JP5829159B2 - ガスセンサ素子及びその製造方法 - Google Patents
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Description
自動車用のラムダセンサは、基準ガスと排気ガスとの酸素濃度差により酸素センサ素子の固体電解質に生じる、ラムダ付近で急変する起電力を出力として排気ガス中の酸素濃度を検出し、エンジンでの燃料と空気の混合比や燃焼を制御する製品である。
また、A/Fセンサは、酸素センサ素子における拡散抵抗層の全域においてリニアで出力する限界電流を出力として排気ガス中の酸素濃度を検出し、エンジンでの燃料と空気の混合比や燃焼を制御する製品である。
そこで、素子の一部を固体電解質で構成した素子が開発されている(特許文献1参照)。かかる酸素センサ素子においては、中空のヒータ本体の中空部に連通する溝の開口部に跨架するように固体電解質層が形成されている。
絶縁セラミックス原料を含む基体形成用坏土を、上記電解質部の形成位置に空間が形成された上記基体の形状に成形する第一成形工程と、
固体電解質原料を含む電解質形成用坏土を、上記空間内に充填して成形する第二成形工程と、
焼成を行って上記電解質部を有する上記基体を作製する焼成工程と、
上記電極を形成する電極形成工程とを有し、
上記第一成形工程及び上記第二成形工程においては金型を用いて上記基体形成用坏土及び上記電解質形成用坏土をそれぞれ射出成形し、
上記第一成形工程においては、上記金型のキャビティ内における上記電解質部の形成位置を可動型金型で塞いだ状態で、上記金型のキャビティ内に上記基体形成用坏土を射出成形し、上記第二成形工程においては、上記可動型金型で塞いだ上記電解質部の上記形成位置を開放して形成される上記空間内に上記電解質形成用坏土を射出成形することを特徴とするガスセンサ素子の製造方法にある。
また、上述のように角部の形成を回避することができるため、他部材への組み付け時に、角部の衝突により素子が破損することを防止することができる。したがって、他部材への組み付けが容易になる。
上記ガスセンサ素子は、上記基体と上記電解質部とを有する。
上記基体は、一端が閉塞し他端が開口した中空の円筒形状であり、上記ガスセンサ素子は、所謂コップ型、円筒型、先端詰形状型と呼ばれるものである。
したがって、上記有底円筒形状の上記基体は、側面と底面との境界が曲面となっていることが好ましい。
この場合には、上記側面と上記底面との境界部における角部の形成を回避することができる。そのため、境界部における応力集中の発生を防止することができる。それ故、クラックの発生をより一層防止することができる。
好ましくは、上記絶縁セラミックスはアルミナ(酸化アルミニウム:Al2O3)を主成分とすることがよい。この場合には、上記基体の熱伝導性及び電気絶縁性を高めることができる。より好ましくは、上記絶縁セラミックスは、アルミナを90質量%以上含有ことがよい。上記絶縁セラミックスは、アルミナの他に、例えばジルコニア、イットリア、マグネシア、カルシア、及びシリカなどから選ばれる1種又は2種以上を含有することができる。
上記固体電解質体は、部分安定化ジルコニアを主成分とすることが好ましい。この場合には、ガスセンサ素子の検出感度を向上させることができる。
一対の電極は、貴金属等の導電性金属により形成することができる。
上記拡散抵抗層及び遮蔽層は、MgO・Al2O3スピネルなどの耐熱性金属酸化物により形成することができる。上記拡散抵抗層は、多孔質の多孔体で形成し、上記遮蔽層は、緻密体で形成することができる。
第一成形工程においては、絶縁セラミックス原料を含む基体形成用坏土を、上記電解質部の形成位置に空間が形成された上記基体の形状に成形する。
絶縁セラミックス原料としては、例えばアルミナ粉末を用いることができる。絶縁セラミックス原料は、アルミナを主成分とし、さらに例えばジルコニア、イットリア、マグネシア、カルシア、及びシリカなどから選ばれる1種又は2種以上を用いることができる。
上記基体形成用坏土は、上記絶縁セラミックス原料、有機バインダ、分散剤、水等を混合することにより得ることができる。
固体電解質原料は、焼成後に固体電解質を生成する原料を用いることができる。具体的には、ジルコニア粉末、イットリア粉末等を用いることができる。これらの他に、適宜アルミナ粉末、シリカ粉末、マグネシア粉末、カルシア粉末などから選ばれる1種又は2種以上を含有する原料を用いることができる。
上記電解質形成用坏土は、上記固体電解質原料、有機バインダ、分散剤、水等を混合することにより得ることができる。
好ましくは、上記第一成形工程及び上記第二成形工程においては金型を用いて上記基体形成用坏土及び上記電解質形成用坏土をそれぞれ射出成形することがよい。
この場合には、上記基体と上記電解質部との境界部の段差が小さい上記ガスセンサ素子を容易に製造することができる。
