JP5844425B2 - 磁気センサのためのヒステリシスオフセット相殺 - Google Patents

磁気センサのためのヒステリシスオフセット相殺 Download PDF

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Description

本発明は一般に、磁場センサに関し、詳細には、磁気抵抗(MR)感知素子を利用する磁場センサに関する。
すべての磁性材料は、ヒステリシスを有する。ヒステリシス、特に磁気ヒステリシスは、材料に印加される磁場の履歴に依存する性質のことである。巨大磁気抵抗(GMR)センサなどの磁気抵抗(MR)センサは、磁性材料で作られるので、その応答は、ヒステリシス効果を示す。印加磁場に対する抵抗のプロットは、順方向(印加磁場を増加させるための)および逆方向(印加磁場を減少させるための)での抵抗の変化が同じでないので、ヒステリシスループを形成する。それ故に、ヒステリシスループは、抵抗が、印加磁場だけでなく、印加磁場が以前にどうであったかにもまた依存する。
ヒステリシスから生じるエラーは、センサ出力内で直流(DC)オフセットの形を取る。GMRセンサなどのMRセンサは一般に、他の種類の磁場センサ、例えばホール効果センサよりも高い感度をもたらすけれども、それらは現在、それらのヒステリシス特性のために、高分解能センサ応用には使用されない。
一般に、一態様では、本発明は、センサを対象とする。センサは、磁場を感知し、感知磁場に比例するAC信号電圧を生成するための磁気抵抗(MR)感知デバイスを含む。センサはさらに、AC信号電圧を受信し、受信AC信号電圧からDCオフセットを除去するための、MR感知デバイスに結合された回路構成を含む。
本発明の実施形態は、次の特徴の1つまたは複数を含んでもよい。DCオフセットは、MR感知デバイスのヒステリシス特性に関連する可能性がある。MR感知デバイスは、磁場を感知する感知素子を含んでもよく、その感知素子は、巨大磁気抵抗(GMR)素子、磁気トンネル接合(MTJ)素子、トンネル磁気抵抗(TMR)素子または異方性磁気抵抗(AMR)素子であってもよい。回路構成は、AC信号電圧を入力として受信し、平均DCオフセットを出力として提供するDCオフセット決定器を含んでもよい。回路構成はさらに、AC信号電圧から平均DCオフセットを引き算してセンサ出力信号を生成するデバイスを含んでもよい。DCオフセット決定器は、正ピーク値を生成するための正ピーク検出部分、負ピーク値を生成する負ピーク検出部分、正および負のピーク値の合計を生成する加算ブロック、ならびに合計を2で割って平均DCオフセットを生成する平均化回路を含んでもよい。正ピーク検出部分、負ピーク検出部分、加算ブロックおよび平均化回路は、デジタル領域で動作してもよい。正および負のピーク検出部分は、少なくとも1クロック周期の間DCオフセット決定器によるオフセット決定を遅らせるホールド回路を含んでもよい。
DCオフセット決定器は、所定数の周期の間提供される平均DCオフセットに基づいて周期平均DCオフセットを生成する周期平均化回路を含んでもよい。平均DCオフセットおよび周期平均DCオフセットからエラー信号を生成する検出器が、回路構成内に含まれてもよい。DCオフセット決定器は、AC信号電圧がDCオフセット除去後に非ゼロDC成分を含むように、平均DCオフセットを調整する回路構成を含んでもよい。
別の態様では、本発明は、電流センサを対象とする。電流センサは、測定されるべき電流が印加される導体、および電流に比例するAC信号電圧を生成するために、電流が導体に印加されるとき導体内に作り出される磁場に応答するMR感知デバイスを含む。電流センサはさらに、AC信号電圧を受信し、受信AC信号電圧からDCオフセットを除去するために、MR感知デバイスに結合された回路構成を含む。
別の態様では、本発明は、MR感知デバイスで磁場を感知するステップと、感知磁場に比例するAC信号電圧を生成するステップと、AC信号電圧からDCオフセットを除去するステップとを含む方法を対象とする。
本発明の先の特徴、ならびに本発明それ自体は、図面の次の詳細な説明からより完全に理解されてもよい。
磁場センサおよびDCオフセット決定器を含むDCオフセット除去回路を備える例となるセンサを示す図である。 巨大磁気抵抗(GMR)感知デバイスを有する閉ループ電流センサとして実施される例となる磁場センサを示す図である。 例となるDCオフセット決定器を示す図である。 DCオフセットを持つ感知AC信号に対する波形例を示す図である。 出力エラーを生成するためのオフセット差検出器を含む例となる代替センサ実施形態を示す図である。 非ゼロDCオフセットのためのDCオフセット決定器の例となる代替実施形態を示す図である。 正ピーク検出の例となる代替実施形態を示す図である。 負ピーク検出の例となる代替実施形態を示す図である。
類似の参照数字は、類似の要素を表すために使用される。
図1を参照すると、DCオフセット除去回路14に結合された磁場センサ12を含むセンサ10が、示される。磁場センサ12は、感知磁場を、感知磁場に比例する、感知電圧Vs16として示されるAC信号電圧に変換する。DCオフセット除去回路14は、磁気センサ12によって測定された電圧Vs16を入力として受信し、DCオフセットについて調整されたAC信号電圧(出力電圧Vout18として示される)をセンサ出力に提供する。DCオフセット除去回路14は、磁場を感知することに関連するDCオフセット、特に磁場センサ12のヒステリシス特性に関連するDCオフセットを除去するのに役立つ。例えば、以下でより完全に述べられるように、磁場センサ12がある種の磁気抵抗(MR)感知デバイスを用いるとき、DCオフセットは、ヒステリシス誘起DCオフセットである。
理想的なセンサ動作は、測定AC信号が、ゼロ点(0V DC)基準、または別法として、周知の非ゼロオフセット、すなわちユーザーによって所望されるものに基づく非ゼロ点基準の周りに中心があるものである。どんな望ましくないDCオフセットも、感知AC信号が、ゼロ点基準周りでまたは所望の非ゼロオフセットに対してもはや対称的でないように、振幅を変化させる(正かまたは負の方向へ)原因となる。その代わりに、それは、望ましくないDCオフセットに関して対称的である。したがって、そのような望ましくないDCオフセットをAC信号から除去することが望ましい。
図1をなお参照すると、DCオフセット除去回路14は、AC信号内に存在する望ましくないDCオフセットの量を決定するDCオフセット決定器20を含む。決定器20によ
って決定されるような望ましくないDCオフセットは、単一クロック周期の間の平均DCオフセット22、または後で述べられるような単一クロック周期よりも長い間の平均DCオフセット22’(本明細書では周期平均DCオフセット22’としてもまた参照される)として示される平均DCオフセットの形を取る。DCオフセット除去回路14はさらに、感知AC信号電圧16から望ましくないDCオフセットを分離するために、ここでは増幅器24として示されるデバイスを含む。増幅器24は、入力として感知AC信号電圧16および平均DCオフセット22(または周期平均DCオフセット22’)を受信する。それは次いで、感知AC信号電圧16から平均DCオフセット22(または周期平均DCオフセット22’)を引き算して出力電圧Vout18をその出力に生成し、このようにして磁場を感知する結果として導入される望ましくないDCオフセットを効果的に除去する。MRセンサによって示されるヒステリシス効果をこのようにして相殺するまたは最小限にすることによって、非常に小さな信号でさえ、正確に測定することができる。
一実施形態では、センサ10は、28a、28bおよび28cのラベルを付けられたピン、端子または導線28を有するセンサ集積化回路(IC)26で実施される。図示されるように、導線28aは、電源30に接続するためのVCCピンであり、導線28bは、外部応用デバイスがセンサ出力電圧Vout18を受信するまたは監視することを可能にするためのセンサ出力Voutピンであり、導線28cは、接地32に接続するための接地(GND)ピンである。減結合コンデンサ34は、電源30と接地32との間に接続される。電力は、VCCピン28aを通じてIC26に供給され、それは、電圧レギュレータ36に内部接続される。電圧レギュレータ36は、センサIC26のサブ回路に実質的に一定の電圧を供給する。磁場センサ12およびDCオフセット除去回路14などのサブ回路は、電圧レギュレータ30から電力を得る。ツェナーダイオード38は、たとえ電源側が接地に短絡されても電圧レギュレータを保護するために、電圧レギュレータ36の電源側と接地との間に提供される。GNDピン28cは、センサのサブ回路に対して接地接続を提供するために内部接続される。例えば制御およびクロック発生などの他の回路構成は、単純化の目的のために図から排除されている。
図2を参照すると、例となる一実施形態では、磁場センサ12は、電流センサとして示される。電流センサ12は、導体40および磁気コア42を含む。導体40は、終端端子IP+とIP−との間に伝導経路を提供する。IC実装形態では、終端端子は、ICの追加I/Oピンとして現れてもよい。電流センサ12は、単純なAC電流測定の閉ループ電流センサとして描写される。それは、導体40の近くに置かれる感知デバイス44を含む。導体40を通って流れる印加電流は、磁場46を作り出し、それは、感知デバイス44によって感知され、比例電圧に変換される。電流センサ12はさらに、演算増幅器48を含み、それは、感知デバイス44ならびに増幅器48および感知デバイス44に結合されるバックバイアス回路50に結合される。
例となる一実施形態では、図示されるように、感知デバイス44は、GMR感知デバイスである。GMR感知デバイス44は、磁場にさらされ、磁場を感知する(「感知素子」)少なくとも1つのGMR素子(すなわち、GMR型抵抗器または磁気抵抗器)を含んでもよい。GMR感知デバイス44は、感知素子として動作する1つの素子、または少なくとも1つの感知素子を含む多数のGMR素子を用いるように設計されてもよい。2つ以上のGMR素子が使用されるとき、それらは、フルブリッジ(ホイートストン)またはハーフブリッジ(電圧分割器)構成で配置されてもよい。磁場の存在下で、1つの抵抗が増加し、他方の抵抗が減少するように配置される2つの感知素子、例えば2つのスピンバルブ素子があってもよい。
図2で例示される設計は、閉ループ電流センサの設計であるが、他の種類の電流センサ(例えば、他の種類の閉ループまたは開ループ設計)ならびに電流に加えて他のパラメー
