CN102543816B - 静电吸盘 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种静电吸盘，其能够防止对形成于基板表面的电路的元件的破坏以及向基板附着污染物质，且能够防止对基板背面的损伤，并且能够容易地应用于既有的装置。在具有上层(42)、下层(43)以及被设于上层(42)与下层(43)之间的静电电极板(44)的静电吸盘(40a)的上层(42)的基板载置面(41)上形成有由作为与基板G的背面的构成材料相同的材料的玻璃形成的、用于与基板G的背面抵接的最上层(45a)，上层(42)及下层(43)由作为对含氟气体具有抗性的电介质的氧化铝形成。

Description

静电吸盘
技术领域
本发明涉及一种在基板处理装置的处理室内的用于载置基板的基板载置台上形成基板载置面的静电吸盘。
背景技术
公知一种在以液晶显示装置(LCD)为首的FPD(FlatPanel Display：平板显示器)的制造工序中、用于对以玻璃基板为首的各种基板实施等离子体处理的基板处理装置。
在如上述的基板处理装置中，在处理室(以下称为“腔室”)内具有用于支承玻璃基板(以下简称为“基板”)的基板载置台和以同该基板载置台隔着处理空间相对的方式配置的上部电极，对作为下部电极发挥作用的基板载置台施加等离子体生成用的高频电(RF)，并且将处理气体导入到处理空间使该处理气体生成等离子体，使用生成的等离子体对载置于基板载置台的基板载置面上的基板实施规定的等离子体处理。
对于形成基板载置台的基板载置面的静电吸盘而言，通常主要由形成上层以及下层的作为绝缘层的氧化铝(Al2O3)层和配置于由该氧化铝层形成的上层以及下层之间的静电电极板构成。因而，在对基板实施等离子体处理时，在静电吸盘的由氧化铝形成的上层上载置基板，氧化铝层与基板的背面抵接。
在此，由于玻璃的带电序列与氧化铝的带电序列不同，因此将由玻璃形成的基板从静电吸盘举起时，容易产生分离起电，且基板由于分离起电带负电。这样一来，因产生于基板的负电荷而存在以下问题，即，由于静电放电(Electric StaticDischarge)形成于基板表面的电路的元件被破坏、或者在基板表面上吸附微粒等污染物质。此外，因为由玻璃形成的基板载置于氧化铝层上，所以也存在因两者的硬度差引起的对基板的背面造成损伤的问题。
作为用于防止如上述的对载置于基板载置台的基板的损伤、向基板附着污染物质等的技术，提出有以下的技术方案，即，例如一种静电吸盘，由玻璃层形成上层以及下层，并在上层与下层之间配置有静电电极板(例如参照“专利文献1”)。
专利文献1：日本特开2009-032718号公报
可是，对于如上述的由玻璃层形成上层以及下层的静电吸盘而言，大幅度地改变以往的构成材料，并且存在以下问题，即，难以保持与由氧化铝层形成了上层以及下层的现有品的情况同等的耐电压性能，且由于玻璃会被含氟气体腐蚀，因此难以确保静电吸盘的对含氟气体的抗性。
发明内容
本发明的课题在于提供一种静电吸盘，能够防止对形成于基板表面的电路的元件的破坏以及向基板附着污染物质，且能够防止对基板背面的损伤，并且能够容易地应用于既有的装置。
为了解决上述课题，技术方案1所述的静电吸盘在基板处理装置的处理室内的用于载置基板的基板载置台上形成基板载置面，其特征在于，在上述基板载置面上形成有由与上述基板的背面的构成材料相同的材料形成的、用于与上述基板的背面抵接的覆膜层。
根据技术方案1所述的静电吸盘，技术方案2所述的静电吸盘的特征在于，在上述基板载置面上形成有浮雕状结构，该浮雕状结构由外周部和存在于由该外周部围绕的区域的岛部分这两者突出而成的突出部构成，上述覆膜层形成于上述外周部。
根据技术方案2所述的静电吸盘，技术方案3所述的静电吸盘的特征在于，上述覆膜层还形成于上述岛部分。
根据技术方案2或3所述的静电吸盘，技术方案4所述的静电吸盘的特征在于，上述浮雕状结构以下述方式形成，即：使上述基板载置面突出而形成突出部，并在该突出部的上表面上形成上述覆膜层。
