DE102018007878A1 - NlR LED - Google Patents
NlR LED Download PDFInfo
- Publication number
- DE102018007878A1 DE102018007878A1 DE102018007878.8A DE102018007878A DE102018007878A1 DE 102018007878 A1 DE102018007878 A1 DE 102018007878A1 DE 102018007878 A DE102018007878 A DE 102018007878A DE 102018007878 A1 DE102018007878 A1 DE 102018007878A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- radiation
- luminescent dye
- luminescent
- emitting diode
- electrically operated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims abstract description 3
- 239000000975 dye Substances 0.000 claims description 26
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 20
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 15
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 claims description 5
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910017115 AlSb Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910015808 BaTe Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910004813 CaTe Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910017680 MgTe Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910004411 SrTe Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 claims description 4
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000004936 stimulating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 2
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 claims 2
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 claims 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 claims 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 7
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 6
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 5
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 HgSe Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000004776 molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N (2r,3r,4s,5r)-2-[6-[[2-(3,5-dimethoxyphenyl)-2-(2-methylphenyl)ethyl]amino]purin-9-yl]-5-(hydroxymethyl)oxolane-3,4-diol Chemical compound COC1=CC(OC)=CC(C(CNC=2C=3N=CN(C=3N=CN=2)[C@H]2[C@@H]([C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)C=2C(=CC=CC=2)C)=C1 BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004774 atomic orbital Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000001506 fluorescence spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000013139 quantization Methods 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/66—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing germanium, tin or lead
- C09K11/661—Chalcogenides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
- C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
- C09K11/7772—Halogenides
- C09K11/7773—Halogenides with alkali or alkaline earth metal
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/01—Arrangements or apparatus for facilitating the optical investigation
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung, die es gestattet im nahen infraroten Spektralbereich eine von thermischen Einflüssen weitgehend unabhängige elektromagnetische Strahlung abzugeben.
Description
- Technisches Gebiet
- Für die Analytik von Proben im nahen Infrarot (NIR) Bereich des elektromagnetischen Spektrums werden zur Beleuchtung der Proben oft noch Glühlampen verwendet. Diese Glühlampen haben nur eine geringe Haltbarkeit, eine großen Energieverbrauch und benötigen eine Aufwärmzeit. Die Aufwärmzeit bedingt, dass eine Lock-In Verstärkung lediglich durch mechanische Shutter realisiert werden kann. Die geringe Lebensdauer führt dazu, dass in dem Messgeräten eine Möglichkeit geschaffen werden muss die Glühlampe auszutauschen. Auch ist ein kompakterer Aufbau für tragbare Messgeräte wünschenswert wie es Leuchtdioden ermöglichen.
- Heutige Leuchtdioden im NIR Spektralbereich decken aber nur einzelne Wellenlängenbereiche des NIR Spektrums ab. Auch verändert sich z.B. durch unterschiedlichen Temperaturdriften der LED's, das Spektrum der einzelnen Leuchtdioden. Besonders auf kurzen Distanzen bewirkt die Beleuchtung aus mehreren LEDs, mit verschiedenen Wellenlängen, auf der Oberfläche des Messobjektes Unterschiede in den Reflexions- und Glanzeffekten.
- Die Erfindung beschreibt eine Lichtquelle bestehend aus mindestens einer Leuchtdiode oder Laser die im sichtbaren oder NIR Spektralbereich (Maximalintensität < 1000nm) mindestens einen Lumineszenzfarbstoffe bestrahlt und zur Emission anregt. Die Gesamtstrahlung dieser Leuchtdiode umfasst einen größeren Spektralbereich des elektromagnetischen Spektrums und ist für die Analytik von Objekten in Reflexion oder Transmission besser geeignet als mehrere verschiedenfarbige Leuchtdioden.
- Stand der Technik
- Neben organischen Fluoreszenzfarbstoffen werden anorganische Nanopartikel aus z.B. ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe, HgTe, MgS, MgSe, MgTe, CaS, CaSe, CaTe, SrS, SrSe, SrTe, BaS, BaSe, BaTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, InSb, AlAs, AIP, AlSb, PbS, PbSe, als Fluoreszenzfarbstoffe verwendet. Für den Wellenlängenbereich über 900nm sind die Nanopatikel aus GaSb, HgSe, HgTe, InAs, InSb, PbS, PbSe, PbTe, die auch mit einer Hülle aus CdS oder ZnS versehen werden können, als Lumineszenzfarbstoffe für die NIR LED geeignet.