タ(例えば、変位)も測定する磁場センサが、同様に考えられる。閉ループおよび開ループのセンサ構成の異なる例は、Stauthなどの名前で2007年8月21日に発行され、主題出願の譲受人、Allegro Microsystems、Inc.に譲渡された「Integrated Sensor(集積センサ)」という名称の米国特許第7,259,545号で述べられる。
また、感知デバイス44はGMR感知デバイスとして示されるけれども、感知デバイスは、ピン止めされないサンドイッチの反強磁性多層およびスピンバルブ構造を含むGMR、異方性磁気抵抗(AMR)、磁気トンネル接合(MTJ、またスピン依存トンネルもしくは「SDT」としても周知の)、およびトンネル磁気抵抗(TMR)を含むが、限定はされない、任意の種類のMR素子で作られてもよい。本明細書で提供されるDCオフセット除去機構はまた、チョッパー安定化および能動的プレート切り替えなどの周知のホール効果センサDCオフセット相殺または調整スキームの代わりにまたは追加してホール効果センサで用途を見いだしてもよい。
感知デバイス44によって測定されるべき電流は、導体40の伝導経路に印加されることになる。動作中、伝導経路を通って流れる印加電流は、磁場を作り出し、それは、感知デバイスの1つまたは複数の感知(または能動的)素子によって感知される。感知磁場46は、感知デバイス44の任意の内部感知素子の抵抗を変える。差動増幅器48は、ここでは信号Vo1とVo2との間で利用できる差動電圧として示される(52aおよび52bとしてそれぞれ示される)、GMR感知デバイス44によって生成される電圧52を受信し、次に出力信号54によってバックバイアス回路50を駆動する。バックバイアス回路50は、整合バイポーラ接合トランジスタ対から成るプッシュプル出力段として実施されてもよい。バックバイアス回路50は次に、フィードバック信号56を生成する。フィードバック信号56は、感知デバイス44の内部補償電流ループ(図示されず)に印加され、それは、磁束勾配がゼロへ追いやられる原因となる。
典型的には、図示されるような閉ループ配置では、感知デバイス44はまた、感知素子に近接近して位置決めされるフィードバックコイルも含む。感知デバイス44上のフィードバックコイルは、導体40内の電流によって作り出される磁場に対抗する磁場を作り出すために使用される。磁束をゼロにするのに必要とされる電流は、電流センサ出力であり、抵抗器58は、その電流を感知電圧Vs16に変換する。バックバイアス回路50は、フィードバックコイルとともに、感知素子をゼロ磁束点近くに維持する閉ループ制御を提供する。
次に図3を参照すると、例となる一実施形態によるDCオフセット決定器20の詳細が、示される。この特定の実施形態は、AC信号電圧Vs16からすべてのまたは実質的にすべてのDCオフセットを除去するように動作する。一実装形態では、DCオフセット決定器20は、出力として平均DCオフセット22を提供してもよい。DCオフセット決定器20は、先に図1を参照して周期平均DCオフセット22’として参照される、2周期以上にわたって、すなわちNが1より大きいとして、所定数「N」の周期にわたって平均化される平均DCオフセットを生成するように実施されてもよい。DCオフセット22、22’の1つまたは両方は、DCオフセット決定器20の出力で利用できるようにされてもよい。
感知AC信号電圧Vs16は、2つの分離したピーク検出部分(DCオフセット決定器20の)、正ピーク検出部分60aおよび負ピーク検出部分60bに提供される。例示される実施形態では、ピーク検出は、デジタルピーク検出として実施される。正ピーク検出部分60aは、感知AC信号電圧Vsの正ピーク軌跡の値を検出し、保持し、出力62aに正符号付きピーク値を提供する。同様に、負ピーク検出部分60bは、感知AC信号電
圧Vsの負ピーク軌跡の値を検出し、保持し、出力62bに符号付き負ピーク値を提供する。もし感知AC信号電圧VsにDCオフセット成分があるならば、それは、これらの出力に存在することになる。加算ブロック64は、出力62aおよび62bでの正および負の符号付きピーク値の合計を取るために使用され、デジタル合計値65をもたらす。
図3をなお参照すると、より詳細には、正ピーク検出器60aを参照すると、アナログ電圧Vs16は、比較器66aに入力され、それの出力は、Vsの瞬時値を表す比較信号である。比較器66aは、入力信号Vsを受信するための非反転入力68aおよび参照信号を受信するための反転入力70aを有する。比較器66aは、出力72aをゲート74aに提供し、それの出力は、カウンタ78aへの入力76aとして提供される。クロック信号80aもまた、ゲート74aに提供されてカウンタ78aへの入力72aのタイムを計る。カウンタ78aは、Nビットのデジタル出力81aをデジタル/アナログ変換器(DAC)82aに提供し、それは次に、アナログ出力信号(カウンタ78a内に保存されるデジタル計数を表す電圧レベル)70aを比較器66aへの参照入力として提供する。また、Nビットのデジタルカウンタ出力は、正符号付きピーク値+VPmaxを保存する正ピークホールド(またはラッチ)ユニット86aへの入力84aとしても提供される。
比較器66aは、入力68aとして現れる入力信号をDAC82aからのアナログ電圧70aと比較する。もし入力68aでの信号Vsのピーク振幅が、入力70a(DAC出力)に現れる信号のそれよりも大きいならば、比較器66aは、出力をゲート74aに提供し、ゲート74aがハイ信号をカウンタ78aに提供する原因となる。もしピーク振幅がより大きくないならば、ロー信号が、カウンタ78aに提供される。カウンタ78aの出力は、デジタル/アナログ変換器(DAC)82aに入力され、DACの出力は、Vsとの比較のために比較器66aに入力されるランプ状信号である。それ故に、比較信号72aは、VsがDAC82aの出力以上であるときハイ信号(論理1)であり、さもなければロー信号(論理0)である。
負ピーク検出部分60bの構成は、正ピーク検出部分60aのそれを鏡のように映す。比較器66bは、信号Vsを受信するための反転入力68bおよび参照信号を受信するための非反転入力70bを有する。比較器66bは、出力72bをゲート74bに提供し、それの出力は、カウンタ78bへの入力76bとして提供される。クロック信号80bもまた、ゲート74bに提供されてカウンタ78bへの入力72bのタイムを計る。カウンタ78bは、Nビットのデジタル出力81bをデジタル/アナログ変換器(DAC)82bに提供し、それは次に、アナログ出力信号を比較器66bへの参照入力70bとして提供する。また、Nビットのデジタルカウンタ出力は、負符号付きピーク値−VPminを保存する負ピークホールド(またはラッチ)ユニット86bへの入力84bとしても提供される。
それ故に、各ピーク検出部分60a、60bでは、比較器66a、66bは、ゲート74a、74bを選択的に駆動し、それは次に、デジタル計数を含むカウンタ78a、78bを駆動する。カウンタ内の計数は、ゲートの条件およびカウンタ内の計数に応じて、所定量だけ選択的に増加または減少させられる。計数は、デジタル/アナログ変換器(DAC)82a、82bによって変換されて比較器参照信号70a、70bを提供する。正ピーク値(+VPmax)および負ピーク値(−VPmin)は、ゼロ点基準(または接地)に対して測定される。合計値65、すなわち正と負とのピーク値または振幅間の差は、各クロック周期に対して決定される。
決定器20はまた、平均化回路88(「合計/2回路」88として図示される)も含み、それは、デジタル合計値65を取得し、その合計を2で割ってデジタル平均DCオフセット値90を生成する。もしDCオフセットが信号内に存在しないならば、値90は、ゼ
ロであろう。それ故に、値90は、感知AC信号電圧Vs内に存在するDCオフセットの平均値に等しい。先に論じられたように、Nクロック周期にわたって平均化される平均DCオフセット値を生成することが、望ましいこともある。したがって、図で示されるように、DCオフセット決定器20はさらに、デジタル周期平均DCオフセット値94を生成するための周期平均化回路92を含んでもよい。さらに明確には、周期平均化回路92は、N周期の各々に対して平均DCオフセット値90を受信し、N値の平均を決定することになる。周期平均化回路92は、移動平均を維持する、またはN周期の値が受信されたときだけ周期平均DCオフセット94を決定するために値90を保存し、平均を取ってもよい。Nの選択は、設計上の選択の問題である。
いったんデジタル平均DCオフセット値90が決定されたら、それは、第3のDAC、DAC96によってアナログDCオフセット(すなわち、平均DCオフセット22)に変換される。平均DCオフセット22は、増幅器24(図1から)への電圧入力として提供される。もしデジタル周期平均化値94もまた提供されるならば、DAC98が、デジタル値をアナログ周期平均DCオフセット22’に変換するために用いられることになる。周期平均DCオフセット22’は次いで、周期当たりの平均DCオフセット22の代わりに増幅器24への電圧入力として提供されてもよい。両方のオフセット22、22’は、出力として提供されてもよく、1つは、増幅器24へ行き、他方(または両方)は、他の目的のために使用され、それの例は、図5を参照して述べられる。例示されるDCオフセット決定器20は、デジタル設計として実施されるけれども、アナログ実装が、それと置き換えられてもよい。
図4は、DCオフセット104を含む感知AC信号102に対するAC波形例100を示す。AC信号は、正弦波形状信号として例示される。DCオフセットを持つ正弦波形状信号は、ゼロ点基準に対して、+VPmaxおよび−VPminとしてそれぞれ示される、同じでない正および負のピーク値を有する。AC信号のサンプル106は、クロック周波数によって設定される所定のサンプリングレートでDCオフセット決定器20の各ピーク検出部分のカウンタ/DAC回路構成(図3から)によって取得される。小さな間隔のサンプルだけが図示されるけれども、感知AC信号102は、連続的にサンプリングされることが理解されよう。DCオフセット決定器20は、図3を参照して前に論じられたように、サンプルを使用してゼロ点基準に対するAC信号の正ピーク値(+VPmax)および負ピーク値(−VPmin)を各周期について測定し、それらのピーク値からDCオフセット104の値を決定する。簡単な例をあげると、もしAC信号102が、20Vピークピーク値を有し、DCオフセットシフト104が、+1Vであるならば、+VPmax値は、+11Vであり、−VPmin値は、−9Vであることになる。DCオフセット決定器20は、これらの値を加算して+2V振幅差を得ることになり、それは次いで、2で割られて+1VのDCオフセットを得て、増幅器24でAC信号から引き算されることになる(図1)。結果として生じるDCオフセットのない信号、すなわちVout18は、+10Vおよび−10Vの+VPmaxおよび−VPmin値をそれぞれ有することになる。