根据技术方案2或3所述的静电吸盘，技术方案5所述的静电吸盘的特征在于，上述浮雕状结构以下述方式形成，即：使上述基板载置面为平面，并在该平面上利用上述覆膜层形成突出部。
根据技术方案1所述的静电吸盘，技术方案6所述的静电吸盘的特征在于，上述覆膜层形成于上述基板载置面上的将供升降销升降的开口围绕的区域，该升降销是为了从该基板载置面举起上述基板而设置的。
根据技术方案1所述的静电吸盘，技术方案7所述的静电吸盘的特征在于，上述覆膜层形成于整个上述基板载置面。
根据技术方案1至7中任一项所述的静电吸盘，技术方案8所述的静电吸盘的特征在于，上述覆膜层由玻璃形成。
根据技术方案1至8中任一项所述的静电吸盘，技术方案9所述的静电吸盘的特征在于，上述基板载置面是具有上层、下层以及被设于该上层与下层之间的静电电极板的上述静电吸盘的上述上层的上部表面，且该上层以及下层由对含氟气体具有抗性的电介质形成。
根据技术方案1所述的静电吸盘，技术方案10所述的静电吸盘的特征在于，在上述基板载置面上形成有浮雕状结构，该浮雕状结构由外周部和存在于由该外周部围绕的区域的岛部分这两者突出而成的突出部构成，上述覆膜层形成于上述岛部分，上述外周部由耐等离子体性材料构成。
根据技术方案10所述的静电吸盘，技术方案11所述的静电吸盘的特征在于，上述岛部分仅由上述覆膜层形成。
根据技术方案10所述的静电吸盘，技术方案12所述的静电吸盘的特征在于，上述岛部分以下述方式形成，即：使上述基板载置面突出而形成突出部，并在该突出部的上表面上形成上述覆膜层。
根据技术方案10至12中任一项所述的静电吸盘，技术方案13所述的静电吸盘的特征在于，上述覆膜层由玻璃形成。
根据技术方案10至12中任一项所述的静电吸盘，技术方案14所述的静电吸盘的特征在于，上述基板载置面是具有上层、下层以及被设于该上层与下层之间的静电电极板的上述静电吸盘的上述上层的上部表面，且上述上层以及下层由对含氟气体具有抗性的电介质形成。
根据本发明，因为在基板载置面上形成有由与基板的背面的构成材料相同的材料形成的、用于与基板的背面抵接的覆膜层，所以能够防止在将载置于静电吸盘的基板从该静电吸盘举起时易于产生的分离起电，从而能够防止对形成于基板表面的电路的元件的破坏以及向基板附着污染物质，且能够防止对基板背面的损伤，并且能够容易地应用于既有的装置。
附图说明
图1是示意性地表示具有应用本发明的实施方式的静电吸盘的基板载置台的基板处理装置的结构的剖视图。
图2是表示本发明的第1实施方式的静电吸盘的结构的剖视图。
图3是表示本发明的第2实施方式的静电吸盘的结构的剖视图。
图4是表示本发明的第3实施方式的静电吸盘的结构的剖视图。
图5是表示本发明的第4实施方式的静电吸盘的结构的剖视图。
图6是表示本发明的第5实施方式的静电吸盘的结构的俯视图。
图7是表示本发明的第6实施方式的静电吸盘的结构的剖视图。
图8是表示图7的静电吸盘的第1变形例的结构的剖视图。
图9是表示图7的静电吸盘的第2变形例的结构的剖视图。
图10是表示图7的静电吸盘的第3变形例的结构的剖视图。
具体实施方式
以下，一边参照附图，一边对本发明的实施方式进行详细说明。
图1是示意性地表示应用具有本发明的实施方式的静电吸盘的基板载置台的基板处理装置的结构的剖视图。该基板处理装置例如是用于对液晶显示装置制造用的玻璃基板实施规定的等离子体处理的基板处理装置。
在图1中，基板处理装置10具有腔室11，该腔室11用于容纳例如由1个边为几m的矩形的玻璃形成的基板G，在该腔室11内部的图中下方配置有用于载置基板G的载置台(基座)12。基座12由基材13构成，该基材13由例如表面经过铝阳极化处理了的铝形成，基材13借助绝缘构件14被支承于腔室11的底部。基材13的截面呈凸型，在上部设置有静电吸盘40，该静电吸盘40内置有静电电极板44，静电吸盘40的上部平面成为用于载置基板G的基板载置面41。
