JP5886416B2 - 表面処理銅箔 - Google Patents

Description

本発明は、高周波電気信号の効率の良い伝送が可能なフレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ）を製造するための銅張積層板用表面処理銅箔に関する。

フレキシブルプリント回路板は、基板の銅箔をエッチングして種々の配線パターンを形成し、電子部品をハンダで接続して実装することにより製造される。銅箔はその製造方法から電解銅箔と圧延銅箔に分類され、フレキシブル基板用銅箔には、耐屈曲性に優れる圧延銅箔が好んで用いられてきた。また、パソコンや移動体通信等の電子機器では、通信の高速化、大容量化に伴い、電気信号の高周波化が進んでおり、これに対応可能なプリント配線板及び銅箔が求められている。

パソコンや移動体通信等の電子機器では電気信号が高周波化しているが、電気信号の周波数が１ＧＨｚ以上になると、電流が導体の表面にだけ流れる表皮効果の影響が顕著になり、表面の凹凸で電流伝送経路が変化して導体損失が増大する影響が無視できなくなる。この点からも銅箔の表面粗さが小さいことが望まれる。

生箔の電解銅箔の表面は銅の電着粒によって形成され、生箔の圧延銅箔の表面は圧延ロールとの接触によって形成される。そのため、一般的に生箔の圧延銅箔の表面粗さは電解銅箔の表面粗さより小さい。また、粗化処理における電着粒子は、圧延銅箔の方が微細である。この意味から、圧延銅箔は高周波回路用銅箔として優れていると言える。

一方、高周波になるほどデータ輸送量は大きくなるが、信号電力の損失（減衰）も大きくなり、データが読み取れなくなるため、ＦＰＣの回路長さが制限される。このような信号電力の損失（減衰）を減らすために、導体側は、銅箔の表面粗さが小さいものへ、また樹脂側としては、ポリイミドから液晶ポリマーへと移行する傾向にある。なお、表皮効果の観点から最も望ましいのは、粗化処理を形成しない、粗さの小さい銅箔であると考えられる。

電子回路における信号電力の損失（減衰）は大きく二つに分けることができる。その一つは、導体損失すなわち銅箔による損失であり、その二は、誘電体損失すなわち基板による損失である。導体損失では、高周波域では、表皮効果があり、電流は導体の表面を流れるという特性を有する。このため、銅箔表面が粗いと複雑な経路を辿って、電流が流れることになる。上記に述べたように、圧延銅箔は電解銅箔に比べて粗さが小さいので、導体損失が少ないという傾向がある。

他方、液晶ポリマー（ＬＣＰ）は、液相（溶融又は溶液）で光学的な異方性を示すポリマーであり、銅箔とは接着剤なしで積層することが必要となる。全芳香族ポリエステル系液晶ポリマーは、溶融状態でも分子の配向性を示し、固体状態でもこの状態が保持され、熱可塑性を示すハロゲンフリーの材料である。

液晶ポリマー（ＬＣＰ）の特徴は、低誘電率、低誘電正接であることである。因みにＬＣＰの比誘電率は３．３であるのに対して、ポリイミドの比誘電率は３．５であり、誘電正接はＬＣＰが０．００２であるのに対して、ポリイミドのそれは０．０１であるので、液晶ポリマー（ＬＣＰ）の方が、特性的に優れている。また、液晶ポリマー（ＬＣＰ）は、低吸水性であり、かつ低吸湿率である特徴を有し、電気特性の変化が少なく、また寸法変化が少ないという大きな利点を持つ。

圧延銅箔においては、ハンドリング性を保つ目的から、最終焼鈍後に圧延するという圧延上がり材が最適である（例えば、特許文献１参照）という特徴を有する。
しかしながら、液晶ポリマー（ＬＣＰ）はポリイミドと比較して強度が弱く、銅箔を積層した材料はピール強度が出難いという大きな問題を有している。銅箔の粗さを大きくすると、物理的なアンカー効果が得られることからピール強度は高くなる傾向にあるが、前述の表皮効果の影響によって、高周波における電気特性が悪化してしまう。
また、高周波回路用銅箔の提案がいくつかあるが（例えば、特許文献２、３、４、５参照）、圧延銅箔の製造工程の簡素化と高周波伝送損失を減少させるという観点から、有効な技術がないのが現状である。

特開２００３−１９３２１１号公報 特公昭６１−５４５９２号公報 特公平３−３４６７９号公報 特公平７−１０５６４号公報 特開平５−５５７４６号公報

本発明は、上記のような問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、高周波用途に好適な液晶ポリマー（ＬＣＰ）に銅箔を積層したフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）用銅箔を提供するに際して、ピール強度を向上させた銅箔を得ることを課題とする。

本発明者らは、次の理由により、伝送損失を低下することができることを見出した。
その一は、高周波領域において銅箔の表面に大きく影響されるということである。表面粗さが大きくなると伝送損失は大きくなる。したがって、銅箔の表面粗さを、できるだけ小さく調整することが有効である。
その二は、液晶ポリマー（ＬＣＰ）積層基板の利用である。しかしこのためには、銅箔との接着強度（ピール強度）を高める必要がある。
以上の問題を解決することによって、信号電力損失（減衰）を抑制したフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）を提供することができるという知見を得た。

上記の知見から、本願発明は、以下の発明を提供する。
１）銅箔表面のＳｉの付着量が３．１〜３００μｇ／ｄｍ^２であり、銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ^２であることを特徴とする表面処理銅箔。

２）銅箔表面のＳｉの付着量が１０．０〜３００μｇ／ｄｍ^２であり、銅箔表面のＮの付着量が８．０〜６９０μｇ／ｄｍ^２であることを特徴とする上記１）記載の表面処理銅箔。

３）銅箔表面のＳｉの付着量が２０．５〜２４５μｇ／ｄｍ^２であり、銅箔表面のＮの付着量が１６．４〜５６５μｇ／ｄｍ^２であることを特徴とする上記１）記載の表面処理銅箔。

４）フレキシブルプリント回路基板用銅箔であることを特徴とする上記１）〜３）のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。

５）銅箔が圧延銅箔又は電解銅箔であることを特徴とする上記１）〜４）のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。

６）液晶ポリマーからなるフレキシブルプリント回路基板に接合される銅箔であることを特徴とする上記１）〜５）のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。

７）液晶ポリマーからなるフレキシブルプリント回路基板に接合された場合の９０度の常態ピール強度が０．３ｋｇ／ｃｍ以上であることを特徴とする上記１）〜６）のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。

８）１ＧＨｚを超える高周波数下での使用が可能なフレキシブルプリント回路板に接合されることを特徴とする上記１）〜７）のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。

本発明によって、高周波回路用途に用いることができる表面処理銅箔が製造可能であり、該銅箔を液晶ポリマー（ＬＣＰ）積層基板に適用することにより、接着強度（ピール強度）を高めることが可能であり、かつ１ＧＨｚを超える高周波数下での使用が可能なフレキシブルプリント回路板が実現できるという優れた効果が得られる。

高周波回路用途に用いることができる表面処理銅箔は、銅箔表面のＳｉの付着量が３．１〜３００μｇ／ｄｍ^２であり、銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ^２であることを特徴とする。これによって、銅箔を液晶ポリマー（ＬＣＰ）積層基板に接着する際に、接着強度（ピール強度）を高めることが可能となる。なお、上記銅箔表面のＳｉ付着量とＮ付着量を達成する１つの手段として、銅箔表面をシラン処理することが挙げられる。また、本願の表面処理銅箔を高周波回路用銅箔に用いることは有効である。

銅箔表面のＳｉの付着量が３．１μｇ／ｄｍ^２未満で、銅箔表面のＮの付着量が２．５μｇ／ｄｍ^２未満であると、接着強度は十分でなく、銅箔表面のＳｉの付着量が３００μｇ／ｄｍ^２を超え、銅箔表面のＮの付着量が６９０μｇ／ｄｍ^２を超える場合には、ＬＣＰとの積層の際に発泡が起こるので、多すぎるのは好ましくないと言える。
特に、銅箔表面のＳｉの付着量が８．０〜３００μｇ／ｄｍ^２であり、銅箔表面のＮの付着量が８．０〜６９０μｇ／ｄｍ^２であること、さらには銅箔表面のＳｉの付着量が２０．５〜２４５μｇ／ｄｍ^２であり、銅箔表面のＮの付着量が１６．４〜５６５μｇ／ｄｍ^２であることが望ましい。
なお、シラン塗布方法はシランカップリング剤溶液のスプレーふきつけ、コーター塗布、浸漬、流しかけ等いずれでも良い。これらについては、既に公知の技術なので（例えば、特公昭６０−１５６５４号参照）、詳細は省略する。

銅箔表面のＳｉの付着量については、１ｄｍ×１ｄｍの大きさの表面処理された銅箔を酸で溶解し、ＩＣＰ（誘導結合プラズマ原子発光分析法）で定量して、表面処理された銅箔の単位面積に対する、付着したＳｉの質量（μｇ）を求めた。
銅箔表面のＮの付着量については、１ｄｍ×１ｄｍの大きさの表面処理された銅箔を高温で溶解し、発生したＮＯ_２から付着Ｎ量を算出して、銅箔の全表面に付いたＮの量を測定することで、表面処理された銅箔の単位面積に対する、付着したＮの質量を求めた。

接着強度を高めた銅箔は、液晶ポリマーからなるフレキシブルプリント回路基板用として最適な高周波回路用銅箔となる。すなわち、液晶ポリマーからなるフレキシブルプリント回路基板に接合された場合の９０度の常態ピール強度が０．３ｋｇ／ｃｍ以上とすることが可能となる。

また、銅箔の接着強度を高めることができるので、銅箔の表面粗さが少ない（導体損失の少ない）圧延銅箔及び電解銅箔に適用でき、最適な高周波回路用銅箔を得ることができる。高周波回路用銅箔は、１ＧＨｚを超える高周波数下での使用が可能なフレキシブルプリント回路板を製造可能とする。
なお、本願の発明にかかる表面処理銅箔は粗化処理層および／または耐熱処理層および／または防錆処理層および／またはクロメート処理層および／またはめっき処理層および／またはシランカップリング処理層を有しても良い。前記粗化処理層は特に限定はされず、あらゆる粗化処理層や公知の粗化処理層を適用することが出来る。

前記耐熱処理層は特に限定はされず、あらゆる耐熱処理層や公知の耐熱処理層を適用することが出来る。前記防錆処理層は特に限定はされず、あらゆる防錆処理層や公知の防錆処理層を適用することが出来る。前記めっき処理層は特に限定はされず、あらゆるめっき処理層や公知のめっき処理層を適用することが出来る。前記クロメート処理層は特に限定はされず、あらゆるクロメート処理層や公知のクロメート処理層を適用することが出来る。

例えば、本願の発明にかかる表面処理銅箔はその表面に、例えば絶縁基板との密着性を良好にすること等のための粗化処理を施すことにより粗化処理層を設けてもよい。粗化処理は、例えば、銅又は銅合金で粗化粒子を形成することにより行うことができる。粗化処理は微細なものであっても良い。粗化処理層は、銅、ニッケル、りん、タングステン、ヒ素、モリブデン、クロム、コバルト及び亜鉛からなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか１種以上を含む合金からなる層などであってもよい。

また、銅又は銅合金で粗化粒子を形成した後、更にニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で二次粒子や三次粒子を設ける粗化処理を行うこともできる。その後に、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で耐熱処理層または防錆処理層を形成しても良く、更にその表面にクロメート処理、シランカップリング処理などの処理を施してもよい。または粗化処理を行わずに、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で耐熱処理層又は防錆処理層を形成し、さらにその表面にクロメート処理、シランカップリング処理などの処理を施してもよい。

