JP5774018B2 - 表面処理組成物、その製造方法および表面処理された物品 - Google Patents
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Description
しかしながら、従来知られているプロセスによって形成された防汚性コーティングは、防汚性特性において必ずしも十分ではない。また、それらがより長い間使用されるに従って、それらの汚染性は特にかなり減少する。したがって、優れた防汚性および優れた耐久性を備えた防汚性コーティングの開発が望まれる。
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−(CH2)p−X−(CH2)r−C3H6−Si(X’)3−a(R1)a (A)
[式中、
qは1から3までの整数であり;m、nおよびoは、独立して、0から200までの整数であり;pは1または2であり;Xは酸素または二価の有機基であり;rは0から17までの整数であり;R1は、不飽和脂肪族結合を有していないC1−22の直鎖状または分岐状炭化水素基であり;aは0から2までの整数であり;また、X’は加水分解可能な基である。」
で表わされる有機珪素化合物を含んでなる表面処理組成物であって、
一般式(B)および(C):
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−F (B)
[式中、q、m、nおよびoは上記と同義である。]、
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−(CH2)p−X−(CH2)r−CH=CHCH3 (C)
[式中、q、m、n、o、p、rおよびXは、上記と同義である。]
で表わされる含フッ素化合物の表面処理組成物中における含量は、表面処理組成物基準で25mol%未満である表面処理組成物を提供する。
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−(CH2)p−X −(CH2)r−C3H6−Si(OR)3 (A−1)、
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−(CH2)p−X−(CH2)r−C3H6−Si(HNR) 3 (A−2)
および
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−(CH2)p−X−(CH2)r−C3H6−Si(NR2)3 (A−3)
[式中、q、m、n、o、p、Xおよびrは上記と同義である。また、Rは独立してC1−C22の直鎖状または分岐状アルキル基である。また、2つのR基が環状アミンを形成してもよい。]のいずれか1つで表わされる有機珪素化合物を含んでなる表面処理組成物を提供し、ここで、一般式(B)および(C)で表わされる含フッ素化合物の表面処理組成物中での含量は、表面処理組成物基準で25mol%未満である。
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−CH2O−(CH2)r−C3H6−Si(HNR)3 (i−d−i)
または
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−CH2O−(CH2)r−C3H6−Si(NR2)3 (i−d−ii)
[式中、q、m、n、o、rおよびRは、上記と同義である。]によって表わされ、および、一般式(B)および(C)で表わされる含フッ素化合物は、一般式(ii)および(i−c−d):
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−F (ii)
および
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−CH2O−(CH2)r−CH=CHCH3 (i−c−d)
によってそれぞれ表わされる。
(a)パーフルオロポリエーテルの酸フルオリド(D)および非反応性パーフルオロポリエーテル(E)を含んでなる混合物を還元剤と接触させて、酸フルオリドを反応させ、それによって、かくして生成したヒドロキシパーフルオロポリエーテル(F)および非反応性パーフルオロポリエーテル(E)を含んでなる反応混合物を製造する工程;
(b)工程(a)で製造された反応混合物をカラムクロマトグラフィーで精製して、精製された物質中におけるヒドロキシパーフルオロポリエーテル(F)の含量が、反応混合物中におけるヒドロキシパーフルオロポリエーテル(F)の含量よりも高い、精製された物質を製造する工程;
(c)工程(b)において得られた精製された物質を、アリルハライドと接触させて、ヒドロキシパーフルオロポリエーテル(F)と反応させ、それによって、かくして生成したアリルパーフルオロポリエーテル(G)および非反応性パーフルオロポリエーテル(E)を含んでなる反応混合物を製造する工程;および
(d)工程(c)で得られた反応混合物を異性体削減剤および遷移金属触媒の存在下にヒドロシランと接触させて、アリルパーフルオロポリエーテルを反応させ、それによって、フッ素含有ポリエーテル鎖の一方の末端にアルコキシシラン官能基を有する有機珪素化合物(I)、非反応性パーフルオロポリエーテル(F)、およびアリルパーフルオロポリエーテル(G)の異性体(H)を含んでなり、非反応性パーフルオロポリエーテル(E)および異性体(H)の表面処理組成物中における含量が、表面処理組成物基準で25mol%未満である表面処理組成物を製造する工程
を含んでなる、表面処理組成物の製造方法を提供する。
(a)下記一般式(i)および(ii):
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−C(=O)F (i)
[式中、qは1から3までの整数であり;m、nおよびoは、独立して、0から200までの整数である。];および
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−F (ii)
[式中、q、m、nおよびoは上記と同義である。]
で表わされる化合物を含む原料混合物を還元剤と接触させることにより、化合物(i)が反応して得られる下記一般式(i−b):
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−CH2OH (i−b)
[式中、q、m、nおよびoは上記と同義である。]
で表わされるアルコール;および一般式(ii)で表わされる化合物を含んでなる反応混合物を製造する工程;