以围绕基板载置面41的周围的方式设有作为屏蔽构件的屏蔽环15，屏蔽环15例如由氧化铝等绝缘性陶瓷构成。
在静电电极板44上连接有直流电源17，对静电电极板44施加正的直流电压时，在载置于基板载置面41的基板G的靠静电电极板44侧的面(以下称为“背面”)上会感应有负电荷，由此，在静电电极板44和基板G的背面之间产生电场，利用因该电场引起的库仑力或约翰逊-拉贝克力，将基板G吸附保持于基板载置面41。
在基材13的内部设有用于调节基材13以及载置于基板载置面41的基板G的温度的温度调节机构(省略图示)。向该温度调节机构循环供给例如冷却水、GALDEN(日文：ガルデン，注册商标)等制冷剂，利用被该制冷剂冷却了的基材13冷却基板。
在基材13的周围配置有作为侧密封构件的绝缘环18，该绝缘环18覆盖包含屏蔽环15与基材13之间的抵接部的侧面。绝缘环18由绝缘性的陶瓷例如氧化铝构成。
在贯穿腔室11的底壁、绝缘构件14以及基材13的贯穿孔中，以能够升降的方式穿过有升降销(lifter pin)21。升降销21是在搬入以及搬出载置于基板载置面41的基板G时工作的构件，在将基板G搬入到腔室11内时或将基板G从腔室11搬出时，升降销21通过设于基板载置面41的开口21a上升至基座12的上方的输送位置，在除此之外的时候，升降销21以埋设于基板载置面41内的状态被收容。
在基板载置面41上开设有多个省略图示的导热气体供给孔。多个导热气体供给孔连接于导热气体供给部(未图示)，从导热气体供给部向基板载置面41和基板G的背面之间的间隙供给例如作为导热气体的氦(He)气。被供给到基板载置面41和基板G的背面之间的间隙的氦气将基座12的热量有效地传递至基板G。
在基座12的基材13上经由匹配器24连接有用于供给高频电的高频电源23。从高频电源23施加例如等离子体生成用的高频电，基座12作为下部电极发挥作用。匹配器24用于降低来自基座12的高频电的反射而使向基座12施加高频电的施加效率最大化。
在基板处理装置10中，利用腔室11的内侧壁和基座12的侧面形成侧方排气路径26。该侧方排气路径26经由排气管27连接于排气装置28。作为排气装置28的TMP(Turbo MolecularPump：涡轮分子泵)以及DP(Dry Pump：干泵)(均省略图示)通过对腔室11内抽真空而使腔室11内减压。具体而言，DP将腔室11内从大气压减压至中真空状态(例如1.3×10Pa(0.1Torr)以下)，TMP通过与DP协作将腔室11内减压至压力比中真空状态更低的高真空状态(例如1.3×10-3Pa(1.0×10-5Torr)以下)。另外，腔室11内的压力利用APC阀(省略图示)控制。
在腔室11的顶部以与基座12相对的方式配置有簇射头30。簇射头30具有内部空间31，并且具有用于向该簇射头30与基座12之间的处理空间S喷出处理气体的多个气孔32。簇射头30接地且作为上部电极发挥作用，与作为下部电极发挥作用的基座12一起构成一对平行平板电极。
簇射头30经由气体供给管36连接于处理气体供给源39。在气体供给管上设有开闭阀37以及质量流量控制器38。此外，在腔室11的侧壁上设有基板搬入搬出口34，该基板搬入搬出口34能够利用闸阀35开闭。于是，借助该闸阀35搬入搬出作为处理对象的基板G。
在基板处理装置10中，从处理气体供给源39经由处理气体导入管36供给处理气体。供给的处理气体经由簇射头30的内部空间31以及气孔32向腔室11的处理空间S导入。利用从高频电源23经由基座12向处理空间S施加的等离子体生成用的高频电，激励被导入的处理气体而生成等离子体。等离子体中的离子被吸向基板G，而对基板G实施规定的等离子体蚀刻处理。
基板处理装置10所具有的控制部(省略图示)的CPU根据与等离子体蚀刻处理相对应的程序控制基板处理装置10的各构成零件的动作。
接着，对用于形成图1的基板处理装置10的基板载置台12的基板载置面的本发明的静电吸盘进行说明。