- Bei Nanopartikeln sind die Energieniveaus nicht mehr isoliert und diskret. Durch Wechselwirkung unter den Atomen entstehen aus den energetisch gleichwertigen Atomorbitalen AO bindende und anti-bindende, delokalisierte Molekülorbitale MO. Bei einer größeren Anzahl an Atomen überlagern sich die Molekülorbitale zu quasi-kontinuierlichen Bändern, wobei das energetisch niedrigere den bindenden Charakter aufweist. Dieses wird als Valenzband bezeichnet. Das darüber liegende besitzt antibindenden Charakter, und wird als Leitungsband bezeichnet. Halbleiter-Nanopartikel besitzen eine Energielücke zwischen dem Valenz- und dem Leitungsband Eg, die bei Anregung durch Photonen Ephoton= hv überwunden werden kann. Durch Absorption dieses Photons werden Elektronen-Loch-Paare, auch Exzitone genannt, ausgebildet, die unter erneuter Abgabe eines Photons rekombinieren können. Das höchste besetzte Molekülorbital besitzt bei Bleisulfiden (PbS) hauptsächlich den Charakter des 3p-Orbitals des Schwefels, das niedrigste unbesetzte Molekülorbital kann dem 6p-Orbital des Bleis zugeschrieben werden (Kane, R. S.; Cohen, R. E.; Silbey, R. J. Phys. Chem. 1996, 100, 7928-7932.).
- Das Besondere an Halbleiter-Nanopartikeln ist hierbei, dass der Energieabstand Eg zwischen Grundzustand und angeregtem Zustand nicht nur vom Material selber, sondern im nanoskaligen Bereich auch von der Größe der Partikel abhängig ist. Die Veränderung der Bandlücke in Abhängigkeit zur Variation der Partikelgröße wird als Größenquantisierungseffekt (Ekimov, A. I.; Efros, A. L.; Onushchenko, A. A. Solid State Commun. 1985, 56, 921-924.) beschreiben.
- Bei der Fluoreszenzspektroskopie wird die Energie der Strahlung gemessen, die Nanopartikel nach der Anregung emittieren, also die Energie, die bei der Rekombination eines Elektronen-Loch-Paars frei wird. Da die Nanokristalle nach der Relaxation der Anregungsenergie nur aus dem niedrigsten angeregten Zustand emittieren, lässt sich nur ein Maximum detektieren. Auch die organischen Fluoreszenzfarbstoffe emittieren nur in einen eingeschränkten Wellenlängenbereich und besitzen gegenüber Nanopartikeln eine geringere Langzeitstabilität. Die Patentschriften wie EP1104799, JP2003-515665, US20070040152, US5110768 und US4944930 beschreiben ein oder mehrere „orange Phosphor“ Lumineszenzfarbstoffe, die mehr oder minder geeignet sind noch im NIR zu emittieren. Aus der Patentschrift
WO002014093322A1 - Eine besondere Klasse von Lumineszenzfarbstoffen stellen die Up-Converter dar. Up-Converter mit einer Emmision im NIR Bereich werden in den Patentschriften
WO002013181076A1 WO002012170456A2 - Darstellung der Erfindung
- Es ist wünschenswert, dass eine NIR LED (Nahinfrarot Leuchtdiode) nicht durch thermisch bedingte Wellenlängenverschiebung ihr Spektrum verändert und einen weiten Wellenlängenbereich gleichmäßig ausleuchtet. Für Spektrometer dessen Detektor aus InGaAs besteht sollte dieser Wellenlängenbereich bevorzugt zwischen 800nm bis 2400nm, besonders bevorzugt im Wellenlängenbereich zwischen 900nm und 1700nm. Unter einer gleichmäßigen Ausleuchtung im bevorzugten Wellenlängenbereich ist eine möglichst homogene vom Detektor registrierte Intensität zu verstehen. Diese gleichmäßige Ausleuchtung ist daher abhängig von der Intensität der NIR LED, der Sensitivität des Detektors und der Absorption der Strahlung von der Lichtquelle zur diesem. Die Strahlungsabsorption auf diesem Lichtweg ist jeweils abhängig von Messaufbau. Besonders bevorzugt wird eine homogene Ausleuchtung im bevorzugten Wellenlängenbereich ohne eine Absorption im Lichtweg unter Verwendung eines InGaAs Detektors.