図3を参照して前に論じられたように、周期平均化は、所定数Nのクロック周期にわたって出力を平均化するために使用されてもよい。そのような周期平均化は、Vs(したがって平均DCオフセット)内の電流スパイクまたは始動グリッチの影響を時間について滑らかにするために使用されてもよい。加えて、もしDCオフセット22および22’が、DCオフセット決定器20の出力として利用できるようにされるならば、基本的な平均DCオフセット出力22のかなりのシフトを時間について追跡するまたは検出することが可能なこともある。次に図5を参照すると、オフセット差検出を備える、ここではセンサ110として示されるセンサ10の代替実施形態が、示される。センサ110は、磁場センサ12がDCオフセット除去回路114に結合されるセンサICまたは回路112を含む
。この実施形態では、DCオフセット決定器116として示されるDCオフセット決定器は、出力として平均DCオフセット値22および周期平均DCオフセット値22’の両方を提供する。これらの値の1つは、増幅器24に提供される。例示される例では、増幅器24への入力として提供されるのは、周期平均DCオフセット22’である。しかしながら、平均DCオフセット22が代わりに、増幅器24へのDCオフセット入力として使用されてもよいことが理解されよう。図5のセンサ110では、DCオフセット除去回路114は、オフセット差検出器118に結合される。オフセット差検出器118は、入力として平均DCオフセット22および周期平均DCオフセット22’を受信し、エラー出力信号120を生成する。エラー出力信号は、出力エラー端子28dとして図示される第4の出力端子に提供される。端子28dでの出力エラーは、異なる目的のための、例えば、高速故障応答を開始するための、センサ出力(Vout18)が正しくない可能性がある(その場合には、即時補正措置が取られるまたは取られないこともある)ことを単に示すための、または他の目的のための制御信号として外部デバイス(または複数デバイス)によって使用されてもよい。
前に述べられたように、周知の所望の非ゼロDCオフセットを除いてすべて(または実質的にすべて)を除去するようにDCオフセットの量を調整することは、望ましいこともある。結果として生じるVout18はそのために、DCオフセット除去後に所望の非ゼロDC成分を含むことになる。したがって、DCオフセット決定器20(図3から)は、周知の非ゼロDCオフセット、すなわちセンサ使用者によって所望されるものを可能にさせるように設計されてもよい。次に図6を参照すると、DCオフセット決定器130として示される代替DCオフセット決定器は、図3のDCオフセット決定器20と同じピーク検出器60a、60b、加算ブロック64、周期平均化回路94およびDAC98を含む。加えて、決定器130は、値90(合計/2回路88から)および使用者または応用によって所望される負符号付きDCオフセット134の合計を取る第2の加算ブロック132を含む。加算ブロック132は、平均DCオフセット90および所望の負符号付きDCオフセット134を加算して、新しい平均DCオフセット値を得る。そのような実施形態は、周知の非ゼロDCオフセットを可能にすることが望ましく、その上同時にセンサ使用中のヒステリシス効果を排除するまたは低減する場合に有用なこともある。加算ブロック132によって行われる第2の加算は、図で示されるようなデジタル領域でよりもむしろ回路のアナログ部分で、すなわち、アナログ出力22’および所望の負符号付きDCオフセットのアナログ等価物を加えることによって行われてもよいことが理解されよう。また、周期平均化回路94およびDAC98は、DAC96によって置き換えられてもよい。もし平均DCオフセット値だけが90に提供されるならば、加算ブロック132は、決定器回路のデジタル部分で値90および値134を加算してもよく、または別法として、加算ブロック132は、それが入力としてDCオフセット22および所望の負符号付きDCオフセット134のアナログ等価物を受信するように、DAC96の後に提供されてもよい。さらに別の可能な実装形態では、決定器130は、両方の出力22および22’を提供し(図3および5を参照して前に述べられたように)、非ゼロオフセット技術を両方の出力に応用してもよい(決定器130のデジタルかまたはアナログ部分で)。
センサ内に組み込まれてもよい別の有用な特徴は、ピーク検出器でのホールド回路の追加を含む。この特徴の例は、図7Aおよび図7Bで例示される。最初に図3と併せて図7Aを参照すると、図7Aで正ピーク検出器140aとして示される、正ピーク検出器60aの代替実施形態は、ホールド回路142aを含む。ホールド回路142aは、比較器143aで実施され、それは、比較器66aの出力72aを第1の入力として、および先のクロック周期に対するVPmaxの値、VPmax−1を第2の入力144aとして受信する。比較器143aは、出力146aをゲート74aへの入力として提供する。もしVPmax−1が、現在のクロック周期のVPmaxよりも大きいならば、そのとき比較器143aは、ハイ信号(論理1)を出力することになる。図7Bは、負ピーク検出器14
0bとして示される負ピーク検出器についてであることを除いて、同じ回路構成を示す。それ故に、検出器140bは、比較器143bとして示されるホールド回路142bを含む。比較器143bは、比較器66bの出力72bを第1の入力として、および先のクロック周期に対するVPminの値、VPmin−1を第2の入力144bとして受信する。比較器143bは、出力146bをゲート74bへの入力として提供する。もしVPmin−1が、現在のクロック周期のVPminよりも大きいならば、そのとき比較器143bは、ハイ信号(論理1)を出力することになる。ホールド回路比較器143a、143bの両方の出力が論理1であるとき、それぞれのゲート74a、74bの出力は、論理1である。この結果は、Vs波形がVPmaxおよびVPminに対してそれぞれ最大および最小の場合を通ったこと、およびオフセット補正が、妥当であったであろうことを内部的に、外部的にまたは両方で示唆することになる。
ホールド回路142a、142bは、DCオフセット決定およびその後の除去が少なくとも1クロック周期の間、すなわち、VPmaxおよびVPminの少なくとも1つの事例が観測されるまで遅延される原因となる。このホールド機構は、Vs16の初期追跡を妨げるので、それはまた、DCオフセット除去回路の初期応答時間も増加させる。別の可能な実装オプションは、比較器出力72a、72bをゲート74a、74bへの代わりにある外部ピンへ提供することであろう。このようにして、ホールド回路情報は、DCオフセット除去回路構成によるDCオフセット調整が妥当でない可能性があることをセンサ使用者に警告するために使用されてもよい。この後者のオプションは、DCオフセット決定が遅延なしに進むことを可能にすることになる。
上で述べられたような、感知デバイスおよびDCオフセット除去を備えるセンサは、感知デバイスのヒステリシスの性質の結果としてセンサ出力信号内に導入されるDCオフセットに対してAC信号センサ入力およびDCオフセット除去を必要とする任意の応用で使用されてもよい。それは特に、例えばエネルギー(ワット時)計量などの、高感度を備える感知デバイスを必要とする弱い磁場または低電流応用で有用である。しかしながら、それらの比較的高感度のためにそのような応用にとって他の種類の感知デバイスよりもしばしば好ましい、GMRデバイスなどのMRデバイスは、ヒステリシス効果を受ける。それ故に、本明細書で述べられるそれらのようなセンサは特に、弱い磁場および/または小さな信号に著しく敏感であるセンサ入力、ならびにセンサ出力での精度を必要とする応用にとって有利である。
本明細書で引用されるすべての参考文献は、ここにその全体が参照により本明細書に組み込まれる。
本発明の好ましい実施形態を述べたが、それらの概念を組み込む他の実施形態が、使用されてもよいことが当業者には明らかになるであろう。したがって、これらの実施形態は、開示される実施形態に限定されるべきではなく、むしろ添付の特許請求の範囲の精神および範囲によってだけ限定されるべきであると感じられる。

Claims (8)

  1. 磁場を感知し、前記感知磁場に比例するAC信号電圧を生成するための磁気抵抗(MR)感知デバイスと、
    前記AC信号電圧を受信し、前記AC信号電圧の平均DCオフセットを決定し、そして 前記AC信号電圧から前記平均DCオフセットを引き算することにより補正出力信号を生成する、前記MR感知デバイスに結合された回路構成と、を含み、
    前記回路構成は、前記AC信号電圧の前記平均DCオフセットを決定するDCオフセット決定器を含み、
    前記DCオフセット決定器は、正ピーク値を生成するための正ピーク検出部分、負ピーク値を生成するための負ピーク検出部分、前記正ピーク値および前記負ピーク値の合計を生成する加算ブロック、ならびに前記合計を2で割って前記平均DCオフセットを生成する平均化回路を含み、
    前記正ピーク検出部分は、
    前記AC信号電圧を受信するために結合され、第1の比較信号を生成するように構成された第1の比較器と、
    前記第1の比較信号を受信するために結合され、第1のクロック信号を受信し、第1の論理信号を生成するように構成された第1の論理ゲートと、
    前記第1の論理信号を受信するために結合され、第1のカウンタ出力信号を生成するように構成された第1のカウンタと、
    前記第1のカウンタ出力信号を受信し、第1のDAC出力信号を生成するように構成された第1のデジタル/アナログ変換器(DAC)と、を備え、
    前記第1の比較器は前記第1のDAC出力信号を受信するように結合され、前記第1のカウンタ出力信号は前記正のピーク値に関係し、
    前記負ピーク検出部分は、
    前記AC信号電圧を受信するために結合され、第2の比較信号を生成するように構成された第2の比較器と、
    前記第2の比較信号を受信するために結合され、第2のクロック信号を受信し、第2の論理信号を生成するように構成された第2の論理ゲートと、
    前記第2の論理信号を受信するために結合され、第2のカウンタ出力信号を生成するように構成された第2のカウンタと、