图2是表示本发明的第1实施方式的静电吸盘的结构的剖视图。在该静电吸盘上载置作为基板的液晶显示装置制造用的玻璃基板。
在图2中，静电吸盘40a配置在作为基座12的构成构件的基材13上，静电吸盘40a主要由以下部分构成：上层42，其由作为绝缘性的陶瓷的氧化铝(Al2O3)形成；下层43，其同样由氧化铝(Al2O3)形成；以及静电电极板44，由以被夹持在上层42以及下层43之间的方式配置在上层42以及下层43之间的金属层构成。上层42的上部表面成为基板载置面41，在该基板载置面41上设有由与载置于该基板载置面41的基板G的背面相同的材质形成的覆膜层(以下称为“最上层”)45a。最上层45a与基板G的背面相抵接。
基板G是玻璃制品，基板G的背面也由玻璃形成。与此相对应地，最上层45a由玻璃形成。
以与基板G的背面的构成材料相同的玻璃材料形成最上层45a，从而防止分离起电。
防止分离起电的机理在本实施方式中可以认为如以下所述的那样。一般而言，使抵接的两个构件分离时，因两者的带电序列的差导致静电产生。将如上述的现象称为分离起电。因而，通过无限减小基板G的背面的构成材料与作为用于载置该基板G的静电吸盘40a的基板载置面的最上层45a的构成材料之间的带电序列的差，优选使基板G的背面的构成材料与最上层45a的构成材料之间的带电序列的差为零，能够抑制产生分离起电。因此，在本实施方式中，作为静电吸盘40a的最上层45a的构成材料，应用与载置于该静电吸盘40a的基板G的背面的构成材料相同的材料，即应用玻璃材料，从而消除两者的带电序列的差，由此，有效地防止在将载置于静电吸盘40a的基板G从该静电吸盘40a举起时产生的分离起电。
另外，在最上层45a的周围设有用于向最上层45a与载置于该最上层45a的基板G的背面之间供给作为温度传导介质的氦气的流通路径46。
如上述的结构的静电吸盘40a被安装于图1的基板处理装置10中，在对基板G实施规定的等离子体蚀刻处理时，该静电吸盘40a用于以支承该基板G的背面的方式支承该基板G。
根据本实施方式，因为在上层42的基板载置面41上设有由与基板G的背面相同材质的玻璃材料形成的最上层45a，所以能够使基板G的背面的带电序列与最上层45a的带电序列相同，从而能够在将载置于静电吸盘40a的基板G从该静电吸盘40a举起时防止容易产生的分离起电。由此，能够防止由于基板G带负电引起的、因静电放电而对形成于基板G的表面的电路的元件的破坏或向基板G附着污染物质。此外，基板G的背面的构成材料与最上层45a的构成材料由相同的玻璃形成，从而基板G的背面的构成材料与抵接于基板G的背面的最上层45a的构成材料之间没有硬度差，而能够防止因硬度差导致的基板的背面的损伤。
在本实施方式中，虽然作为静电吸盘40a的最上层45a的构成材料应用了玻璃材料，但是也能够应用带电序列与作为基板G的背面的构成材料的玻璃的带电序列相近的材质例如石英、聚酰胺等。因为石英以及聚酰胺与玻璃的带电序列相近，所以用作最上层45a的构成材料也能够抑制在最上层45a与玻璃基板G之间产生分离起电。
在本实施方式中，最上层45a的厚度例如为10μm～100μm，该最上层45a例如利用喷镀玻璃材料、涂敷、粘接玻璃板、粘接玻璃板之后的局部剥离等众所周知的方法形成。
在本实施方式中，静电吸盘40a的上层42以及下层43由作为电介质的氧化铝形成。因为氧化铝对由含氟气体例如SF6、CF4等产生的等离子体(氟系等离子体)具有抗性，所以即使反复进行等离子体蚀刻处理，静电吸盘40a也不会发生消耗。另外，如果不仅最上层45a由玻璃材料形成，上层42以及下层43也由玻璃材料形成，就会容易产生微小裂纹，难以确保作为静电吸盘40a的绝缘性。此外，因为在对玻璃基板的处理中大多使用含氟气体，所以如果上层42以及下层43由玻璃材料形成，则暴露于由氟气体生成的等离子体中的部分受到损伤。因而，优选仅最上层45a使用玻璃材料，上层42以及下层43使用对氟系等离子体具有抗性的氧化铝等。
