には、プラズマの発熱でウエハ表面温度が上昇する。この温度上昇は、ウエハの温度を制御する温度制御系から見れば、継続的な昇温外乱に相当する。プラズマの発熱が大きい場合は、温度制御用のヒータ出力をゼロにしても、ウエハ表面温度が適温以上になることもある。このように温度上昇が大きい場合、PID制御演算により算出される操作量MVは、図6(B)に示すように継続的に0%になる。なお、図6(B)におけるOLは予め定められた操作量下限値である。
一方、プラズマ放電が停止すると(図6(A)、図6(B)のプラズマOFF)、急激に発熱がなくなり、ウエハ表面温度が降下する。この温度降下は、温度制御系から見れば、急激な降温外乱に相当する。このとき、定常時(設定値SPの一定時)のレギュレーション用のPID制御演算次第では、操作量MVの上昇が遅れ、降温リカバリーに費やす時間が長くなることがある。すなわち、操作量MVが0%で継続している状態から、PID制御演算により操作量MVが徐々に更新されるのを待たなければならないので、操作量MVが低い時間帯が長くなり、この時間帯が長いことが降温外乱を増長させる要因として作用する。結果的に、リカバリーの待ち時間が長くなり、ウエハ処理自体にとっても待ち時間という不要な時間帯を増大させることになる。
半導体製造装置のプラズマプロセスでは、頻繁にウエハの入替えとプラズマのON/OFFがあるため、この不要な時間帯の累積は、装置の処理能力に大きな影響を与える。
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、降温リカバリーに費やす時間を短縮することができる制御装置および制御方法を提供することを目的とする。
本発明は、制御対象を加熱するヒータと、制御対象の温度を制御量PVとして計測する温度センサとを備えた制御系における制御装置であって、制御量PVと外部から入力された設定値SPに基づいて操作量MVを算出する制御演算手段と、この制御演算手段で算出された操作量MVを操作量下限値OL以上の値に制限する下限リミット処理を行って下限リミット処理後の操作量MVを前記ヒータに出力する下限リミット処理手段と、制御量PVが設定値SPよりも高くなる昇温外乱の印加時に少なくとも適用される操作量下限値OL1を予め記憶する第1記憶手段と、昇温外乱停止直後に制御量PVが設定値SPよりも低くなる降温外乱の印加時に適用される操作量下限値OL2(OL2>OL1)を予め記憶する第2記憶手段と、少なくとも昇温外乱印加時には、前記操作量下限値OL1を前記下限リミット処理手段で使用する操作量下限値OLとして設定し、昇温外乱停止直後の降温外乱印加時には、前記操作量下限値OL2を前記下限リミット処理手段で使用する操作量下限値OLとして設定する下限値設定手段と、昇温外乱の印加を示す信号が入力されたときに、昇温外乱の印加を前記下限値設定手段に通知し、昇温外乱の停止を示す信号が入力されたときに、昇温外乱の停止を前記下限値設定手段に通知する外乱認識手段とを備えることを特徴とするものである。
また、本発明の制御装置の1構成例は、さらに、昇温外乱が印加されていないときの平均的な操作量MVである操作量MVmを検出する操作量検出手段と、前記平均的な操作量MVmに基づいて前記操作量下限値OL2を決定し、前記第2記憶手段に記憶させる決定手段とを備えることを特徴とするものである。
また、本発明の制御装置の1構成例は、さらに、制御量PVが予め規定された閾値以下ではないときに、前記外乱認識手段に対して前記昇温外乱の印加を示す信号を出力し、制御量PVが前記閾値以下になったときに、前記外乱認識手段に対して前記昇温外乱の停止を示す信号を出力する外乱判断手段を備えることを特徴とするものである。
また、本発明の制御装置の1構成例において、制御装置が制御する対象はプラズマ処理装置の温度であり、昇温外乱印加時とはプラズマ放電時であり、昇温外乱停止直後の降温外乱印加時とはプラズマ放電から放電停止への切換時であり、昇温外乱が印加されていない通常制御時とはプラズマ放電停止状態での継続的な適温維持時である。