一端が閉塞し他端が開口した有底円筒形状の絶縁セラミックスからなる基体と、固体電解質からなり、上記基体の底面及び側面の少なくとも一部に埋設されて上記有底円筒形状の上記基体の一部を形成する電解質部とを容易に形成することができる。
また、上記焼成工程を行う前に、成形体を脱脂する脱脂工程を行うことが好ましい。該脱脂工程を行うことにより、焼成前に、成形体中に含まれるバインダ等の有機成分を除去しておくことができる。
次に、ガスセンサ素子の実施例について説明する。
図1〜4に示すごとく、本例のガスセンサ素子1は、一端101が閉塞し他端102が開口した有底円筒形状の絶縁セラミックスからなる基体10と、固体電解質体からなる電解質部103と、一対の電極11、12とを有する。電解質部103は、基体10の側面104の少なくとも一部に埋設されて有底円筒形状の基体10の一部を形成している(図2及び図3参照)。一対の電極11、12は、電解質部103を挟んで対向する位置に形成されている。基体10と電解質部103との境界部105の段差は10μm以下である。
図1〜図3に示すごとく、本例のガスセンサ素1子は、アルミナからなる有底円筒形状の基体10を有する。有底円筒形状の基体10は、側面104と底面108との境界が曲面となっている。
基体10は、側面104の一部が固体電解質体により置き換えられた構成を有しており、基体10の側面104には、固体電解質体よりなる電解質部103が形成されている。電解質部103は、基体10の側面104における閉塞側の端部101寄りに形成されている。電解質部103は、基体10の側面104の一部に埋設されて、有底円筒形状の側面(側壁)104の一部を形成している。基体10と電解質部103との境界部105に段差はほとんどなく、本例においては、基体10の内面106側及び外面107側のいずれにおいても、基体10と電解質部103との境界部105における段差は最大で3μmになっている。
本例において、固体電解質体は、ジルコニアを主成分とし、イットリアを4〜8mol%含有する部分安定化ジルコニアからなる。
ガスセンサ素子1においては、その先端(一端)101側の外面107が被測定ガス(排ガス)に曝される。一方、内面106は、基準ガス(空気)に曝される。ガスセンサ素子1において、電解質部103と、その対向する表面にそれぞれ形成された基準ガス側電極11及び被測定ガス側電極12とは、電気化学的セルを形成しており、各電極11、12がそれぞれ曝される基準ガスと被測定ガスとの酸素濃度差によって電極11、12間に電位差が生じ、この電位差から空燃比を検出することができる。
本例においては、第一成形工程、第二成形工程、脱脂工程、焼成工程、電極形成工程を行って、ガスセンサ素子1を製造する。
第一成形工程においては、絶縁セラミックス原料を含む基体形成用坏土18を、上記電解質部の形成位置に空間201が形成された上記基体10の形状に成形する(図6〜図8参照)。
第二成形工程においては、固体電解質原料を含む電解質形成用坏土19を、上記空間201内に充填して成形する(図8及び図9参照)。
脱脂工程においては、第一成形工程及び第二成形工程後に得られる成形体100(図10参照)を脱脂する。
焼成工程においては、成形体100を焼成する。
また、電極形成工程においては、焼成後に得られる基体10に電極11、12を形成する(図1〜図3参照)。
まず、アルミナ粉末、パラフィン樹脂、スチレンブタジエン共重合体樹脂、及びステアリン酸を配合し、純水を加えて加熱して混合することにより、基体形成用坏土を得た。
そして、図5に示すごとく、基体の形状(有底円筒形状)のキャビティ20が形成された金型2を準備する。同図に示すごとく、本例において、金型2は、上型21、中型22、下型23の大きくわけて3つの構成部位からなり上型21、中型22、下型23は、互いに分離可能である。上型21には、上型21、中型22、及び下型23によって形成されるキャビティ20内に材料を供給するための坏土注入口211が形成されている。また、下型23には、キャビティ20の一部を塞ぐ可動型金型231が設けられている。この可動型金型231は、キャビティ20内における電解質部103(図2参照)の形成位置を塞ぐように設けられている。
次いで、図7〜図9に示すごとく、可動型金型231で塞いだ電解質部の形成位置を開放して形成される空間201内に電解質形成用坏土19を射出成形した。具体的には、基体形成用坏土18の射出成形後(図6参照)に、図7に示すごとく、電解質部の形成位置を塞ぐ可動型金型231を取り外し、図8に示すごとく、電解質部の形成位置にキャビティ(空間201)が形成される可動型金型232に入れ替えた。可動型金型232には、空間201内に材料を供給するための坏土注入口233が形成されている。そして、図9に示すごとく、可動型金型232に設けられた坏土注入口233から空間201内に電解質形成用坏土19を射出成形した(第二成形工程)。
