JP5828154B2 - 規定色放射を有する照明デバイス - Google Patents
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Description
本出願は、2010年1月28日に出願され、「Light source with prescribed colour emission」と題する、特許文献1、および2010年1月28日に出願され、「Phosphor-nanoparticle combination」と題する、特許文献2の優先権を主張し、その両方が参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
用語「コア材料」は、コアが作られる半導体材料のことを言う。材料は、II-VI、III-V、IV-VI、またはI-III-VI2半導体またはそれらの組合せであってよい。例えば、シード/コア材料は、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、GaAs、GaP、GaAs、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InSb、AlAs、AlP、AlSb、Cu2S、Cu2Se、CuInS2、CuInSe2、Cu2(ZnSn)S4、Cu2(InGa)S4、それらの合金およびそれらの混合物から選択することができる。
(1)無視できる再吸収(同じ色および異なる色の両方)。SNP変換層内の再吸収は、赤色吸収が低いので、(QD変換層における再吸収と比較して)著しく減少する。一般に、再吸収は、エネルギーの損失をもたらす。例えば、典型的な0.8のQYを仮定する。単一の再吸収イベントにおいて、QYは、0.8x0.8=0.64に減少する。2回のそのようなイベントにおいて、QYは、0.83=0.51にさらに減少する。この損失は、SNP変換層においては避けられる。したがって、効率が改善される。再吸収は赤方偏移ももたらし、赤方偏移もそのようなSNP変換層において避けられる。無視できる再吸収の態様は、1つの色自体(例えば、赤からより赤い色)にのみ存在するのではなく、緑色放射SNPまたは蛍光体にも存在する。すなわち、QD変換層では、赤色QDが緑色放射を再吸収し、効率の減少および色偏移をもたらすこととなる。SNP変換層では、この再吸収が最小化される。同一の色および異なる色両方の再吸収を避ける機能は、密度が高いか低いかに関わらず、SNP層の独特の特徴である。
(2)青色励起から赤色放射への、エネルギーの非常に効率的な「集中」。SNP変換層は、スペクトル的な意味で、本質的に「光学的アンテナ」の役割を果たす。SNP変換層は、青色および強い赤色フォトルミネセンス(PL)で非常に高い吸収を有し、最小の赤色再吸収を伴うので、SNP変換層は、通常のQD変換層よりもこの役割をはるかに効率的に行う。上記(1)項を参照されたい。
(3)FRET回避または最小化。通常のQD変換層では、FRETの典型的な長さの規模は、約10nmであり、1/R6の依存性を有し、ここで、Rは2つのQD粒子間の距離である。例えば、初期放射QYが0.8である場合、QYは、単一のFRETプロセス後に0.64に減少する。FRETは赤方偏移ももたらすが、赤方偏移はSNP層では避けられる。密度が高いSNP変換層(SNP間の距離が短く、例えば0〜50nm)は、その独特の特性のため、密度が高いQD層で通例遭遇されるFRETに関連する、損失および欠陥を避けることになる。例示的には、本発明の変換層内でSNPに適用される「密度が高い」とは、ホストマトリックス中に分散された、約85%のSNPおよび約15%のリガンドを含みうる。
(a)AR赤色は、455nmにおける吸収と580〜700nmの間の波長範囲での最大の吸収との比である。すなわち、AR赤色 = (吸収455nm/最大(吸収580〜700nm)
(b)AR緑色は、455nmにおける吸収と520〜580nmの間の波長範囲での最大の吸収との比である。すなわち、AR緑色 = (吸収455nm/最大(吸収520〜580nm)
(c )ODは、455nmで測定された。
(d)PL赤方偏移は、低OD(<0.1)においてトルエン中で測定されたCWLと、サンプル用に測定されたCWLの間の、ナノメートル単位の差である。
(e)リガンドは、定義中に与えられたリストから選択することができる。
(f)ポリマーは、定義中に与えられたリストから選択することができる。
(g)好適な光学特性および機械特性を有するシリコーンは、様々な民間の供給業者から選択することができる。
(a)AR緑色は、455nmにおける吸収と520〜580nmの間の波長範囲での最大の吸収との比である。すなわち、AR緑色 = (吸収405nm/最大(吸収520〜580nm)
(b)ODは、405nmで測定された。
(c)PL赤方偏移は、低OD(<0.1)においてトルエン中で測定されたCWLと、サンプル用に測定されたCWLの間の、ナノメートル単位の差である。
(d)リガンドは、定義中に与えられたリストから選択することができる。
(e)ポリマーは、定義中に与えられたリストから選択することができる。
(f)好適な光学特性および機械特性を有するシリコーンは、様々な民間の供給業者から選択することができる。
(a)AR緑色は、405nmにおける吸収と520〜580nmの間の波長範囲での最大の吸収との比である。すなわち、AR緑色 = (吸収405nm/最大(吸収520〜580nm)
(b)AR赤色は、455nmにおける吸収と580〜680nmの間の波長範囲での最大の吸収との比である。すなわち、AR赤色 = (吸収455nm/最大(吸収580〜680nm)
(C)ODは、580〜680nmで放射するナノ粒子に関して455nmで、520〜580nmで放射するナノ粒子に関して405nmで測定された。