また、本発明は、制御対象を加熱するヒータと、制御対象の温度を制御量PVとして計測する温度センサとを備えた制御系における制御方法であって、制御量PVと外部から入力された設定値SPに基づいて操作量MVを算出する制御演算ステップと、この制御演算ステップで算出した操作量MVを操作量下限値OL以上の値に制限する下限リミット処理を行って下限リミット処理後の操作量MVを前記ヒータに出力する下限リミット処理ステップと、制御量PVが設定値SPよりも高くなる昇温外乱の印加を示す信号が入力されたときに、昇温外乱が印加されたと認識し、昇温外乱の停止を示す信号が入力されたときに、昇温外乱が停止したと認識する外乱認識ステップと、この外乱認識ステップの認識結果に応じて、少なくとも昇温外乱印加時には、第1記憶手段に予め記憶されている操作量下限値OL1を前記下限リミット処理ステップで使用する操作量下限値OLとして設定し、昇温外乱停止直後に制御量PVが設定値SPよりも低くなる降温外乱の印加時には、第2記憶手段に予め記憶されている操作量下限値OL2(OL2>OL1)を前記下限リミット処理ステップで使用する操作量下限値OLとして設定する下限値設定ステップとを備えることを特徴とするものである。
本発明によれば、昇温外乱停止直後の降温外乱印加時に通常時の操作量下限値OL1よりも大きな操作量下限値OL2を一時的に設定することで、制御演算手段による操作量MVの上昇よりも速く操作量MVを安定的に急上昇させることができ、降温リカバリーに費やす時間を短縮することができる。
また、本発明では、平均的な操作量MVmに基づいて操作量下限値OL2を決定することにより、適度な値の操作量下限値OL2を自動決定することができる。
また、本発明では、外乱判断手段を設けることにより、昇温外乱の印加を示す信号と昇温外乱の停止を示す信号を外部から取り込む必要がなく、制御装置単独で昇温外乱の印加と停止を判断することができるので、外部との通信の配線を敷設できない場合や通信ミスが発生した場合でも、降温リカバリーに費やす時間を短縮することができる。
本発明の第1の実施の形態に係る制御装置の構成を示すブロック図である。 本発明の第1の実施の形態に係る制御装置の動作を示すフローチャートである。 本発明の第1の実施の形態に係る制御装置の動作を説明する図である。 本発明の第2の実施の形態に係る制御装置の構成を示すブロック図である。 半導体製造装置の構成を示すブロック図である。 半導体製造装置における昇温外乱、降温外乱を説明する図である。
[発明の原理1]
市販の温調計などは、一般的なパラメータとして操作量下限値OL、操作量上限値OHを備える。この操作量下限値OLが0%に設定されていれば、状況によっては不必要に小さい操作量MVを出力として許容してしまう。一方で、操作量下限値OL、操作量上限値OHは、PID制御演算の積分動作に対するアンチリセットワインドアップ処理の指標としても利用されるが、基本的には算出された操作量MVに対するリミット処理の指標なので、操作量下限値OLと操作量上限値OHを変更しても、PID制御ループの周波数特性に影響はない。すなわち、操作量下限値OLと操作量上限値OHを変更することにより、制御系が不安定化するようなリスクはない。
発明者は、上記の点に着眼し、降温時に0%(あるいは通常時の下限値OL1)よりも大きな操作量下限値OL2を一時的に設定することで、PID制御演算による操作量MVの上昇よりも速く操作量MVを安定的に急上昇させられることに想到した。また、操作量下限値OLをOL2に設定することは、リミット処理の指標である操作量下限値OLを変化させるだけであり、PID制御による可制御状態を維持したままになるので、操作量固定値を一時的に出力するように切り換えるよりも確実にリカバリー動作を継続させることができる。つまり、操作量下限値OLの一時的な変更分(OL2−OL1)とPID制御による操作量MVの可制御的な修正分の重畳により、リカバリー動作を行なうことになる。したがって、一時的に設定すべき大きな操作量下限値OL2については、現場での精密調整ができなくてもよい。
