JP5766771B2 - ドライエッチング反応室チャンバの上部電極の製造方法 - Google Patents
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Description
図3〜4に示すように、図3は本発明のドライエッチング反応室チャンバの上部電極(以下、上部電極32)の上面図であり、図4は図3における線区間AA’に沿った断面図である。ドライエッチング反応室チャンバは図1に示すとおりであり、ここでは詳しくは述べない。
10 基板
12、32 上部電極
14 部電極
16、332 ガス穴
320 プレート
322 貫通穴
330 ガスインレットユニット
AA’、BB’ 線区間
S700〜S740 ステップ
Claims (5)
- ドライエッチング反応室チャンバの上部電極の製造方法であって、
プレートを提供することと、
該プレートに少なくとも一つの貫通穴を設けることと、
複数個のガス穴を含む少なくとも一つのガスインレットユニットを該貫通穴に嵌設することと、を含み、
前記ガスインレットユニットを該貫通穴に嵌設するステップの後に、さらに上部電極に表面処理を行うステップを含み、前記上部電極に表面処理を行うステップは、
プラズマ溶射方式でセラミック材料を前記上部電極表面に形成し、該上部電極表面の厚みを平坦にすること、
サンドブラスト方式で前記上部電極の表面粗さを制御すること、
前記上部電極表面を研磨し、平らにすること、
前記上部電極に対して鋭角に丸みをもたせる処理を行うこと、
または、前記上部電極表面に対して陽極処理を行い、保護するフィルムを生成すること、の少なくともいずれかを含み、
前記上部電極に表面処理を行うステップの後、さらにプラズマ溶射方式で耐エッチング性が高く比誘電率が高い材料を前記上部電極表面に形成する、
ドライエッチング反応室チャンバの上部電極の製造方法。 - 前記貫通穴が、前記ドライエッチング反応室チャンバの分流制御領域の数、大きさおよび位置に対応して設けられている請求項1に記載のドライエッチング反応室チャンバの上部電極の製造方法。
- 粘着材料、ほぞ、またはネジ山で前記ガスインレットユニットを該貫通穴に嵌設する請求項1に記載のドライエッチング反応室チャンバの上部電極の製造方法。
- 前記粘着材料が、エポキシ樹脂またはセラミック系接着剤である請求項3に記載のドライエッチング反応室チャンバの上部電極の製造方法。
- 前記ガスインレットユニットが、焼結工程で加工して形成されたアルミナセラミックス
、ジルコニアまたはイットリアのセラミック材料製である請求項1に記載のドライエッチング反応室チャンバの上部電極の製造方法。
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