(b)一般式(ii)で表わされる含フッ素化合物の少なくとも一部を除去するためにカラムクロマトグラフィーによって、前工程で得られた反応混合物を精製して、精製された物質中での一般式(i−b)で表わされる化合物の含量が、反応混合物中の含量より高い精製された物質をその結果として製造する工程;
(c)工程(b)の中で製造された精製された物質を
Z−(CH2)r−CH2CH=CH2
[式中、Zはハロゲン原子であり;rは、0から17までの整数である。]と接触させて化合物(i−b)を反応させ、その結果として、かくした得られた下記一般式(i−c):
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−CH2O−(CH2)r−CH2CH=CH2 (i−c)
[式中、q、m、n、oおよびrは上記と同義である。]のアリル化合物および一般式(ii)で表わされる化合物を含んでなる反応混合物を製造する工程であって、ここで、一般式(ii)によって表される化合物のこの中間の組成物中での含量は、中間の組成物基準で5mol%未満である反応混合物を製造する工程;および
(d)工程(c)で得られた反応混合物を、一般式(iii):
H−Si(X’)3−a(R1)a (iii)
[式中、R1、aおよびX’は上記と同義である。]
で表わされるヒドロシラン化合物と、遷移金属触媒の存在下で接触させる工程、および、その後、要すれば、アルカリ金属アルコキシドと接触させて、化合物(i−c)を反応させ、その結果として、
一般式(i−d):
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−CH2O−(CH2)r−C3H6−Si(X’)3−a(R1)a (i−d)
[式中、q、m、n、o、a、r、X’およびR1は、上記と同義である。]
で表わされる有機珪素化合物:および
一般式(ii)および:(i−c−d):
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−CH2O−(CH2)r−CH=CHCH3 (i−c−d)
[式中、q、m、n、oおよびrは上記と同義である。]
で表わされる含フッ素化合物を含んでなり、ここで、表面処理組成物中の、一般式(ii)および(i−c−d)で表わされる含フッ素化合物の含量は、表面処理組成物基準で25mol%未満である表面処理組成物を得る工程、
を含んでなる表面処理組成物の製造方法を提供する。
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−CH2O−(CH2)r−C3H6−Si(X’)3−a(R1)a (i−d)
[式中、rは0であり、X’は塩素またはアルコキシであり、aは0であり、またq、m、nおよびoは上記と同義である。]によって表わされ:および
ヒドロシリル化反応は、トリクロロシラン(HSiCl3)またはトリアルコキシシラン(HSi(OR)3)と一般式(i−c):
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−CH2O−(CH2)r−CH2CH=CH2 (i−c)
[式中、q、m、n、oおよびrは上記と同義である。]
で表わされる化合物との間で行なわれる、表面処理組成物の製造方法を特に提供する。
F −(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−CH2O −(CH2)r−C3H6−Si−(HNR)3 (i−d−i)または
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−CH2O−(CH2)r−C3H6−Si(NR2)3 (i−d−ii)
[式中、q、m、n、o、rおよびRは上記と同義である。]
で表わされる有機珪素化合物および一般式(ii)および(i−c−d)で表わされる含フッ素化合物を含んでなる表面処理組成物を製造する工程を有してなる、表面処理組成物の製造方法をさらに特に提供する。
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−F (B)
[式中、q、m、nおよびoは上記と同義である。]、
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−(CH2)p−X−(CH2)r−CH=CHCH3 (C)
[式中、q、m、n、o、p、rおよびXは、上記と同義である。]
で表わされる含フッ素化合物を大量に、一般に、表面処理組成物基準で約35〜60mol%含有すること、および含フッ素化合物は、有機珪素化合物の反応により基材上で生成する層が形成される表面処理組成物の層に比較的遊離して含まれていること、および、したがって、含フッ素化合物は、防汚性の耐久性を減少させることが判明した。
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−C(=O)F (i)
[式中、q、m、nおよびoは上記と同義である。]
で表わされる成分を含む出発原料混合物の中に既に存在する。
別の成分(C)および/または(i−c−d):
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−(CH2)p−X−(CH2)r−CH=CHCH3 (C)
[式中、q、m、n、o、p、rおよびXは、上記と同義である];
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−CH2O−(CH2)r−CH=CHCH3 (i−c−d)
[式中、q、m、n、oおよびrは上記と同義である]、
は、一般式(i−c):
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−CH2O−(CH2)r−CH2CH=CH2 (i−c)
[式中、q、m、n、oおよびrは上記と同義である。]
で表わされる末端アリル化合物からヒドロシリル化中に製造された異性体副産物である。
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−(CH2)p−X−(CH2)r−C3H6−Si(X’)3−a(R1)a (A)
で表わされる有機珪素化合物を含む。
好ましくは、一般式(A)の中で、
m、nおよびoは、独立して、1から150までの整数であり、
Xは酸素原子、またはC1−C22の直鎖状または分岐状アルキレン基のような二価の有機基であり;