例えば、半導体製造装置のプラズマプロセスであれば、プラズマ放電(以下、プラズマONとする)からプラズマ放電停止(以下、プラズマOFFとする)への切換時に操作量下限値OLを0%から30%に設定変更すると、PID制御により操作量MVが30%から50%程度の範囲で自動調整される。なお、本発明は、温調計のような市販のコントローラを利用して、実現可能である。
[発明の原理2]
一時的に設定すべき大きな操作量下限値OL2については、精密調整する必要はないにしても、概ね適度な値が必要である。また、制御対象によっては、適度な値が変動することもあり得る。
図6(A)、図6(B)で説明したメカニズムに従えば、昇温外乱が印加されていないときの平均的な操作量MVが、降温からのリカバリー後に必要な操作量MVになるのであるから、この平均的な操作量MVの値を指標にすれば、操作量下限値OL2を自動決定できる。例えば、半導体製造装置のプラズマプロセスであれば、プラズマOFF時に継続的に適温に維持するための操作量MVの値が指標になる。仮にこの値が40%ならば、操作量下限値OLをやや小さめの30%程度に自動決定するという手順になる。
[発明の原理3]
上記のように、操作量下限値OLをOL2に一時的に設定する手法にとっては、昇温外乱が急停止するタイミングを適切に検知することが最も重要である。温度制御の温調計は昇温外乱を発生させる側のコントローラ(例えばプラズマのON/OFFを制御するコントローラ)とは別のものになるので、昇温外乱の停止(例えばプラズマONからOFFへの切換)を認識する信号は、温度制御のPID制御ループから取り込むのではなく、外部から通信機能により取り込むのが標準的な計装になる。しかし、必ずしも通信の配線が可能とは限らないし、通信ミスが発生しないとも限らない。
図6(A)、図6(B)で説明したメカニズムに従えば、制御量PV(温度計測値)の下降が観測されたタイミングを昇温外乱の急停止を確認できたタイミングと見なせる。ゆえに、制御量PV(温度計測値)の下降が観測されたタイミングを、操作量下限値OLの一時的な変更を行うタイミングとすれば、通信の配線ができない場合や通信ミスが発生した場合でも、本発明を実施できる。また、操作量下限値OLを一時的に変更しても、PID制御による可制御状態を維持したままになるので、制御量PVの下降が解消した後に通常時の操作量下限値OL1に即座に戻すようにすれば、制御量PVの計測ノイズなどによる誤った判断が混入したとしても、温度制御を正常に継続することができる。
[第1の実施の形態]
以下、本発明の第1の実施の形態について図面を参照して説明する。本実施の形態は、上記発明の原理1、発明の原理2に対応するものである。図1は本実施の形態に係る制御装置の構成を示すブロック図である。制御装置は、操作量MVを算出する制御演算部1と、制御演算部1で算出された操作量MVに対し、操作量下限値OLにより下限リミット処理を行なう下限リミット処理部2と、少なくとも昇温外乱印加時に適用される操作量下限値OL1を予め記憶する第1記憶部3と、昇温外乱停止直後の降温外乱印加時に適用される操作量下限値OL2(OL2>OL1)を予め記憶する第2記憶部4と、少なくとも昇温外乱印加時には、操作量下限値OL1を下限リミット処理部2で使用する操作量下限値OLとして設定し、昇温外乱停止直後の実質的な降温外乱印加時には、操作量下限値OL2を下限リミット処理部2で使用する操作量下限値OLとして設定する下限値設定部5と、昇温外乱の印加を示す信号が入力されたときに、昇温外乱の印加を下限値設定部5に通知し、昇温外乱の停止を示す信号が入力されたときに、昇温外乱の停止を下限値設定部5に通知する外乱認識部6と、昇温外乱が印加されていない通常制御時(プラズマOFFでの継続的な適温維持時)の平均的な操作量MVmを検出する操作量検出部7と、平均的な操作量MVmに基づいて操作量下限値OL2を決定し、第2記憶部4に記憶させる自動決定部8とを備えている。