- Die Lumineszenzfarbstoffe weisen, bei einer Anregung durch eine Strahlungsquelle, kaum einen thermisch bedingten Wellenlängenshift auf. Leider emittieren die Fluoreszenzfarbstoffe jeweils nur einen eingeschränkten Wellenlängenbereich und benötigen verschiedene Anregungswellenlängen.
- So wurde gefunden, dass ein weiter Wellenlängenbereich möglichst homogen ausgeleuchtet werden kann wenn zumindest eine anregende Lichtquelle zumindest einen ersten Lumineszenzfarbstoff so zur Strahlung anregt, dass diese Strahlung zumindest einen weiteren Lumineszenzfarbstoff, der im optischen Kontakt mit dem ersten Lumineszenzfarbstoff steht und eine Emission bei größeren Wellenlängen aufweist, zum Leuchten anregt. Ein Teil der Strahlung des ersten Lumineszenzfarbstoffes wird dabei von dem zweiten Lumineszenzfarbstoff absorbiert. Mit einem Teil der so erzeugten Strahlung kann, wenn ein noch größerer Wellenlängenbereich ausgeleuchtet werden soll, wiederum weitere Lumineszenzfarbstoffe angeregt werden die eine Emission bei größeren Wellenlängen aufweisen. Die Energie der Strahlung der anregenden Lichtquelle wir so durch eine Kette von Lumineszenzfarbstoffen mit verschiedenen Absorptions- und Emissionswellenlängen auf einen weiten Wellenlängenbereich verteilt. Bevorzugt werden Nanopartikel aus ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe, HgTe, MgS, MgSe, MgTe, CaS, CaSe, CaTe, SrS, SrSe, SrTe, BaS, BaSe, BaTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, InSb, AlAs, AIP, AlSb, PbS, PbSe, PbTe. Besonders bevorzugt Nanopatikel aus GaSb, HgSe, HgTe, InAs, InSb, PbS, PbSe, PbTe, die auch mit einer Hülle aus CdS oder ZnS versehen werden können.
- Im Wellenlängenbereich zwischen der anregenden Lichtquelle und der Emissionswellenlänge des ersten Lumineszenzfarbstoffes ist die Strahlungsintensität reduziert. Bei PbS Nanopartikeln beträgt z.B. der Abstand zwischen der maximalen Absorption im exzitonischen Grundzustand und der maximalen Emission des Partikels mehr als 100nm. Diese Strahlungslücke kann durch Verwendung von Up-Converter geschlossen werden. Bevorzugt werden als Up-Converter bestehend aus NaLnF4 , Ho3+ ,Ho3+:Yb3+ , LaYbErF3 , Er-BiOCl, NaYF4:Yb3 verwendet. Besonders bevorzugt Up-Converter aus Nanopartikel mit einem kubischen Kern aus NaLnF4 und einer Hülle aus CaF (Absorption zwischen 900nm und 1064nm Emission zwischen 600 und 950nm).
- Aufgabenstellung
- Die Aufgabe der Erfindung ist es, die elektromagnetische Strahlung einer Leuchtdiode oder eines Lasers durch Lumineszenzfarbstoffe die im NIR Bereich Strahlen so zu stabilisieren, dass deren thermische Wellenlängenverschiebung für einen weiten Bereich des Spektrums minimiert ist. Diese Aufgabe wird mit dem Gegenstand des Patentanspruches 1. gelöst.