在本实施方式中，最上层45a设于整个基板载置面41，但是本发明并不限定于上述实施方式。
图3是表示本发明的第2实施方式的静电吸盘的结构的剖视图。该静电吸盘40b与图2的静电吸盘40a的不同点在于为了减小基板G的背面与作为静电吸盘40b的上层42的表面的基板载置面41之间的抵接面积，使由基板载置面41的外周部(以下称为“堤部”)围绕的部分形成为浮雕状，且仅在该堤部上设有由玻璃材料形成的最上层45b。
另外，浮雕状是指例如由配置为棋盘格状的俯视为圆形或矩形等图形的多个凸状的岛部分和围绕该岛部分的凹部这两者构成的部分的形状，换言之，是指平面图形呈浮雕状的状态。
根据本实施方式，因为在作为基板载置面41的容易产生分离起电的周围的堤部上设有由玻璃材料形成的最上层45b，所以基板载置面41的堤部与基板G的背面具有相同的带电序列，从而能够防止在堤部产生分离起电，由此，能够防止由于基板G带负电对形成于基板G的表面的电路的元件的破坏以及向基板G附着污染物质。
图4是表示本发明的第3实施方式的静电吸盘的结构的剖视图。该静电吸盘40c与图3的静电吸盘40b的不同点在于，在基板载置面41的堤部与由堤部围绕的浮雕状的岛部分双方的表面上设有由玻璃材料形成的最上层45c。
在图4中，静电吸盘40c的上层42的基板载置面41被加工为浮雕状，在基板载置面41的堤部的表面上形成有由玻璃材料形成的最上层45c 1，且在由堤部围绕的浮雕状的岛部分的表面上形成有由玻璃材料形成的最上层45c2。
根据本实施方式，因为使静电吸盘40c的最上层45c的材质与基板G的背面的材质相同，且由形成于堤部的最上层45c 1与形成于由该堤部围绕的浮雕状的岛部分的最上层45c2构成最上层45c，所以载置基板的最上层45c与基板G的背面之间在构成材料上没有带电序列的差，且基板G的背面与最上层45c之间的接触面积变小。由此，能够进一步可靠地防止产生分离起电，从而能够避免由于基板G带电对形成于基板表面的电路的元件的破坏、向基板G附着微粒等。
在本实施方式中，最上层45c的厚度例如能够比较薄地形成为0.1μm～10μm，例如能够利用涂敷法容易地形成。因而，对于既有的装置的静电吸盘能够通过事后应用本实施方式而附加最上层45c，在LCD的制造现场中也能够充分地进行对应。另外，由玻璃材料形成的最上层45c用于防止载置于静电吸盘40c且由玻璃形成的基板G的背面与静电吸盘40c的由氧化铝形成的上层42之间的直接接触。
图5是表示本发明的第4实施方式的静电吸盘的结构的剖视图。该静电吸盘40d与在图4中所示的第3实施方式的静电吸盘40c同样地形成由堤部分围绕的浮雕状，但是，与图4的静电吸盘40c的不同点在于使上层42的基板载置面41为平面，并在上层42上设有最上层45d1，该最上层45d1由玻璃材料形成，且构成基板载置面41的堤部，并且作为浮雕状的存在于由堤部围绕的区域的岛部分设有由玻璃材料形成的最上层45d2。图5中的最上层45d由最上层45d1与最上层45d2构成。
根据本实施方式，也通过防止在将基板G举起时容易产生的分离起电而能够防止向基板G附着微粒等污染物质、对形成于基板表面的电路的元件的破坏等，还能够防止对基板G的背面的损伤。
在本实施方式中，最上层45d的厚度例如为10μm～100μm，该最上层45d例如利用喷镀玻璃材料、涂敷、粘接玻璃板、粘接玻璃板之后的局部剥离等众所周知的方法形成。
图6是表示本发明的第5实施方式的静电吸盘的结构的俯视图。该静电吸盘在基板载置面的供升降销升降的开口的附近设有由玻璃材料形成的最上层。
在图6中，该静电吸盘40e具有在将基板G搬入处理室11内时或从处理室11搬出基板G时为了在基板载置面的上方支承基板G而设的升降销21，在供该升降销21升降的开口21a的周边部设有由玻璃材料形成的最上层45e。