制御演算部1と下限リミット処理部2と第1記憶部3と第2記憶部4と下限値設定部5と外乱認識部6とは、発明の原理1に対応する構成であり、操作量検出部7と自動決定部8とは、発明の原理2に対応する構成である。
本実施の形態においても、制御装置を適用する半導体製造装置(プラズマ処理装置)は従来と同様であるので、図5の符号を用いて説明する。半導体製造装置としては、エッチング装置や成膜装置、アッシング装置等がある。制御装置は、図5に示した温調計108に実装される。
なお、制御装置には、通常、操作量MVを上限リミット処理する上限リミット処理部も備えられているが、本発明においては必須の構成要件ではないので、上限リミット処理部の記載を省略している。
以下、本実施の形態の制御装置の動作を図2、図3(A)、図3(B)を用いて説明する。まず、昇温外乱が印加されていない通常制御時の動作(プラズマOFFでの継続的な適温維持時の動作であり、図3(A)、図3(B)の時刻t1までの動作)について説明する。
通常制御時(図2ステップS1においてNO)、下限値設定部5は、第1記憶部3に記憶されている操作量下限値OL1を、下限リミット処理部2で使用する操作量下限値OLとして設定する(ステップS2)。
制御演算部1は、例えば半導体製造装置のオペレータが設定した設定値SPと半導体製造装置の温度センサ106によって計測された制御量PV(温度計測値)に基づいて、周知のPID制御演算により操作量MVを算出する(ステップS3)。
下限リミット処理部2は、制御演算部1で算出された操作量MVを、操作量下限値OL=OL1以上の値に制限する下限リミット処理を行ない、処理後の操作量MVを制御対象(実際の出力先は電力調整器109)に出力する(ステップS4)。つまり、下限リミット処理部2は、操作量MVが操作量下限値OL=OL1より小さい場合、操作量MV=OL=OL1として出力する。
通常制御時、操作量検出部7は、平均的な操作量MVmを検出するために、次式の伝達関数で表される1次遅れの処理を行なう(ステップS5)
MVm=MV/(1+Ts) ・・・(1)
式(1)において、Tは予め定められたダンピング時定数、sはラプラス演算子である。ダンピング時定数Tは、操作量MVの十分な平滑化・平均化になるように適宜調整しておけばよい。
次に、自動決定部8は、操作量検出部7が検出した平均的な操作量MVmに基づいて、次式により操作量下限値OL2を決定する(ステップS6)。
OL2=αMVm ・・・(2)
式(2)において、αは予め定められた倍率である(α<1.0)。倍率αとしては、0.7〜0.8程度の値が妥当である。
そして、自動決定部8は、決定した操作量下限値OL2を第2記憶部4に記憶させる(ステップS7)。
以上のようなステップS1〜S7の処理が、制御周期毎に繰り返し実行される。
次に、昇温外乱印加時の動作(プラズマON時の動作であり、図3(A)、図3(B)の時刻t1からt2までの動作)について説明する。
外乱認識部6は、図3(A)、図3(B)の時刻t1において昇温外乱の印加(プラズマON)を示す信号が外部から入力されると(図2ステップS1においてYES)、昇温外乱が印加されたことを下限値設定部5と自動決定部8に通知する。昇温外乱の印加(プラズマON)を示す信号は、例えばプラズマのON/OFFを制御するコントローラ(不図示)から入力される。
昇温外乱印加時、下限値設定部5は、第1記憶部3に記憶されている操作量下限値OL1を、下限リミット処理部2で使用する操作量下限値OLとして設定する(ステップS9)。
昇温外乱印加時には、自動決定部8は、平均的な操作量MVmを検出する動作を停止する(ステップS10)。したがって、自動決定部8による操作量下限値OL2の更新も行われないことになる。
制御演算部1は、ステップS3と同様に操作量MVを算出する(ステップS11)。下限リミット処理部2は、ステップS4と同様に制御演算部1で算出された操作量MVを、操作量下限値OL=OL1以上の値に制限する下限リミット処理を行ない、処理後の操作量MVを制御対象に出力する(ステップS12)。