    前記第2のカウンタ出力信号を受信し、第2のDAC出力信号を生成するように構成された第2のデジタル/アナログ変換器(DAC)と、を備え、
    前記第2の比較器は前記第2のDAC出力信号を受信するように結合され、前記第2のカウンタ出力信号は前記負のピーク値に関係している、
    センサ。
  2. 前記正ピーク検出部分の一部、前記負ピーク検出部分の一部、前記加算ブロックおよび前記平均化回路は、デジタル領域で動作する、請求項1に記載のセンサ。
  3. 前記正および負のピーク検出部分の各々は、前記第1のクロック信号または前記第2のクロック信号の少なくとも1クロック周期の間前記DCオフセット決定器によるオフセット決定を遅らせるホールド回路を含む、請求項2に記載のセンサ。
  4. 磁場を感知し、前記感知磁場に比例するAC信号電圧を生成するための磁気抵抗(MR)感知デバイスと、
    前記AC信号電圧を受信し、前記AC信号電圧の周期平均DCオフセットを決定し、そして前記AC信号電圧から前記周期平均DCオフセットを引き算することにより補正出力信号を生成する、前記MR感知デバイスに結合された回路構成と、
    前記回路構成は、前記AC信号電圧平均DCオフセットを決定するDCオフセット決定器を含み、
    前記DCオフセット決定器は、正ピーク値を生成するための正ピーク検出部分、負ピーク値を生成するための負ピーク検出部分、前記正ピーク値および前記負ピーク値の合計を生成する加算ブロック、ならびに前記合計を2で割って前記平均DCオフセットを生成する平均化回路を含み、
    前記正ピーク検出部分は、
    前記AC信号電圧を受信するために結合され、第1の比較信号を生成するように構成された第1の比較器と、
    前記第1の比較信号を受信するために結合され、第1のクロック信号を受信し、第1の論理信号を生成するように構成された第1の論理ゲートと、
    前記第1の論理信号を受信するために結合され、第1のカウンタ出力信号を生成するように構成された第1のカウンタと、
    前記第1のカウンタ出力信号を受信し、第1のDAC出力信号を生成するように構成された第1のデジタル/アナログ変換器(DAC)と、を備え、
    前記第1の比較器は前記第1のDAC出力信号を受信するように結合され、前記第1のカウンタ出力信号は前記AC信号の前記正のピーク値に関係し、
    前記負ピーク検出部分は、
    前記AC信号電圧を受信するために結合され、第2の比較信号を生成するように構成された第2の比較器と、
    前記第2の比較信号を受信するために結合され、第2のクロック信号を受信し、第2の論理信号を生成するように構成された第2の論理ゲートと、
    前記第2の論理信号を受信するために結合され、第2のカウンタ出力信号を生成するように構成された第2のカウンタと、
    前記第2のカウンタ出力信号を受信し、第2のDAC出力信号を生成するように構成された第2のデジタル/アナログ変換器(DAC)と、を備え、
    前記第2の比較器は前記第2のDAC出力信号を受信するように結合され、前記第2のカウンタ出力信号は前記AC信号の前記負のピーク値に関係し、
    前記DCオフセット決定器はさらに、第3のクロック信号の所定数のクロック周期の間提供される前記平均DCオフセットに基づいて前記周期平DCオフセットを生成する周期平均化回路を含む、
    センサ。
  5. 前記回路構成はさらに、前記平均DCオフセットおよび前記周期平均DCオフセットを受信し、そこからエラー信号を生成する検出器を含む、請求項に記載のセンサ。
  6. 磁場を感知し、前記感知磁場に比例するAC信号電圧を生成するための磁気抵抗(MR)感知デバイスと、
    前記AC信号電圧を受信し、前記AC信号電圧の平均DCオフセットを決定し、そして 前記AC信号電圧から前記平均DCオフセットを引き算することにより補正出力信号を生成する、前記MR感知デバイスに結合された回路構成と、を含み、
    前記回路構成は、前記AC信号電圧の前記平均DCオフセットを決定するDCオフセット決定器を含み、
    前記DCオフセット決定器は、正ピーク値を生成するための正ピーク検出部分、負ピーク値を生成するための負ピーク検出部分、前記正ピーク値および前記負ピーク値の合計を生成する加算ブロック、ならびに前記合計を2で割って前記平均DCオフセットを生成する平均化回路を含み、
    前記正ピーク検出部分は、
    前記AC信号電圧を受信するために結合され、第1の比較信号を生成するように構成された第1の比較器と、
    前記第1の比較信号を受信するために結合され、第1のクロック信号を受信し、第1の論理信号を生成するように構成された第1の論理ゲートと、
    前記第1の論理信号を受信するために結合され、第1のカウンタ出力信号を生成するように構成された第1のカウンタと、
    前記第1のカウンタ出力信号を受信し、第1のDAC出力信号を生成するように構成された第1のデジタル/アナログ変換器(DAC)と、を備え、
    前記第1の比較器は前記第1のDAC出力信号を受信するように結合され、前記第1のカウンタ出力信号は前記正のピーク値に関係し、
    前記負ピーク検出部分は、
    前記AC信号電圧を受信するために結合され、第2の比較信号を生成するように構成された第2の比較器と、
    前記第2の比較信号を受信するために結合され、第2のクロック信号を受信し、第2の論理信号を生成するように構成された第2の論理ゲートと、
    前記第2の論理信号を受信するために結合され、第2のカウンタ出力信号を生成するように構成された第2のカウンタと、
    前記第2のカウンタ出力信号を受信し、第2のDAC出力信号を生成するように構成された第2のデジタル/アナログ変換器(DAC)と、を備え、
    前記第2の比較器は前記第2のDAC出力信号を受信するように結合され、前記第2のカウンタ出力信号は前記AC信号の前記負のピーク値に関係し、
    前記DCオフセット決定器はさらに、前記補正出力信号が非ゼロDC成分を含むように、前記平均DCオフセットを調整する回路構成を含む、
    センサ。
  7. 測定されるべき電流が印加される導体と、
    前記電流に比例するAC信号電圧を生成するための、前記電流が前記導体に印加されるとき前記導体内に生成される磁場に応答するMR感知デバイスと、
    前記AC信号電圧を受信し、前記受信AC信号電圧の平均DCオフセット決定し、そして前記受信されたAC信号電圧から前記平均DCオフセットを引き算することにより補正出力信号を生成する前記MR感知デバイスに結合された回路構成と、を備え、
    前記回路構成は、前記AC信号電圧のための平均DCオフセットを決定するDCオフセット決定器を含み、
    前記DCオフセット決定器は、正ピーク値を生成するための正ピーク検出部分、負ピーク値を生成するための負ピーク検出部分、前記正ピーク値および前記負ピーク値の合計を生成する加算ブロック、ならびに前記合計を2で割って前記平均DCオフセットを生成する平均化回路を含み、
    前記正ピーク検出部分は、
    前記AC信号電圧を受信するために結合され、第1の比較信号を生成するように構成された第1の比較器と、
    前記第1の比較信号を受信するために結合され、第1のクロック信号を受信し、第1の論理信号を生成するように構成された第1の論理ゲートと、
    前記第1の論理信号を受信するために結合され、第1のカウンタ出力信号を生成するように構成された第1のカウンタと、
    前記第1のカウンタ出力信号を受信し、第1のDAC出力信号を生成するように構成された第1のデジタル/アナログ変換器(DAC)と、を備え、
    前記第1の比較器は前記第1のDAC出力信号を受信するように結合され、前記第1のカウンタ出力信号は前記正のピーク値に関係し、
    前記負ピーク検出部分は、
    前記AC信号電圧を受信するために結合され、第2の比較信号を生成するように構成された第2の比較器と、
    前記第2の比較信号を受信するために結合され、第2のクロック信号を受信し、第2の論理信号を生成するように構成された第2の論理ゲートと、
    前記第2の論理信号を受信するために結合され、第2のカウンタ出力信号を生成するように構成された第2のカウンタと、
    前記第2のカウンタ出力信号を受信し、第2のDAC出力信号を生成するように構成された第2のデジタル/アナログ変換器(DAC)と、を備え、
    前記第2の比較器は前記第2のDAC出力信号を受信するように結合され、前記第2のカウンタ出力信号は前記AC信号の前記負のピーク値に関係している、
    電流センサ。
  8. MR感知デバイスで磁場を感知し、前記感知磁場に比例するAC信号電圧を生成するステップと、
    前記AC信号電圧に対し平均DCオフセットを決定するステップと、
    前記AC信号電圧から前記平均DCオフセットを引き算することにより訂正出力信号を生成するステップと、を含み、
    前記平均DCオフセットを決定するステップは、
    前記AC信号電圧正ピーク値および負ピーク値決定するステップと、
    前記正ピーク値および前記負ピーク値の合計を生成するステップと、
    前記合計を2で割って前記平均DCオフセットを生成するステップと、を含み、
    前記正ピーク値を決定するステップは、
    前記AC信号を第1のデジタル/アナログ(DAC)出力信号と比較して第1の比較信号を生成するステップと、
    前記第1の比較信号を第1のクロック信号に論理的に関係付けて第1の論理信号を生成するステップと、
    前記第1の論理信号の遷移をカウントすることにより第1のカウンタ出力信号を生成するステップと、
    前記第1のカウンタ出力信号を変換して前記第1のDAC出力信号を生成するステップと、
    前記第1のカウンタ出力信号は前記AC信号の正ピーク値に関係し、
    前記負ピーク値を決定するステップは、
    前記AC信号を第2のデジタル/アナログ(DAC)出力信号と比較して第2の比較信号を生成するステップと、
    前記第2の比較信号を第2のクロック信号に論理的に関係付けて第2の論理信号を生成するステップと、
    前記第2の論理信号の遷移をカウントすることにより第2のカウンタ出力信号を生成するステップと、
    前記第2のカウンタ出力信号を変換して前記第2のDAC出力信号を生成するステップと、
    前記第2のカウンタ出力信号は前記AC信号の負ピーク値に関係する、