すなわち、粗化処理層の表面に、耐熱処理層、防錆処理層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層を形成してもよく、表面処理銅箔の表面に、耐熱処理層、防錆処理層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層を形成してもよい。なお、上述の耐熱層、防錆処理層、クロメート処理層、シランカップリング処理層はそれぞれ複数の層で形成されてもよい（例えば２層以上、３層以上など）。なお、本発明において「防錆処理層」は「クロメート処理層」を含む。

なお、樹脂との密着性を考慮すると、表面処理銅箔の最外層にシランカップリング処理層を設けることが好ましい。粗化処理層としては銅の一次粒子層と、該一次粒子層の上に、銅、コバルト及びニッケルからなる３元系合金からなる二次粒子層とが形成されていることが好ましい。
また、該一次粒子層の平均粒子径が０．２５−０．４５μｍであり、該二次粒子層の平均粒子径が０．０５−０．２５μｍであることがより好ましい。

また、防錆処理またはクロメート処理として以下の処理を用いることができる。
＜Ｎｉ−Ｃｏめっき＞：Ｎｉ−Ｃｏ合金めっき
（液組成）Ｃｏ：１〜２０ｇ／Ｌ、Ｎｉ：１〜２０ｇ／Ｌ
（ｐＨ）１．５〜３．５
（液温）３０〜８０℃
（電流密度）１〜２０Ａ／ｄｍ²
（通電時間）０．５〜４秒

＜Ｚｎ−Ｎｉめっき＞：Ｚｎ−Ｎｉ合金めっき
（液組成）Ｚｎ：１０〜３０ｇ／Ｌ、Ｎｉ：１〜１０ｇ／Ｌ
（ｐＨ）３〜４
（液温）４０〜５０℃
（電流密度）０．５〜５Ａ／ｄｍ²
（通電時間）１〜３秒

＜Ｎｉ−Ｍｏめっき＞：Ｎｉ−Ｍｏ合金めっき
（液組成）硫酸ニッケル：２７０〜２８０ｇ／Ｌ、塩化ニッケル：３５〜４５ｇ／Ｌ、酢酸ニッケル：１０〜２０ｇ／Ｌ、モリブデン（モリブデン酸ナトリウムとして添加）：０．１〜１０ｇ／Ｌ、クエン酸三ナトリウム：１５〜２５ｇ／Ｌ、光沢剤：サッカリン、ブチンジオール等、ドデシル硫酸ナトリウム：５５〜７５ｐｐｍ
（ｐＨ）４〜６
（液温）５５〜６５℃
（電流密度）１〜１１Ａ／ｄｍ²
（通電時間）１〜２０秒

＜Ｃｕ−Ｚｎめっき＞：Ｃｕ−Ｚｎ合金めっき
（液組成）ＮａＣＮ：１０〜３０ｇ／Ｌ、ＮａＯＨ：４０〜１００ｇ／Ｌ、Ｃｕ：６０〜１２０ｇ／Ｌ、Ｚｎ：１〜１０ｇ／Ｌ
（液温）６０〜８０℃
（電流密度）１〜１０Ａ／ｄｍ²
（通電時間）１〜１０秒

＜電解クロメート＞
（液組成）無水クロム酸、クロム酸、または重クロム酸カリウム：１〜１０ｇ／Ｌ、亜鉛（添加する場合は硫酸亜鉛の形で添加）：０〜５ｇ／Ｌ
（ｐＨ）０．５〜１０
（液温）４０〜６０℃
（電流密度）０．１〜２．６Ａ／ｄｍ²
（クーロン量）０．５〜９０Ａｓ／ｄｍ²
（通電時間）１〜３０秒

＜浸漬クロメート＞
（液組成）無水クロム酸、クロム酸、または重クロム酸カリウム：１〜１０ｇ／Ｌ、亜鉛（添加する場合は硫酸亜鉛の形で添加）：０〜５ｇ／Ｌ
（ｐＨ）２〜１０
（液温）２０〜６０℃
（処理時間）１〜３０秒

また、シランカップリング処理において、銅箔の表面にＳｉとＮを付着させる場合には、シランカップリング処理にはアミノシランを用いる。そして、シランカップリング処理液中のシランカップリング剤の濃度を従来よりも高濃度（例えば、１．５ｖｏｌ％以上）として、シランカップリング処理を行うことが必要である。また、シランカップリング処理後の乾燥温度を高くしすぎず、また乾燥時間を長くしすぎないことが必要である。乾燥温度を高くしすぎたり、乾燥時間を長くしすぎた場合、銅箔表面に存在するシランカップリング剤が脱離する場合があるからである。

シランカップリング処理後の乾燥は、例えば乾燥温度９０〜１１０℃、好ましくは９５℃〜１０５℃で、乾燥時間１〜１０秒間好ましくは１〜５秒間で行うことが好ましい。
また、好ましい実施の態様において、アミノシランとして、１以上のアミノ基及び／又はイミノ基を含むシランを使用することができる。アミノシランに含まれるアミノ基及びイミノ基の数は、例えばそれぞれ１〜４個、好ましくはそれぞれ１〜３個、さらに好ましくは１〜２個とすることができる。好適な実施の態様において、アミノシランに含まれるアミノ基及びイミノ基の数は、それぞれ１個とすることができる。

アミノシランに含まれるアミノ基及びイミノ基の数の合計が、１個であるアミノシランは特にモノアミノシラン、２個であるアミノシランは特にジアミノシラン、３個であるアミノシランは特にトリアミノシランと、呼ぶことができる。モノアミノシラン、ジアミノシランは、本発明において好適に使用することができる。好適な実施の態様において、アミノシランとして、アミノ基１個を含むモノアミノシランを使用することができる。好適な実施の態様において、アミノシランは、少なくとも１個、例えば１個のアミノ基を、分子の末端に、好ましくは直鎖状又は分枝状の鎖状分子の末端に、含むものとすることができる。

アミノシランとしては、例えば、N-2-（アミノエチル）-3-アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N-2-（アミノエチル）-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリメトキシシラン、１-アミノプロピルトリメトキシシラン、２-アミノプロピルトリメトキシシラン、１、２-ジアミノプロピルトリメトキシシラン、3-アミノ‐１‐プロぺニルトリメトキシシラン、3-アミノ‐１‐プロピニルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリエトキシシラン、3-トリエトキシシリル-N-（1,3-ジメチル-ブチリデン）プロピルアミン、N-フェニル-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-（ビニルベンジル）-2-アミノエチル-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、3- アミノプロピルトリエトキシシラン、3- アミノプロピルトリメトキシシラン、N-(2- アミノエチル)-3- アミノプロピルトリメトキシシラン、N-(2- アミノエチル)-3- アミノプロピルメチルジメトキシシラン、3-(N- フェニル) アミノプロピルトリメトキシシランをあげることできる。

また、好ましい実施の態様において、シランカップリング処理には以下の式Ｉの構造式を有するシランを用いることが好ましい。
式Ｉ： Ｈ₂Ｎ−Ｒ¹−Ｓｉ（ＯＲ²）₂（Ｒ³） （式Ｉ）
（ただし、上記式Ｉにおいて、
Ｒ１は、直鎖状又は分枝を有する、飽和又は不飽和の、置換又は非置換の、環式又は非環式の、複素環を有する又は複素環を有しない、Ｃ１〜Ｃ１２の炭化水素の二価基であり、
Ｒ２は、Ｃ１〜Ｃ５のアルキル基であり、
Ｒ３は、Ｃ１〜Ｃ５のアルキル基、又はＣ１〜Ｃ５のアルコキシ基である。）

Ｒ１が、置換又は非置換の、Ｃ１〜Ｃ１２の直鎖状飽和炭化水素の二価基、置換又は非置換の、Ｃ１〜Ｃ１２の分枝状飽和炭化水素の二価基、置換又は非置換の、Ｃ１〜Ｃ１２の直鎖状不飽和炭化水素の二価基、置換又は非置換の、Ｃ１〜Ｃ１２の分枝状不飽和炭化水素の二価基、置換又は非置換の、Ｃ１〜Ｃ１２の環式炭化水素の二価基、置換又は非置換の、Ｃ１〜Ｃ１２の複素環式炭化水素の二価基、置換又は非置換の、Ｃ１〜Ｃ１２の芳香族炭化水素の二価基、からなる群から選択された基であることが好ましい。

また、Ｒ１が、 −（ＣＨ₂）_n−、−（ＣＨ₂）_n−（ＣＨ）_m−（ＣＨ₂）_j-1−、−（ＣＨ₂）_n−（ＣＣ）−（ＣＨ₂）_n-1−、−（ＣＨ₂）_n−ＮＨ−（ＣＨ₂）_m−、−（ＣＨ₂）_n−ＮＨ−（ＣＨ₂）_m−ＮＨ−（ＣＨ₂）_j−、−（ＣＨ₂）_n-1−（ＣＨ）ＮＨ₂−（ＣＨ₂）_m-1−、−（ＣＨ₂）_n-1−（ＣＨ）ＮＨ₂−（ＣＨ₂）_m-1−ＮＨ−（ＣＨ₂）_j− からなる群から選択された基である（ただし、ｎ、ｍ、ｊは、１以上の整数である）ことが好ましい。
Ｒ１が、−（ＣＨ₂）_n−、又は−（ＣＨ₂）_n−ＮＨ−（ＣＨ₂）_m−であることが好ましい。
ｎ、ｍ、ｊが、それぞれ独立に、１、２又は３であることが好ましい。
Ｒ２が、メチル基又はエチル基であることが好ましい。
Ｒ３が、メチル基、エチル基、メトキシ基又はエトキシ基であることが好ましい。
また、別の実施の形態においてはスパッタリング、ＣＶＤ及びＰＤＶなどの乾式めっきによって銅箔の表面にＳｉとＮを含む層を設けてもよい。

以下にスパッタリングの条件の一例を示す。
（ターゲット）：Ｓｉ：１５〜６５ｍａｓｓ％、Ｎ：２５〜５５ｍａｓｓ％、Ｓｉ濃度とＮ濃度との合計が５０ｍａｓｓ％以上。残部は、任意の元素で良い。
（装置）株式会社アルバック製のスパッタ装置
（出力）ＤＣ５０Ｗ
（アルゴン圧力）０．２Ｐａ

以下、実施例により本発明を説明する。なお、本実施例は好適な一例を示すもので、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。したがって、本発明の技術思想に含まれる変形、他の実施例又は態様は、全て本発明に含まれる。なお、本発明との対比のために、比較例を併記する。

（実施例１）
無酸素銅に１２００ｐｐｍのＳｎを添加したインゴットを溶製し、このインゴットを９００°Ｃから熱間圧延し、厚さ１０ｍｍの板を得た。その後、冷間圧延と焼鈍を繰り返し、最終的に９μｍ厚の銅箔に冷間圧延した。この圧延銅箔の表面粗さはＲｚ０．６３μｍであった。

次に、前記圧延銅箔に、次の条件でＮｉめっきを実施した（粗化処理は実施せず）。なお、Ｎｉめっき液の残部は水である。また本願に記載されている、粗化処理、めっき、シラン処理、耐熱処理、防錆処理などに用いられる液の残部も特に記載が無い限り水とした。
Ｎｉイオン:１０〜４０ｇ／Ｌ
温度：３０〜７０°Ｃ
電流密度：１〜９Ａ／ｄｍ^２
めっき時間：０．１〜３．０秒
ｐＨ：１．０〜５．０

次に、前記Ｎｉめっきをした圧延銅箔に、次の条件で浸漬クロメート処理を実施した。
Ｋ_２Ｃｒ_２Ｏ_７：１〜１０ｇ／Ｌ
温度：２０〜６０°Ｃ
処理時間：１〜５秒

次に、表１に示すシランカップリング処理を実施した。
シランの種類：N-2-（アミノエチル）-3-アミノプロピルトリメトキシシラン
シラン濃度：１．５ｖｏｌ％
温度：１０〜６０°Ｃ
処理時間：１〜５秒
シラン処理後の乾燥：１００°Ｃ×３秒

