JP5828712B2 - 酸化物膜積層構造体の酸素拡散評価方法 - Google Patents
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Description
・ターゲット:石英ターゲット
・成膜ガス:Ar(25sccm)、18O2+O2(計25sccm)
・電力:1.5kW(13.56MHz)
・圧力:0.4Pa
・T−S間距離:60mm
・成膜時基板温度:100℃
・ターゲット:石英ターゲット
・成膜ガス:Ar(25sccm)、18O2(25sccm)
・電力:1.5kW(13.56MHz)
・圧力:0.4Pa
・T−S間距離:60mm
・成膜時基板温度:100℃
・厚さ:300nm
・ターゲット:In−Ga−Zn−O(In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:2[mol数比])ターゲット
・成膜ガス:Ar(30sccm)、O2(15sccm)
・電力:0.5kW(DC)
・圧力:0.4Pa
・T−S間距離:60mm
・成膜時基板温度:200℃
・厚さ:100nm
102 第1の酸化物膜
104 第2の酸化物膜
200 基板
202 酸化物絶縁膜
206 酸化物半導体膜
208a ソース電極
208b ドレイン電極
212 ゲート絶縁膜
214 ゲート電極
251 トランジスタ
1002 シンボル
1004 シンボル
2001 シンボル
2003 シンボル
2005 シンボル
2007 シンボル
2009 シンボル
2050 範囲
2060 範囲
2070 破線
2105 シンボル
2107 シンボル
2109 シンボル
2115 実線
2117 実線
2119 実線
2150 範囲
2160 範囲
2170 破線
2180 破線
Claims (6)
- 天然に存在する比率よりも高濃度に 18 Oを含むガスを用いて酸化物絶縁膜を形成し、
前記酸化物絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、
二次イオン質量分析法によって前記酸化物半導体膜及び前記酸化物絶縁膜の深さ方向の 18 O濃度を測定し、
前記酸化物絶縁膜から前記酸化物半導体膜へ拡散する 18 Oを評価することを特徴とする酸化物膜積層構造体の酸素拡散評価方法。 - 酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上に、天然に存在する比率よりも高濃度に 18 Oを含むガスを用いて酸化物絶縁膜を形成し、
二次イオン質量分析法によって前記酸化物半導体膜及び前記酸化物絶縁膜の深さ方向の 18 O濃度を測定し、
前記酸化物絶縁膜から前記酸化物半導体膜へ拡散する 18 Oを評価することを特徴とする酸化物膜積層構造体の酸素拡散評価方法。 - 請求項1または請求項2において、
前記酸化物半導体膜及び前記酸化物絶縁膜を熱処理した後、前記二次イオン質量分析法によって前記酸化物半導体膜及び前記酸化物絶縁膜の深さ方向の 18 O濃度を測定することを特徴とする酸化物膜積層構造体の酸素拡散評価方法。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
前記二次イオン質量分析法によって前記酸化物半導体膜及び前記酸化物絶縁膜の深さ方向の 18 O濃度を測定することにより、前記酸化物半導体膜をトランジスタの活性層に用いた場合の、当該トランジスタの特性を評価することを特徴とする酸化物膜積層構造体の酸素拡散評価方法。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、
前記酸化物半導体膜が、インジウム、ガリウム及び亜鉛の少なくともいずれかを含むことを特徴とする酸化物膜積層構造体の酸素拡散評価方法。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一において、
前記酸化物絶縁膜は、 18 Oを1atomic%以上含むガスを用いて形成されることを特徴とする酸化物膜積層構造体の酸素拡散評価方法。
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