- Figurenliste
-
- In
1 sind die normierten einzelnen Emissionsspektrum einer NIR Leuchtdiode dargestellt die sich aus den Emissionen einer anregenden 650mW ALGaAs Hochleistungs SMD LED mit einer maximalen Anregungswellenlänge von 850nm (Halbwertsbreite von 37nm) (gestrichelte Linie), und der Emission von sieben verschieden großen PbS Nanopartikeln (durchgezogene Linien) zusammensetzt (breite durchgezogene Linie). - Die PbS-Nanopartikel mit einem Durchmesser von 3nm bis 7,5nm sind in Silikon (Silgard 184, Dow Corning) gekapselt und bilden eine 0.4mm dicke Schicht auf dem Austrittsfenster der SMD LED.
- ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
-
- WO 002014093322 A1 [0007]
- WO 002013181076 A1 [0008]
- WO 002012170456 A2 [0008]
- Zitierte Nicht-Patentliteratur
-
- Kane, R. S.; Cohen, R. E.; Silbey, R. J. Phys. Chem. 1996, 100, 7928-7932 [0005]
- Ekimov, A. I.; Efros, A. L.; Onushchenko, A. A. Solid State Commun. 1985, 56, 921-924 [0006]
Claims (6)
- Vorrichtung zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung bestehend aus mindestens einer elektrisch betriebenen anregendem Leuchtdiode die mit einer maximalen Intensität bei einer Wellenlänge<1000nm emittiert oder mindestens einem elektrisch betriebenen anregenden Laser der mit einer maximalen Intensität bei einer Wellenlänge<1000nm emittiert und ein oder mehrere Lumineszenzfarbstoffe die aus Nanopartikel zumindest einer der Verbindungen ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe, HgTe, MgS, MgSe, MgTe, CaS, CaSe, CaTe, SrS, SrSe, SrTe, BaS, BaSe, BaTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, InSb, AlAs, AIP, AlSb, PbS, PbSe, PbTe bestehen und so zueinander angeordnet sind, dass die Strahlung der Leuchtdiode oder des Lasers die Lumineszenzfarbstoff oder den Lumineszenzfarbstoff zur Emission anregen kann und zumindest die Emission der Lumineszenzfarbstoff oder des Lumineszenzfarbstoff aus der Vorrichtung austreten kann.
- Vorrichtung nach
Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein weiter Lumineszenzfarbstoff der aus Nanopartikel zumindest einer der Verbindungen ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe, HgTe, MgS, MgSe, MgTe, CaS, CaSe, CaTe, SrS, SrSe, SrTe, BaS, BaSe, BaTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, InSb, AlAs, AIP, AlSb, PbS, PbSe, PbTe bestehen und ein länger welliges Emissionsmaximum besitzt als die Lumineszenzfarbstoff die durch die Strahlung der elektrisch betriebenen Leuchtdiode oder Laser angeregt wurde, zumindest durch die Strahlung der kürzer welligen Lumineszenzfarbstoff angeregt wird und mit zur Gesamtstrahlung der Vorrichtung beiträgt. - Vorrichtung nach
Anspruch 1 und2 , dadurch gekennzeichnet, das mindestens ein Up-Converter bevorzugt bestehend aus NaLnF4 und/oder Ho3+ und/oder Ho3+:Yb3+ und/oder LaYbErF3 und/oder Er-BiOCl und/oder NaYF4:Yb3 durch die Strahlung der Lumineszenzfarbstoffe angeregt wird und zur Gesamtstrahlung der Vorrichtung beiträgt. - Vorrichtung nach
Anspruch 1 bis3 , dadurch gekennzeichnet, dass die Lumineszenzfarbstoffe in PMMA (Polymethylmethacrylat) oder Epoxydharz oder Silicon oder EVA (Ethylene Vinyl Acetate) oder Acryl oder transparentem Polymer aus der Gruppe der Olefine oder Glas gekapselt sind. - Vorrichtung nach
Anspruch 4 , dadurch gekennzeichnet, dass aus dem Einkapselmaterial Linsen geformt sind. - Vorrichtung nach
Anspruch 1 bis5 , dadurch gekennzeichnet, dass der/die gekapselte/n Lumineszenzfarbstoff/e auf der elektrisch betriebenen Leuchtdiode oder dem Laserstrahlaustrittsfenster so fixiert ist/sind, dass die anregende Strahlung auf den/die Lumineszenzfarbstoff/e trifft.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102018007878.8A DE102018007878A1 (de) | 2018-10-07 | 2018-10-07 | NlR LED |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102018007878.8A DE102018007878A1 (de) | 2018-10-07 | 2018-10-07 | NlR LED |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102018007878A1 true DE102018007878A1 (de) | 2020-04-09 |