この結果、シランカップリング処理後の銅箔表面粗さＲｚ（十点平均粗さ）は０．６３μｍとなった。なお、ＲｚはＪＩＳ Ｂ０６０１−１９８２に準拠して、株式会社小阪研究所製接触粗さ計Ｓｕｒｆｃｏｒｄｅｒ ＳＥ−３Ｃ触針式粗度計を用いて測定した。銅箔表面のＳｉの付着量については、１ｄｍ×１ｄｍの大きさの表面処理された銅箔を酸で溶解し、ＩＣＰ（誘導結合プラズマ原子発光分析法）で定量して、表面処理された銅箔の単位面積に対する、付着したＳｉの質量（μｇ）を求めた結果、３．５μｇ／ｄｍ^２となり、また銅箔表面のＮの付着量については、１ｄｍ×１ｄｍの大きさの表面処理された銅箔を高温で溶解し、発生したＮＯ_２量を算出して、銅箔の全表面に付いたＮの量を測定することで、表面処理された銅箔の単位面積に対する、付着したＮの質量を求めた結果、４．５μｇ／ｄｍ^２となった。なお、本測定でＳｉおよびＮが検出された場合には、表面処理銅箔にアミノシランによるシランカップリング処理層が存在すると判定できる。

なお、樹脂の張り合わせが行われない面にもＳｉおよびＮが付着している場合には、予め除去をするかマスキング等を行い、樹脂との張り合わせ面の測定結果に影響を及ぼさないようにする必要がある。
以下の実施例及び比較例の、銅箔表面に付着したＳｉの質量（μｇ）及びＮの付着量の測定法（評価方法）については、同様にして実施しているので、この操作方法は、煩雑さを避けるために、説明を省略することとする。
以上の結果は、銅箔表面のＳｉの付着量が３．１〜３００μｇ／ｄｍ^２であり、銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ^２であるという本願発明の条件を満たしていた。

このようにして製造したシラン処理した圧延銅箔を、厚さ５０μｍの液晶ポリマー（Ｋｕｒａｒａｙ製、Ｖｅｃｓｔａｒ ＣＴ−Ｚ）の樹脂にプレスにて貼り合わせた。このようにして得た試料を用いて９０度ピール強度を測定した。
ピール強度は、回路幅３ｍｍとし、９０度の角度で５０ｍｍ／ｍｉｎの速度で樹脂と銅箔を引き剥がした場合である。２回測定し、その平均値とした。

このピール強度の測定は、ＪＩＳ Ｃ６４７１−１９９５に準拠するものである（以下、同様である）。この結果、９０度ピール強度は０．３２ｋｇ／ｃｍが得られた。この結果を、表１に示す。本実施例１に示す通り、実施例１の表面処理された圧延銅箔は、高周波用回路基板の素材として工業的に十分な表面性能を持つことが分かる。

また、この銅箔を５０μｍの液晶ポリマーに張り合わせた後、高周波特性を調べるために、マイクロストリップライン構造を形成した。このとき、特性インピーダンスは５０Ωになるよう回路形成を行った。この回路を用いて伝送損失の測定を行い、３０ＧＨｚの周波数における伝送損失が−０．６より小さい場合、高周波特性を◎と表記した。また、−０．６〜−０．８を○、−０．８〜−１．２を△、−１．２より伝送損失が大きい場合は×とした。なお、この測定値は参考として示すものであり、範囲を限定するものではない。

（実施例２）
前記実施例１におけるシラン処理の条件を変更（シラン濃度を１．７ｖｏｌ％）し、他の条件は、実施例１と同様とした。この結果、シランカップリング処理後の銅箔表面粗さＲｚは０．６１μｍとなった。

実施例１と同様にして、付着したＳｉの質量（μｇ）を求めた結果、５．８μｇ／ｄｍ^２となり、付着したＮの質量は１３．０μｇ／ｄｍ^２となった。
以上の結果は、銅箔表面のＳｉの付着量が３．１〜３００μｇ／ｄｍ^２であり、銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ^２であるという本願発明の条件を満たしていた。以上の結果、９０度ピール強度は０．４８ｋｇ／ｃｍが得られた。
これらを、表１に示す。本実施例２に示す通り、実施例２の表面処理された圧延銅箔は、高周波用回路基板の素材として工業的に十分な表面性能を持つことが分かる。

（実施例３）
前記実施例１におけるシラン処理の条件を変更（シラン濃度を２．０ｖｏｌ％）し、他の条件は、実施例１と同様とした。この結果、シランカップリング処理後の銅箔表面粗さＲｚは０．６１μｍとなった。

実施例１と同様にして、付着したＳｉの質量（μｇ）を求めた結果、１０．０μｇ／ｄｍ^２となり、付着したＮの質量は２０．１μｇ／ｄｍ^２となった。
以上の結果は、銅箔表面のＳｉの付着量が３．１〜３００μｇ／ｄｍ^２であり、銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ^２であるという本願発明の条件を満たしていた。以上の結果、９０度ピール強度は０．５５ｋｇ／ｃｍが得られた。
これらを、表１に示す。本実施例３に示す通り、実施例３の表面処理された圧延銅箔は、高周波用回路基板の素材として工業的に十分な表面性能を持つことが分かる。

（実施例４）
前記実施例１におけるシラン処理の条件を変更（シラン濃度を３．０ｖｏｌ％）し、他の条件は、実施例１と同様とした。この結果、シランカップリング処理後の銅箔表面粗さＲｚは０．６７μｍとなった。

実施例１と同様にして、付着したＳｉの質量（μｇ）を求めた結果、１２．５μｇ／ｄｍ^２となり、付着したＮの質量は２０．４μｇ／ｄｍ^２となった。
以上の結果は、銅箔表面のＳｉの付着量が３．１〜３００μｇ／ｄｍ^２であり、銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ^２であるという本願発明の条件を満たしていた。以上の結果、９０度ピール強度は０．６３ｋｇ／ｃｍが得られた。
これらを、表１に示す。本実施例４に示す通り、実施例４の表面処理された圧延銅箔は、高周波用回路基板の素材として工業的に十分な表面性能を持つことが分かる。

（実施例５）
前記実施例１におけるシラン処理の条件を変更（シラン濃度を４．０ｖｏｌ％）し、他の条件は、実施例１と同様とした。この結果、シランカップリング処理後の銅箔表面粗さＲｚは０．６５μｍとなった。

実施例１と同様にして、付着したＳｉの質量（μｇ）を求めた結果、１６．８μｇ／ｄｍ^２となり、付着したＮの質量は２３．０μｇ／ｄｍ^２となった。
以上の結果は、銅箔表面のＳｉの付着量が３．１〜３００μｇ／ｄｍ^２であり、銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ^２であるという本願発明の条件を満たしていた。以上の結果、９０度ピール強度は０．６３ｋｇ／ｃｍが得られた。
これらを、表１に示す。本実施例５に示す通り、実施例５の表面処理された圧延銅箔は、高周波用回路基板の素材として工業的に十分な表面性能を持つことが分かる。

（実施例６）
前記実施例１におけるシラン処理の条件を変更（シラン濃度を５．０ｖｏｌ％）し、他の条件は、実施例１と同様とした。この結果、シランカップリング処理後の銅箔表面粗さＲｚは０．６１μｍとなった。

実施例１と同様にして、付着したＳｉの質量（μｇ）を求めた結果、２４．５μｇ／ｄｍ^２となり、付着したＮの質量は３６．２μｇ／ｄｍ^２となった。
以上の結果は、銅箔表面のＳｉの付着量が３．１〜３００μｇ／ｄｍ^２であり、銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ^２であるという本願発明の条件を満たしていた。以上の結果、９０度ピール強度は０．７７ｋｇ／ｃｍが得られた。
これらを、表１に示す。本実施例６に示す通り、実施例６の表面処理された圧延銅箔は、高周波用回路基板の素材として工業的に十分な表面性能を持つことが分かる。

（実施例７）
前記実施例１におけるシラン処理の条件を変更（シラン濃度を６．５ｖｏｌ％）し、他の条件は、実施例１と同様とした。この結果、シランカップリング処理後の銅箔表面粗さＲｚは０．６０μｍとなった。

実施例１と同様にして、付着したＳｉの質量（μｇ）を求めた結果、２８．５μｇ／ｄｍ^２となり、付着したＮの質量は２７．６μｇ／ｄｍ^２となった。
以上の結果は、銅箔表面のＳｉの付着量が３．１〜３００μｇ／ｄｍ^２であり、銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ^２であるという本願発明の条件を満たしていた。以上の結果、９０度ピール強度は０．８３ｋｇ／ｃｍが得られた。
これらを、表１に示す。本実施例７に示す通り、実施例７の表面処理された圧延銅箔は、高周波用回路基板の素材として工業的に十分な表面性能を持つことが分かる。

（実施例８）
前記実施例１のニッケルめっき前に粗化処理を施し、その後耐熱および防錆処理を行い、さらにシラン処理の条件を変更（シラン濃度を５．０ｖｏｌ％）した。他の条件は、実施例１と同様とした。（すなわち、前記実施例１の冷間圧延して９μｍ厚とした圧延銅箔に粗化処理、耐熱および防錆処理、浸漬クロメート処理、シラン処理を行った。ニッケルめっきは行っていない。）
この結果、シランカップリング処理後の銅箔表面粗さＲｚは０．９０μｍとなった。下記に粗化処理条件の一例を挙げる。なお、本実施例は下記のめっき条件で粗化処理（粗化処理めっき）を行った。なお、このめっき条件はあくまで好適な例を示すものであり、下記に表示する以外のめっき条件であっても問題はない。

（銅の一次粒子のめっき条件）
液組成 ：銅１０〜２０ｇ／Ｌ、硫酸５０〜１００ｇ／Ｌ
液温 ：２５〜５０℃
電流密度 ：１〜５８Ａ／ｄｍ²
めっき時間：０．１〜１０秒

（二次粒子のめっき条件）
液組成 ：銅１０〜２０ｇ／Ｌ、ニッケル５〜１５ｇ／Ｌ、コバルト５〜１５ｇ／Ｌ
ｐＨ ：２〜３
液温 ：３０〜５０℃
電流密度 ：２４〜５０Ａ／ｄｍ²
めっき時間：０．５〜４秒

実施例１と同様にして、付着したＳｉの質量（μｇ）を求めた結果、７７．３μｇ／ｄｍ^２となり、付着したＮの質量は９０．３μｇ／ｄｍ^２となった。
以上の結果は、銅箔表面のＳｉの付着量が３．１〜３００μｇ／ｄｍ^２であり、銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ^２であるという本願発明の条件を満たしていた。以上の結果、９０度ピール強度は０．９５ｋｇ／ｃｍが得られた。
これらを、表１に示す。本実施例８に示す通り、実施例８の表面処理された圧延銅箔は、高周波用回路基板の素材として工業的に十分な表面性能を持つことが分かる。

（実施例９）
前記実施例１のニッケルめっき前に粗化処理を施し、その後耐熱および防錆処理を行い、さらにシラン処理の条件を変更（シラン濃度を７．５ｖｏｌ％）した。（すなわち、前記実施例１の冷間圧延して９μｍ厚とした圧延銅箔に粗化処理、耐熱および防錆処理、浸漬クロメート処理、シラン処理を行った。ニッケルめっきは行っていない。）他の条件は、実施例１と同様とした。この結果、シランカップリング処理後の銅箔表面粗さＲｚは０．９２μｍとなった。なお、本実施例では実施例８と同様のめっき条件で粗化処理（粗化処理めっき）を行った。