(d)PL赤方偏移は、低OD(<0.1)においてトルエン中で測定されたCWLと、サンプル用に測定されたCWLの間の、ナノメートル単位の差である。
(e)リガンドは、定義中に与えられたリストから選択することができる。
(f)ポリマーは、定義中に与えられたリストから選択することができる。
(g)好適な光学特性および機械特性を有するシリコーンは、様々な民間の供給業者から選択することができる。
(実施例1:ポリマーホスト内にRSNP変換層を有し赤色光を提供する照明デバイス)
RSNPを、非特許文献2に記載の手順と同様の手順にしたがって合成した。第1のステップにおいて、3.8nmの直径を有するCdSeコアを合成した。第2のステップにおいて、CdSeコアをシードとして使用して、赤色放射CdSe/CdS RSNPを合成した。結果として得られるRSNPを、トルエン溶液内で測定したとき、33x7nmの寸法を有し、放射最大値が635nmで、30nmのFWHMであった。
1.3mgのRSNPを1mlのトルエンに溶解し、RSNPをポリマー内で10分撹拌した後、5mgのBaSO4粒子を溶液に加え、さらに15分間撹拌するという変更を施した、実施例1内の手順を使用して、拡散性RSNP変換層を調製した。結果として得られた膜は、光学的な放射を増大し、必要な方向への光の抽出を増加する拡散性の性質を有した。
シリコーンRTV内RSNP層を次のように調製した。1gのRTV615A(Momentive、22 Corporate Woods Boulevard、Albany, NY 12211 米国)を、0.1gのRTV615Bとともに10分間撹拌した。27x5.5nmの全体寸法を有し635nmで放射する、1.5mgのCdSe/CdS RSNPを250μlのトルエン中に溶解した。RSNP溶液を、撹拌しながらシリコーン混合物に加え、気泡が残らなくなるまで真空にした。次いで溶液をガラス基板上に堆積し、別のガラス基板を使用してサンドイッチした。600μm厚のスペーサを、2つのガラス基板間に配置し、所望の膜厚を得た。次いでサンドイッチ構造を、ホットプレート上に150℃で15分間置き、その後、溶液は固体になった。測定された膜厚は600μmだった。
密なRSNP層を次のように調製した。635nmで放射する、35x5.4nm CdSe/CdS RSNPの、トルエン中の、1:4の重量/体積(mg/μL)比を有する溶液を、最初に調製した。20μLの溶液を、ソーダ石灰ガラス基板上にドロップキャストし、2000rpmでのスピンコーティングで広げた。堆積した膜を測定したところ、455nmで0.51の吸収ODおよび360nmで0.9のODを有した。厚さは、表面形状測定装置により測定したところ、0.510μmであった。図13Aは、このRSNP層の、吸収(点線)およびPL(実線)スペクトルを示す。最大放射は、633nmにおける、33nmのFWHMを有するものである。吸収ODは、360nmで0.96、455nmで0.5、540nmで0.035および600〜750nmで0.025であり、後者は、455nmで、ODの20分の1未満である。
薄く密にスピンコーティングしたRSNP変換層を有し緑色光を提供する照明デバイス)
密なRSNP層を次のように調製した。緑色放射、20x3.5nm CdSe/CdS RSNPの、トルエン中で1:5の重量/体積(mg/μL)比を有する溶液を調製した。RSNPを含む20μLの溶液を、ソーダ石灰ガラス基板上にドロップキャストし、2000rpmでのスピンコーティングで広げた。堆積した膜を測定したところ、455nmで0.07の吸収OD、および表面形状測定装置により測定したところ、230nmの厚さを有した。図13Bは、このRSNP層の、吸収(点線)およびPL(実線)スペクトルを示す。最大放射は、540における、33nmのFWHMを有するものである。吸収ODは、360nmで0.165および540nmで0.008であり、後者は、360nmで、ODの20分の1未満である。
2つのRSNP層のサンプルを、散乱体を有するPVB用に上で記載した方法を使用して調製した(実施例2)。RSNP層CL14Aは、0.5gのPVB内に挿入した10mgの赤色放射RSNPおよび25mgのBaSO4を有した。RSNP層CL14Bは、0.5gのPVB内に挿入した20mgの赤色放射RSNPおよび25mgのBaSO4を有した。2つのサンプルのそれぞれは、190μm厚であり、42mmの直径を有した。
使用したSNPは、3.9nmの直径のCdSeコアおよび8.9nmの全体直径を有する、非ロッド形状のCdSe\CdZnS SNPであった。0.5grのPVBを、4mlのトルエンに溶解した。2mgrのSNPを1mlのトルエンに溶解した。SNP溶液を、撹拌しながらポリマー混合物に加えた。10分の撹拌後、混合物は、光沢ある輝きを有した。次いで、混合物をパターン容器に移し、パターン容器を乾燥器内に入れ、15時間真空にして、その後混合物は固体となった。最終的な膜厚は、190μmであった。図16は、この膜の、吸収(点線)およびPLスペクトルを示す。CWLは626nmにあり、FWHMは33nmである。455における吸収と600〜700nm範囲内の最大の吸収との吸収比は、1:6(0.156から0.026)である。SNP層を、図5Aに示すように、照明デバイスに組み込んだ。360nmで、UV LEDを使用して、このRSNP層を照射し、626nmで、赤色で光出力を実現した(図示せず)。
302 曲線
304 曲線
410 ドナー
420 アクセプタ
430 矢印
440 RSNP
450 RSNP
460 コア間距離
500a 照明デバイス
500b 照明デバイス
502a SNP層
502b SNP層
504a 光源
504b 光源
600a 照明デバイス
600b 照明デバイス
602a SNP層
602b SNP層
604a 混色光源
604b 光源
700 照明デバイス
704 スペーサ層
706 SNP変換層
708 封止層
710 伝達可能光学素子
712 レンズ