    方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10094890B2 (en) 2014-10-09 2018-10-09 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Magnetic sensor

Families Citing this family (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5362713B2 (ja) * 2007-06-27 2013-12-11 コミサリア ア レネルジ アトミク 磁気抵抗複合センサにおける低周波ノイズ除去の方法
US8269491B2 (en) 2008-02-27 2012-09-18 Allegro Microsystems, Inc. DC offset removal for a magnetic field sensor
US20100254491A1 (en) * 2009-04-01 2010-10-07 General Electric Company Dc offset compensating system and method
US8390283B2 (en) * 2009-09-25 2013-03-05 Everspin Technologies, Inc. Three axis magnetic field sensor
JP4936030B2 (ja) * 2010-03-10 2012-05-23 Tdk株式会社 磁気センサ
WO2011111457A1 (ja) * 2010-03-11 2011-09-15 アルプス電気株式会社 磁気センサ及びそれを備えた磁気平衡式電流センサ
US8518734B2 (en) 2010-03-31 2013-08-27 Everspin Technologies, Inc. Process integration of a single chip three axis magnetic field sensor
DE102010019485B4 (de) * 2010-05-05 2012-10-31 Austriamicrosystems Ag Sensoranordnung und Verfahren zum Betreiben einer Sensoranordnung
DE102010019484B9 (de) 2010-05-05 2012-12-06 Austriamicrosystems Ag Sensoranordnung und Verfahren zum Betreiben einer Sensoranordnung
JP5439595B2 (ja) * 2010-05-14 2014-03-12 株式会社日立製作所 磁界角計測装置およびこれを用いた回転角計測装置
IT1402178B1 (it) 2010-09-09 2013-08-28 St Microelectronics Srl Circuito di lettura a compensazione automatica dell'offset per un sensore di campo magnetico e relativo metodo di lettura a compensazione automatica dell'offset
EP2434363B1 (en) * 2010-09-27 2013-05-15 ST-Ericsson SA Presence and operability test of a decoupling capacitor
US8339134B2 (en) 2010-10-08 2012-12-25 Allegro Microsystems, Inc. Apparatus and method for reducing a transient signal in a magnetic field sensor
IT1405794B1 (it) * 2010-11-26 2014-01-24 St Microelectronics Srl Circuito di lettura per un sensore di campo magnetico con regolazione automatica di fondo scala
US10473731B2 (en) 2010-11-26 2019-11-12 Stmicroelectronics S.R.L. Magnetic sensor reading device, system and method
IT1405795B1 (it) * 2010-11-26 2014-01-24 St Microelectronics Srl Circuito di lettura per un sensore di campo magnetico con calibrazione di sensibilita', e relativo metodo di lettura
CN102364880A (zh) * 2011-06-30 2012-02-29 成都芯源系统有限公司 一种采样保持电路及其方法
US8664941B2 (en) * 2011-08-24 2014-03-04 Nxp B.V. Magnetic sensor with low electric offset
FR2982674B1 (fr) * 2011-11-10 2015-01-16 Renault Sas Procede et systeme de mesure de courant electrique
US9520871B2 (en) * 2012-01-05 2016-12-13 Allegro Microsystems, Llc Methods and apparatus for supply voltage transient protection for maintaining a state of a sensor output signal
US9417297B2 (en) * 2012-02-16 2016-08-16 Honeywell International Inc. Tunneling magneto-resistive device with set/reset and offset straps
US9817078B2 (en) 2012-05-10 2017-11-14 Allegro Microsystems Llc Methods and apparatus for magnetic sensor having integrated coil
US10725100B2 (en) * 2013-03-15 2020-07-28 Allegro Microsystems, Llc Methods and apparatus for magnetic sensor having an externally accessible coil
US9465052B2 (en) * 2013-06-10 2016-10-11 General Electric Company Systems and methods for monitoring fiber optic current sensing systems
US9444657B2 (en) 2013-07-10 2016-09-13 International Business Machines Corporation Dynamically calibrating the offset of a receiver with a decision feedback equalizer (DFE) while performing data transport operations
TW201518753A (zh) * 2013-11-14 2015-05-16 Voltafield Technology Corp 磁阻感測元件
EP3203254A1 (en) 2013-12-26 2017-08-09 Allegro Microsystems, LLC Methods and apparatus for sensor diagnostics
JP5811210B2 (ja) * 2014-02-20 2015-11-11 愛知製鋼株式会社 磁気検出器
JP2015219061A (ja) * 2014-05-15 2015-12-07 Tdk株式会社 磁界検出センサ及びそれを用いた磁界検出装置
TWI576679B (zh) * 2014-06-11 2017-04-01 宇能電科技股份有限公司 偏移電壓自動補償系統
US9921239B2 (en) * 2014-11-20 2018-03-20 Stmicroelectronics, Inc. Offset cancellation device for micro-electromechanical system
CN105021867A (zh) * 2015-07-13 2015-11-04 东莞电子科技大学电子信息工程研究院 一种测量电网电压的系统及方法
US9813049B2 (en) * 2015-08-12 2017-11-07 Qualcomm Incorporated Comparator including a magnetic tunnel junction (MTJ) device and a transistor
CN107037381A (zh) * 2015-12-29 2017-08-11 爱盛科技股份有限公司 磁场感测装置及其感测方法
US10890464B2 (en) 2016-03-22 2021-01-12 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Rotation detecting device and correction method therefor
JP6430565B2 (ja) 2016-03-23 2018-11-28 アナログ・デヴァイシズ・グローバル 磁界検出器
US10012518B2 (en) 2016-06-08 2018-07-03 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor for sensing a proximity of an object
US10884092B2 (en) * 2016-06-13 2021-01-05 Allegro Microsystems, Llc Non-orthogonality compensation of a magnetic field sensor