実施例１と同様にして、付着したＳｉの質量（μｇ）を求めた結果、１１５．０μｇ／ｄｍ^２となり、付着したＮの質量は１８７．２μｇ／ｄｍ^２となった。
以上の結果は、銅箔表面のＳｉの付着量が３．１〜３００μｇ／ｄｍ^２であり、銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ^２であるという本願発明の条件を満たしていた。以上の結果、９０度ピール強度は１．１３ｋｇ／ｃｍが得られた。
これらを、表１に示す。本実施例９に示す通り、実施例９の表面処理された圧延銅箔は、高周波用回路基板の素材として工業的に十分な表面性能を持つことが分かる。

（実施例１０）
前記実施例１のニッケルめっき前に粗化処理を施し、その後耐熱および防錆処理を行い、さらにシラン処理の条件を変更（シラン濃度を７．５ｖｏｌ％）した。他の条件は、実施例１と同様とした。（すなわち、前記実施例１の冷間圧延して９μｍ厚とした圧延銅箔に粗化処理、耐熱および防錆処理、浸漬クロメート処理、シラン処理を行った。ニッケルめっきは行っていない。）この結果、シランカップリング処理後の銅箔表面粗さＲｚは１．４８μｍとなった。

実施例１と同様にして、付着したＳｉの質量（μｇ）を求めた結果、２４３．５μｇ／ｄｍ^２となり、付着したＮの質量は３９９．３μｇ／ｄｍ^２となった。
以上の結果は、銅箔表面のＳｉの付着量が３．１〜３００μｇ／ｄｍ^２であり、銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ^２であるという本願発明の条件を満たしていた。以上の結果、９０度ピール強度は１．３１ｋｇ／ｃｍが得られた。これらを、表１に示す。本実施例１０に示す通り、実施例１０の表面処理された圧延銅箔は、高周波用回路基板の素材として工業的に十分な表面性能を持つことが分かる。

（実施例１１）
前記実施例１におけるシラン処理の種類と条件を変更（Ｎ−２−アミノエチル−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、シラン濃度を５．０ｖｏｌ％）し、他の条件は、実施例１と同様とした。この結果、シランカップリング処理後の銅箔表面粗さＲｚは０．６２μｍとなった。

実施例１と同様にして、付着したＳｉの質量（μｇ）を求めた結果、３３．７μｇ／ｄｍ^２となり、付着したＮの質量は７７．５μｇ／ｄｍ^２となった。
以上の結果は、銅箔表面のＳｉの付着量が３．１〜３００μｇ／ｄｍ^２であり、銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ^２であるという本願発明の条件を満たしていた。以上の結果、９０度ピール強度は０．７１ｋｇ／ｃｍが得られた。
これらを、表１に示す。本実施例１１に示す通り、実施例１１の表面処理された圧延銅箔は、高周波用回路基板の素材として工業的に十分な表面性能を持つことが分かる。

（実施例１２）
前記実施例１におけるシラン処理の種類と条件を変更（３−アミノプロピルメトキシシラン、シラン濃度を７．０ｖｏｌ％）し、他の条件は、実施例１と同様とした。この結果、シランカップリング処理後の銅箔表面粗さＲｚは０．６５μｍとなった。

実施例１と同様にして、付着したＳｉの質量（μｇ）を求めた結果、６０．５μｇ／ｄｍ^２となり、付着したＮの質量は５５．３μｇ／ｄｍ^２となった。
以上の結果は、銅箔表面のＳｉの付着量が３．１〜３００μｇ／ｄｍ^２であり、銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ^２であるという本願発明の条件を満たしていた。以上の結果、９０度ピール強度は０．８１ｋｇ／ｃｍが得られた。
これらを、表１に示す。本実施例１２に示す通り、実施例１２の表面処理された圧延銅箔は、高周波用回路基板の素材として工業的に十分な表面性能を持つことが分かる。

（実施例１３）
前記実施例１におけるシラン処理の種類と条件を変更（３−トリエトキシシリル−Ｎ−１、３ジメチル−ブチリデンプロピルアミン、シラン濃度を５．５ｖｏｌ％）し、他の条件は、実施例１と同様とした。この結果、シランカップリング処理後の銅箔表面粗さＲｚは０．６４μｍとなった。

実施例１と同様にして、付着したＳｉの質量（μｇ）を求めた結果、２５．５μｇ／ｄｍ^２となり、付着したＮの質量は２８．９μｇ／ｄｍ^２となった。
以上の結果は、銅箔表面のＳｉの付着量が３．１〜３００μｇ／ｄｍ^２であり、銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ^２であるという本願発明の条件を満たしていた。以上の結果、９０度ピール強度は０．７１ｋｇ／ｃｍが得られた。
これらを、表１に示す。本実施例１３に示す通り、実施例１３の表面処理された圧延銅箔は、高周波用回路基板の素材として工業的に十分な表面性能を持つことが分かる。

（実施例１４）
前記実施例１におけるシラン処理の種類と条件を変更（Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルメトキシシラン、シラン濃度を７．５ｖｏｌ％）し、他の条件は、実施例１と同様とした。この結果、シランカップリング処理後の銅箔表面粗さＲｚは０．６０μｍとなった。

実施例１と同様にして、付着したＳｉの質量（μｇ）を求めた結果、９０．６μｇ／ｄｍ^２となり、付着したＮの質量は７５．２μｇ／ｄｍ^２となった。
以上の結果は、銅箔表面のＳｉの付着量が３．１〜３００μｇ／ｄｍ^２であり、銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ^２であるという本願発明の条件を満たしていた。以上の結果、９０度ピール強度は０．７９ｋｇ／ｃｍが得られた。
これらを、表１に示す。本実施例１４に示す通り、実施例１４の表面処理された圧延銅箔は、高周波用回路基板の素材として工業的に十分な表面性能を持つことが分かる。

（比較例１）
前記実施例１におけるシラン処理の条件を変更（シラン濃度を０．５ｖｏｌ％）し、同様に９０度ピール強度を測定した。他の条件は、実施例１と同様とした。この結果、シランカップリング処理後の銅箔表面粗さＲｚは０．６０μｍとなった。

実施例１と同様にして、付着したＳｉの質量（μｇ）を求めた結果、１．７μｇ／ｄｍ^２となり、付着したＮの質量を求めた結果３．２μｇ／ｄｍ^２となった。
以上の結果は、銅箔表面のＳｉの付着量が３．１〜３００μｇ／ｄｍ^２であり、銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ^２であるという、本願発明の条件を満たしていなかった。
上の結果、９０度ピール強度は０．１１ｋｇ／ｃｍと低かった。これらを、表１に示す。本比較例１に示す通り、比較例１の表面処理された圧延銅箔は、高周波用回路基板の素材として工業的に十分な表面性能を持つことができなかった。

（比較例２）
前記実施例１におけるシラン処理の条件を変更（シラン濃度を１．０ｖｏｌ％）し、同様に９０度ピール強度を測定した。他の条件は、実施例１と同様とした。この結果、シランカップリング処理後の銅箔表面粗さＲｚは０．６１μｍとなった。

実施例１と同様にして、付着したＳｉの質量（μｇ）を求めた結果、２．２μｇ／ｄｍ^２となり、付着したＮの質量は３．４μｇ／ｄｍ^２となった。以上の結果は、銅箔表面のＳｉの付着量が３．１〜３００μｇ／ｄｍ^２であり、銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ^２であるという、本願発明の条件を満たしていなかった。
以上の結果、９０度ピール強度は０．１２ｋｇ／ｃｍと低かった。これらを、表１に示す。本比較例２に示す通り、比較例２の表面処理された圧延銅箔は、高周波用回路基板の素材として工業的に十分な表面性能を持つことができなかった。

（比較例３）
前記実施例１におけるシラン処理を実施しなかった。したがって、銅箔表面のＳｉ、Ｎも存在しない。そして、同様に９０度ピール強度を測定した。他の条件は、実施例１と同様とした。この結果、シランカップリング処理後の銅箔表面粗さＲｚは０．６１μｍとなった。

銅箔表面のＳｉ、Ｎも存在しないので、本願発明の銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ^２であるという、本願発明の条件を満たしていなかった。
以上の結果、９０度ピール強度は０．０３ｋｇ／ｃｍと著しく低かった。これらを、表１に示す。本比較例３に示す通り、銅箔表面にＳｉ、Ｎが存在しない圧延銅箔は、高周波用回路基板の素材として工業的に十分な表面性能を持つことができなかった。

（比較例４）
前記実施例１のニッケルめっき前に粗化処理を施し、その後耐熱および防錆処理を行ったが、シラン処理は実施しなかった。（すなわち、前記実施例１の冷間圧延して９μｍ厚とした圧延銅箔に粗化処理、耐熱および防錆処理、浸漬クロメート処理、を行った。ニッケルめっきは行っていない。）したがって、銅箔表面のＳｉ、Ｎも存在しない。そして、同様に９０度ピール強度を測定した。他の条件は、実施例１と同様とした。この結果、シランカップリング処理後の銅箔表面粗さＲｚは０．９２μｍとなった。なお、本実施例では実施例８と同様のめっき条件で粗化処理（粗化処理めっき）を行った。

銅箔表面のＳｉ、Ｎも存在しないので、本願発明の銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ^２であるという、本願発明の条件を満たしていなかった。
以上の結果、９０度ピール強度は０．３２ｋｇ／ｃｍと低かった。これらを、表１に示す。実施例８および９と比較すると、銅箔表面にＳｉ、Ｎが存在しない圧延銅箔は、高周波用回路基板の素材として工業的に十分な表面性能を持つことができなかった。

（比較例５）
前記実施例１のニッケルめっき前に粗化処理を施し、その後耐熱および防錆処理を行ったが、シラン処理は実施しなかった。（すなわち、前記実施例１の冷間圧延して９μｍ厚とした圧延銅箔に粗化処理、耐熱および防錆処理、浸漬クロメート処理を行った。ニッケルめっきは行っていない。）したがって、銅箔表面のＳｉ、Ｎも存在しない。そして、同様に９０度ピール強度を測定した。他の条件は、実施例１と同様とした。この結果、シランカップリング処理後の銅箔表面粗さＲｚは１．５３μｍとなった。なお、本実施例では実施例１０と同様のめっき条件で粗化処理（粗化処理めっき）を行った。

銅箔表面のＳｉ、Ｎも存在しないので、本願発明の銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ^２であるという、本願発明の条件を満たしていなかった。
以上の結果、９０度ピール強度は０．６６ｋｇ／ｃｍとなった。これらを、表１に示す。実施例１０と比較すると、銅箔表面にＳｉ、Ｎが存在しない圧延銅箔は、高周波用回路基板の素材として工業的に最適な表面性能であるとは言えなかった。

（比較例６）
前記実施例１のニッケルめっき前に粗化処理を施し、その後耐熱および防錆処理を行ったが、シラン処理は実施しなかった。（すなわち、前記実施例１の冷間圧延して９μｍ厚とした圧延銅箔に粗化処理、耐熱および防錆処理、浸漬クロメート処理を行った。ニッケルめっきは行っていない。）したがって、銅箔表面のＳｉ、Ｎも存在しない。そして、同様に９０度ピール強度を測定した。他の条件は、実施例１と同様とした。この結果、シランカップリング処理後の銅箔表面粗さＲｚは３．２１μｍとなった。

銅箔表面のＳｉ、Ｎも存在しないので、本願発明の銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ^２であるという、本願発明の条件を満たしていなかった。
以上の結果、９０度ピール強度は０．８９ｋｇ／ｃｍとなった。これらを、表１に示す。他の比較例と比較するとピール強度は高いが、これは表面粗さが粗いことによる物理的な効果であるが、前述の通り、粗さが大きいと表皮効果によって損失が大きくなるため、この銅箔は高周波用回路基板の素材として工業的に最適な表面性能を持つとは言えなかった。