714 反射素子
800 照明デバイス
802 SNP層
804 LED放射チップ
806 光学フィルタ
810 伝達可能光学素子
812 レンズ
814 反射素子
820 短波長
822 より長い波長光
900 照明デバイス
902 光学素子
904 LED
906 追加の層
1002a LED
1002b LED
1004a 導波路アセンブリ
1004b 導波路アセンブリ
1006a SNP層
1006b SNP層
1008b 上部面
1008a 底部
1010a 光抽出層
1010b 光抽出層
1012a 縁部
1012b 縁部
Claims (13)
- 光源が青色及びUV照射のうち少なくとも1つを備えた第1の波長範囲の光を放射する照明デバイス内で使用するための光学的変換層であって、前記変換層が、前記第1の波長範囲で放射された光の少なくとも一部を前記第1の波長よりも長い、少なくとも第2の波長範囲の光に変換するように構成され、前記変換層がマトリックス内に埋め込まれた少なくとも1つの種類の半導体ナノ粒子を含み、
前記少なくとも1つの種類の半導体ナノ粒子が、CdSe/CdS、CdSeS/CdS、ZnSe/CdS、ZnCdSe/CdS、CdSe/CdZnS、CdTe/CdS、InP/ZnSe、InP/CdS、InP/ZnSおよびCuInS 2 /ZnSから選択される材料を有するコア/シェル構造、
CdSe/CdS/ZnS、CdSe/CdZnS/ZnS、ZnSe/CdS/ZnS、InP/ZnSe/ZnS、InP/CdS/ZnSおよびInP/CdZnS/ZnSから選択される材料を有するコア/ダブルシェル構造、の少なくとも1つの構成を有するナノ粒子を含み、
前記変換層が520〜700nmの範囲内に少なくとも1つの放射のピーク波長を有する第2の波長範囲の放射によって前記第1の波長範囲の照射に反応するように、前記半導体ナノ粒子が選択され、前記変換層が、
前記少なくとも1つの種類の半導体ナノ粒子が8から150nmの範囲の長さを有するロッドシード型半導体ナノ粒子(RSNP)を含み、それによって、前記第1の波長範囲における吸収率と520〜700nmの範囲内の吸収の最大値との比が3.5:1より大きい、前記変換層の吸収率(AR)を提供し、
前記変換層が、前記第1の波長範囲において0.07から2の間の光学濃度(OD)を有することを特徴とする、変換層。 - 前記第1の波長範囲が405から455nmの間である、請求項1に記載の変換層。
- 少なくとも2つの種類のRSNPを含み、第1の種類が520から600nmの範囲の中央放射波長を有するRSNPを含み、RSNPの第2の種類が580から700nmの範囲の中央放射波長を有する、請求項1または2に記載の変換層。
- 前記ロッドシード型半導体ナノ粒子が45から150nmの範囲の長さを有するナノ粒子を含み、それによって前記第1の波長範囲での吸収と520〜600nmの波長範囲内の吸収の最大値との間で6:1より大きいARを有する、請求項1から3のいずれか一項に記載の変換層。
- 前記ロッドシード型半導体ナノ粒子が60から150nmの範囲の長さを有するナノ粒子を含み、それによって前記第1の波長範囲での吸収と580〜700nmの波長範囲内の吸収の最大値との間で7:1より大きいARを有する、請求項1から4のいずれか一項に記載の変換層。
- いかなるSNP表面にも結合されない、少なくとも1つの過剰な有機リガンドをさらに備える、請求項1から5のいずれか一項に記載の変換層。
- 前記マトリックスがポリマーまたはシリコーンである、請求項1から6のいずれか一項に記載の変換層。
- 5000μmより薄い、請求項1から7のいずれか一項に記載の変換層。
- 50μmより薄い、請求項1から8のいずれか一項に記載の変換層。
- 前記変換層が複数の種類の半導体ナノ粒子を含み、各種類が前記第1の波長よりも長い、異なる波長の光への変換を実施する、請求項1から9のいずれか一項に記載の変換層。
- 前記第1の波長範囲の光を放射する光源及び請求項1から10のいずれか一項に記載の光学的変換層を備える照明デバイス。
- 前記光源が少なくとも1つの発光ダイオードを含み、前記変換層が前記照明デバイスの光出力を増大し、CCT<10000Kを有しCRI>70を有する白色光を提供するように適合された、請求項11に記載の照明デバイス。
- 前記光源が少なくとも1つの発光ダイオードを含み、前記変換層が前記照明デバイスの光出力を増大し、CCT<4500Kを有しCRI>80を有する白色光を提供するように適合された、請求項11に記載の照明デバイス。
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CN111500281A (zh) * | 2012-10-25 | 2020-08-07 | 亮锐控股有限公司 | 用于硅酮中的量子点的基于pdms的配体 |
US20140170786A1 (en) * | 2012-12-13 | 2014-06-19 | Juanita N. Kurtin | Ceramic composition having dispersion of nano-particles therein and methods of fabricating same |
KR101998065B1 (ko) * | 2012-12-28 | 2019-07-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 양자 막대 및 이를 이용한 디스플레이 |
DE102013100291B4 (de) * | 2013-01-11 | 2021-08-05 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterchip |
