JP5786745B2 - 電力増幅器 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る電力増幅器を示す図である。この電力増幅器は、HBTとFETを同一基板上に形成するBiFETプロセスにより形成される2段増幅器である。GaAs−HBT電力増幅器とバイアス回路が同一GaAsチップ上に集積化されている。点線枠内がGaAsチップであり、点線枠外の回路素子はモジュール基板上にチップ部品や線路によって形成されている。
図6は、本発明の実施の形態2に係るバイアス回路を示す図である。本実施の形態では、実施の形態1の容量調整回路1の容量切替部を多段にしている。具体的には、実施の形態1のFET1を並列接続されたn個(nは2以上の整数)のFET_1,・・・,FET_nに置き換えている。Cref,Ccb、FET2、Rb3〜Rb6も同様にそれぞれn個の構成に置き換えている。
図7は、本発明の実施の形態3に係るバイアス回路を示す図である。実施の形態1のトランジスタFET1と容量Crefの代わりに固定容量C1と可変容量素子Cv1を用い、トランジスタFET2と容量Ccbの代わりに固定容量C2と可変容量素子Cv2を用いている。可変容量素子Cv1,Cv2はバラクタダイオード等である。C1とCv1は直列に接続され、C2とCv2は直列に接続されている。
2 制御回路
Bias1,Bias2 バイアス回路
Cref,Ccb 容量
FET1,FET2 トランジスタ(第2のトランジスタ)
Tr1,Tr2 増幅素子
Trb1 第1のトランジスタ(第1のトランジスタ)
Claims (2)
- 入力信号が入力されるベースと、コレクタ電圧が印加されるコレクタと、エミッタとを有する増幅素子と、
バイアス電流を前記増幅素子の前記ベースに供給するバイアス回路とを備え、
前記バイアス回路は、
リファレンス電圧が入力される第1の制御端子と、電源電圧が入力される第1の端子と、前記増幅素子の前記ベースに接続された第2の端子とを持つ第1のトランジスタと、
前記増幅素子の前記コレクタ電圧が低くなると、前記第1のトランジスタの前記第1の制御端子及び前記第1の端子の少なくとも一方と接地点との間の容量値を増加させる容量調整回路とを有し、
前記容量調整回路は、
第2の制御端子と、前記第1のトランジスタの前記第1の制御端子又は前記第1の端子に接続された第3の端子と、第4の端子とを持つ第2のトランジスタと、
前記第4の端子と接地点との間に接続された容量と、
前記第2のトランジスタの前記第2の制御端子に制御電圧を供給する制御回路とを有し、
前記制御回路は、前記増幅素子の前記コレクタ電圧が所定の閾値より低い場合に前記第2のトランジスタをONさせることを特徴とする電力増幅器。 - 前記容量調整回路は前記容量値を多段に変化させることを特徴とする請求項1に記載の電力増幅器。
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