（比較例７）
前記実施例１のニッケルめっき前に粗化処理を施し、その後耐熱および防錆処理を行ったが、さらにシラン処理の条件を変更（シラン濃度を１０．０ｖｏｌ％）した。他の条件は、実施例１と同様とした。（すなわち、前記実施例１の冷間圧延して９μｍ厚とした圧延銅箔に粗化処理、耐熱および防錆処理、浸漬クロメート処理、シラン処理を行った。ニッケルめっきは行っていない。）この結果、シランカップリング処理後の銅箔表面粗さＲｚは１．５１μｍとなった。なお、本実施例では実施例１０と同様のめっき条件で粗化処理（粗化処理めっき）を行った。

実施例１と同様にして、付着したＳｉの質量（μｇ）を求めた結果、３４３．０μｇ／ｄｍ^２となり、付着したＮの質量を求めた結果８７９．０μｇ／ｄｍ^２となった。
以上の結果は、銅箔表面のＳｉの付着量が３．１〜３００μｇ／ｄｍ^２であり、銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ^２であるという、本願発明の条件を満たしていなかった。また、液晶ポリマー（ＬＣＰ）との積層の際に発泡が起こってしまった。そのため、この銅箔についてはピール強度を測定していない。
これらを、表１に示す。本比較例７に示す通り、比較例７の表面処理された圧延銅箔は、高周波用回路基板の素材として工業的に十分な表面性能を持つことができなかった。

（比較例８）
前記実施例１におけるシラン処理の条件を変更（グリシドキシプロピルトリメトキシシランを使用し、濃度を１．５ｖｏｌ％）し、他の条件は、実施例１と同様とした。この結果、シランカップリング処理後の銅箔表面粗さＲｚは０．６２μｍとなった。

実施例１と同様にして、付着したＳｉの質量（μｇ）を求めた結果、３．５μｇ／ｄｍ^２となり、付着したＮの質量を求めた結果、０．０μｇ／ｄｍ^２となった。以上の結果は、銅箔表面のＳｉの付着量が３．１〜３００μｇ／ｄｍ^２であり、銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ^２であるという、本願発明の条件を満たしていなかった。
以上の結果、９０度ピール強度は０．１３ｋｇ／ｃｍと低かった。これらを、表１に示す。本比較例８に示す通り、比較例８の表面処理された圧延銅箔は、高周波用回路基板の素材として工業的に十分な表面性能を持つことができなかった。

（比較例９）
前記実施例１におけるシラン処理の条件を変更（グリシドキシプロピルトリメトキシシランを使用し、濃度を５．０ｖｏｌ％）し、他の条件は、実施例１と同様とした。この結果、シランカップリング処理後の銅箔表面粗さＲｚは０．６３μｍとなった。

実施例１と同様にして、付着したＳｉの質量（μｇ）を求めた結果、３１．２μｇ／ｄｍ^２となり、付着したＮの質量を求めた結果、０．０μｇ／ｄｍ^２となった。以上の結果は、銅箔表面のＳｉの付着量が３．１〜３００μｇ／ｄｍ^２であり、銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ^２であるという、本願発明の条件を満たしていなかった。
以上の結果、９０度ピール強度は０．１９ｋｇ／ｃｍと低かった。これらを、表１に示す。本比較例９に示す通り、比較例９の表面処理された圧延銅箔は、高周波用回路基板の素材として工業的に十分な表面性能を持つことができなかった。

（比較例１０）
前記実施例１におけるシラン処理の条件を変更（３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランを使用し、濃度を２．０ｖｏｌ％）し、他の条件は、実施例１と同様とした。この結果、シランカップリング処理後の銅箔表面粗さＲｚは０．６７μｍとなった。

実施例１と同様にして、付着したＳｉの質量（μｇ）を求めた結果、９．３μｇ／ｄｍ^２となり、付着したＮの質量は０．０μｇ／ｄｍ^２となった。以上の結果は、銅箔表面のＳｉの付着量が３．１〜３００μｇ／ｄｍ^２であり、銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ^２であるという、本願発明の条件を満たしていなかった。
以上の結果、９０度ピール強度は０．０４ｋｇ／ｃｍと著しく低かった。これらを、表１に示す。本比較例１０に示す通り、比較例１０の表面処理された圧延銅箔は、高周波用回路基板の素材として工業的に十分な表面性能を持つことができなかった。

（比較例１１）
前記実施例１におけるシラン処理の条件を変更（ビニルトリメトキシシランを使用し、濃度を０．５ｖｏｌ％）し、他の条件は、実施例１と同様とした。この結果、シランカップリング処理後の銅箔表面粗さＲｚは０．６５μｍとなった。

実施例１と同様にして、付着したＳｉの質量（μｇ）を求めた結果、２．２μｇ／ｄｍ^２となり、付着したＮの質量は０．０μｇ／ｄｍ^２となった。以上の結果は、銅箔表面のＳｉの付着量が３．１〜３００μｇ／ｄｍ^２であり、銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ^２であるという、本願発明の条件を満たしていなかった。
以上の結果、９０度ピール強度は０．０７ｋｇ／ｃｍと著しく低かった。これらを、表１に示す。本比較例１１に示す通り、比較例１１の表面処理された圧延銅箔は、高周波用回路基板の素材として工業的に十分な表面性能を持つことができなかった。

（比較例１２）
前記実施例１におけるシラン処理の条件を変更（ビニルトリメトキシシランを使用し、濃度を２．０ｖｏｌ％）し、他の条件は、実施例１と同様とした。この結果、シランカップリング処理後の銅箔表面粗さＲｚは０．６５μｍとなった。

実施例１と同様にして、付着したＳｉの質量（μｇ）を求めた結果、１４．４μｇ／ｄｍ^２となり、付着したＮの質量は０．０μｇ／ｄｍ^２となった。以上の結果は、銅箔表面のＳｉの付着量が３．１〜３００μｇ／ｄｍ^２であり、銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ^２であるという、本願発明の条件を満たしていなかった。
以上の結果、９０度ピール強度は０．０９ｋｇ／ｃｍと著しく低かった。これらを、表１に示す。本比較例１２に示す通り、比較例１２の表面処理された圧延銅箔は、高周波用回路基板の素材として工業的に十分な表面性能を持つことができなかった。

（比較例１３）
前記実施例１におけるシラン処理の条件を変更（ビニルトリメトキシシランを使用し、濃度を５．０ｖｏｌ％）し、他の条件は、実施例１と同様とした。この結果、シランカップリング処理後の銅箔表面粗さＲｚは０．６５μｍとなった。

実施例１と同様にして、付着したＳｉの質量（μｇ）を求めた結果、６３．１μｇ／ｄｍ^２となり、付着したＮの質量は０．０μｇ／ｄｍ^２となった。以上の結果は、銅箔表面のＳｉの付着量が３．１〜３００μｇ／ｄｍ^２であり、銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ^２であるという、本願発明の条件を満たしていなかった。
以上の結果、９０度ピール強度は０．１１ｋｇ／ｃｍと著しく低かった。これらを、表１に示す。本比較例１３に示す通り、比較例１３の表面処理された圧延銅箔は、高周波用回路基板の素材として工業的に十分な表面性能を持つことができなかった。

（比較例１４）
前記実施例１におけるシラン処理の条件を変更（３−メルカプトプロピルトリメトキシシランを使用し、濃度を２．０ｖｏｌ％）し、他の条件は、実施例１と同様とした。この結果、シランカップリング処理後の銅箔表面粗さＲｚは０．６４μｍとなった。

実施例１と同様にして、付着したＳｉの質量（μｇ）を求めた結果、９．８μｇ／ｄｍ^２となり、付着したＮの質量は０．０μｇ／ｄｍ^２となった。以上の結果は、銅箔表面のＳｉの付着量が３．１〜３００μｇ／ｄｍ^２であり、銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ^２であるという、本願発明の条件を満たしていなかった。
以上の結果、９０度ピール強度は０．０７ｋｇ／ｃｍと著しく低かった。これらを、表１に示す。本比較例１４に示す通り、比較例１４の表面処理された圧延銅箔は、高周波用回路基板の素材として工業的に十分な表面性能を持つことができなかった。

（比較例１５）
前記実施例１におけるシラン処理の条件を変更（テトラメトキシシランを使用し、濃度を２．０ｖｏｌ％）し、他の条件は、実施例１と同様とした。この結果、シランカップリング処理後の銅箔表面粗さＲｚは０．６７μｍとなった。

実施例１と同様にして、付着したＳｉの質量（μｇ）を求めた結果、１０．１μｇ／ｄｍ^２となり、付着したＮの質量は０．０μｇ／ｄｍ^２となった。以上の結果は、銅箔表面のＳｉの付着量が３．１〜３００μｇ／ｄｍ^２であり、銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ^２であるという、本願発明の条件を満たしていなかった。
以上の結果、９０度ピール強度は０．０７ｋｇ／ｃｍと著しく低かった。これらを、表１に示す。本比較例１５に示す通り、比較例１５の表面処理された圧延銅箔は、高周波用回路基板の素材として工業的に十分な表面性能を持つことができなかった。

（比較例１６）
前記実施例１におけるシラン処理の条件を変更（テトラメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン混合を使用し、濃度を０．２＋０．５ｖｏｌ％）し、他の条件は、実施例１と同様とした。この結果、シランカップリング処理後の銅箔表面粗さＲｚは０．６４μｍとなった。

実施例１と同様にして、付着したＳｉの質量（μｇ）を求めた結果、５．１μｇ／ｄｍ^２となり、付着したＮの質量は０．０μｇ／ｄｍ^２となった。以上の結果は、銅箔表面のＳｉの付着量が３．１〜３００μｇ／ｄｍ^２であり、銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ^２であるという、本願発明の条件を満たしていなかった。
以上の結果、９０度ピール強度は０．０５ｋｇ／ｃｍと著しく低かった。これらを、表１に示す。本比較例１６に示す通り、比較例１６の表面処理された圧延銅箔は、高周波用回路基板の素材として工業的に十分な表面性能を持つことができなかった。

次に、銅箔の種類及び粗化処理、耐熱処理、防錆処理を替えた場合の例を示す。本例には耐熱処理および／または防錆処理を行わない例も含まれる（実施例２８、２９、３１−３３）。この場合、シランには、N-2-（アミノエチル）-3-アミノプロピルトリメトキシシランを使用し、シラン濃度を５．０ｖｏｌ％とした。シラン処理後の乾燥は、全て１００°Ｃ×３秒とした。なお、耐熱処理は銅箔と液晶ポリマー（ＬＣＰ）の積層の際に耐熱性を確保出来ていればよく、金属種は問わない。例として、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｐ、Ｃｒ、Ｗ等の単一もしくは合金めっきが挙げられる。なお、Ｚｎを含まない耐熱処理層でもよい。
下記の実施例２１〜実施例３３及び比較例２１〜比較例２７までの製造条件と評価（ピール強度の）方法は、各個別に記載する以外は、実施例１と同様である。なお、Ｎｉ−Ｃｏめっき処理、Ｚｎ−Ｎｉめっき処理、Ｎｉ−Ｍｏめっき処理、Ｃｕ−Ｚｎめっき処理、電解クロメート処理および浸漬クロメート処理の処理条件は上述の通りとした。なお、浸漬クロメート処理の条件は、実施例１と同じ条件とした。

（実施例２１）
板厚が６μｍである圧延銅箔に粗化処理を施し、耐熱処理としてＮｉ−Ｃｏめっき処理を行った。また、防錆処理として電解クロメート処理を行った。さらにこの上にシラン処理を行った。シラン濃度は５．０ｖｏｌ％とした。他の条件は、実施例１と同様とした。この結果、シランカップリング処理後の銅箔表面粗さＲｚは０．８２μｍとなった。この処理条件を、表２に示す。