Family
ID=69886432
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102018007878.8A Pending DE102018007878A1 (de) | 2018-10-07 | 2018-10-07 | NlR LED |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102018007878A1 (de) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20090121190A1 (en) * | 2004-01-15 | 2009-05-14 | Nanosys, Inc. | Nanocrystal Doped Matrixes |
US20130181234A2 (en) * | 2010-01-28 | 2013-07-18 | Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem | Lighting devices with prescribed colour emission |
US20160218254A1 (en) * | 2015-01-27 | 2016-07-28 | Cree, Inc. | High color-saturation lighting devices with enhanced long wavelength illumination |
-
2018
- 2018-10-07 DE DE102018007878.8A patent/DE102018007878A1/de active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20090121190A1 (en) * | 2004-01-15 | 2009-05-14 | Nanosys, Inc. | Nanocrystal Doped Matrixes |
US20130181234A2 (en) * | 2010-01-28 | 2013-07-18 | Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem | Lighting devices with prescribed colour emission |
US20160218254A1 (en) * | 2015-01-27 | 2016-07-28 | Cree, Inc. | High color-saturation lighting devices with enhanced long wavelength illumination |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Chuang et al. | Emission-tunable CuInS2/ZnS quantum dots: structure, optical properties, and application in white light-emitting diodes with high color rendering index | |
Grabolle et al. | Stability and fluorescence quantum yield of CdSe–ZnS quantum dots—influence of the thickness of the ZnS shell | |
WO2009079990A1 (de) | Beleuchtungseinrichtung | |
CN104221172B (zh) | 光转换组件、灯和灯具 | |
US20180106460A1 (en) | Lighting device for colored light | |
DE112012001482T5 (de) | LED-Einrichtung unter Verwendung von Quantenpunkten | |
CN106463552B (zh) | 具有降低的饱和淬火的量子点 | |
WO2018138004A1 (de) | Optische rauchdetektion nach dem zweifarben-prinzip mittels einer leuchtdiode mit einem led-chip zur lichtemission und mit einem lichtkonverter zum umwandeln eines teils des emittierten lichts in langwelligeres licht | |
Huang et al. | Investigation of luminescence enhancement and decay of QD-LEDs: interface reactions between QDs and atmospheres | |
DE102008030253A1 (de) | Konversionselement und Leuchtmittel | |
DE102007049005A1 (de) | Strahlungsemittierende Vorrichtung | |
Sham et al. | Time‐resolved synchrotron radiation excited optical luminescence: Light‐emission properties of silicon‐based nanostructures | |
JP6637972B2 (ja) | 蛍光導光体のための色制御 | |
DE102017108190A1 (de) | Strahlungsemittierendes optoelektronisches Bauelement | |
WO2019141480A1 (de) | Optoelektronisches bauteil | |
De Oliveira et al. | Probing of the quantum dot size distribution in CdTe‐doped glasses by photoluminescence excitation spectroscopy | |
DE102013113188A1 (de) | Lumineszenzkonversionselement und optoelektronisches Halbleiterbauteil mit einem solchen Lumineszenzkonversionselement | |
DE102017123532A1 (de) | Weisslichtquellenvorrichtung | |
DE102018007878A1 (de) | NlR LED | |
US20180153016A1 (en) | Switchable high color contrast lighting | |
DE102016117189A1 (de) | Optoelektronisches Bauelement | |
DE102015106995A1 (de) | Optischer Herzfrequenzsensor | |
Chen et al. | Degradation dynamics of quantum dots in white LED applications | |
DE102011079721A1 (de) | Led-lichtquelle | |
DE102013113486B4 (de) | Organisches Licht emittierendes Bauelement |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R012 | Request for examination validly filed | ||
R016 | Response to examination communication |