R1はC1−C22の直鎖状または分岐状アルキル基であり、より好ましくはC1−C12の直鎖状または分岐状アルキル基であり;および
X’は、独立して、塩素原子、アルコキシ(OR)基、アルキルアミノ(NHRまたは−NR2)基またはジアルキルイミノキシ(−O−N=CR2)基から選択され、Rは独立してC1−C22の直鎖状または分岐アルキル基であり、および、2つのR基が環状アミンまたは環式ケトキシムを形成してもよく、および整数aは0である。一般式(A)の中で、−C3H6−は、−(CH2)3、−CH2−CH(CH3)−および、−C(CH3)2−を含む。
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−CH2O−(CH2)r−C3H6−Si(X’)3−a(R1)a (i−d)
[式中、q、m、n、o、a、r、X’およびR1は、上記と同義である。]、
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−CH2O−(CH2)r−CH=CHCH3 (i−c−d)
[式中、q、m、n、oおよびrは上記と同義である。]
をそれぞれ表わす。
(a)一般式(i):
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−C(=O)F (i)
[式中、q、m、n、oおよびaは前記と同義である。]
で表わされる酸フルオリド化合物;および
および一般式(ii):
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−F (ii)
[式中、q、m、nおよびoは前記と同義である。]
で表わされる含フッ素ポリマーを含む原料混合物から、かくして得られる下記一般式(i−b):
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−CH2OH (i−b)
[式中、q、m、nおよびoは上記と同義である。]
で表わされるアルコール、および一般式(ii)で表わされる含フッ素ポリマーを含んでなる反応混合物を得るアルコール生成反応;
(b) 一般式(ii)で表わされる含フッ素化合物の少なくとも一部を除去するためにカラムクロマトグラフィーによって、工程(a)で得られた反応混合物を精製する工程;
(c) 工程(b)で得られた精製された物質を
Z(CH2 ) r−CH2CH=CH2
[Zおよびrは前記と同義である。]
で表わされる化合物によるアリル化反応に付して、かくして生成した下記一般式(i−c):
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−CH2O−(CH2)r−CH2CH=CH2 (i−c)
[式中、q、m、n、oおよびrは上記と同義である。]
で表わされる化合物および一般式(ii)で表わされる含フッ素化合物を含んでなる反応混合物を得る工程;および
(d) 工程(c)で得られた反応混合物を、一般式(iii):
H−Si(X’)3−a(R1)a (iii)
[式中、R1、aおよびX’は上記と同義である。]
で表わされるヒドロシラン化合物および異性体減少化剤とでヒドロシリル化反応に付す工程、および、その後、要すれば、(d−1)中和剤存在下に脂肪族アルコールでのアルコキシ化反応に付すか、または、(d−2)アルコキシ基を有するアルカリ金属アルコキシドとのアルコキシ化反応に付して、
一般式(i−d):
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−CH2O−(CH2)r−C3H6−Si(X’)3−a(R1)a (i−d)
[式中、q、m、n、o、a、r、X’およびR1は、上記と同義である。]
で表わされる有機珪素化合物、および一般式(ii)および(i−c−d):
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−F (ii)
[式中、q、m、nおよびoは前記と同義である。]、
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−CH2O−(CH2)r−CH=CHCH3 (i−c−d)
[式中、q、m、n、oおよびrは上記と同義である。]
で表わされる含フッ素化合物を含んでなる反応混合物を得る工程を有してなり、
ここで、表面処理組成物中の、一般式(ii)および(i−c−d)で表わされる含フッ素化合物の含量は、表面処理組成物基準で25mol%未満である、表面処理組成物
の製造方法を提供する。
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−C(=O)F (i)
[式中、q、m、nおよびoは上記と同義である。]
で表わされる酸フッ化物のみならず、一般式(ii)で表わされる化合物も含んでなる。原料物質混合物中において、一般式(i)で表わされる化合物の割合は、例えば、約45〜85mol%、および、典型的には約65〜75mol%であり、一般式(ii)で表わされる化合物の割合は、例えば、約25〜35mol%、および典型的に、約25〜30mol%である(但し、それらが合計で100mol%を超えないないという条件で)。一般式(i)で表わされる化合物が、一般式(ii)で表わされる化合物の沸点に近い沸点を有するので、原料混合物を蒸留操作に付すことによって一般式(ii)の化合物を留去するのは非常に難しい。したがって工程(a)の中の反応混合物の中に一般式(ii)の化合物を含んでおり、それは次の精製工程(b)で精製されることになる。
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−CH2OH (i−b)
[式中、q、m、nおよびoは上記と同義である。]
で表されるアルコールは、一般式(ii)の化合物の極性とは異なる極性を持っているから、カラムクロマトグラフィーの使用によって一般式(ii)の化合物を除去することができる。そのような精製操作によって、一般式(ii)で表わされる化合物は少なくとも部分的に取り除かれ、また、一般式(i−b)で表わされる化合物の、精製された物質中での含量が、上記の反応物質中の含量よりも高い精製された物質が得られる。精製された物質中における一般式(i−b)で表わされる化合物の割合は、例えば約80〜100mol%、および典型的に、約90〜100mol%であり、一般式(ii)で表わされた化合物の割合は、例えば、約0〜20mol%、および典型的に、約0〜10 mol%である(但し、合計で100mol%を超えないという条件で)。しかし本発明はこれらに限定されるものではない。