US9617472B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-04-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor nanocrystals, a method for coating semiconductor nanocrystals, and products including same |
US20150162468A1 (en) * | 2013-12-06 | 2015-06-11 | Nanoco Technologies Ltd. | Core-Shell Nanoparticles for Photovoltaic Absorber Films |
JP6244375B2 (ja) * | 2013-12-06 | 2017-12-06 | 富士フイルム株式会社 | 光変換部材、偏光板、液晶パネル、バックライトユニット、および液晶表示装置 |
KR20150106029A (ko) * | 2014-03-10 | 2015-09-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 백라이트 어셈블리 및 이를 포함하는 표시 장치 |
EP3126903A1 (en) | 2014-04-02 | 2017-02-08 | Yissum Research Development Company of the Hebrew University of Jerusalem Ltd. | Polarized light source device |
US9995460B2 (en) * | 2014-05-27 | 2018-06-12 | Koninklijke Philips N.V. | Solid state illumination device based on non-radiative energy transfer |
JP6158248B2 (ja) * | 2014-05-27 | 2017-07-05 | ザ・ボード・オブ・トラスティーズ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・イリノイThe Board Of Trustees Of The University Of Illinois | ナノ構造材料の方法および素子 |
WO2016009431A1 (en) * | 2014-07-15 | 2016-01-21 | Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem Ltd | Patterns of fluorescent seeded nanorods |
US9466771B2 (en) * | 2014-07-23 | 2016-10-11 | Osram Sylvania Inc. | Wavelength converters and methods for making the same |
DE102014117312A1 (de) | 2014-08-28 | 2016-03-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronische Anordnung und Beleuchtungsvorrichtung |
CN106796369A (zh) | 2014-09-22 | 2017-05-31 | 耶路撒冷希伯来大学伊森姆研究发展公司 | 基于lc的光学显示系统 |
CN104498021B (zh) * | 2014-11-25 | 2016-06-29 | 合肥工业大学 | 一种蓝到绿光发射、均匀合金化核的核壳量子点的合成方法 |
US9897854B2 (en) | 2015-01-05 | 2018-02-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display having improved color reproduction |
DE102015101216A1 (de) | 2015-01-28 | 2016-07-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronische Anordnung mit Strahlungskonversionselement und Verfahren zur Herstellung eines Strahlungskonversionselements |
WO2016162233A1 (en) * | 2015-04-07 | 2016-10-13 | Philips Lighting Holding B.V. | Lighting device for colored light |
WO2017020046A1 (en) * | 2015-07-30 | 2017-02-02 | Pacific Light Technologies Corp. | Low cadmium nanocrystalline quantum dot heterostructure |
CN104987511B (zh) * | 2015-07-31 | 2017-06-23 | 北京化工大学 | 聚合物、磷光主体材料及电致发光器件 |
US10557081B2 (en) | 2015-09-10 | 2020-02-11 | Merck Patent Gmbh | Light-converting material |
US20200249160A1 (en) * | 2015-11-17 | 2020-08-06 | The Regents Of The University Of California | Nanoscale optical voltage sensors |
EP3419927B1 (en) * | 2016-02-26 | 2023-11-22 | Shoei Chemical Inc. | Low cadmium content nanostructure compositions and uses thereof |