実施例１と同様にして、付着したＳｉの質量（μｇ）を求めた結果、６０．５μｇ／ｄｍ^２となり、付着したＮの質量を求めた結果、７７．５μｇ／ｄｍ^２となった。以上の結果は、銅箔表面のＳｉの付着量が３．１〜３００μｇ／ｄｍ^２であり、銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ^２であるという、本願発明の条件を満たしていた。
以上の結果、９０度ピール強度は０．８８ｋｇ／ｃｍの高い値が得られた。
これらの結果を、表３に示す。本実施例２１に示す通り、実施例２１の表面処理された圧延銅箔は、高周波用回路基板の素材として工業的に十分な表面性能を持つことが分かる。

（実施例２２）
板厚が１２μｍである圧延銅箔に粗化処理を施し、耐熱処理としてＺｎ−Ｎｉめっき処理を実施した。また、防錆処理としての浸漬クロメート処理を行った。さらにこの上にシラン処理を行った。シラン濃度は５．０ｖｏｌ％とした。

他の条件は、実施例１と同様とした。この結果、シランカップリング処理後の銅箔表面粗さＲｚは０．９０μｍとなった。この処理条件を、表２に示す。

実施例１と同様にして、付着したＳｉの質量（μｇ）を求めた結果、７５．２μｇ／ｄｍ^２となり、付着したＮの質量は９４．６μｇ／ｄｍ^２となった。以上の結果は、銅箔表面のＳｉの付着量が３．１〜３００μｇ／ｄｍ^２であり、銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ^２であるという、本願発明の条件を満たしていた。
以上の結果、９０度ピール強度は０．９３ｋｇ／ｃｍの高い値が得られた。これらの結果を、表３に示す。本実施例２２に示す通り、実施例２２の表面処理された圧延銅箔は、高周波用回路基板の素材として工業的に十分な表面性能を持つことが分かる。

（実施例２３）
板厚が３５μｍである圧延銅箔に粗化処理を施し、耐熱処理としてＮｉ−Ｍｏめっき処理を実施した。また、防錆処理としての浸漬クロメート処理を行った。さらにこの上にシラン処理を行った。シラン濃度は５．０ｖｏｌ％とした。

他の条件は、実施例１と同様とした。この結果、シランカップリング処理後の銅箔表面粗さＲｚは１．５５μｍとなった。この処理条件を、表２に示す。

実施例１と同様にして、付着したＳｉの質量（μｇ）を求めた結果、９０．１μｇ／ｄｍ^２となり、付着したＮの質量は１０９．２μｇ／ｄｍ^２となった。以上の結果は、銅箔表面のＳｉの付着量が３．１〜３００μｇ／ｄｍ^２であり、銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ^２であるという、本願発明の条件を満たしていた。
以上の結果、９０度ピール強度は１．３０ｋｇ／ｃｍの高い値が得られた。これらの結果を、表３に示す。本実施例２３に示す通り、実施例２３の表面処理された圧延銅箔は、高周波用回路基板の素材として工業的に十分な表面性能を持つことが分かる。

（実施例２４）
板厚が１８μｍである圧延銅箔に粗化処理を施し、耐熱処理としてＣｕ−Ｚｎめっき処理を実施した。また、防錆処理としての電解クロメート処理を行った。さらにこの上にシラン処理を行った。シラン濃度は５．０ｖｏｌ％とした。
他の条件は、実施例１と同様とした。この結果、シランカップリング処理後の銅箔表面粗さＲｚは０．８１μｍとなった。この処理条件を、表２に示す。

実施例１と同様にして、付着したＳｉの質量（μｇ）を求めた結果、４３．５μｇ／ｄｍ^２となり、付着したＮの質量は５４．９μｇ／ｄｍ^２となった。以上の結果は、銅箔表面のＳｉの付着量が３．１〜３００μｇ／ｄｍ^２であり、銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ^２であるという、本願発明の条件を満たしていた。
以上の結果、９０度ピール強度は０．８５ｋｇ／ｃｍの高い値が得られた。これらの結果を、表３に示す。本実施例２４に示す通り、実施例２４の表面処理された圧延銅箔は、高周波用回路基板の素材として工業的に十分な表面性能を持つことが分かる。

（実施例２５）
板厚が１８μｍである電解銅箔の光沢面に粗化処理を施し、耐熱処理としてＮｉ−Ｃｏめっき処理を実施した。また、防錆処理としての電解クロメート処理を行った。さらにこの上にシラン処理を行った。シラン濃度は５．０ｖｏｌ％とした。
他の条件は、実施例１と同様とした。この結果、シランカップリング処理後の銅箔表面粗さＲｚは１．６２μｍとなった。この処理条件を、表２に示す。

実施例１と同様にして、付着したＳｉの質量（μｇ）を求めた結果、７６．９μｇ／ｄｍ^２となり、付着したＮの質量は９３．２μｇ／ｄｍ^２となった。以上の結果は、銅箔表面のＳｉの付着量が３．１〜３００μｇ／ｄｍ^２であり、銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ^２であるという、本願発明の条件を満たしていた。
以上の結果、９０度ピール強度は１．２９ｋｇ／ｃｍの高い値が得られた。これらの結果を、表３に示す。本実施例２５に示す通り、実施例２５の表面処理された電解銅箔は、高周波用回路基板の素材として工業的に十分な表面性能を持つことが分かる。

（実施例２６）
板厚が５μｍである電解銅箔の光沢面に粗化処理を施し、耐熱処理としてＺｎ−Ｎｉめっき処理を実施した。また、防錆処理としての浸漬クロメート処理を行った。さらにこの上にシラン処理を行った。シラン濃度は５．０ｖｏｌ％とした。
他の条件は、実施例１と同様とした。この結果、シランカップリング処理後の銅箔表面粗さＲｚは１．３１μｍとなった。この処理条件を、表２に示す。

実施例１と同様にして、付着したＳｉの質量（μｇ）を求めた結果、５０．６μｇ／ｄｍ^２となり、付着したＮの質量は６０．９μｇ／ｄｍ^２となった。以上の結果は、銅箔表面のＳｉの付着量が３．１〜３００μｇ／ｄｍ^２であり、銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ^２であるという、本願発明の条件を満たしていた。
以上の結果、９０度ピール強度は１．０１ｋｇ／ｃｍの高い値が得られた。これらの結果を、表３に示す。本実施例２６に示す通り、実施例２６の表面処理された電解銅箔は、高周波用回路基板の素材として工業的に十分な表面性能を持つことが分かる。

（実施例２７）
板厚が１２μｍ電解銅箔の光沢面に粗化処理を施し、耐熱処理としてＮｉ−Ｍｏめっき処理を実施した。また、防錆処理としての浸漬クロメート処理を行った。さらにこの上にシラン処理を行った。シラン濃度は５．０ｖｏｌ％とした。
他の条件は、実施例１と同様とした。この結果、シランカップリング処理後の銅箔表面粗さＲｚは１．４２μｍとなった。この処理条件を、表２に示す。

実施例１と同様にして、付着したＳｉの質量（μｇ）を求めた結果、５５．５μｇ／ｄｍ^２となり、付着したＮの質量は６４．７μｇ／ｄｍ^２となった。以上の結果は、銅箔表面のＳｉの付着量が３．１〜３００μｇ／ｄｍ^２であり、銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ^２であるという、本願発明の条件を満たしていた。
以上の結果、９０度ピール強度は１．１８ｋｇ／ｃｍの高い値が得られた。これらの結果を、表３に示す。本実施例２７に示す通り、実施例２７の表面処理された電解銅箔は、高周波用回路基板の素材として工業的に十分な表面性能を持つことが分かる。

（実施例２８）
厚み９μｍの圧延銅箔（ＪＸ日鉱日石金属株式会社製 タフピッチ銅（ＪＩＳ Ｈ３１００ 合金番号Ｃ１１００））に下記の条件で粗化処理を施し、その後シランカップリング処理を行った。なお、粗化処理は前記圧延銅箔の表面に、銅の一次粒子を設ける処理を行い、その後、二次粒子を設ける処理を行うことにより行った。また、シラン処理のシランにはN-2-（アミノエチル）-3-アミノプロピルトリメトキシシランを用い、シラン濃度は５．０ｖｏｌ％とした。この結果、シランカップリング処理後の銅箔表面粗さＲｚは０．９１μｍとなった。

＜粗化処理条件＞
（銅の一次粒子のめっき条件）
液組成 ：銅１０〜２０ｇ／Ｌ、硫酸５０〜１００ｇ／Ｌ
液温 ：２５〜５０℃
電流密度 ：１〜５８Ａ／ｄｍ²
めっき時間：０．１〜１０秒

（二次粒子のめっき条件）
液組成 ：銅１０〜２０ｇ／Ｌ、ニッケル５〜１５ｇ／Ｌ、コバルト５〜１５ｇ／Ｌ
ｐＨ ：２〜３
液温 ：３０〜５０℃
電流密度 ：２４〜５０Ａ／ｄｍ²
めっき時間：０．５〜４秒

実施例１と同様にして、付着したＳｉの質量（μｇ）を求めた結果、７５．３μｇ／ｄｍ^２となり、付着したＮの質量は８９．３μｇ／ｄｍ^２となった。
以上の結果は、銅箔表面のＳｉの付着量が３．１〜３００μｇ／ｄｍ^２であり、銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ^２であるという本願発明の条件を満たしていた。以上の結果、９０度ピール強度は０．９５ｋｇ／ｃｍが得られた。

また、シラン処理後の表面処理銅箔の表面について、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて写真撮影を行った。そして当該写真を用いて粗化処理の粒子の観察を行った。その結果、銅の一次粒子層の平均粒子径は０．２５〜０．４５μｍであり、二次粒子層の平均粒子径は０．０５〜０．２５μｍであった。なお、粒子を取り囲む最小円の直径を粒子径として測定し、平均粒子径を算出した。
これらを、表３に示す。本実施例２８に示す通り、実施例２８の表面処理された銅箔は、高周波用回路基板の素材として工業的に十分な表面性能を持つことが分かる。

（実施例２９）
厚み９μｍの圧延銅箔（ＪＸ日鉱日石金属株式会社製 タフピッチ銅（ＪＩＳ Ｈ３１００ 合金番号Ｃ１１００））に下記の条件で粗化処理を施し、その後電解クロメート処理を行い、さらにその後シランカップリング処理を行った。なお、粗化処理は前記圧延銅箔の表面に、銅の一次粒子を設ける処理を行い、その後、二次粒子を設ける処理を行うことにより行った。また、シラン処理のシランにはN-2-（アミノエチル）-3-アミノプロピルトリメトキシシランを用い、シラン濃度は５．０ｖｏｌ％とした。この結果、シランカップリング処理後の銅箔表面粗さＲｚは０．９１μｍとなった。

＜粗化処理条件＞
（銅の一次粒子のめっき条件）
液組成 ：銅１０〜２０ｇ／Ｌ、硫酸５０〜１００ｇ／Ｌ
液温 ：２５〜５０℃
電流密度 ：１〜５８Ａ／ｄｍ²
めっき時間：０．１〜１０秒

（二次粒子のめっき条件）
液組成 ：銅１０〜２０ｇ／Ｌ、ニッケル５〜１５ｇ／Ｌ、コバルト５〜１５ｇ／Ｌ
ｐＨ ：２〜３
液温 ：３０〜５０℃
電流密度 ：２４〜５０Ａ／ｄｍ²
めっき時間：０．５〜４秒

実施例１と同様にして、付着したＳｉの質量（μｇ）を求めた結果、７６．２μｇ／ｄｍ^２となり、付着したＮの質量は８８．５μｇ／ｄｍ^２となった。
以上の結果は、銅箔表面のＳｉの付着量が３．１〜３００μｇ／ｄｍ^２であり、銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ^２であるという本願発明の条件を満たしていた。以上の結果、９０度ピール強度は０．９６ｋｇ／ｃｍが得られた。