以上のようなステップS11,S12の処理が、昇温外乱が停止するまで(ステップS13においてYES)、制御周期毎に繰り返し実行される。
次に、昇温外乱停止直後の実質的な降温外乱印加時の動作(プラズマONからプラズマOFFへの切換時の動作であり、図3(A)、図3(B)の時刻t2からt3までの動作)について説明する。
外乱認識部6は、図3(A)、図3(B)の時刻t2において昇温外乱の停止(プラズマOFF)を示す信号が外部から入力されると(図2ステップS13においてYES)、昇温外乱が停止したことを下限値設定部5に通知する。昇温外乱の停止(プラズマOFF)を示す信号は、例えばプラズマのON/OFFを制御するコントローラから入力される。
昇温外乱が停止すると、下限値設定部5は、第2記憶部4に記憶されている操作量下限値OL2を、下限リミット処理部2で使用する操作量下限値OLとして設定する(ステップS14)。
制御演算部1は、ステップS3と同様に操作量MVを算出する(ステップS15)。
下限リミット処理部2は、制御演算部1で算出された操作量MVを、操作量下限値OL=OL2以上の値に制限する下限リミット処理を行ない、処理後の操作量MVを制御対象に出力する(ステップS16)。つまり、下限リミット処理部2は、操作量MVが操作量下限値OL=OL2より小さい場合、操作量MV=OL=OL2として出力する。
以上のようなステップS15,S16の処理が、降温外乱リカバリー時の動作になるまで(ステップS17においてYES)、制御周期毎に繰り返し実行される。
次に、降温外乱によって設定値SPから離れた制御量PV(温度計測値)を設定値SPにほぼ復帰させた降温外乱リカバリー時の動作(プラズマOFF時に適温に復帰させた時の動作であり、図3(A)、図3(B)の時刻t3以降の動作)について説明する。
下限値設定部5は、昇温外乱の停止時(プラズマOFFへの切換時)から予め規定された時間が経過すると(図2ステップS17においてYES)、第1記憶部3に記憶されている操作量下限値OL1を、下限リミット処理部2で使用する操作量下限値OLとして設定する(ステップS18)。
自動決定部8は、昇温外乱の停止時(プラズマOFFへの切換時)から予め規定された時間が経過すると、平均的な操作量MVmを検出する動作を開始する(ステップS19)。そして、制御装置は、ステップS1の処理に戻る。
以上のように、本実施の形態では、昇温外乱停止直後の降温時に通常時の操作量下限値OL1よりも大きな操作量下限値OL2を一時的に設定することで、PID制御演算による操作量MVの上昇よりも速く操作量MVを安定的に急上昇させることができ、降温リカバリーに費やす時間を短縮することができる。
なお、平均的な操作量MVmを検出するための処理は、1次遅れの処理に限らず、移動平均などの別の平滑化処理でもよい。
また、本実施の形態では、プラズマOFFへの切換時からの経過時間が予め規定された時間を超えたときに降温外乱リカバリー時と見なしているが(ステップS17)、制御の整定状態によって降温外乱リカバリー時か否かを判断してもよいし、別の判断指標によって判断してもよい。
[第2の実施の形態]
次に、本発明の第2の実施の形態について説明する。本実施の形態は、上記発明の原理1、発明の原理3に対応するものである。図4は本実施の形態に係る制御装置の構成を示すブロック図であり、図1と同一の構成には同一の符号を付してある。本実施の形態の制御装置は、制御演算部1と、下限リミット処理部2と、第1記憶部3と、第2記憶部4と、下限値設定部5と、外乱認識部6と、制御量PV(温度計測値)が予め規定された閾値以下ではないときに、外乱認識部6に対して昇温外乱の印加を示す信号を出力し、制御量PVが閾値以下になったときに、外乱認識部6に対して昇温外乱の停止を示す信号を出力する外乱判断部9とを備えている。