DE112017003532T5 (de) 2016-07-12 2019-04-04 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Magnetsensor und Detektionsvorrichtung, die ihn verwendet
US10120017B2 (en) 2016-07-15 2018-11-06 Allegro Microsystems, Llc Enabling testing of an integrated circuit at a single temperature
CN107015171B (zh) * 2017-03-24 2023-10-24 江苏多维科技有限公司 一种具有磁滞线圈的磁传感器封装结构
US10739165B2 (en) 2017-07-05 2020-08-11 Analog Devices Global Magnetic field sensor
US10557873B2 (en) * 2017-07-19 2020-02-11 Allegro Microsystems, Llc Systems and methods for closed loop current sensing
US10578684B2 (en) 2018-01-12 2020-03-03 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor having magnetoresistance elements with opposite bias directions
US10509058B2 (en) 2018-01-12 2019-12-17 Allegro Microsystems, Llc Current sensor using modulation of or change of sensitivity of magnetoresistance elements
US10641802B2 (en) 2018-03-22 2020-05-05 Allegro Microsystems, Llc Current fault detection systems and methods for a current sensor
JP7103836B2 (ja) * 2018-04-24 2022-07-20 エイブリック株式会社 ゼロクロス検出回路およびセンサ装置
US10794940B2 (en) * 2018-07-02 2020-10-06 Lg Chem, Ltd. System for accurately determining an amount of electrical current flowing through a hall effect current sensor
US10734443B2 (en) 2018-08-27 2020-08-04 Allegro Microsystems, Llc Dual manetoresistance element with two directions of response to external magnetic fields
CN109194331B (zh) * 2018-08-29 2021-10-26 苏州瑞迈斯医疗科技有限公司 电子装置以及校正该电子装置中比较器的方法
US10746820B2 (en) 2018-10-11 2020-08-18 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor that corrects for the effect of a stray magnetic field using one or more magnetoresistance elements, each having a reference layer with the same magnetic direction
US10670669B2 (en) 2018-10-11 2020-06-02 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor for measuring an amplitude and a direction of a magnetic field using one or more magnetoresistance elements having reference layers with the same magnetic direction
EP3644080B1 (en) * 2018-10-23 2022-08-03 Melexis Bulgaria Ltd. Sensor circuit with offset compensation
US10944368B2 (en) * 2019-02-28 2021-03-09 Advanced Micro Devices, Inc. Offset correction for pseudo differential signaling
CN110082564B (zh) * 2019-05-30 2024-03-12 东南大学 基于反馈电容力矩器的隧道磁阻式加速度计闭环控制电路
US10866287B1 (en) 2019-07-10 2020-12-15 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor with magnetoresistance elements arranged in a bridge and having a common reference direction and opposite bias directions
US11047928B2 (en) 2019-07-15 2021-06-29 Allegro Microsystems, Llc Methods and apparatus for frequency effect compensation in magnetic field current sensors
US11194004B2 (en) 2020-02-12 2021-12-07 Allegro Microsystems, Llc Diagnostic circuits and methods for sensor test circuits
US11703314B2 (en) 2020-05-29 2023-07-18 Allegro Microsystems, Llc Analog angle sensor with digital feedback loop
US11761985B2 (en) 2021-02-09 2023-09-19 Analog Devices International Unlimited Company Calibration using flipped sensor for highly dynamic system
US11953565B2 (en) 2021-03-23 2024-04-09 Allegro Microsystems, Llc Electrical offset compensating in a bridge using more than four magnetoresistance elements
US11567108B2 (en) 2021-03-31 2023-01-31 Allegro Microsystems, Llc Multi-gain channels for multi-range sensor
DE102021120034A1 (de) 2021-08-02 2023-02-02 Infineon Technologies Ag Redundanter stromsensor
US11719771B1 (en) 2022-06-02 2023-08-08 Allegro Microsystems, Llc Magnetoresistive sensor having seed layer hysteresis suppression

Family Cites Families (87)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4706138A (en) 1986-04-14 1987-11-10 International Business Machines Corporation Amplification of signals produced by a magnetic sensor
US4786993A (en) 1986-06-30 1988-11-22 International Business Machines Corporation Voltage amplifier for constant voltage biasing and amplifying signals from a MR sensor
JPH05126865A (ja) * 1991-10-22 1993-05-21 Hitachi Ltd 電流検出装置あるいは電流検出方法
US5247278A (en) * 1991-11-26 1993-09-21 Honeywell Inc. Magnetic field sensing device
US5270882A (en) * 1992-07-15 1993-12-14 International Business Machines Corporation Low-voltage, low-power amplifier for magnetoresistive sensor
US5331478A (en) * 1992-10-07 1994-07-19 Silicon Systems, Inc. Magnetoresistive head amplifier
DE4243358A1 (de) * 1992-12-21 1994-06-23 Siemens Ag Magnetowiderstands-Sensor mit künstlichem Antiferromagneten und Verfahren zu seiner Herstellung
JP3189464B2 (ja) * 1993-02-19 2001-07-16 株式会社デンソー 回転位置検出装置
DE4319146C2 (de) * 1993-06-09 1999-02-04 Inst Mikrostrukturtechnologie Magnetfeldsensor, aufgebaut aus einer Ummagnetisierungsleitung und einem oder mehreren magnetoresistiven Widerständen