また、シラン処理後の表面処理銅箔の表面について、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて写真撮影を行った。そして当該写真を用いて粗化処理の粒子の観察を行った。その結果、銅の一次粒子層の平均粒子径は０．２５〜０．４５μｍであり、二次粒子層の平均粒子径は０．０５〜０．２５μｍであった。なお、粒子を取り囲む最小円の直径を粒子径として測定し、平均粒子径を算出した。
これらを、表３に示す。本実施例２９に示す通り、実施例２９の表面処理された銅箔は、高周波用回路基板の素材として工業的に十分な表面性能を持つことが分かる。

（実施例３０）
厚み９μｍの圧延銅箔（ＪＸ日鉱日石金属株式会社製 タフピッチ銅（ＪＩＳ Ｈ３１００ 合金番号Ｃ１１００））に下記の条件で粗化処理を施し、その後、Ｎｉ−Ｃｏめっき処理を行い、その後電解クロメート処理を行い、さらにその後シランカップリング処理を行った。なお、前記粗化処理は前記圧延銅箔の表面に、銅の一次粒子を設ける処理を行い、その後、二次粒子を設ける処理を行うことにより行った。また、シラン処理のシランにはN-2-（アミノエチル）-3-アミノプロピルトリメトキシシランを用い、シラン濃度は５．０ｖｏｌ％とした。この結果、シランカップリング処理後の銅箔表面粗さＲｚは０．９０μｍとなった。

＜粗化処理条件＞
（銅の一次粒子のめっき条件）
液組成 ：銅１０〜２０ｇ／Ｌ、硫酸５０〜１００ｇ／Ｌ
液温 ：２５〜５０℃
電流密度 ：１〜５８Ａ／ｄｍ²
めっき時間：０．１〜１０秒

（二次粒子のめっき条件）
液組成 ：銅１０〜２０ｇ／Ｌ、ニッケル５〜１５ｇ／Ｌ、コバルト５〜１５ｇ／Ｌ
ｐＨ ：２〜３
液温 ：３０〜５０℃
電流密度 ：２４〜５０Ａ／ｄｍ²
めっき時間：０．５〜４秒

実施例１と同様にして、付着したＳｉの質量（μｇ）を求めた結果、７７．０μｇ／ｄｍ^２となり、付着したＮの質量は９０．１μｇ／ｄｍ^２となった。
以上の結果は、銅箔表面のＳｉの付着量が３．１〜３００μｇ／ｄｍ^２であり、銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ^２であるという本願発明の条件を満たしていた。以上の結果、９０度ピール強度は０．９６ｋｇ／ｃｍが得られた。

また、シラン処理後の表面処理銅箔の表面について、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて写真撮影を行った。そして当該写真を用いて粗化処理の粒子の観察を行った。その結果、銅の一次粒子層の平均粒子径は０．２５〜０．４５μｍであり、二次粒子層の平均粒子径は０．０５〜０．２５μｍであった。なお、粒子を取り囲む最小円の直径を粒子径として測定し、平均粒子径を算出した。
これらを、表３に示す。本実施例３０に示す通り、実施例３０の表面処理された銅箔は、高周波用回路基板の素材として工業的に十分な表面性能を持つことが分かる。

（実施例３１）
厚み１２μｍの圧延銅箔（ＪＸ日鉱日石金属株式会社製 タフピッチ銅（ＪＩＳ Ｈ３１００ 合金番号Ｃ１１００））に電解クロメート処理を行い、さらにその後シランカップリング処理を行った。シラン処理のシランにはN-2-（アミノエチル）-3-アミノプロピルトリメトキシシランを用い、シラン濃度は５．０ｖｏｌ％とした。この結果、シランカップリング処理後の銅箔表面粗さＲｚは０．６２μｍとなった。

実施例１と同様にして、付着したＳｉの質量（μｇ）を求めた結果、７６．１μｇ／ｄｍ^２となり、付着したＮの質量は８９．０μｇ／ｄｍ^２となった。
以上の結果は、銅箔表面のＳｉの付着量が３．１〜３００μｇ／ｄｍ^２であり、銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ^２であるという本願発明の条件を満たしていた。以上の結果、９０度ピール強度は０．６７ｋｇ／ｃｍが得られた。
これらを、表３に示す。本実施例３１に示す通り、実施例３１の表面処理された銅箔は、高周波用回路基板の素材として工業的に十分な表面性能を持つことが分かる。

（実施例３２）
厚み１２μｍの高光沢圧延銅箔（ＪＸ日鉱日石金属株式会社製 タフピッチ銅（ＪＩＳ Ｈ３１００ 合金番号Ｃ１１００）、６０度鏡面光沢度５００％以上）にシランカップリング処理を行った。シラン処理のシランにはN-2-（アミノエチル）-3-アミノプロピルトリメトキシシランを用い、シラン濃度は５．０ｖｏｌ％とした。この結果、シランカップリング処理後の銅箔表面粗さＲｚは０．３１μｍとなった。

実施例１と同様にして、付着したＳｉの質量（μｇ）を求めた結果、７５．６μｇ／ｄｍ^２となり、付着したＮの質量は８８．９μｇ／ｄｍ^２となった。
以上の結果は、銅箔表面のＳｉの付着量が３．１〜３００μｇ／ｄｍ^２であり、銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ^２であるという本願発明の条件を満たしていた。以上の結果、９０度ピール強度は０．６１ｋｇ／ｃｍが得られた。
これらを、表３に示す。本実施例３２に示す通り、実施例３２の表面処理された銅箔は、高周波用回路基板の素材として工業的に十分な表面性能を持つことが分かる。

（実施例３３）
厚み１２μｍの高光沢圧延銅箔（ＪＸ日鉱日石金属株式会社製 タフピッチ銅（ＪＩＳ Ｈ３１００ 合金番号Ｃ１１００）、６０度鏡面光沢度５００％以上）に下記スパッタリング条件でＳｉＮ膜を形成した。スパッタリング後の銅箔表面粗さＲｚは０．３０μｍとなった。
（ターゲット）：Ｓｉ５９．５ｍａｓｓ％以上、Ｎ３９．５ｍａｓｓ％以上。
（装置）株式会社アルバック製のスパッタ装置
（出力）ＤＣ５０Ｗ
（アルゴン圧力）０．２Ｐａ

実施例１と同様にして、付着したＳｉの質量（μｇ）を求めた結果、９０．６μｇ／ｄｍ^２となり、付着したＮの質量は６０．４μｇ／ｄｍ^２となった。
以上の結果は、銅箔表面のＳｉの付着量が３．１〜３００μｇ／ｄｍ^２であり、銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ^２であるという本願発明の条件を満たしていた。以上の結果、９０度ピール強度は０．６５ｋｇ／ｃｍが得られた。
これらを、表３に示す。本実施例３３に示す通り、実施例３３の表面処理された銅箔は、高周波用回路基板の素材として工業的に十分な表面性能を持つことが分かる。

次に、銅箔の種類及び粗化処理、耐熱処理、防錆処理を替えた場合の例を示す。この場合、シランには、N-2-（アミノエチル）-3-アミノプロピルトリメトキシシランを使用し、シラン濃度を０．５ｖｏｌ％とした。シラン処理後の乾燥は、全て１００°Ｃ×３秒とした。
さらに比較例２１〜比較例２７については、基材の種類及び粗化処理、防錆処理、クロメート処理の条件は、実施例２１〜実施例２７と同一条件であり、シラン濃度のみ変化させた場合（必然的に、ＳｉおよびＮの付着量が変化する）の例を示す。

（比較例２１）
板厚が６μｍである圧延銅箔に粗化処理を施し、耐熱処理としてＮｉ−Ｃｏめっき処理を行った。また、防錆処理として電解クロメート処理を行った。さらにこの上にシラン処理を行った。シラン濃度は０．５ｖｏｌ％とした。なお、シラン濃度０．５ｖｏｌ％は一般的にシラン処理で設定される濃度である。また、シランの比重は約１．０であるため、０．５ｖｏｌ％は約０．５ｗｔ％を意味する。
他の条件は、実施例１と同様とした。この処理条件を、表２に示す。この結果、シランカップリング処理後の銅箔表面粗さＲｚは０．８２μｍとなった。

実施例１と同様にして、付着したＳｉの質量（μｇ）を求めた結果、０．７μｇ／ｄｍ^２となり、付着したＮの質量は０．９μｇ／ｄｍ^２となった。以上の結果は、銅箔表面のＳｉの付着量が３．１〜３００μｇ／ｄｍ^２であり、銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ^２であるという、本願発明の条件を満たしていなかった。
以上の結果、９０度ピール強度は０．２９ｋｇ／ｃｍと低下した。これらの結果を、表３に示す。本比較例２１に示す通り、比較例２１の表面処理された圧延銅箔は、高周波用回路基板の素材として、期待する工業的に十分な表面性能を持つには至らなかった。

（比較例２２）
板厚が１２μｍである圧延銅箔に粗化処理を施し、耐熱処理としてＺｎ−Ｎｉめっき処理を実施した。また、防錆処理としての浸漬クロメート処理を行った。さらにこの上にシラン処理を行った。シラン濃度は０．５ｖｏｌ％とした。
他の条件は、実施例１と同様とした。この処理条件を、表２に示す。この結果、シランカップリング処理後の銅箔表面粗さＲｚは０．９０μｍとなった。

実施例１と同様にして、付着したＳｉの質量（μｇ）を求めた結果、０．８μｇ／ｄｍ^２となり、付着したＮの質量は１．１μｇ／ｄｍ^２となった。以上の結果は、銅箔表面のＳｉの付着量が３．１〜３００μｇ／ｄｍ^２であり、銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ^２であるという、本願発明の条件を満たしていなかった。
以上の結果、９０度ピール強度は０．３２ｋｇ／ｃｍとなり、低下した。これらの結果を、表３に示す。本比較例２２に示す通り、比較例２２の表面処理された圧延銅箔は、高周波用回路基板の素材として、期待する工業的に十分な表面性能を持つには至らなかった。

（比較例２３）
板厚が３５μｍである圧延銅箔に粗化処理を施し、耐熱処理としてＮｉ−Ｍｏめっき処理を実施した。また、防錆処理としての浸漬クロメート処理を行った。さらにこの上にシラン処理を行った。シラン濃度は０．５ｖｏｌ％とした。
他の条件は、実施例１と同様とした。この処理条件を、表２に示す。この結果、シランカップリング処理後の銅箔表面粗さＲｚは１．５５μｍとなった。

実施例１と同様にして、付着したＳｉの質量（μｇ）を求めた結果、１．５μｇ／ｄｍ^２となり、付着したＮの質量は１．５μｇ／ｄｍ^２となった。以上の結果は、銅箔表面のＳｉの付着量が３．１〜３００μｇ／ｄｍ^２であり、銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ^２であるという、本願発明の条件を満たしていなかった。
以上の結果、９０度ピール強度は０．７０ｋｇ／ｃｍと低下した。これらの結果を、表３に示す。本比較例２３に示す通り、比較例２３の表面処理された圧延銅箔は、高周波用回路基板の素材として、期待する工業的に十分な表面性能を持つには至らなかった。

（比較例２４）
板厚が１８μｍである圧延銅箔に粗化処理を施し、耐熱処理としてＣｕ−Ｚｎめっき処理を実施した。また、防錆処理としての電解クロメート処理を行った。さらにこの上にシラン処理を行った。シラン濃度は０．５ｖｏｌ％とした。
他の条件は、実施例１と同様とした。この処理条件を、表２に示す。この結果、シランカップリング処理後の銅箔表面粗さＲｚは０．８１μｍとなった。