Z−(CH2)r−CH2CH=CH2
[式中、Zとrは上記と同義である。]
で表わされる化合物によるアリル化反応に付され、かくして得られた一般式(i−c):
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−CH2O−(CH2)r−CH2CH=CH2 (i−c)
[式中、q、m、n、oおよびrは上記と同義である。]
で表わされる化合物、および一般式(ii)で表わされる含フッ素化合物、を含む反応混合物を得ることができる。
H−Si(X’)3−a(R1)a(iii)
[式中、R1、aおよびX’は、上記と同義である。]
で表わされるヒドロシラン化合物と異性体削減剤でヒドロシリル化反応に付される。工程(c)の反応混合物の中で、一般式(i−c):
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−CH2O−(CH2)r−CH2CH=CH2 (i−c)
[式中、q、m、n、oおよびrは上記と同義である。]
で表わされる末端オレフィン化合物だけがヒドロシラン化合物と反応することができ、および、その後、要すれば、中和剤の存在下にC1−C22の直鎖状または分岐状の脂肪族アルコールによるアルコキシ化(d−1)の後に、またはC1−C22の直鎖状または分岐状脂肪族アルコキシル基を有するアルカリ金属アルコキシドによるアルコキシ化(d−2)の後に、
一般式(i−d):
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−CH2O−(CH2)r−C3H6−Si(X’)3−a(R1)a (i−d)
[式中、q、m、n、o、r、a、X’およびR1は、上記と同義である。]
で表わされる有機珪素化合物が得られる。
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−(CH2)p−X(CH2 ) 3−SiCl3
↓+3CH3OH−3HCl
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−(CH2)p−X−(CH2) 3 −Si(OCH3)3
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−(CH2)p−X−(CH2)3−SiCl3
↓+3HN(CH3)2−3HCl
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−(CH2)p−X−(CH2)3−Si(N(CH3)2)3
異性体削減剤もヒドロシリル化工程の間に使用される。ある実施態様において、異性体削減剤はカルボン酸化合物を含有する。カルボン酸化合物は(a)カルボン酸、(b)カルボン酸無水物、(c)シリル化されたカルボン酸、および/または(d)本方法の反応において、反応または分解を通じて前述のカルボン酸化合物(つまり、(a)、(b)および/または(c))を生成する物質を含有してよい。これらのカルボン酸化合物の1つ以上の混合物が異性体削減剤として使用されてもよいことが認識されるべきである。例えば、シリル化されたカルボン酸は、異性体削減剤としてカルボン酸の無水物と組合せて使用されてもよい。さらに、1種以上のカルボン酸化合物の混合物が異性体削減剤として使用されてもよい。例えば、2つの異なるシリル化されたカルボン酸が協同して使用されてもよい。または、2つのシリル化されたカルボン酸が、カルボン酸無水物と協力して使用されてもよい。
異性体削減剤が(a)カルボン酸を含む場合、カルボキシル基があるいずれかのカルボン酸も使用してもよい。カルボン酸の好適例は飽和カルボン酸、不飽和カルボン酸、モノカルボン酸およびジカルボン酸を含む。飽和または不飽和の脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、ハロゲン化炭化水素基、水素原子などは、これらのカルボン酸中のカルボキシル基以外の構成部分として通常選択されている。適切なカルボン酸の具体例は、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、ヘキサン酸、シクロヘキサンカルボン酸、ラウリン酸およびステアリン酸のような飽和モノカルボン酸;シュウ酸およびアジピン酸のような飽和ジカルボン酸;安息香酸およびp‐フタル酸のような芳香族カルボン酸;クロロ酢酸、ジクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、p−クロロ安息香酸およびトリメチルシリル酢酸のような、これらのカルボン酸の炭化水素基の水素原子が、ハロゲン原子または有機シリル基と置き換えられたカルボン酸;アクリル酸、メタクリル酸およびオレイン酸のような不飽和脂肪酸;およびカルボキシル基に加えて水酸基、カルボニル基またはアミノ基を有する化合物(すなわち乳酸のようなヒドロキシ酸、アセト酢酸のようなケト酸、グリオキシル酸のようなアルデヒド酸、およびグルタミン酸のようなアミノ酸)などである。
異性体削減剤がカルボン酸の無水物(b)を含んでなる場合、カルボン酸の無水物の好適例は無水酢酸、無水プロピオン酸および無水安息香酸を含む。カルボン酸のこれらの無水物は反応系での反応または分解によって得られてもよく、反応系は、塩化アセチル、ブチリル塩化物、塩化ベンゾイル、および他のカルボン酸ハロゲン化物、亜鉛10酢酸塩および酢酸タリウムのようなカルボン酸金属塩、および2−ニトロベンジルプロピオネートのような光または熱によって分解されるカルボン酸エステルを含む。
異性体削減剤がシリル化されたカルボン酸(c)を含んでなる実施態様において、シリル化されたカルボン酸の好適例は、トリアルキルシリル化されたカルボン酸、例えば、トリメチルシリルフォーメート、トリメチルシリルアセテート、トリエチルシリル・プロピオネート、トリメチルシリル・ベンゾエートおよびトリメチルシリルトリフルオロアセテート;ならびに、ジ−、トリ−、または、テトラカルボキシシリレート、例えば、ジメチルジアセトキシシラン、ジフェニルジアセトキシシラン、メチルトリアセトキシシラン、エチルトリアセトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ジ−t−ブトキシジアセトキシシランおよびシリコン・テトラベンゾエートを含む。