制御演算部1と下限リミット処理部2と第1記憶部3と第2記憶部4と下限値設定部5と外乱認識部6とは、発明の原理1に対応する構成であり、外乱判断部9は、発明の原理3に対応する構成である。
本実施の形態においても、制御装置の処理の流れは第1の実施の形態と同様であるので、図2を用いて本実施の形態の制御装置の動作を説明する。
外乱判断部9は、半導体製造装置の温度センサ106によって計測された制御量PV(温度計測値)が予め規定された閾値(通常は設定値SPより1℃〜2℃程度低い数値)以下ではないとき、昇温外乱の印加(プラズマON)あるいは昇温外乱の印加と同等と扱うべき状態と判断して、外乱認識部6に対して昇温外乱の印加(プラズマON)を示す信号を出力する(図2ステップS1においてYES)。
なお、図3(A)、図3(B)の通常制御時(時刻t1までの時間帯および時刻t3以降の時間帯)においては、プラズマONではなくプラズマOFFとなっているが、操作量下限値OLがOL1に設定されており、昇温外乱の印加時(プラズマON)と同じ値になるので、昇温外乱の印加と同等と扱うべき状態と見なして差し支えない。
次に、外乱判断部9は、制御量PV(温度計測値)が予め規定された閾値以下になったとき、昇温外乱の停止(プラズマOFF)と判断して、外乱認識部6に対して昇温外乱の停止(プラズマOFF)を示す信号を出力する(図2ステップS13においてYES)。
他の動作は第1の実施の形態で説明したとおりである。
このように、本実施の形態では、昇温外乱の印加(プラズマON)を示す信号と昇温外乱の停止(プラズマOFF)を示す信号を外部から取り込む必要がなく、制御装置単独で昇温外乱の印加(プラズマON)と昇温外乱の停止(プラズマOFF)を判断することができるので、外部との通信の配線を敷設できない場合や通信ミスが発生した場合でも、第1の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
本実施の形態では、操作量下限値OLをOL2に変更するタイミングは第1の実施の形態よりも原理的に遅くなるが、操作量下限値OLを変更しない従来技術と比べて降温リカバリーに費やす時間を短縮することができる。
本実施の形態は、第1の実施の形態と組み合わせてもよい。つまり、本実施の形態は、第1の実施の形態において通信の配線を敷設できない場合や通信ミスが発生した場合のバックアップ的な構成を提供するものである。
第1、第2の実施の形態で説明した制御装置は、CPU、記憶装置及びインタフェースを備えたコンピュータと、これらのハードウェア資源を制御するプログラムによって実現することができる。CPUは、記憶装置に格納されたプログラムに従って第1、第2の実施の形態で説明した処理を実行する。
本発明は、半導体製造装置のプラズマプロセスに適用することができる。
1…制御演算部、2…下限リミット処理部、3…第1記憶部、4…第2記憶部、5…下限値設定部、6…外乱認識部、7…操作量検出部、8…自動決定部、9…外乱判断部。

Claims (8)

  1. 制御対象を加熱するヒータと、制御対象の温度を制御量PVとして計測する温度センサとを備えた制御系における制御装置であって、
    制御量PVと外部から入力された設定値SPに基づいて操作量MVを算出する制御演算手段と、
    この制御演算手段で算出された操作量MVを操作量下限値OL以上の値に制限する下限リミット処理を行って下限リミット処理後の操作量MVを前記ヒータに出力する下限リミット処理手段と、
    制御量PVが設定値SPよりも高くなる昇温外乱の印加時に少なくとも適用される操作量下限値OL1を予め記憶する第1記憶手段と、
    昇温外乱停止直後に制御量PVが設定値SPよりも低くなる降温外乱の印加時に適用される操作量下限値OL2(OL2>OL1)を予め記憶する第2記憶手段と、
    少なくとも昇温外乱印加時には、前記操作量下限値OL1を前記下限リミット処理手段で使用する操作量下限値OLとして設定し、昇温外乱停止直後の降温外乱印加時には、前記操作量下限値OL2を前記下限リミット処理手段で使用する操作量下限値OLとして設定する下限値設定手段と、