US5696445A (en) * 1994-09-26 1997-12-09 Phase Metrics Method and apparatus for testing the resistive properties of magneto resistive materials using a time variable magnetic field
US5614851A (en) * 1995-02-09 1997-03-25 National Semiconductor Corporation High-accuracy, low-power peak-to-peak voltage detector
WO1997007501A1 (en) * 1995-08-18 1997-02-27 Quantum Corporation Control loops for low power, high speed prml sampling data detection channel
US5917320A (en) * 1996-01-17 1999-06-29 Allegro Microsystems, Inc. Detection of passing magnetic articles while periodically adapting detection threshold
JPH09197030A (ja) * 1996-01-22 1997-07-31 Sankyo Seiki Mfg Co Ltd 磁気センサの出力特性計測装置、および磁気センサの出力特性調整方法
US6166539A (en) * 1996-10-30 2000-12-26 Regents Of The University Of Minnesota Magnetoresistance sensor having minimal hysteresis problems
US5831426A (en) * 1996-08-16 1998-11-03 Nonvolatile Electronics, Incorporated Magnetic current sensor
US5831784A (en) * 1996-09-05 1998-11-03 Vtc, Inc. Pseudo differential voltage sense MR preamplifier with improved bandwidth
US5841318A (en) * 1997-01-21 1998-11-24 Phase Metrics, Inc. Low noise preamplifier for a magneto-resistive head tester
JP3886589B2 (ja) * 1997-03-07 2007-02-28 アルプス電気株式会社 巨大磁気抵抗効果素子センサ
US6094330A (en) * 1998-01-14 2000-07-25 General Electric Company Circuit interrupter having improved current sensing apparatus
JPH11264842A (ja) * 1998-03-18 1999-09-28 Fujitsu Ltd 信号レベルモニタ回路
US6150876A (en) * 1998-04-06 2000-11-21 Lucent Technologies Inc. Voltage bias, current sense preamplifier for a magnetoresistive reader
JPH11337368A (ja) * 1998-05-29 1999-12-10 Nippon Seiki Kk 磁気検出回路
DE19834153A1 (de) 1998-07-29 2000-02-10 Lust Antriebstechnik Gmbh Verfahren zur Auswertung von Signalen magnetoresistiver Sensoren
TW434411B (en) * 1998-10-14 2001-05-16 Tdk Corp Magnetic sensor apparatus, current sensor apparatus and magnetic sensing element
TW534999B (en) * 1998-12-15 2003-06-01 Tdk Corp Magnetic sensor apparatus and current sensor apparatus
EP1067391B1 (en) * 1999-01-21 2004-10-06 TDK Corporation Current sensor
DE10017374B4 (de) 1999-05-25 2007-05-10 Siemens Ag Magnetische Koppeleinrichtung und deren Verwendung
JP2001319424A (ja) * 1999-09-24 2001-11-16 Sanyo Electric Co Ltd 信号処理回路および半導体集積回路
US6445171B2 (en) * 1999-10-29 2002-09-03 Honeywell Inc. Closed-loop magnetoresistive current sensor system having active offset nulling
US6433981B1 (en) * 1999-12-30 2002-08-13 General Electric Company Modular current sensor and power source
US6376933B1 (en) * 1999-12-31 2002-04-23 Honeywell International Inc. Magneto-resistive signal isolator
US20020122265A1 (en) * 2000-07-10 2002-09-05 Chambers Mark J. CMOS DC offset correction circuit with programmable high-pass transfer function
US6429640B1 (en) * 2000-08-21 2002-08-06 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force GMR high current, wide dynamic range sensor
JP2002131342A (ja) * 2000-10-19 2002-05-09 Canon Electronics Inc 電流センサ
US6456063B1 (en) * 2000-11-03 2002-09-24 Delphi Technologies, Inc. Self compensating control circuit for digital magnetic sensors
US6992482B2 (en) * 2000-11-08 2006-01-31 Jentek Sensors, Inc. Magnetic field sensor having a switchable drive current spatial distribution
DE10159607B4 (de) 2001-03-09 2010-11-18 Siemens Ag Analog/Digital-Signalwandlereinrichtung mit galvanischer Trennung in ihrem Singalübertragungsweg
DE10128150C1 (de) 2001-06-11 2003-01-23 Siemens Ag Magnetoresistives Sensorsystem
JP2003009565A (ja) 2001-06-26 2003-01-10 Sony Corp 角度/位置検出装置およびそれを用いたモータ制御装置
DE10140043B4 (de) * 2001-08-16 2006-03-23 Siemens Ag Schichtensystem mit erhöhtem magnetoresistiven Effekt sowie Verwendung desselben
DE10155423B4 (de) 2001-11-12 2006-03-02 Siemens Ag Verfahren zur homogenen Magnetisierung eines austauschgekoppelten Schichtsystems eines magneto-resistiven Bauelements, insbesondere eines Sensor-oder Logikelements
US6667682B2 (en) * 2001-12-26 2003-12-23 Honeywell International Inc. System and method for using magneto-resistive sensors as dual purpose sensors
DE10202287C1 (de) 2002-01-22 2003-08-07 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer monolithischen Brückenschaltung bestehend aus mehreren, als magneto-resistive Elemente ausgebildeten Brückengliedern und eine hiernach hergestellte monolithische Brückenschaltung
DE10222395B4 (de) 2002-05-21 2010-08-05 Siemens Ag Schaltungseinrichtung mit mehreren TMR-Sensorelementen
US7259545B2 (en) 2003-02-11 2007-08-21 Allegro Microsystems, Inc. Integrated sensor
JP2004301741A (ja) 2003-03-31 2004-10-28 Denso Corp 磁気センサ