異性体削減剤は、一般式(i−c)で表わされる末端オレフィン化合物の合計量基準で、0.001〜20重量%、それに代えて0.01〜5重量%、それに代えて0.01〜1重量%の量で典型的に使用される。異性体削減剤として適切な市販のシリル化されたカルボン酸の例は、ミシガン州・ミッドランドのDow Corning株式会社から入手可能な、DOW CORNING(登録商標)ETS 900およびXIAMETER(登録商標)OFS−1579シランである。
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−F (ii)
[式中、q、m、nおよびoは上記と同義である。]
で表わされる含フッ素化合物は、ヒドロシラン化合物と反応することができない。したがって、それは反応混合物において反応しないままである。
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−CH2O−(CH2)r−CH=CHCH3 (i−c−d)
[式中、q、m、n、oおよびrは上記と同義である。]
で表わされる内部オレフィン化合物に異性化されることが判明した。
ヒドロシラン化合物に対するこの内部オレフィン化合物の反応性は非常に低い。したがって、この化合物は一般に反応混合物において反応しないままで、耐久特性を減少させ得る。ヒドロシリル化工程からの内部オレフィン化合物(i−c−d)の副生量は、表面処理組成物基準で約10〜20mol%であってよい。
したがって、本発明では、含フッ素化合物(B)+(C)、または(ii)+(i−c−d)の合計含有量は表面処理組成物基準で25mol%未満であるようにコントロールされるべきである。
基材、および
基材の表面上で本発明の表面処理組成物によって形成された層(または薄膜)
を有してなる。
ポリフルオロ芳香族炭化水素(例えば、ビス(トリフルオロメチル)ベンゼン);
ポリフルオロ脂肪族炭化水素、パーフルオロブチルメチルエーテルおよび類似のHFEなど。これらの溶媒は、単独で、または、2種以上の混合物として用いることができる。
ポリマー組成(1H−NMR、19F−NMR、IRによる)
平均分子量は19F−NMR測定の結果から計算される。また、混合物でのそれぞれの成分のモル比(mol%)は、1H−NMR測定の結果から計算される。本明細書中の全体にわたる「平均分子量」は、数平均分子量を意味する。
収率は、有機珪素化合物および含フッ素化合物の両方の前駆体に関しての理想的な場合においては、反応性のある含フッ素化合物の前駆体が全て狙った反応生成物へ転化するとして100%として設定される条件付きで計算される。
本実施例は、上述した本発明による表面処理組成物及びそれを製造する方法に関する。
使用した原料混合物は下記化学式:
F−(CF2CF2CF2O)n−CF2CF2−COF
で表わされるω−フルオロポリパーフルオロオキセタンアシルフルオリド(平均分子量:4000)の700g(0.175モル)、および、下記化学式:
F−(CF2CF2CF2O)n−CF2CF3
で表わされるパーフルオロポリオキセタンの300g(0.075モル)(平均分子量:4200)の混合物であった。
下記化学式:
CF3CF2CF2−(OCF2CF2CF2)a−O−CF2CF2−CH2OH
で表わされるパーフルオロポリオキセタンアルコール、および、下記化学式:
CF3CF2CF2−(OCF2CF2CF2)a−O−CF2CF3
で表わされるパーフルオロポリオキセタンの混合物と認められた。
工程(a)から得られた反応混合物を、シリカゲル(溶媒:DuPontからのバートレル(登録商標)XF)が充填されたカラムによるクロマトグラフィー分離にかけた。その結果として、化学式:
CF3CF2CF2(OCF2CF2CF2 ) a−O−CF2CF2−CH2OH
によって表わされるパーフルオロポリオキセタンアルコールから本質的に成る、660gの精製された物質(純度98mol%)を得た。精製された物質中において、下記の化学式:
CF3CF2CF2(OCF2CF2CF2 ) a−O−CF2CF3
によって表わされるパーフルオロポリオキセタンの含量は2mol%であった。
1H−NMRおよび19F−NMR分析によって、得られた反応混合物は、CF3CF2CF2(OCF2CF2CF2)22OCF2CF2CH2OCH2CH=CH2およびCF3CF2CF2(OCF2CF2CF2)22OCF2CF3(比率は98mol%/2mol%である)の混合物と認められた。
磁気攪拌子、水還流冷却器、温度制御および空間部乾燥窒素パージを装備した300mLの3つ口フラスコに、80.0gのCF3CF2CF2(OCF2CF2CF2)xOCF2CF2CH2OCH2CH=CH2およびCF3CF2CF2(OCF2CF2CF2)xOCF2CF3(混合率は98mol%/2mol%、FWは4521g/モルである)、40.0gの1,3−ビス(トリフルオロメチル)ベンゼン、0.24gのDow Corning(登録商標)ETS900、および4.06gのトリクロロシランを添加した。内容物を60℃まで加熱し、1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチル−ジシロキサンで錯体化されたPt金属を80分間で徐々に添加した。内容物を、さらに120分間65℃で維持して、CF3CF2CF2(OCF2CF2CF2)xOCF2CF2CH2OCH2CH2CH2SiCl3、CF3CF2CF2(OCF2CF2CF2)xOCF2CF2CH2OCH=CHCH3およびCF3CF2CF2(OCF2CF2CF2)xOCF2CF3の混合物を得た。残余のトリクロロシランおよび溶剤を反応混合物から真空下で留去した後に、10.0gのオルトギ酸トリメチルエステル、10.0gのメタノールおよび20.0gの1,3−ビス(トリフルオロメチル)ベンゼンを添加した。フラスコの内容物を、クロロシランのメトキシ化を促進するために3時間60℃で維持した。過剰の試薬は真空下で留去した。活性炭(4.0g)を添加した。生成物を、0.5ミクロンの膜上のセライト濾過助剤床を通して濾過した。混合生成物(X):
CF3CF2CF2(OCF2CF2CF2)xOCF2CF2CH2OCH2CH2CH2Si(OCH3)3、CF3CF2CF2(OCF2CF2CF2)xOCF2CF2CH2OCH=CHCH3およびCF3CF2CF2(OCF2CF2CF2)xOCF2CF3(混合率は、81mol%/17mol%/2mol%である。)を濾液として分離した。赤外線と核磁気共鳴スペクトル測定法による分析は、CH2=CHCH2OおよびSiCl官能基の完全な消失を示した。