    昇温外乱の印加を示す信号が入力されたときに、昇温外乱の印加を前記下限値設定手段に通知し、昇温外乱の停止を示す信号が入力されたときに、昇温外乱の停止を前記下限値設定手段に通知する外乱認識手段とを備えることを特徴とする制御装置。
  2. 請求項1記載の制御装置において、
    さらに、昇温外乱が印加されていないときの平均的な操作量MVである操作量MVmを検出する操作量検出手段と、
    前記平均的な操作量MVmに基づいて前記操作量下限値OL2を決定し、前記第2記憶手段に記憶させる決定手段とを備えることを特徴とする制御装置。
  3. 請求項1または2記載の制御装置において、
    さらに、制御量PVが予め規定された閾値以下ではないときに、前記外乱認識手段に対して前記昇温外乱の印加を示す信号を出力し、制御量PVが前記閾値以下になったときに、前記外乱認識手段に対して前記昇温外乱の停止を示す信号を出力する外乱判断手段を備えることを特徴とする制御装置。
  4. 請求項1乃至3のいずれか1項に記載の制御装置において、
    制御装置が制御する対象はプラズマ処理装置の温度であり、
    昇温外乱印加時とはプラズマ放電時であり、
    昇温外乱停止直後の降温外乱印加時とはプラズマ放電から放電停止への切換時であり、
    昇温外乱が印加されていない通常制御時とはプラズマ放電停止状態での継続的な適温維持時であることを特徴とする制御装置。
  5. 制御対象を加熱するヒータと、制御対象の温度を制御量PVとして計測する温度センサとを備えた制御系における制御方法であって、
    制御量PVと外部から入力された設定値SPに基づいて操作量MVを算出する制御演算ステップと、
    この制御演算ステップで算出した操作量MVを操作量下限値OL以上の値に制限する下限リミット処理を行って下限リミット処理後の操作量MVを前記ヒータに出力する下限リミット処理ステップと、
    制御量PVが設定値SPよりも高くなる昇温外乱の印加を示す信号が入力されたときに、昇温外乱が印加されたと認識し、昇温外乱の停止を示す信号が入力されたときに、昇温外乱が停止したと認識する外乱認識ステップと、
    この外乱認識ステップの認識結果に応じて、少なくとも昇温外乱印加時には、第1記憶手段に予め記憶されている操作量下限値OL1を前記下限リミット処理ステップで使用する操作量下限値OLとして設定し、昇温外乱停止直後に制御量PVが設定値SPよりも低くなる降温外乱の印加時には、第2記憶手段に予め記憶されている操作量下限値OL2(OL2>OL1)を前記下限リミット処理ステップで使用する操作量下限値OLとして設定する下限値設定ステップとを備えることを特徴とする制御方法。
  6. 請求項5記載の制御方法において、
    さらに、昇温外乱が印加されていないときの平均的な操作量MVである操作量MVmを検出する操作量検出ステップと、
    前記平均的な操作量MVmに基づいて前記操作量下限値OL2を決定し、前記第2記憶手段に記憶させる決定ステップとを備えることを特徴とする制御方法。
  7. 請求項5または6記載の制御方法において、
    さらに、制御量PVが予め規定された閾値以下ではないときに、前記昇温外乱の印加を示す信号を出力し、制御量PVが前記閾値以下になったときに、前記昇温外乱の停止を示す信号を出力する外乱判断ステップを備えることを特徴とする制御方法。
  8. 請求項5乃至7のいずれか1項に記載の制御方法において、
    制御方法が制御する対象はプラズマ処理装置の温度であり、
    昇温外乱印加時とはプラズマ放電時であり、
    昇温外乱停止直後の降温外乱印加時とはプラズマ放電から放電停止への切換時であり、
    昇温外乱が印加されていない通常制御時とはプラズマ放電停止状態での継続的な適温維持時であることを特徴とする制御方法。
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