次いで、被測定ガス側電極12の電極部121を完全に覆うように、MgO・Al2O3スピネルからなる多孔質保護層13を形成した。多孔質保護層13は、プラズマ溶射により形成した。
また、上述のように角部の形成を回避することができるため、他部材への組み付け時に、角部の衝突により素子が破損することを防止することができる。したがって、他部材への組み付けが容易になる。
また、本例において、基材10の絶縁セラミックスは、アルミナを主成分とする。そのため、基体10の熱伝導性及び電気絶縁性を高めることができる。
また、電解質部103の固体電解質体は、部分安定化ジルコニアを主成分とする。そのため、ガスセンサ素子1は、優れた検出感度を発揮することができる。
図14〜図16は、有底円筒形状の基体10の底面108に電解質部103を形成した例である。
図17〜図19は、基体10の閉塞側の端部101寄りの側面104に、その全周にわたって電解質部103を形成した例である。
図20〜図22は、基体10の閉塞側の端部101側寄りの側面104及び底面108に電解質部103を形成した例である。側面104に形成された電解質部103は、筒状の側面104の全周にわたって形成されている。また、底面108の全体が電解質部103で形成されている。側面104及び底面108に形成された電解質部103はつながっており、有底円筒形状の一つの電解質部103を形成している。
これら図11〜図22に示す例においても、上述の図1〜図3に示すガスセンサ素子と同様にして射出成形により作製することができ、境界部105の段差は最大でも3μm程度にすることができる。
実施例1においてはラムダセンサ用のガスセンサ素子の例を示したが、本例においては、空燃比センサ(A/Fセンサ)用のガスセンサ素子を示す。
図23〜図25に示すごとく、本例のガスセンサ素子3は、実施例1と同様に、有底円筒形状の絶縁セラミックスからなる基体10と、基体10の側面104の一部に埋設された固体電解質体からなる電解質部103と、一対の電極11、12とを有する。
また、拡散抵抗層33の表面には、MgO・Al2O3スピネルの非多孔質体(緻密体)からなる遮蔽層34が形成されている。遮蔽層34は、拡散抵抗層33を完全には覆っておらず、基体10の閉塞側の端部101側において、拡散抵抗層33が部分的に露出している。遮蔽層34は、被測定ガスを透過させない。したがって、ガスセンサ素子3においては、被測定ガスは、拡散抵抗層34上における遮蔽層34の非形成領域、即ち、拡散抵抗層33の露出部分から拡散抵抗層33内を通過して被測定ガス側電極12の電極部121に到達する構成となっている。
10 基体
103 電解質部
105 境界部
11 基準ガス側電極(電極)
12 被測定ガス側電極(電極)
Claims (1)
- 一端(101)が閉塞し他端(102)が開口した有底円筒形状の絶縁セラミックスからなる基体(10)と、固体電解質からなり、上記基体(10)の底面(108)及び側面(104)の少なくとも一部に埋設されて上記有底円筒形状の上記基体(10)の一部を形成する電解質部(103、103a、103b)と、該電解質部(103、103a、103b)を挟んで対向する一対の電極(11、12、121)とを有するガスセンサ素子(1、3)の製造方法において、
絶縁セラミックス原料を含む基体形成用坏土(18)を、上記電解質部(103、103a、103b)の形成位置に空間(201)が形成された上記基体(10)の形状に成形する第一成形工程と、
固体電解質原料を含む電解質形成用坏土(19)を、上記空間(201)内に充填して成形する第二成形工程と、
焼成を行って上記電解質部(103、103a、103b)を有する上記基体(10)を作製する焼成工程と、
上記電極(11、12、121)を形成する電極形成工程とを有し、
上記第一成形工程及び上記第二成形工程においては金型(2、21、22、23)を用いて上記基体形成用坏土(18)及び上記電解質形成用坏土(19)をそれぞれ射出成形し、
上記第一成形工程においては、上記金型(2、21、22、23)のキャビティ(20)内における上記電解質部(103、103a、103b)の形成位置を可動型金型(2、231)で塞いだ状態で、上記金型(2、21、22、23)のキャビティ(20)内に上記基体形成用坏土(18)を射出成形し、上記第二成形工程においては、上記可動型金型(2、231)で塞いだ上記電解質部(103、103a、103b)の上記形成位置を開放して形成される上記空間(201)内に上記電解質形成用坏土(19)を射出成形することを特徴とするガスセンサ素子(1、3)の製造方法。
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