US11189488B2 (en) | 2016-03-24 | 2021-11-30 | Nexdot | Core-shell nanoplatelets and uses thereof |
EP3433881A1 (en) | 2016-03-24 | 2019-01-30 | Nexdot | Core-shell nanoplatelets and uses thereof |
CN107760307B (zh) * | 2016-08-17 | 2021-03-02 | 苏州星烁纳米科技有限公司 | 一种量子点及其制备方法、背光模组和显示装置 |
KR102608507B1 (ko) | 2016-08-30 | 2023-12-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 그 제조방법 |
KR102640897B1 (ko) * | 2016-09-13 | 2024-02-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 양자막대, 그 합성 방법 및 양자막대 표시장치 |
CN106433613B (zh) * | 2016-09-20 | 2019-09-17 | Tcl集团股份有限公司 | 核壳结构的InP/ZnS纳米棒的制备方法 |
CN106544003B (zh) * | 2016-10-17 | 2019-12-10 | Tcl集团股份有限公司 | 核壳结构的CuInS2/ZnS纳米棒及其制备方法 |
CN110072969A (zh) | 2016-12-15 | 2019-07-30 | 默克专利股份有限公司 | 半导体发光纳米粒子 |
KR20180093216A (ko) * | 2017-02-10 | 2018-08-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 형광체, 발광소자 패키지 및 전자기기 |
EP3645660B1 (en) | 2017-06-30 | 2022-09-14 | Merck Patent GmbH | Wavelength converting component |
US10768485B2 (en) * | 2017-07-05 | 2020-09-08 | Nanoco Technologies Ltd. | Quantum dot architectures for color filter applications |
DE102017117536A1 (de) * | 2017-08-02 | 2019-02-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
EP3695443B1 (en) | 2017-10-13 | 2022-03-23 | Merck Patent GmbH | Manufacturing process for an optoelectronic device |
EP3717592B1 (en) | 2017-11-30 | 2022-05-04 | Merck Patent GmbH | Composition comprising a semiconducting light emitting nanoparticle |
CN111566830A (zh) | 2017-12-18 | 2020-08-21 | 默克专利股份有限公司 | 光转换材料 |
PL3768800T3 (pl) | 2018-03-20 | 2022-08-29 | LITEC-Vermögensverwaltungsgesellschaft mbH | Tlenohalogenki aktywowane mn jako luminofory konwersji dla półprzewodnikowych źródeł światła na bazie led |
KR102104093B1 (ko) * | 2018-06-28 | 2020-04-24 | 뉴고 디자인 스튜디오 | 마이크로미터 led의 에피택셜용 직립 통기둥형 반응챔버 및 선형 발광체의 제조 방법 |
JP7192326B2 (ja) * | 2018-09-06 | 2022-12-20 | 昭栄化学工業株式会社 | 波長変換層 |
TW202024305A (zh) | 2018-09-14 | 2020-07-01 | 德商馬克專利公司 | 發射藍光之磷光體化合物 |
DE102018007878A1 (de) * | 2018-10-07 | 2020-04-09 | Michael Licht | NlR LED |
TWI743831B (zh) * | 2019-06-17 | 2021-10-21 | 南韓商Skc索密思股份有限公司 | 用於研磨墊之組成物、研磨墊及半導體裝置之製備方法 |
US20210277304A1 (en) * | 2020-01-22 | 2021-09-09 | Battelle Memorial Institute | Luminescent nanoparticle tracers, and systems and methods for fabrication and use thereof |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6501091B1 (en) | 1998-04-01 | 2002-12-31 | Massachusetts Institute Of Technology | Quantum dot white and colored light emitting diodes |