在将载置于静电吸盘的基板载置面的基板G从基板载置面举起时，基板G与基板载置面最初发生分离的部分是将基板G举起的升降销周边部，在该升降销周边部容易产生分离起电。
在本实施方式中，鉴于上述情况，在供升降销21升降的开口21a的周边部设有由玻璃材料形成的最上层45e。
根据本实施方式，因为在容易产生分离起电的供升降销21升降的开口21a的周边部设有由与基板G的背面的构成材料相同的玻璃材料形成的最上层45e，所以能够有效地防止在利用升降销21将基板G从基板载置面举起时的分离起电，由此，会防止基板G带电，从而能够防止对形成于基板G表面的电路的元件的破坏以及向基板G附着污染物质等。
在上述的第2实施方式～第5实施方式的静电吸盘中，基板载置面41的整个堤部或堤部的一部分应用玻璃材料，但是，在对基板G实施的等离子体蚀刻处理所使用的等离子体是含有氟离子及氟自由基的氟系等离子体的情况下，例如在以由SF6、CF4等产生的等离子体为主要成分的情况下，有时堤部被该氟系等离子体蚀刻而消耗。
应对上述问题，在本发明的第6实施方式中，由对氟等离子体具有抗性的绝缘性陶瓷例如氧化铝、氧化钇构成基板载置面41的堤部。
图7是表示本发明的第6实施方式的静电吸盘的结构的剖视图。
该静电吸盘40e与第2的实施方式的图3的静电吸盘40b的不同点在于，堤部47(外周部)与上层42以及下层43同样地由氧化铝或氧化钇形成，由堤部围绕的浮雕状的岛部分(以下称为“浮雕部分”)48(突出部)仅由玻璃材料形成。
在图7中，因为形成于静电吸盘40e的基板载置面41上的等离子体能够接触到的部位的堤部47由对氟等离子体具有抗性的氧化铝、氧化钇构成，所以即使在对基板G的表面实施的等离子体蚀刻处理所使用的等离子体是以反应性较高的氟等离子体为主要成分的情况下，也能够防止堤部47发生消耗。
此外，因为基板G的背面的大部分所接触的浮雕部分48由与基板G的背面的构成材料相同的玻璃材料形成，所以不仅能够防止分离起电，还能够抑制在基板G的背面上产生因基板G的背面与基板载置面41之间的硬度差导致的微小损伤，从而能够防止因该微小损伤导致的液晶显示装置的显示故障。另外，从抑制产生微小损伤的方面出发，也可以由具有与玻璃材料同等的硬度或具有玻璃材料以下的硬度的材料构成浮雕部分48，例如也可以由氮化硼、氧化镍、钛酸铝等构成浮雕部分48。
而且，在静电吸盘40e中，浮雕部分48仅由玻璃材料形成，所以仅通过改变玻璃材料的配置位置例如涂覆位置，就能够改变浮雕部分48的形成位置，从而能够提高浮雕部分48的配置的自由度。
另外，在本实施方式中，堤部47由绝缘性陶瓷形成，因此可能会在基板G的周缘部的背面上多少产生些微小损伤，但是，由于该基板G的周缘部对应于液晶显示装置的显示面的周缘部，为TFT阵列的形成范围之外，因此该微小损伤对液晶显示装置的显示品质造成影响的可能性几乎没有。
图8是表示图7的静电吸盘的第1变形例的结构的剖视图。
在图8中，静电吸盘40f包括由绝缘性陶瓷形成的堤部47和浮雕部分48，该浮雕部分48主要由绝缘性陶瓷形成，且在上表面上形成由玻璃材料形成的最上层45c3。
静电吸盘40f与静电吸盘40e不同，浮雕部分48并不是全部由玻璃材料形成，而是仅在上表面上形成由玻璃材料形成的最上层45c3，所以能够使由玻璃材料形成的层变薄，从而能够利用涂覆法等简便的方法形成该层。另外，最上层45c3不仅可以利用涂覆法形成，还可以利用喷镀玻璃材料、粘接薄板玻璃板、粘接玻璃板之后的研磨的局部剥离等众所周知的方法形成。
图9是表示图7的静电吸盘的第2变形例的结构的剖视图。
在图9中，静电吸盘40g包括由绝缘性陶瓷形成的堤部47和由玻璃材料形成的1张平板状的背面抵接部49。背面抵接部49载置于基板载置面41，该背面抵接部49的周缘由堤部47围绕。在静电吸盘40g上载置基板G时，基板G的背面与堤部47以及背面抵接部49抵接。
此外，图10是表示图7的静电吸盘的第3变形例的结构的剖视图。