実施例１と同様にして、付着したＳｉの質量（μｇ）を求めた結果、０．９μｇ／ｄｍ^２となり、付着したＮの質量は１．３μｇ／ｄｍ^２となった。以上の結果は、銅箔表面のＳｉの付着量が３．１〜３００μｇ／ｄｍ^２であり、銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ^２であるという、本願発明の条件を満たしていなかった。
以上の結果、９０度ピール強度は０．３０ｋｇ／ｃｍと著しく低下した。これらの結果を、表３に示す。本比較例２４に示す通り、比較例２４の表面処理された圧延銅箔は、高周波用回路基板の素材として、工業的に十分な表面性能を持っていなかった。

（比較例２５）
板厚が１８μｍである電解銅箔の光沢面に粗化処理を施し、耐熱処理としてＮｉ−Ｃｏめっき処理を実施した。また、防錆処理としての電解クロメート処理を行った。さらにこの上にシラン処理を行った。シラン濃度は０．５ｖｏｌ％とした。
他の条件は、実施例１と同様とした。この処理条件を、表２に示す。この結果、シランカップリング処理後の銅箔表面粗さＲｚは１．６２μｍとなった。

実施例１と同様にして、付着したＳｉの質量（μｇ）を求めた結果、１．９μｇ／ｄｍ^２となり、付着したＮの質量は１．７μｇ／ｄｍ^２となった。以上の結果は、銅箔表面のＳｉの付着量が３．１〜３００μｇ／ｄｍ^２であり、銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ^２であるという、本願発明の条件を満たしていなかった。
以上の結果、９０度ピール強度は０．６５ｋｇ／ｃｍと低下した。これらの結果を、表３に示す。本比較例２５に示す通り、比較例２５の表面処理された電解銅箔は、高周波用回路基板の素材として、期待する工業的に十分な表面性能を持つには至らなかった。

（比較例２６）
板厚が５μｍである電解銅箔に粗化処理を施し、耐熱処理としてＺｎ−Ｎｉめっき処理を実施した。また、防錆処理としての浸漬クロメート処理を行った。さらにこの上にシラン処理を行った。シラン濃度は０．５ｖｏｌ％とした。
他の条件は、実施例１と同様とした。この処理条件を、表２に示す。この結果、シランカップリング処理後の銅箔表面粗さＲｚは１．３１μｍとなった。

実施例１と同様にして、付着したＳｉの質量（μｇ）を求めた結果、１．７μｇ／ｄｍ^２となり、付着したＮの質量は２．１μｇ／ｄｍ^２となった。以上の結果は、銅箔表面のＳｉの付着量が３．１〜３００μｇ／ｄｍ^２であり、銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ^２であるという、本願発明の条件を満たしていなかった。
以上の結果、９０度ピール強度は０．４４ｋｇ／ｃｍと低下した。これらの結果を、表３に示す。本比較例２６に示す通り、比較例２６の表面処理された電解銅箔は、高周波用回路基板の素材として、期待する工業的に十分な表面性能を持つには至らなかった。

（比較例２７）
板厚が１２μｍである電解銅箔に粗化処理を施し、耐熱処理としてＮｉ−Ｍｏめっき処理を実施した。また、防錆処理としての浸漬クロメート処理を行った。さらにこの上にシラン処理を行った。シラン濃度は０．５ｖｏｌ％とした。
他の条件は、実施例１と同様とした。この処理条件を、表２に示す。この結果、シランカップリング処理後の銅箔表面粗さＲｚは１．４２μｍとなった。

実施例１と同様にして、付着したＳｉの質量（μｇ）を求めた結果、１．９μｇ／ｄｍ^２となり、付着したＮの質量は２．０μｇ／ｄｍ^２となった。以上の結果は、銅箔表面のＳｉの付着量が３．１〜３００μｇ／ｄｍ^２であり、銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ^２であるという、本願発明の条件を満たしていなかった。
以上の結果、９０度ピール強度は０．４５ｋｇ／ｃｍと低下した。これらの結果を、表３に示す。本比較例２７に示す通り、比較例２７の表面処理された電解銅箔は、高周波用回路基板の素材として、期待する工業的に十分な表面性能を持つには至らなかった。

（比較例２８）
板厚が１２μｍである電解銅箔の光沢面に、耐熱処理としてＮｉ−Ｚｎめっき処理を実施した。また、防錆処理としての電解クロメート処理を行った。さらにこの上にシラン処理を行った。シラン濃度は０．５ｖｏｌ％とした。

他の条件は、実施例１と同様とした。この処理条件を、表２に示す。なお、この結果、シランカップリング処理後の銅箔表面粗さＲｚは０．６０μｍとなった。また、このときのＮｉおよびＺｎの付着量はそれぞれ６００μｇ／ｄｍ^２および９０μｇ／ｄｍ^２となった。

実施例１と同様にして、付着したＳｉの質量（μｇ）を求めた結果、１．１μｇ／ｄｍ^２となり、付着したＮの質量は１．４μｇ／ｄｍ^２となった。以上の結果は、銅箔表面のＳｉの付着量が３．１〜３００μｇ／ｄｍ^２であり、銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ^２であるという、本願発明の条件を満たしていなかった。
以上の結果、９０度ピール強度は０．１０ｋｇ／ｃｍと低かった。これらの結果を、表３に示す。本比較例２８に示す通り、比較例２８の表面処理された電解銅箔は、高周波用回路基板の素材として、期待する工業的に十分な表面性能を持つには至らなかった。なお、この銅箔とポリイミドを張り合わせてピール強度を測定すると、０．８ｋｇ／ｃｍとなり、樹脂によってピール強度差が大きいことが確認できる。

（比較例２９）
板厚が１２μｍである電解銅箔に粗化処理を施し、耐熱処理としてＮｉ−Ｍｏめっき処理を実施した。また、防錆処理としての浸漬クロメート処理を行った。さらにこの上にシラン処理を行った。シラン濃度は０．５ｖｏｌ％とした。
他の条件は、実施例１と同様とした。この処理条件を、表２に示す。この結果、シランカップリング処理後の銅箔表面粗さＲｚは０．６１μｍとなった。また、このときのＮｉおよびＺｎの付着量はそれぞれ２８５０μｇ／ｄｍ^２および１９０μｇ／ｄｍ^２となった。

実施例１と同様にして、付着したＳｉの質量（μｇ）を求めた結果、１．４μｇ／ｄｍ^２となり、付着したＮの質量は１．７μｇ／ｄｍ^２となった。以上の結果は、銅箔表面のＳｉの付着量が３．１〜３００μｇ／ｄｍ^２であり、銅箔表面のＮの付着量が２．５〜６９０μｇ／ｄｍ^２であるという、本願発明の条件を満たしていなかった。

以上の結果、９０度ピール強度は０．１１ｋｇ／ｃｍと低かった。これらの結果を、表３に示す。本比較例２９に示す通り、比較例２９の表面処理された電解銅箔は、高周波用回路基板の素材として、期待する工業的に十分な表面性能を持つには至らなかった。なお、この銅箔とポリイミドを張り合わせてピール強度を測定すると、１．２ｋｇ／ｃｍとなり、樹脂によってピール強度差が大きいことが確認できる。

本発明は、高周波回路用銅箔が製造可能であり、該銅箔を液晶ポリマー（ＬＣＰ）積層基板に適用することにより、接着強度（ピール強度）を高めることが可能であり、かつ１ＧＨｚを超える高周波数下での使用が可能なフレキシブルプリント回路板が実現できるという優れた効果が得られ、工業的に極めて有用である。

Claims (24)

1. 液晶ポリマーに接合される表面処理銅箔であって、該表面処理銅箔表面のＳｉの付着量が３．５〜２４３．５μｇ／ｄｍ²であり、該表面処理銅箔表面のＮの付着量が４．５〜３９９．３μｇ／ｄｍ²であり、該表面処理銅箔表面の十点平均粗さＲｚが１．６２μｍ以下であることを特徴とする表面処理銅箔。
2. 前記表面処理銅箔表面のＳｉの付着量が８．０〜２４３．５μｇ／ｄｍ²であり、該表面処理銅箔表面のＮの付着量が１６．０〜３９９．３μｇ／ｄｍ²であることを特徴とする請求項１に記載の表面処理銅箔。
3. 前記表面処理銅箔表面のＳｉの付着量が２０．５〜２４３．５μｇ／ｄｍ²であり、該表面処理銅箔表面のＮの付着量が１６．４〜３９９．３μｇ／ｄｍ²であることを特徴とする請求項１に記載の表面処理銅箔。
4. 前記表面処理銅箔表面の表面粗さＲｚが０．９２μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
5. 前記表面処理銅箔表面の表面粗さＲｚが０．８２μｍ以上１．６２μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
6. フレキシブルプリント配線板用銅箔であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
7. 銅箔が圧延銅箔又は電解銅箔であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
8. １ＧＨｚを超える高周波数下で使用されるフレキシブルプリント回路板に用いられることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
9. 銅箔表面に粗化処理層、耐熱処理層、防錆処理層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層を有する請求項１〜８のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
10. 銅箔表面に耐熱処理層、防錆処理層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層を有する請求項１〜９のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
11. 銅箔表面に耐熱処理層若しくは防錆処理層を有し、前記耐熱処理層若しくは防錆処理層の上にクロメート処理層を有し、前記クロメート処理層の上にシランカップリング処理層を有する請求項１〜１０のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
12. 銅箔表面に耐熱処理層を有し、前記耐熱処理層の上に防錆処理層を有し、前記防錆処理層の上にクロメート処理層を有し、前記クロメート処理層の上にシランカップリング処理層を有する請求項１〜１０のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
13. 銅箔表面にクロメート処理層を有し、前記クロメート処理層の上にシランカップリング処理層を有する請求項１〜１０のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
14. 銅箔表面に粗化処理層を有し、前記粗化処理層の上にクロメート処理層を有し、前記クロメート処理層の上にシランカップリング処理層を有する請求項１〜９のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
15. 銅箔表面に粗化処理層を有し、前記粗化処理層の上に防錆処理層及び耐熱処理層からなる群から選択される１種以上の層を有し、前記防錆処理層及び耐熱処理層からなる群から選択される１種以上の層の上にクロメート処理層を有し、前記クロメート処理層の上にシランカップリング処理層を有する請求項１〜９のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
16. 銅箔表面に粗化処理層を有し、前記粗化処理層が一次粒子層と、該一次粒子層の上に、二次粒子層を有する請求項１〜９、１４、１５のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
17. 銅箔表面に粗化処理層を有し、前記粗化処理層が銅の一次粒子層と、該一次粒子層の上に、銅、コバルト及びニッケルからなる３元系合金からなる二次粒子層を有する請求項１〜９、１４〜１６のいずれか１項に記載の表面処理銅箔。
18. 銅箔表面に粗化処理層を有し、前記粗化処理層が銅の一次粒子層と、該一次粒子層の上に、銅、コバルト及びニッケルからなる３元系合金からなる二次粒子層を有し、該一次粒子層の平均粒子径が０．２５−０．４５μｍであり、該二次粒子層の平均粒子径が０．０５−０．２５μｍである請求項１〜９、１４〜１７のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
19. 前記粗化処理層の上にクロメート処理層を有し、前記クロメート処理層の上にシランカップリング処理層を有する請求項１６〜１８のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
20. 前記粗化処理層の上に防錆処理層を有し、前記防錆処理層の上にクロメート処理層を有し、前記クロメート処理層上にシランカップリング処理層を有する請求項１６〜１８のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
21. 請求項１〜２０のいずれか一項に記載の表面処理銅箔を備えたフレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ）を製造するための銅張積層板。
22. 請求項１〜２０のいずれか一項に記載の表面処理銅箔を用いたフレキシブルプリント配線板。
23. 請求項１〜２０のいずれか一項に記載の表面処理銅箔を用いたフレキシブルプリント回路板。
24. 請求項２２に記載のフレキシブルプリント配線板を用いた電子機器。