コーティングをCR39.RTMベースの眼科用レンズである基板上で行い、該レンズはその両面に特許公報EP614957の中の実施例3に対応するポリシロキサン型の耐摩耗コーティングを有してなる。レンズを超音波洗浄器中で洗浄し、100℃の温度で最小3時間スチーム処理する。こうして、レンズの処理準備が整う。処理されるレンズは円形レンズである。
使用する真空処理機械は、ジュール効果を有し、電子銃、イオン銃および蒸発源を備えるLeybold光学からのSyrus3型機である。イオン銃、蒸発源に面する凹面、および処理すべきレンズを収容することを意図した環状開口部を備えるカルーセルにレンズを置く。
第2の真空に到達するまで、真空引きを行う。
次いで、連続的蒸発を電子銃により行い、4つの反射防止光学層が生成する;高指数(IH)、低指数(BI)、HI、BI:ZrO2、SiO2、ZrO2、SiO2。
最後に、上記で得られた反応混合物(X)の疎水性で親油性のコーティング層を蒸発によって析出させる。
上記で得られた反応混合物(X)の所定量を、ジュール効果ルツボ(タンタル・ルツボ)中の直径18mmの銅カプセル中に置く。疎水性で親油性のコーティングが1〜5nmの厚みで、蒸発によって析出する。
析出した厚さは石英モニターを使用して測定する。
続いて、囲いを再び加熱し、また、処理室を大気圧に戻す。
その後、レンズを上下逆さまにして、凸面を処理領域の方へ向かせる。凸面を凹面と同一に処理する(上記の工程(ii)を繰り返す)。
(iii−1)耐久性操作A:
FACOLからの「マイクロファイバーM840S 30X40」を1分間25℃で水に浸漬し、次に、空気中へ取り出す。次いで、このマイクロファイバーを使用して、撥水性被膜を有するプラスチックレンズの表面を、3.5kgの荷重をかけながら(25℃の空気、40〜60%の湿度の中で)前進および後退動作(1サイクルは、1前進プラス1後退に対応する)によって、1200回(すなわち600のサイクル)、2400回(すなわち1200サイクル)、3600回(すなわち1800サイクル)、4800回(すなわち2400サイクル)、および6000回(すなわち3000のサイクル)機械的に摩擦し、および、静的接触角を600の摩擦サイクルごとに測定する。機械的摩擦装置は、7分で600サイクルに達する様に設定する。
(iii−2)耐久性操作B:
FACOLからの「マイクロファイバーM840S 30X40」を1分間25℃で水に浸漬し、次に、空気中へ取り出す。次いで、このマイクロファイバーを使用して、撥水性被膜を有するプラスチックレンズの表面を、3.5kgの荷重をかけ(25℃の空気、40〜60%の湿度の中で)前進および後退動作(1サイクルは、1前進プラス1後退に対応する)によって、2400回(すなわち1200サイクル)、4800回(すなわち2400サイクル)、7200回(すなわち3600サイクル)、9600回(すなわち4800サイクル)、および12000回(すなわち6000のサイクル)機械的に摩擦し、および、静的接触角を1200の摩擦サイクルごとに測定する。機械的摩擦装置は、14分で1200サイクルに達する様に設定する。
(iii−3):水に対する静的接触角:
接触角メーター(KRUSS Advancing Surface Scienceによって製造されたDSA100)を用い、4マイクロリットルの体積を有する水滴を、25℃で針を使用してレンズの凸面の最上部の部分に置く。液滴と表面の間の角度が「水に対する静的接触角」として定義される。この角度は、DSA100の「液滴形状分析」ソフトウェアを使用して測定される。この技術とこの装置を使用して、測定中の不確実性は+/−1.3°である。
上記のプロセスに従って実験を行なった。3つのレンズを、上記の耐久性試験法Aを使用して試験した。また、各工程の各レンズについては、3回の静的な接触角測定を行った。表1は、3つのレンズ上で行われた3回の測定を使って計算した平均値を示す:
実施例1と同様の操作によって混合生成物(XX)を得た。但し、工程(b)は実施せずに、工程(a)から得られた反応混合物を、工程(b)から得られた精製された物質の代わりに工程(c)で使用し、また、そこから得た反応混合物を工程(d)に使用し、その際にDow Corning(登録商標)ETS900は添加しなかった。
混合生成物(XXX)を、実施例1と同様の操作によって得た。含まれていた混合生成物(XXX)は、
CF3CF2CF2(OCF2CF2CF2)xOCF2CF2CH2OCH2CH2CH2Si(OCH3)3、CF3CF2CF2(OCF2CF2CF2)xOCF2CF2CH2OCH=CHCH3およびCF3CF2CF2(OCF2CF2CF2)xOCF2CF3(混合率は、77mol%/21mol%/2mol%である。)であった。
工程(d)(1)中のアルコキシ化反応を、以下のようにアミノ化反応と置き替えた以外は、実施例1と同様の操作によって反応混合物(YY)を得た:
工程(d)(1):トリクロロシランによるシリル化、その後、アミノ化:
磁気攪拌子、水還流冷却器、温度制御および空間部乾燥窒素パージを装備した100mLの3つ口フラスコ中に、36.78gのCF3CF2CF2(OCF2CF2CF2)xOCF2CF2CH2OCH2CH=CH2およびCF3CF2CF2(OCF2CF2CF2)xOCF2CF3(混合率は、98mol%/2mol%、FWは4070g/モルである。)、18.91gの1,3−ビス(トリフルオロメチル)ベンゼン、0.0879gのDow Corning(登録商標)ETS900および7.72gのトリクロロシランを添加した。内容物を60℃まで加熱し、1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチル−ジシロキサンで錯体化されたPt金属上に3.25時間で徐々に添加した。内容物を更に30分間60℃で維持して、CF3CF2CF2(OCF2CF2CF2)xOCF2CF2CH2OCH2CH2CH2SiCl3、CF3CF2CF2(OCF2CF2CF2)xOCF2CF2CH2OCH=CHCH3およびCF3CF2CF2(OCF2CF2CF2)xOCF2CF3の混合物を得た。残余のトリクロロシランおよび溶剤を反応混合物から真空下で留去した。
その混合物を、磁気攪拌子、ドライアイス(CO2)冷却還流冷却器、温度計および空間部乾燥窒素パージを装備した250mLの3つ口フラスコに87.04gのパーフルオロヘキサンと共に移し、その後、37gの無水のジメチルアミン中で縮合させて、7℃まで反応混合物を冷却した。ドライアイスは蒸発するに任せ、内容物を一晩かけて室温まで暖め、その結果、過剰のジメチルアミンはパージされた。活性炭(0.33g)を添加した。生成物は、5ミクロンの膜上のセライト濾過助剤床を通して濾過した。混合生成物(YY):