US7164263B2 (en) * 2004-01-16 2007-01-16 Fieldmetrics, Inc. Current sensor
DE102004003369A1 (de) 2004-01-22 2005-08-18 Siemens Ag Magnetisches Bauelement mit hoher Grenzfrequenz
JP4433820B2 (ja) * 2004-02-20 2010-03-17 Tdk株式会社 磁気検出素子およびその形成方法ならびに磁気センサ、電流計
DE102004009267B3 (de) 2004-02-26 2005-09-22 Siemens Ag Ausleseeinrichtung wenigstens eines magnetoresistiven Elementes
DE102004062474A1 (de) * 2004-03-23 2005-10-13 Siemens Ag Vorrichtung zur potenzialfreien Strommessung
US7391204B2 (en) * 2004-04-07 2008-06-24 Honrywell International Inc. Sensor signal conditioning circuit
DE102004038847B3 (de) 2004-08-10 2005-09-01 Siemens Ag Einrichtung zur potenzialfreien Messung eines in einer elektrischen Leiterbahn fließenden Stromes
DE102004040079B3 (de) 2004-08-18 2005-12-22 Siemens Ag Magnetfeldsensor
DE102005037905A1 (de) 2004-08-18 2006-03-09 Siemens Ag Magnetfeldsensor zum Messen eines Gradienten eines magnetischen Feldes
DE102004043737A1 (de) * 2004-09-09 2006-03-30 Siemens Ag Vorrichtung zum Erfassen des Gradienten eines Magnetfeldes und Verfahren zur Herstellung der Vorrichtung
US7268544B2 (en) 2004-10-01 2007-09-11 Alps Electric Co., Ltd. Magnetism detecting device for canceling offset voltage
JP4360998B2 (ja) * 2004-10-01 2009-11-11 Tdk株式会社 電流センサ
FR2876800B1 (fr) * 2004-10-18 2007-03-02 Commissariat Energie Atomique Procede et dispositif de mesure de champ magnetique a l'aide d'un capteur magnetoresitif
JP4105142B2 (ja) * 2004-10-28 2008-06-25 Tdk株式会社 電流センサ
DE102004053551A1 (de) 2004-11-05 2006-05-18 Siemens Ag Vorrichtung zum Erfassen eines beweglichen oder bewegbaren elektrisch und/oder magnetisch leitenden Teiles
JP4105145B2 (ja) * 2004-11-30 2008-06-25 Tdk株式会社 電流センサ
JP4105147B2 (ja) * 2004-12-06 2008-06-25 Tdk株式会社 電流センサ
JP4131869B2 (ja) 2005-01-31 2008-08-13 Tdk株式会社 電流センサ
KR100611508B1 (ko) * 2005-01-31 2006-08-11 삼성전자주식회사 채널을 분리하여 출력하는 디스플레이 구동 회로,디스플레이 구동 방법 및 전류 샘플/홀드 회로
US7259624B2 (en) * 2005-02-28 2007-08-21 Texas Instruments Incorporated Low noise AC coupled amplifier with low band-pass corner and low power
DE102006008257B4 (de) 2005-03-22 2010-01-14 Siemens Ag Magnetoresistives Mehrschichtensystem vom Spin Valve-Typ mit einer magnetisch weicheren Elektrode aus mehreren Schichten und dessen Verwendung
JP2006266909A (ja) * 2005-03-24 2006-10-05 Alps Electric Co Ltd 磁気検出装置及びそれを用いた電子方位計
DE102006021774B4 (de) 2005-06-23 2014-04-03 Siemens Aktiengesellschaft Stromsensor zur galvanisch getrennten Strommessung
JP4466487B2 (ja) * 2005-06-27 2010-05-26 Tdk株式会社 磁気センサおよび電流センサ
DE102005038655B3 (de) 2005-08-16 2007-03-22 Siemens Ag Magnetfeldsensitive Sensoreinrichtung
DE102005040539B4 (de) 2005-08-26 2007-07-05 Siemens Ag Magnetfeldsensitive Sensoreinrichtung
JP2007064851A (ja) * 2005-08-31 2007-03-15 Tdk Corp コイル、コイルモジュールおよびその製造方法、ならびに電流センサおよびその製造方法
US7626777B2 (en) * 2005-09-23 2009-12-01 Agere Systems Inc. Variable threshold bipolar signal peak detector
JP4298691B2 (ja) * 2005-09-30 2009-07-22 Tdk株式会社 電流センサおよびその製造方法
JP4415923B2 (ja) * 2005-09-30 2010-02-17 Tdk株式会社 電流センサ
JP4224483B2 (ja) * 2005-10-14 2009-02-12 Tdk株式会社 電流センサ
DE102005052688A1 (de) 2005-11-04 2007-05-24 Siemens Ag Magnetfeldsensor mit einer Messbrücke mit MR-Sensor
JP2007155668A (ja) * 2005-12-08 2007-06-21 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 回転角度センサ、および、回転角度検出方法
JP2007218700A (ja) * 2006-02-15 2007-08-30 Tdk Corp 磁気センサおよび電流センサ
DE102006007770A1 (de) 2006-02-20 2007-08-30 Siemens Ag Sensoreinrichtung zur Erfassung einer Magnetfeldgröße
DE102006028698B3 (de) 2006-06-22 2007-12-13 Siemens Ag OMR-Sensor und Anordnung aus solchen Sensoren
JP2008005357A (ja) 2006-06-23 2008-01-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd Dcオフセット除去装置及びdcオフセット除去方法
CN101094008A (zh) 2007-07-18 2007-12-26 天津市中环高科技有限公司 一种网孔结构的手机多功能装饰件及其生产方法
US8269491B2 (en) 2008-02-27 2012-09-18 Allegro Microsystems, Inc. DC offset removal for a magnetic field sensor
US7929240B2 (en) * 2008-12-18 2011-04-19 Lsi Corporation Systems and methods for adaptive MRA compensation

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10094890B2 (en) 2014-10-09 2018-10-09 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Magnetic sensor

Also Published As

Publication number Publication date
US20090212771A1 (en) 2009-08-27
CN101960320B (zh) 2014-12-17
KR101454680B1 (ko) 2014-10-27
JP2014209124A (ja) 2014-11-06
CN101960320A (zh) 2011-01-26
US8269491B2 (en) 2012-09-18
US9046562B2 (en) 2015-06-02
KR20100135747A (ko) 2010-12-27
DE112009000449B4 (de) 2020-01-16
US20120313636A1 (en) 2012-12-13
JP2011513730A (ja) 2011-04-28
DE112009000449T5 (de) 2011-01-13
WO2009108420A1 (en) 2009-09-03

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