TWI226357B (en) * | 2002-05-06 | 2005-01-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Wavelength-converting reaction-resin, its production method, light-radiating optical component and light-radiating semiconductor-body |
US7318651B2 (en) | 2003-12-18 | 2008-01-15 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Flash module with quantum dot light conversion |
US7102152B2 (en) | 2004-10-14 | 2006-09-05 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Device and method for emitting output light using quantum dots and non-quantum fluorescent material |
JP4789809B2 (ja) * | 2004-01-15 | 2011-10-12 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | ナノ結晶をドーピングしたマトリックス |
US7645397B2 (en) | 2004-01-15 | 2010-01-12 | Nanosys, Inc. | Nanocrystal doped matrixes |
US20050167684A1 (en) * | 2004-01-21 | 2005-08-04 | Chua Janet B.Y. | Device and method for emitting output light using group IIB element selenide-based phosphor material |
US7999455B2 (en) | 2006-11-13 | 2011-08-16 | Research Triangle Institute | Luminescent device including nanofibers and light stimulable particles disposed on a surface of or at least partially within the nanofibers |
DE102005030128B4 (de) * | 2004-06-28 | 2011-02-03 | Kyocera Corp. | Lichtemittierende Vorrichtung und Beleuchtungsvorrichtung |
US8718437B2 (en) | 2006-03-07 | 2014-05-06 | Qd Vision, Inc. | Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products |
US7495383B2 (en) | 2005-08-01 | 2009-02-24 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Phosphor based on a combination of quantum dot and conventional phosphors |
US20080173886A1 (en) | 2006-05-11 | 2008-07-24 | Evident Technologies, Inc. | Solid state lighting devices comprising quantum dots |
DE102007020782A1 (de) * | 2006-09-27 | 2008-04-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierende Vorrichtung |
US7977702B2 (en) * | 2006-11-02 | 2011-07-12 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Surface textured LEDs and method for making the same |
JP4892316B2 (ja) | 2006-11-06 | 2012-03-07 | 株式会社フジクラ | マルチコアファイバ |
WO2008134056A1 (en) * | 2007-04-26 | 2008-11-06 | Deak-Lam Inc. | Photon energy coversion structure |
KR101460395B1 (ko) * | 2007-12-13 | 2014-11-21 | 테크니온 리서치 엔드 디벨로프먼트 화운데이션 엘티디. | 4-6족 반도체 코어-쉘 나노결정을 포함하는 광기전 셀 |
KR20090093202A (ko) * | 2008-02-28 | 2009-09-02 | 한국과학기술원 | 백색 발광 다이오드 및 그의 제조방법 |
EP2528990B1 (en) * | 2010-01-28 | 2017-04-26 | Yissum Research Development Company of the Hebrew University of Jerusalem Ltd. | Lighting devices with prescribed colour emission |
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