CF3CF2CF2(OCF2CF2CF2)xOCF2CF2CH2OCH2CH2CH2Si(NMe2)3、CF3CF2CF2(OCF2CF2CF2)xOCF2CF3、および
CF3CF2CF2(OCF2CF2CF2)xOCF2CF2CH2OCH=CHCH3(混合率は、85mol%/2mol%/13mol%である。)を、濾液として分離した。赤外線と核磁気共鳴スペクトル測定法による分析は、CH2=CHCH2OおよびSiCl官能性の完全な消失を示した。
合成は、追加の工程でメトキシ化しなくてはならないことを回避するために、トリメトキシシランによって工程(d)のヒドロシリル化を行ったことを除いて、実施例1の操作に従って繰り返した。
磁気攪拌子、水還流冷却器、温度制御および空間部乾燥窒素パージを装備した100mLの3つ口フラスコ中に、20.5gのCF3CF2CF2(OCF2CF2CF2)xOCF2CF2CH2OCH2CH=CH2およびCF3CF2CF2(OCF2CF2CF2)xOCF2CF3(混合率は、98mol%/2mol%、FWは4521g/モル、である。)、10.0gの1,3−ビス(トリフルオロメチル)ベンゼン、0.06gのDow Corning(登録商標)ETS900および1.94gのトリメトキシシランを添加した。内容物を60℃まで加熱し、1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチル−ジシロキサンで錯体化されたPt金属上に0.5時間、徐々に添加した。内容物をさらに50分の間60℃で維持して、CF3CF2CF2(OCF2CF2CF2)xOCF2CF2CH2OCH2CH2CH2Si(OCH3)3、CF3CF2CF2(OCF2CF2CF2)xOCF2CF2CH2OCH=CHCH3およびCF3CF2CF2(OCF2CF2CF2)xOCF2CF3の混合物を製造した。残余のトリメトキシシランおよび溶媒を反応混合物から真空下に留去した後に、1.1gの活性炭を添加した。生成物は、0.5ミクロン膜上のセライト濾過助剤床を通して濾過した。混合生成物:
CF3CF2CF2(OCF2CF2CF2)xOCF2CF2CH2OCH2CH2CH2Si(OCH3)3、CF3CF2CF2(OCF2CF2CF2)xOCF2CF2CH2OCH=CHCH3およびCF3CF2CF2(OCF2CF2CF2)xOCF2CF3(混合率は、81mol%/17mol%/2mol%である。)を、濾液として分離した。赤外線と核磁気共鳴スペクトル測定法による分析は、CH2=CHCH2O官能性の完全な消失を示した。
Claims (18)
- 一般式(A):
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−(CH2)p−X−(CH2)r−C3H6−Si(X’)3−a(R1)a (A)
[式中、
qは1から3までの整数であり;m、nおよびoは、独立して、0から200までの整数であり、mとnとoの合計は5以上であり;pは1または2であり;Xは酸素、またはC1−C22の直鎖状または分岐状アルキレン基である二価の有機基であり;rは0から17までの整数であり;R1は、不飽和脂肪族結合を有していないC1−22の直鎖状または分岐状炭化水素基であり;aは0から2までの整数であり;また、X’は加水分解可能な基である。]
で表わされる有機珪素化合物を含んでなる表面処理組成物であって、
一般式(B)および(C):
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−F (B)
[式中、q、m、nおよびoは上記と同義である。]、
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−(CH2)p−X−(CH2)r−CH=CHCH3 (C)
[式中、q、m、n、o、p、rおよびXは、上記と同義である。]
で表わされる含フッ素化合物の表面処理組成物中における含量は、表面処理組成物基準で25mol%未満であり、
一般式(C)で表される含フッ素化合物の表面処理組成物中における含量は、表面処理組成物基準で少なくとも0.1mol%である表面処理組成物。 - 一般式(A)において、加水分解可能な基X’はアルコキシ(OR)基またはアルキルアミノ(NHRまたは−NR2)基であり、ここで、Rは独立してC1−C22の直鎖状または分岐状のアルキル基であり、2つのR基が環状アミンを形成してもよく、整数aは0である、請求項1に記載の表面処理組成物。
- 一般式(A)において、加水分解可能な基X’は、アルキルアミノ(NHRまたは−NR2)基(ここで、Rは上記と同義であり、整数aは0である。)である、請求項1または2に記載の表面処理組成物。
- 一般式(A)で表わされる有機珪素化合物が、一般式(i−d−i)または(i−d−ii):
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−CH2O−(CH2)r−C3H6−Si(HNR)3 (i−d−i)
または
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−CH2O−(CH2)r−C3H6−Si(NR2)3 (i−d−ii)
[式中、q、m、n、o、rおよびRは、上記と同義である。]
で表わされ、並びに、一般式(B)および(C)で表わされる含フッ素化合物が、一般式(ii)および(i−c−d):
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−F (ii)
および
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−CH2O−(CH2)r−CH=CHCH3 (i−c−d)
によってそれぞれ表わされる、請求項1〜3のいずれか1つに記載の表面処理組成物。 - 一般式(C)で表わされる含フッ素化合物の含量が表面処理組成物基準で1.0mol%以上である、請求項1〜4のいずれか1つに記載の表面処理組成物。
- 一般式(B)および(C)で表わされる含フッ素化合物の含量が表面処理組成物基準で20mol%未満である、請求項1〜5のいずれか1つに記載の表面処理組成物。
- 一般式(A)または(C)において、pは1であり、Xは酸素である、すなわち、
(A)および(C)は一般式(i−d)および(i−c−d):
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−CH2O−(CH2)r−C3H6−Si(X’)3−a(R1)a (i−d)