在图10中，静电吸盘40h包括由绝缘性陶瓷形成的堤部47和由玻璃材料形成的平板状的背面抵接部50。背面抵接部50也与背面抵接部49同样地利用由堤部47围绕该背面抵接部50的周缘，背面抵接部50形成有由导热气体的流路构成的多个沟槽(槽)51。在静电吸盘40h上载置基板G时，基板G的背面与堤部47以及背面抵接部50抵接。
在静电吸盘40g以及静电吸盘40h中，基板G的背面的大部分所接触的背面抵接部49、50也都由与基板G的背面的构成材料相同的玻璃材料形成，所以不仅能够防止分离起电，还能够抑制在基板G的背面上产生因与基板载置面41之间的硬度差导致的微小损伤。
以上，通过使用上述各实施方式详细地说明了本发明，但是本发明并不限定于上述的实施方式。
附图标记说明
10、基板处理装置；40a～40h、静电吸盘；41、基板载置面；42、上层；43、下层；44、静电电极板；45a～45e、最上层。

Claims (14)

1.一种静电吸盘，其在基板处理装置的处理室内的用于载置基板的基板载置台上形成基板载置面，其特征在于，
在上述基板载置面上形成有由与上述基板的背面的构成材料相同的材料形成的、用于与上述基板的背面抵接的覆膜层。
2.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，
在上述基板载置面上形成有浮雕状结构，该浮雕状结构由外周部和存在于由该外周部围绕的区域的岛部分这两者突出而成的突出部构成，
上述覆膜层形成于上述外周部。
3.根据权利要求2所述的静电吸盘，其特征在于，
上述覆膜层还形成于上述岛部分。
4.根据权利要求2或3所述的静电吸盘，其特征在于，
上述浮雕状结构以下述方式形成，即：使上述基板载置面突出而形成突出部，并在该突出部的上表面上形成上述覆膜层。
5.根据权利要求2或3所述的静电吸盘，其特征在于，
上述浮雕状结构以下述方式形成，即：使上述基板载置面为平面，并在该平面上利用上述覆膜层形成突出部。
6.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，
上述覆膜层形成于上述基板载置面上的将供升降销升降的开口围绕的区域，该升降销是为了从该基板载置面举起上述基板而设置的。
7.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，
上述覆膜层形成于整个上述基板载置面。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的静电吸盘，其特征在于，
上述覆膜层由玻璃形成。
9.根据权利要求1至3中任一项所述的静电吸盘，其特征在于，
上述基板载置面是具有上层、下层以及被设于该上层与下层之间的静电电极板的上述静电吸盘的上述上层的上部表面，且上述上层以及下层由对含氟气体具有抗性的电介质形成。
10.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，
在上述基板载置面上形成有浮雕状结构，该浮雕状结构由外周部和存在于由该外周部围绕的区域的岛部分这两者突出而成的突出部构成，
上述覆膜层形成于上述岛部分，
上述外周部由耐等离子体性材料构成。
11.根据权利要求10所述的静电吸盘，其特征在于，
上述岛部分仅由上述覆膜层形成。
12.根据权利要求10所述的静电吸盘，其特征在于，
上述岛部分以下述方式形成，即：使上述基板载置面突出而形成突出部，并在该突出部的上表面上形成上述覆膜层。
13.根据权利要求10至12中任一项所述的静电吸盘，其特征在于，
上述覆膜层由玻璃形成。
14.根据权利要求10至12中任一项所述的静电吸盘，其特征在于，
上述基板载置面是具有上层、下层以及被设于该上层与下层之间的静电电极板的上述静电吸盘的上述上层的上部表面，且上述上层以及下层由对含氟气体具有抗性的电介质形成。
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