[式中、q、m、n、o、r、a、X’およびR1は、上記と同義である。]、および
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−CH2O−(CH2)r−CH=CHCH3 (i−c−d)
[式中、q、m、n、oおよびrは上記と同義である。]
によってそれぞれ表わされる、請求項1に記載の表面処理組成物。 - 有機珪素化合物を含んでなる表面処理組成物の製造方法であって、該製造方法は:
(a)下記一般式(i)および(ii):
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−C(=O)F (i)
[式中、qは1から3までの整数であり;m、nおよびoは、独立して、0から200までの整数であり、mとnとoの合計は5以上である。];および
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−F (ii)
[式中、q、m、nおよびoは上記と同義である。]
で表わされる化合物を含む原料混合物を還元剤と接触させることにより、化合物(i)が反応して得られる下記一般式(i−b):
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−CH2OH (i−b)
[式中、q、m、nおよびoは上記と同義である。]
で表わされるアルコール;および一般式(ii)で表わされる化合物を含んでなる反応混合物を製造する工程;
(b) 一般式(ii)で表わされる含フッ素化合物の少なくとも一部を除去するためにカラムクロマトグラフィーによって、前工程で得られた反応混合物を精製して、精製された物質中での一般式(i−b)で表わされる化合物の含量が、反応混合物中の含量より高い精製された物質をその結果として製造する工程;
(c) 工程(b)の中で製造された精製された物質を
Z(CH2)r−CH2CH=CH2
[Zはハロゲン原子であり;rは、0から17までの整数である]と接触させて化合物(i−b)を反応させて、その結果として得られた下記一般式(i−c):
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−CH2O−(CH2)r−CH2CH=CH2 (i−c)
[式中、q、m、n、oおよびrは上記と同義である。]
のアリル化合物および一般式(ii)で表わされる化合物を含んでなる反応混合物を製造する工程であって、ここで、一般式(ii)によって表される化合物のこの中間の組成物中での含量は、中間の組成物基準で10mol%未満である反応混合物を製造する工程;および
(d) 工程(c)で得られた反応混合物を、一般式(iii):
H−Si(X’)3−a(R1)a (iii)
[式中、R1、aおよびX’は上記と同義である。]
で表わされるヒドロシラン化合物と、遷移金属触媒および異性体削減剤の存在下で接触させ、化合物(i−c)を反応させ、その結果として、
一般式(i−d):
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−CH2O−(CH2)r−C3H6−Si(X’)3−a(R1)a (i−d)
[式中、q、m、n、o、a、r、X’およびR1は、上記と同義である。]
で表わされる有機珪素化合物:および
一般式(ii)および:(i−c−d):
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−CH2O−(CH2)r−CH=CHCH3 (i−c−d)
[式中、q、m、n、oおよびrは上記と同義である。]
で表わされる含フッ素化合物を含んでなり、
ここで、表面処理組成物中の、一般式(ii)および(i−c−d)で表わされる含フッ素化合物の含量は、表面処理組成物基準で25mol%未満であり、一般式(i−c−d)で表される含フッ素化合物の表面処理組成物中における含量は、表面処理組成物基準で少なくとも0.1mol%である表面処理組成物を得る工程、
を有してなる表面処理組成物の製造方法。 - 工程(d)が、異性体削減剤および遷移金属触媒の存在下、工程(c)で得られた反応混合物をトリクロロシラン(HSiCl3)と接触させる工程、次いで、アルキルアミンと接触させ、それによって、一般式(i−d−i)または(i−d−ii):
F −(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−CH2O −(CH2)r−C3H6−Si−(HNR)3 (i−d−i) または
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−CH2O−(CH2)r−C3H6−Si(NR2)3 (i−d−ii)
[式中、q、m、n、o、rおよびRは上記と同義である。]
で表わされる有機珪素化合物および一般式(ii)および(i−c−d)で表わされる含フッ素化合物を含んでなる表面処理組成物を製造する工程を有してなる、請求項8に記載の表面処理組成物の製造方法。 - 還元剤はNaBH4またはLiAlH4である、請求項8または9に記載の表面処理組成物の製造方法。
- 工程(c)は塩基の存在下に実施される、請求項8〜10のいずれか1つに記載の表面処理組成物の製造方法。
- 工程(d)の中で使用される遷移金属触媒は白金、ロジウムまたはパラジウムのうちのいずれか1つである、請求項8〜11のいずれか1つに記載の表面処理組成物の製造方法。
- 異性体削減剤はカルボン酸化合物である、請求項8から12のいずれか1つに記載の表面処理組成物の製造方法。
- 異性体削減剤が1以上のシリル化されたカルボン酸から選択される、請求項8〜13のいずれか1つに記載の表面処理組成物の製造方法。
- 基材、および
基材の表面上に請求項1〜7のいずれか1つに記載の表面処理組成物を適用することにより形成された層、
を有してなる、表面処理された物品。 - 基材は反射防止光学層を含む透明な材料である、請求項15に記載の表面処理された物品。
- 二重焦点、三焦点および累進多焦点レンズ(それらは区画されていてもよいし、区画されていなくてもよい)の様な単一視または多重視レンズを含む、矯正および非矯正レンズから選択される、請求項15に記載の表面処理された物品。
- 工程(d)において、反応混合物を、ヒドロシラン化合物と接触させた後に、アルカリ金属アルコキシドと接触させる、請求項8〜14のいずれか1つに記載の表面処理組成物の製造方法。
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